Патенти з міткою «світловипромінююча»

Світловипромінююча структура

Завантаження...

Номер патенту: 110543

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Гродзюк Галина Ярославівна, Литвиненко Олег Олександрович, Стронська Олена Йосипівна, СТРОЮК ОЛЕКСАНДР ЛЕОНІДОВИЧ, Сапельнікова Олена Юріївна, КУЧМІЙ СТЕПАН ЯРОСЛАВОВИЧ, Карачевцева Людмила Анатоліївна, Раєвська Олександра Євгеніївна

МПК: B82B 1/00, G02B 5/00, B82B 3/00 ...

Мітки: структура, світловипромінююча

Формула / Реферат:

Світловипромінююча структура на основі кремнієвої матриці з макропорами у вигляді паралельно розташованих циліндрів, на поверхні яких міститься світловипромінюючий шар нанокристалів, яка відрізняється тим, що світловипромінюючий шар виконаний з нанокристалів CdS в поліетиленіміні, який нанесено на додатковий шар SiO2 товщиною 10÷20 нм.

Світловипромінююча комірка

Завантаження...

Номер патенту: 77613

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Кіріченко Михайло Валерійович, Зайцев Роман Валентинович, Хрипунов Геннадій Семенович, Копач Володимир Романович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: комірка, світловипромінююча

Формула / Реферат:

Світловипромінююча комірка, яка складається зі світлодіодів з безперервним спектром випромінювання в діапазоні довжин хвиль 0,38-1,10 мкм, розміщених по концентричній окружності на рівних відстанях один від одного у порядку чергування, яка відрізняється тим, що матричні світлодіоди розміщено на компактній системі охолодження, інтегровану систему керування спектральним складом їх випромінювання розміщено безпосередньо у світловипромінюючій...

Світловипромінююча напівпровідникова гетероструктура

Завантаження...

Номер патенту: 57157

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: H01L 33/26

Мітки: світловипромінююча, гетероструктура, напівпровідникова

Формула / Реферат:

Світловипромінююча напівпровідникова гетероструктура, що містить монокристалічний шар фосфіду галію n-типу провідності, епітаксійний шар фосфіду галію n-типу провідності, тиловий та фронтальний електричні контакти, яка відрізняється тим, що на епітаксійний шар фосфіду галію нанесена плівка діоксиду титану n-типу провідності, на якій розташований фронтальний електричний контакт, а тиловий електричний контакт розташований на монокристалічному...