Патенти з міткою «селеніду»

Номер патенту: 122810

Опубліковано: 25.01.2018

Автори: Созанський Мартин Андрійович, Ятчишин Йосип Йосипович, Стаднік Віталій Євгенійович, Чайківська Руслана Тарасівна, Шаповал Павло Йосифович

МПК: C23C 18/12, C01B 19/04, C01G 13/00 ...

Мітки: одержання, селеніду, меркурію, спосіб, плівок

Формула / Реферат:

Спосіб одержання плівок меркурію селеніду, що включає здійснення хімічного осадження на підкладці з розчину, який містить сіль меркурію, натрій тіосульфат та натрій селеносульфат, який відрізняється тим, що розчин вибирають з молярним співвідношенням компонентів: сіль меркурію: натрій тіосульфат: натрій селеносульфат = 1:25-150:1-5.

Номер патенту: 114584

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Рибалка Ірина Анатоліївна, Галкін Сергій Миколайович, Звєрєва Віра Сергіївна, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: C01G 9/00, C01B 19/00, C30B 29/46 ...

Мітки: отримання, цинку, шихти, селеніду, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шихти селеніду цинку, який включає завантаження елементарного цинку та селену у реактор, де у нижню частину вертикального реактора завантажують елементарний цинк, нагрівають нижню частину вище температури кипіння цинку з підтримкою у верхній частині реактора температури нижче за температуру кипіння цинку, але вище за температуру твердіння селену, і синтезують шихту у паровій фазі з елементарного цинку та селену, який...

Номер патенту: 115977

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Махній Віктор Петрович, Бодюл Георгій Ілліч

МПК: H01L 21/477

Мітки: цинку, кристалів, спосіб, обробки, селеніду, поверхні

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні кристалів селеніду цинку, що включає механічне полірування, хімічну обробку, відмивання у киплячій дистильованій воді та сушіння підкладинок селеніду цинку, який відрізняється тим, що підкладинку послідовно за 6-8 циклів обробляють в суміші H2SO4:H2O2=3:1 при 60-70 °С і дистильованій воді при 20 °С протягом 30-60 с.

Номер патенту: 114037

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Семиноженко Володимир Петрович, Проданов Максим Федорович, Д'яков Максим Юрійович, Ващенко Валерій Володимирович

МПК: C01G 11/00, B82B 3/00, C01B 19/04 ...

Мітки: люмінесцентних, спосіб, кадмію, селеніду, отримання, наночастинок

Формула / Реферат:

Спосіб отримання люмінесцентних наночастинок селеніду кадмію, який включає приготування суміші прекурсорів кадмію і селену з молярним співвідношенням Cd:Se не менше за 2:1 у висококиплячому розчиннику, нагрівання суміші в інертній атмосфері, додання стабілізуючого ліганду і виділення отриманого продукту, який відрізняється тим, що стабілізуючий ліганд додають перед нагріванням безпосередньо у вихідну суміш прекурсорів у висококиплячому...

Номер патенту: 104988

Опубліковано: 25.02.2016

Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Гавалешко Олександр Степанович, Сльотов Олексій Михайлович

МПК: C30B 28/00

Мітки: люмінесценцією, селеніду, різного, спосіб, кольору, шарів, отримання, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з люмінесценцією різного кольору, що включає відпал кристалів селеніду кадмію у парі домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі цинку у вакуумі не гірше 10-4 Торр при температурі 880-1040 °C, причому збільшенням температури відпалу змінюють колір люмінесценції з фіолетового до зеленого.

Номер патенту: 102557

Опубліковано: 10.11.2015

Автори: Капустник Олексій Костянтинович, Герасименко Андрій Спартакович, Коваленко Назар Олегович

МПК: C30B 11/00

Мітки: основі, селеніду, легованого, хрому, кадмію, матеріал, монокристалічний, іонами

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому, який відрізняється тим, що додатково містить акцепторну домішку срібла у концентрації 1÷8×10-3 мас. %.

Номер патенту: 108182

Опубліковано: 25.03.2015

Автори: Софронов Дмитро Семенович, Софронова Олена Михайлівна, Стариков Вадим Володимирович

МПК: C01B 19/00

Мітки: селеніду, плівок, одержання, цинку, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання плівок селеніду цинку, який включає розміщення кварцової або скляної підкладки в реакційному об'єму з 3-5 М розчином гідроксиду натрію або калію, додання еквівалентних співвідношень оксиду цинку і елементарного селену в концентрації 0,01-0,1 М, приливання двократного надлишку гідразину гідрату, нагрівання одержаної суміші до 80-100 °C та витримку протягом 60-30 хвилин відповідно, який відрізняється тим, що після приливання...

Номер патенту: 87571

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Раранський Микола Дмитрович, Ковалюк Захар Дмитрович, Балазюк Віталій Назарович, Саміла Андрій Петрович, Хандожко Віктор Олександрович

МПК: G01N 24/00

Мітки: процес, основі, температури, реєстрації, галію, селеніду, монокристалу

Формула / Реферат:

Процес реєстрації температури на основі монокристалу селеніду галію, який відрізняється тим, що як термометричний параметр вибирається температурна залежність власної частоти ядерного квадрупольного резонансу FP, причому лінійна залежність температури Т, яка визначається в інтервалі 20<T<130 °C відповідає частоті ядерного квадрупольного резонансу FP, що розташована в діапазоні 18,150<FP<19,110 МГц.

Номер патенту: 104518

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Софронов Дмитро Семенович, Стариков Вадим Володимирович, Софронова Олена Михайлівна

МПК: C01B 19/00

Мітки: плівок, селеніду, одержання, цинку, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання плівок селеніду цинку, який відрізняється тим, що кварцову або скляну підкладку поміщають в реакційний об'єм з 3-5М розчином гідроксиду натрію або калію, додають еквівалентні співвідношення оксиду цинку і елементарного селену в концентрації 0,01-0,1М, потім приливають двократний надлишок гідразин гідрату, одержану суміш нагрівають до 80-100 °C і витримують протягом 60-30 хвилин відповідно.

Номер патенту: 102783

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Зеня Ігор Михайлович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Гриньов Борис Вікторович, Жуков Олександр Вікторович

МПК: C30B 29/48

Мітки: цинку, спосіб, основі, активованого, одержання, селеніду, матеріалу, сцинтиляційного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинку, що включає його вирощування з вихідної шихти в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що у вихідну шихту як активатор вводять сірчистий цинк у концентрації 1,0-10,0 мол. % й оксид або халькогенід одного з металів у концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. % як співактивуючу донорну домішку, що з вихідною сполукою утворює твердий розчин заміщення.

Номер патенту: 82328

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: Ільчук Григорій Архипович, Ятчишин Йосип Йосипович, Кусьнеж Віктор Вацлавович, Шаповал Павло Йосифович, Гумінілович Руслана Ростиславівна

МПК: C01G 11/00, C01B 19/00

Мітки: одержання, тонких, плівок, селеніду, спосіб, кадмій

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонких плівок кадмій селеніду, що включає його хімічне осадження на підкладку з розчину, що містить іони металу та іони селену у лужному середовищі, який відрізняється тим, що попередньо підкладку поміщають на нагріту термостатовану поверхню, а осадження здійснюють нанесенням на підкладку розчину, що містить іони металу та іони селену.

Номер патенту: 78537

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Махній Віктор Петрович, Сльотов Михайло Михайлович

МПК: C30B 31/00, H01L 21/324, H01L 31/0272 ...

Мітки: отримання, цинку, блакитною, селеніду, шарів, спосіб, люмінесценцією

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шарів селеніду цинку з блакитною люмінесценцією, що включає відпал кристалів селеніду цинку, який відрізняється тим, що монокристалічний селенід цинку у вигляді пластинок відпалюють у вакуумі не гірше 10-4 тор.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пластинки бездомішкових кристалів селеніду цинку відпалюють при температурах 500-1050 °C.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пластинки...

Номер патенту: 76617

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Кудринський Захар Русланович

МПК: H01G 4/06

Мітки: монокристалічних, структури, кристалів, виготовлення, гексагональної, спосіб, плівок, gаsе, підкладинках, селеніду, шаруватих, кадмію

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення монокристалічних плівок селеніду кадмію гексагональної структури на підкладинках шаруватих кристалів GaSe, що включає їх відпал у парі кадмію, який відрізняється тим, що як підкладинки використовуються шаруваті кристали моноселеніду галію.

Номер патенту: 76470

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: кристалів, цинку, селеніду, спосіб, легування

Формула / Реферат:

Спосіб легування селеніду цинку, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у присутності наважки олова Sn та подрібненої шихти ZnSe при температурі 850±50 °C.

Номер патенту: 71056

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Томашик Василь Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Стратійчук Ірина Борисівна, Кравцова Анна Сергіївна, Томашик Зінаїда Федорівна, Сосницька Ольга Олександрівна, Корбутяк Дмитро Васильович, Будзуляк Сергій Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Калитчук Сергій Михайлович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/465

Мітки: кристалів, цинк, формування, поверхні, спосіб, полірованої, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду, який включає механічне шліфування пластини кристала ZnSe, полірування рідкофазним травником, який містить бром та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластину кристала полірують травниками, які містять бромвиділяючу суміш гідроген пероксиду та бромідної кислоти в дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 4-6 хв. хіміко-механічне полірування напівпровідникової...

Номер патенту: 65584

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Махній Віктор Петрович, Мельник Володимир Васильович, Ульяницький Костянтин Сергійович

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00

Мітки: виготовлення, гетерошарів, кубічної, кадмію, селеніду, модифікації, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетерошарів селеніду кадмію кубічної модифікації, що включає підготовку базових підкладинок селеніду цинку та їх відпал у парі кадмію, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять при температурі 800 ± 10 °С.

Номер патенту: 65066

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Герасименко Андрій Спартакович, Комарь Віталій Корнійович, Христьян Володимир Анатолійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Коваленко Назар Олегович

МПК: C30B 11/00

Мітки: середнього, основі, матеріал, активних, частоти, діапазону, кристалічний, лазерів, цинку, перестроюванням, елементів, селеніду

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого двовалентними іонами хрому і заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Cr2+:Fe2+:Zn1-xMgxSe при 0,13<х<0,60.

Номер патенту: 95882

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Герасименко Андрій Спартакович, Комарь Віталій Корнійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Христьян Володимир Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: C30B 29/10, C30B 29/46, C30B 11/00 ...

Мітки: елементів, матеріал, лазерів, середнього, основі, заліза, цинку, легованого, кристалічний, частоти, діапазону, іонами, селеніду, перестроюванням, активних

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію, вміст якої складає 0,11<х<0,60 і створює твердий розчин заміщення Fe2+:Zn1-хMgxSe.

Номер патенту: 94142

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Федоренко Ольга Олександрівна, Коваленко Назар Олегович, Герасименко Андрій Спартакович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/10, C30B 11/00 ...

Мітки: елементів, активних, селеніду, діапазону, перестроюванням, матеріал, основі, легованого, частоти, середнього, цинку, хромом, лазерів, кристалічний

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом, який відрізняється тим, що матеріал додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Zn1-xMgxSe:Cr2+ при 0,22<х<0,6, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підрешітці.

Номер патенту: 54018

Опубліковано: 25.10.2010

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: шарів, провідністю, отримання, селеніду, спосіб, цинку, дірковою

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з дірковою провідністю, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок ZnSe та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у присутності подрібненої шихти GaP або GaAs при температурі 850±50 °С.

Номер патенту: 92286

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Гриньов Борис Вікторович, Бреславський Ігор Анатолійович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: G01T 1/202, C30B 29/10, C30B 29/46 ...

Мітки: одержання, матеріал, селеніду, сцинтиляційний, напівпровідниковий, активованого, цинку, спосіб, основі

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, який відрізняється тим, що активуючим елементом є елементи третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення, при співвідношенні компонентів, % мольн.: активуючий елемент 1.10-5-1.10-3 ZnSe решта. 2. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі...

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: C01G 9/00, C30B 29/46, C01B 19/00 ...

Мітки: кристалів, термообробки, селеніду, спосіб, цинку, активованих

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Номер патенту: 46928

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Ульяницький Костянтин Сергійович, Кінзерська Оксана Володимирівна, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: спосіб, селеніду, домішками, перехідних, легування, цинку, металів

Формула / Реферат:

Спосіб легування селеніду цинку домішками перехідних металів, що включає підготовку базових підкладинок ZnSe та їх відпал у запаяній ампулі з перехідним металом, який відрізняється тим, що відпал проводять при температурі 1473±5 К у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі, в одній частині якої знаходиться підкладинка, а в протилежній частині, покритій шаром пірографіту, - елементарний Se та подрібнений перехідний метал з ряду Ті, V, Cr,...

Номер патенту: 43566

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G01K 17/00

Мітки: пристроїв, напівпровідникового, матеріал, твердого, основі, селеніду, оптоелектроніки, галію-індію, розчину, функціональних, монокристалів

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Старжинський Микола Григорович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Катрунов Костянтин Олексійович, Сілін Віталій Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Трубаєва Ольга Геннадіївна

МПК: C01G 9/00, C30B 29/00, C01B 19/00 ...

Мітки: активованих, цинку, кристалів, спосіб, термообробки, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Номер патенту: 87210

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен

МПК: G02F 1/29

Мітки: оптоелектроніки, галію-індію, матеріал, основі, твердого, селеніду, напівпровідникового, розчину, функціональних, пристроїв

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як матеріал використовують монокристал напівпровідникового твердого розчину складу, що відповідає формулі (Ga0.2In0.8)2Se3.

Номер патенту: 86114

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен

МПК: H01S 3/10, G02F 1/01

Мітки: основі, напівпровідникового, монокристалів, пристроїв, матеріал, оптоелектроніки, твердого, функціональних, галію-індію, розчину, селеніду

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.1In0.9)2Sе3.

Номер патенту: 34945

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен

МПК: G01K 17/08

Мітки: пристроїв, матеріалу, оптоелектроніки, функціональних, селеніду, напівпровідникового, галію-індію, твердого, ga0.3in0.7)2se3, застосування, монокристала, розчину

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,3Іn0,7)2Sе3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 83765

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Феделеш Василь Іванович, Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен

МПК: H01S 3/10, G02F 1/01

Мітки: акустооптичного, модулятора, випромінювання, матеріал, монокристалів, основі, галію-індію, лазерного, селеніду

Формула / Реферат:

Матеріал для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання на основі монокристалів селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент застосований монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.

Номер патенту: 30108

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен

МПК: G01K 17/00

Мітки: пристроїв, твердого, розчину, селеніду, функціональних, галію-індію, матеріалу, оптоелектроніки, ga0,2in0,8)2se3, монокристала, застосування, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію  як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 26301

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/08

Мітки: селеніду, матеріалу, напівпровідникового, оптоелектроніки, пристроїв, монокристала, 0,9)2se3, твердого, функціональних, розчину, галію-індію, застосування

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію - індію (Ga0.1In0.9)2Se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 25754

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Феделеш Василь Іванович

МПК: G01K 17/08

Мітки: селеніду, твердого, застосування, лазерного, ga0,4in0,6)2se3, акустооптичного, розчину, монокристала, матеріалу, галію-індію, випромінювання, модулятора, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,4Іn0,6)2Se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання.

Номер патенту: 77305

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Феделеш Василь Іванович

МПК: H01S 3/10, G02F 1/01

Мітки: застосування, ga0.3in0.7)2se3, випромінювання, напівпровідникового, модулятора, твердого, лазерного, розчину, матеріалу, селеніду, акустооптичного, монокристала, галію-індію

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.3In0.7)2Sе3 як матеріалу для акустооптичного модулятора оптичного випромінювання.

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Лалаянц Олександр Іванович, Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Сілін Віталій Іванович, Катрунов Костянтин Олексійович

МПК: C30B 33/02

Мітки: домішкою, основі, селеніду, ізовалентною, спосіб, кристала, матеріалу, легованого, сцинтиляційного, термообробки, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Номер патенту: 74998

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Катрунов Костянтин Олексійович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: активованого, напівпровідникового, одержання, селеніду, цинку, спосіб, основі, матеріалу, сцинтиляційного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі активованого селеніду цинку, який полягає в тому, що попередньо здійснюють термообробку шихти селеніду цинку та активатора, після чого вирощують кристали з розплаву в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що в шихту як активатор вводять халькогенід кадмію у концентрації 3-10% мас.

Номер патенту: 68708

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Яцура Анна Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: вісмутом, p-типу, спосіб, плівок, свинцю, селеніду, легованих, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих вісмутом плівок селеніду свинцю n- і р-типу шляхом випаровування у вакуумі вихідної речовини при температурі ТВ, нагрівання додаткового джерела до температури ТД, стінок камери до температури ТС і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів ВаF2 до температури ТП, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують наперед синтезовані кристали PbSe, леговані вісмутом, які випаровують при ТВ=970 К,...

Номер патенту: 66046

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Ткаченко Ірина Володимирівна, Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: селеніду, шарів, свіченням, зеленим, отримання, спосіб, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з зеленим свіченням, що включає їх відпал у насиченій парі цинку, який відрізняється тим, що кристали попередньо відпалюють у парі телуру при температурі 650°С±10°С.

Номер патенту: 65074

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Махній Віктор Петрович, Сльотов Михайло Михайлович

МПК: C30B 31/00

Мітки: селеніду, спосіб, цинку, легування, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів селеніду цинку, що включає їх відпал у парі легуючої домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі Cd при температурі 550-650°С.

Номер патенту: 53854

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Павлюк Любомир Ростиславович, Калитчук Іван Васильович, Фреїк Дмитро Дмитрович, Довгий Олег Ярославович, Никируй Любомир Іванович

МПК: C30B 11/02

Мітки: p-типу, спосіб, свинцю, селеніду, плівок, отримання, тонких

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких плівок селеніду свинцю n- і p - типу шляхом випаровування у вакуумі вихідної речовини при температурі Тв, нагрівання додаткового джерела свинцю до температури Тд, стінок камери – до температури Тс і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів ВаF2 - до температури Тп, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують попередньо синтезовані кристали PbSe, леговані талієм до 0,2 ат.%, які випаровують при...

Номер патенту: 51767

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/48, C30B 29/46

Мітки: n-типу, спосіб, селеніду, одержання, основі, матеріалу, напівпровідникового, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n - типу на основі селеніду цинку, що включає вирощування кристалів із розплаву під тиском інертного газу з наступною термообробкою зразків у насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину для вирощування використовують частки розміром 0,1 - 2,0 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощених кристалів селеніду цинку.