Патенти з міткою «селеніду»

Номер патенту: 122810

Опубліковано: 25.01.2018

Автори: Чайківська Руслана Тарасівна, Ятчишин Йосип Йосипович, Стаднік Віталій Євгенійович, Шаповал Павло Йосифович, Созанський Мартин Андрійович

МПК: C23C 18/12, C01G 13/00, C01B 19/04 ...

Мітки: селеніду, одержання, плівок, меркурію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання плівок меркурію селеніду, що включає здійснення хімічного осадження на підкладці з розчину, який містить сіль меркурію, натрій тіосульфат та натрій селеносульфат, який відрізняється тим, що розчин вибирають з молярним співвідношенням компонентів: сіль меркурію: натрій тіосульфат: натрій селеносульфат = 1:25-150:1-5.

Номер патенту: 114584

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Звєрєва Віра Сергіївна, Галкін Сергій Миколайович, Рибалка Ірина Анатоліївна, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: C01G 9/00, C01B 19/00, C30B 29/46 ...

Мітки: спосіб, цинку, отримання, селеніду, шихти

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шихти селеніду цинку, який включає завантаження елементарного цинку та селену у реактор, де у нижню частину вертикального реактора завантажують елементарний цинк, нагрівають нижню частину вище температури кипіння цинку з підтримкою у верхній частині реактора температури нижче за температуру кипіння цинку, але вище за температуру твердіння селену, і синтезують шихту у паровій фазі з елементарного цинку та селену, який...

Номер патенту: 115977

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Махній Віктор Петрович, Бодюл Георгій Ілліч

МПК: H01L 21/477

Мітки: цинку, обробки, спосіб, селеніду, поверхні, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні кристалів селеніду цинку, що включає механічне полірування, хімічну обробку, відмивання у киплячій дистильованій воді та сушіння підкладинок селеніду цинку, який відрізняється тим, що підкладинку послідовно за 6-8 циклів обробляють в суміші H2SO4:H2O2=3:1 при 60-70 °С і дистильованій воді при 20 °С протягом 30-60 с.

Номер патенту: 114037

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Ващенко Валерій Володимирович, Семиноженко Володимир Петрович, Д'яков Максим Юрійович, Проданов Максим Федорович

МПК: C01B 19/04, C01G 11/00, B82B 3/00 ...

Мітки: кадмію, наночастинок, отримання, селеніду, люмінесцентних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання люмінесцентних наночастинок селеніду кадмію, який включає приготування суміші прекурсорів кадмію і селену з молярним співвідношенням Cd:Se не менше за 2:1 у висококиплячому розчиннику, нагрівання суміші в інертній атмосфері, додання стабілізуючого ліганду і виділення отриманого продукту, який відрізняється тим, що стабілізуючий ліганд додають перед нагріванням безпосередньо у вихідну суміш прекурсорів у висококиплячому...

Номер патенту: 104988

Опубліковано: 25.02.2016

Автори: Сльотов Олексій Михайлович, Гавалешко Олександр Степанович, Сльотов Михайло Михайлович

МПК: C30B 28/00

Мітки: отримання, цинку, шарів, кольору, спосіб, люмінесценцією, селеніду, різного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з люмінесценцією різного кольору, що включає відпал кристалів селеніду кадмію у парі домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі цинку у вакуумі не гірше 10-4 Торр при температурі 880-1040 °C, причому збільшенням температури відпалу змінюють колір люмінесценції з фіолетового до зеленого.

Номер патенту: 102557

Опубліковано: 10.11.2015

Автори: Капустник Олексій Костянтинович, Герасименко Андрій Спартакович, Коваленко Назар Олегович

МПК: C30B 11/00

Мітки: іонами, селеніду, монокристалічний, хрому, основі, кадмію, легованого, матеріал

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому, який відрізняється тим, що додатково містить акцепторну домішку срібла у концентрації 1÷8×10-3 мас. %.

Номер патенту: 108182

Опубліковано: 25.03.2015

Автори: Стариков Вадим Володимирович, Софронов Дмитро Семенович, Софронова Олена Михайлівна

МПК: C01B 19/00

Мітки: селеніду, спосіб, цинку, одержання, плівок

Формула / Реферат:

Спосіб одержання плівок селеніду цинку, який включає розміщення кварцової або скляної підкладки в реакційному об'єму з 3-5 М розчином гідроксиду натрію або калію, додання еквівалентних співвідношень оксиду цинку і елементарного селену в концентрації 0,01-0,1 М, приливання двократного надлишку гідразину гідрату, нагрівання одержаної суміші до 80-100 °C та витримку протягом 60-30 хвилин відповідно, який відрізняється тим, що після приливання...

Номер патенту: 87571

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Раранський Микола Дмитрович, Хандожко Віктор Олександрович, Балазюк Віталій Назарович, Саміла Андрій Петрович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: G01N 24/00

Мітки: температури, селеніду, галію, процес, монокристалу, реєстрації, основі

Формула / Реферат:

Процес реєстрації температури на основі монокристалу селеніду галію, який відрізняється тим, що як термометричний параметр вибирається температурна залежність власної частоти ядерного квадрупольного резонансу FP, причому лінійна залежність температури Т, яка визначається в інтервалі 20<T<130 °C відповідає частоті ядерного квадрупольного резонансу FP, що розташована в діапазоні 18,150<FP<19,110 МГц.

Номер патенту: 104518

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Стариков Вадим Володимирович, Софронов Дмитро Семенович, Софронова Олена Михайлівна

МПК: C01B 19/00

Мітки: цинку, селеніду, плівок, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання плівок селеніду цинку, який відрізняється тим, що кварцову або скляну підкладку поміщають в реакційний об'єм з 3-5М розчином гідроксиду натрію або калію, додають еквівалентні співвідношення оксиду цинку і елементарного селену в концентрації 0,01-0,1М, потім приливають двократний надлишок гідразин гідрату, одержану суміш нагрівають до 80-100 °C і витримують протягом 60-30 хвилин відповідно.

Номер патенту: 102783

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Трубаєва Ольга Геннадіївна, Жуков Олександр Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович, Зеня Ігор Михайлович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/48

Мітки: цинку, одержання, селеніду, матеріалу, спосіб, активованого, сцинтиляційного, основі

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинку, що включає його вирощування з вихідної шихти в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що у вихідну шихту як активатор вводять сірчистий цинк у концентрації 1,0-10,0 мол. % й оксид або халькогенід одного з металів у концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. % як співактивуючу донорну домішку, що з вихідною сполукою утворює твердий розчин заміщення.

Номер патенту: 82328

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: Ільчук Григорій Архипович, Ятчишин Йосип Йосипович, Гумінілович Руслана Ростиславівна, Шаповал Павло Йосифович, Кусьнеж Віктор Вацлавович

МПК: C01B 19/00, C01G 11/00

Мітки: плівок, одержання, спосіб, кадмій, тонких, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонких плівок кадмій селеніду, що включає його хімічне осадження на підкладку з розчину, що містить іони металу та іони селену у лужному середовищі, який відрізняється тим, що попередньо підкладку поміщають на нагріту термостатовану поверхню, а осадження здійснюють нанесенням на підкладку розчину, що містить іони металу та іони селену.

Номер патенту: 78537

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 31/0272, H01L 21/324, C30B 31/00 ...

Мітки: шарів, блакитною, отримання, люмінесценцією, цинку, селеніду, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шарів селеніду цинку з блакитною люмінесценцією, що включає відпал кристалів селеніду цинку, який відрізняється тим, що монокристалічний селенід цинку у вигляді пластинок відпалюють у вакуумі не гірше 10-4 тор.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пластинки бездомішкових кристалів селеніду цинку відпалюють при температурах 500-1050 °C.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пластинки...

Номер патенту: 76617

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Кудринський Захар Русланович

МПК: H01G 4/06

Мітки: селеніду, спосіб, шаруватих, структури, підкладинках, плівок, монокристалічних, gаsе, гексагональної, кристалів, кадмію, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення монокристалічних плівок селеніду кадмію гексагональної структури на підкладинках шаруватих кристалів GaSe, що включає їх відпал у парі кадмію, який відрізняється тим, що як підкладинки використовуються шаруваті кристали моноселеніду галію.

Номер патенту: 76470

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: селеніду, цинку, спосіб, кристалів, легування

Формула / Реферат:

Спосіб легування селеніду цинку, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у присутності наважки олова Sn та подрібненої шихти ZnSe при температурі 850±50 °C.

Номер патенту: 71056

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Сосницька Ольга Олександрівна, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Василь Миколайович, Кравцова Анна Сергіївна, Стратійчук Ірина Борисівна, Галкін Сергій Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Калитчук Сергій Михайлович, Будзуляк Сергій Іванович, Томашик Зінаїда Федорівна

МПК: H01L 21/465, H01L 21/02

Мітки: полірованої, кристалів, формування, поверхні, спосіб, селеніду, цинк

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду, який включає механічне шліфування пластини кристала ZnSe, полірування рідкофазним травником, який містить бром та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластину кристала полірують травниками, які містять бромвиділяючу суміш гідроген пероксиду та бромідної кислоти в дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 4-6 хв. хіміко-механічне полірування напівпровідникової...

Номер патенту: 65584

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Махній Віктор Петрович, Ульяницький Костянтин Сергійович, Мельник Володимир Васильович

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00

Мітки: гетерошарів, виготовлення, спосіб, кубічної, кадмію, селеніду, модифікації

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетерошарів селеніду кадмію кубічної модифікації, що включає підготовку базових підкладинок селеніду цинку та їх відпал у парі кадмію, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять при температурі 800 ± 10 °С.

Номер патенту: 65066

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Герасименко Андрій Спартакович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Коваленко Назар Олегович, Христьян Володимир Анатолійович, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: елементів, активних, основі, частоти, діапазону, цинку, середнього, селеніду, перестроюванням, лазерів, кристалічний, матеріал

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого двовалентними іонами хрому і заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Cr2+:Fe2+:Zn1-xMgxSe при 0,13<х<0,60.

Номер патенту: 95882

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Герасименко Андрій Спартакович, Христьян Володимир Анатолійович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/46, C30B 29/10 ...

Мітки: лазерів, заліза, цинку, середнього, перестроюванням, частоти, активних, легованого, елементів, основі, селеніду, кристалічний, діапазону, іонами, матеріал

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію, вміст якої складає 0,11<х<0,60 і створює твердий розчин заміщення Fe2+:Zn1-хMgxSe.

Номер патенту: 94142

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Герасименко Андрій Спартакович, Коваленко Назар Олегович, Федоренко Ольга Олександрівна

МПК: C30B 29/46, C30B 11/00, C30B 29/10 ...

Мітки: матеріал, лазерів, частоти, легованого, селеніду, цинку, основі, активних, хромом, кристалічний, середнього, перестроюванням, елементів, діапазону

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом, який відрізняється тим, що матеріал додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Zn1-xMgxSe:Cr2+ при 0,22<х<0,6, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підрешітці.

Номер патенту: 54018

Опубліковано: 25.10.2010

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: селеніду, шарів, провідністю, отримання, спосіб, цинку, дірковою

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з дірковою провідністю, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок ZnSe та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у присутності подрібненої шихти GaP або GaAs при температурі 850±50 °С.

Номер патенту: 92286

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Бреславський Ігор Анатолійович

МПК: C30B 29/10, C30B 29/46, G01T 1/202 ...

Мітки: спосіб, напівпровідниковий, матеріал, одержання, сцинтиляційний, активованого, цинку, основі, селеніду

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, який відрізняється тим, що активуючим елементом є елементи третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення, при співвідношенні компонентів, % мольн.: активуючий елемент 1.10-5-1.10-3 ZnSe решта. 2. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі...

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гриньов Борис Вікторович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/46, C01B 19/00, C01G 9/00 ...

Мітки: спосіб, термообробки, активованих, цинку, селеніду, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Номер патенту: 46928

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Махній Віктор Петрович, Кінзерська Оксана Володимирівна, Ульяницький Костянтин Сергійович

МПК: C30B 31/00

Мітки: цинку, селеніду, домішками, легування, металів, спосіб, перехідних

Формула / Реферат:

Спосіб легування селеніду цинку домішками перехідних металів, що включає підготовку базових підкладинок ZnSe та їх відпал у запаяній ампулі з перехідним металом, який відрізняється тим, що відпал проводять при температурі 1473±5 К у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі, в одній частині якої знаходиться підкладинка, а в протилежній частині, покритій шаром пірографіту, - елементарний Se та подрібнений перехідний метал з ряду Ті, V, Cr,...

Номер патенту: 43566

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G01K 17/00

Мітки: монокристалів, твердого, функціональних, оптоелектроніки, галію-індію, матеріал, селеніду, пристроїв, напівпровідникового, основі, розчину

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Сілін Віталій Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Катрунов Костянтин Олексійович, Лалаянц Олександр Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/00, C01G 9/00, C01B 19/00 ...

Мітки: термообробки, селеніду, цинку, кристалів, спосіб, активованих

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Номер патенту: 87210

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G02F 1/29

Мітки: твердого, галію-індію, функціональних, оптоелектроніки, селеніду, матеріал, напівпровідникового, розчину, пристроїв, основі

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як матеріал використовують монокристал напівпровідникового твердого розчину складу, що відповідає формулі (Ga0.2In0.8)2Se3.

Номер патенту: 86114

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01S 3/10, G02F 1/01

Мітки: матеріал, функціональних, пристроїв, напівпровідникового, селеніду, основі, розчину, твердого, монокристалів, галію-індію, оптоелектроніки

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.1In0.9)2Sе3.

Номер патенту: 34945

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен

МПК: G01K 17/08

Мітки: застосування, розчину, матеріалу, пристроїв, селеніду, галію-індію, функціональних, твердого, напівпровідникового, ga0.3in0.7)2se3, оптоелектроніки, монокристала

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,3Іn0,7)2Sе3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 83765

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Краньчец Младен, Феделеш Василь Іванович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G02F 1/01, H01S 3/10

Мітки: галію-індію, лазерного, модулятора, матеріал, випромінювання, селеніду, основі, монокристалів, акустооптичного

Формула / Реферат:

Матеріал для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання на основі монокристалів селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент застосований монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.

Номер патенту: 30108

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/00

Мітки: розчину, матеріалу, функціональних, монокристала, застосування, пристроїв, ga0,2in0,8)2se3, галію-індію, напівпровідникового, твердого, селеніду, оптоелектроніки

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію  як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 26301

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/08

Мітки: селеніду, пристроїв, розчину, застосування, твердого, напівпровідникового, матеріалу, галію-індію, функціональних, 0,9)2se3, оптоелектроніки, монокристала

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію - індію (Ga0.1In0.9)2Se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 25754

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Краньчец Младен, Феделеш Василь Іванович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/08

Мітки: модулятора, застосування, випромінювання, розчину, напівпровідникового, лазерного, акустооптичного, твердого, селеніду, галію-індію, матеріалу, монокристала, ga0,4in0,6)2se3

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,4Іn0,6)2Se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання.

Номер патенту: 77305

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Феделеш Василь Іванович, Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен

МПК: H01S 3/10, G02F 1/01

Мітки: твердого, монокристала, модулятора, напівпровідникового, галію-індію, застосування, ga0.3in0.7)2se3, розчину, лазерного, матеріалу, акустооптичного, селеніду, випромінювання

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.3In0.7)2Sе3 як матеріалу для акустооптичного модулятора оптичного випромінювання.

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович, Воронкін Євгеній Федорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 33/02

Мітки: сцинтиляційного, цинку, термообробки, селеніду, основі, домішкою, ізовалентною, кристала, спосіб, легованого, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Номер патенту: 74998

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Сілін Віталій Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: сцинтиляційного, цинку, напівпровідникового, активованого, селеніду, спосіб, матеріалу, основі, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі активованого селеніду цинку, який полягає в тому, що попередньо здійснюють термообробку шихти селеніду цинку та активатора, після чого вирощують кристали з розплаву в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що в шихту як активатор вводять халькогенід кадмію у концентрації 3-10% мас.

Номер патенту: 68708

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Яцура Анна Михайлівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: плівок, спосіб, свинцю, легованих, p-типу, отримання, вісмутом, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих вісмутом плівок селеніду свинцю n- і р-типу шляхом випаровування у вакуумі вихідної речовини при температурі ТВ, нагрівання додаткового джерела до температури ТД, стінок камери до температури ТС і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів ВаF2 до температури ТП, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують наперед синтезовані кристали PbSe, леговані вісмутом, які випаровують при ТВ=970 К,...

Номер патенту: 66046

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Ткаченко Ірина Володимирівна, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: спосіб, зеленим, селеніду, цинку, отримання, шарів, свіченням

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з зеленим свіченням, що включає їх відпал у насиченій парі цинку, який відрізняється тим, що кристали попередньо відпалюють у парі телуру при температурі 650°С±10°С.

Номер патенту: 65074

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Махній Віктор Петрович, Сльотов Михайло Михайлович

МПК: C30B 31/00

Мітки: спосіб, кристалів, легування, цинку, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів селеніду цинку, що включає їх відпал у парі легуючої домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі Cd при температурі 550-650°С.

Номер патенту: 53854

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Фреїк Дмитро Дмитрович, Павлюк Любомир Ростиславович, Никируй Любомир Іванович, Калитчук Іван Васильович, Довгий Олег Ярославович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, p-типу, свинцю, плівок, тонких, спосіб, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких плівок селеніду свинцю n- і p - типу шляхом випаровування у вакуумі вихідної речовини при температурі Тв, нагрівання додаткового джерела свинцю до температури Тд, стінок камери – до температури Тс і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів ВаF2 - до температури Тп, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують попередньо синтезовані кристали PbSe, леговані талієм до 0,2 ат.%, які випаровують при...

Номер патенту: 51767

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович

МПК: C30B 29/48, C30B 29/46

Мітки: одержання, цинку, селеніду, спосіб, n-типу, матеріалу, напівпровідникового, основі

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n - типу на основі селеніду цинку, що включає вирощування кристалів із розплаву під тиском інертного газу з наступною термообробкою зразків у насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину для вирощування використовують частки розміром 0,1 - 2,0 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощених кристалів селеніду цинку.