Патенти з міткою «селеніду»

Номер патенту: 122810

Опубліковано: 25.01.2018

Автори: Чайківська Руслана Тарасівна, Стаднік Віталій Євгенійович, Шаповал Павло Йосифович, Ятчишин Йосип Йосипович, Созанський Мартин Андрійович

МПК: C23C 18/12, C01G 13/00, C01B 19/04 ...

Мітки: меркурію, одержання, плівок, спосіб, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання плівок меркурію селеніду, що включає здійснення хімічного осадження на підкладці з розчину, який містить сіль меркурію, натрій тіосульфат та натрій селеносульфат, який відрізняється тим, що розчин вибирають з молярним співвідношенням компонентів: сіль меркурію: натрій тіосульфат: натрій селеносульфат = 1:25-150:1-5.

Номер патенту: 114584

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Рибалка Ірина Анатоліївна, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Звєрєва Віра Сергіївна

МПК: C01B 19/00, C30B 29/46, C01G 9/00 ...

Мітки: спосіб, селеніду, цинку, отримання, шихти

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шихти селеніду цинку, який включає завантаження елементарного цинку та селену у реактор, де у нижню частину вертикального реактора завантажують елементарний цинк, нагрівають нижню частину вище температури кипіння цинку з підтримкою у верхній частині реактора температури нижче за температуру кипіння цинку, але вище за температуру твердіння селену, і синтезують шихту у паровій фазі з елементарного цинку та селену, який...

Номер патенту: 115977

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Махній Віктор Петрович, Бодюл Георгій Ілліч

МПК: H01L 21/477

Мітки: селеніду, цинку, спосіб, кристалів, обробки, поверхні

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні кристалів селеніду цинку, що включає механічне полірування, хімічну обробку, відмивання у киплячій дистильованій воді та сушіння підкладинок селеніду цинку, який відрізняється тим, що підкладинку послідовно за 6-8 циклів обробляють в суміші H2SO4:H2O2=3:1 при 60-70 °С і дистильованій воді при 20 °С протягом 30-60 с.

Номер патенту: 114037

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Ващенко Валерій Володимирович, Д'яков Максим Юрійович, Проданов Максим Федорович, Семиноженко Володимир Петрович

МПК: B82B 3/00, C01B 19/04, C01G 11/00 ...

Мітки: люмінесцентних, кадмію, наночастинок, отримання, спосіб, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання люмінесцентних наночастинок селеніду кадмію, який включає приготування суміші прекурсорів кадмію і селену з молярним співвідношенням Cd:Se не менше за 2:1 у висококиплячому розчиннику, нагрівання суміші в інертній атмосфері, додання стабілізуючого ліганду і виділення отриманого продукту, який відрізняється тим, що стабілізуючий ліганд додають перед нагріванням безпосередньо у вихідну суміш прекурсорів у висококиплячому...

Номер патенту: 104988

Опубліковано: 25.02.2016

Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Сльотов Олексій Михайлович, Гавалешко Олександр Степанович

МПК: C30B 28/00

Мітки: отримання, цинку, різного, спосіб, селеніду, люмінесценцією, шарів, кольору

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з люмінесценцією різного кольору, що включає відпал кристалів селеніду кадмію у парі домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі цинку у вакуумі не гірше 10-4 Торр при температурі 880-1040 °C, причому збільшенням температури відпалу змінюють колір люмінесценції з фіолетового до зеленого.

Номер патенту: 102557

Опубліковано: 10.11.2015

Автори: Герасименко Андрій Спартакович, Капустник Олексій Костянтинович, Коваленко Назар Олегович

МПК: C30B 11/00

Мітки: легованого, основі, хрому, селеніду, матеріал, монокристалічний, кадмію, іонами

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому, який відрізняється тим, що додатково містить акцепторну домішку срібла у концентрації 1÷8×10-3 мас. %.

Номер патенту: 108182

Опубліковано: 25.03.2015

Автори: Софронов Дмитро Семенович, Стариков Вадим Володимирович, Софронова Олена Михайлівна

МПК: C01B 19/00

Мітки: селеніду, одержання, спосіб, плівок, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб одержання плівок селеніду цинку, який включає розміщення кварцової або скляної підкладки в реакційному об'єму з 3-5 М розчином гідроксиду натрію або калію, додання еквівалентних співвідношень оксиду цинку і елементарного селену в концентрації 0,01-0,1 М, приливання двократного надлишку гідразину гідрату, нагрівання одержаної суміші до 80-100 °C та витримку протягом 60-30 хвилин відповідно, який відрізняється тим, що після приливання...

Номер патенту: 87571

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Раранський Микола Дмитрович, Саміла Андрій Петрович, Хандожко Віктор Олександрович, Балазюк Віталій Назарович

МПК: G01N 24/00

Мітки: галію, реєстрації, процес, температури, основі, селеніду, монокристалу

Формула / Реферат:

Процес реєстрації температури на основі монокристалу селеніду галію, який відрізняється тим, що як термометричний параметр вибирається температурна залежність власної частоти ядерного квадрупольного резонансу FP, причому лінійна залежність температури Т, яка визначається в інтервалі 20<T<130 °C відповідає частоті ядерного квадрупольного резонансу FP, що розташована в діапазоні 18,150<FP<19,110 МГц.

Номер патенту: 104518

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Софронов Дмитро Семенович, Стариков Вадим Володимирович, Софронова Олена Михайлівна

МПК: C01B 19/00

Мітки: цинку, плівок, спосіб, одержання, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання плівок селеніду цинку, який відрізняється тим, що кварцову або скляну підкладку поміщають в реакційний об'єм з 3-5М розчином гідроксиду натрію або калію, додають еквівалентні співвідношення оксиду цинку і елементарного селену в концентрації 0,01-0,1М, потім приливають двократний надлишок гідразин гідрату, одержану суміш нагрівають до 80-100 °C і витримують протягом 60-30 хвилин відповідно.

Номер патенту: 102783

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Жуков Олександр Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Зеня Ігор Михайлович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 29/48

Мітки: цинку, спосіб, сцинтиляційного, активованого, матеріалу, основі, селеніду, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинку, що включає його вирощування з вихідної шихти в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що у вихідну шихту як активатор вводять сірчистий цинк у концентрації 1,0-10,0 мол. % й оксид або халькогенід одного з металів у концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. % як співактивуючу донорну домішку, що з вихідною сполукою утворює твердий розчин заміщення.

Номер патенту: 82328

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: Ільчук Григорій Архипович, Ятчишин Йосип Йосипович, Гумінілович Руслана Ростиславівна, Шаповал Павло Йосифович, Кусьнеж Віктор Вацлавович

МПК: C01G 11/00, C01B 19/00

Мітки: тонких, спосіб, одержання, кадмій, селеніду, плівок

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонких плівок кадмій селеніду, що включає його хімічне осадження на підкладку з розчину, що містить іони металу та іони селену у лужному середовищі, який відрізняється тим, що попередньо підкладку поміщають на нагріту термостатовану поверхню, а осадження здійснюють нанесенням на підкладку розчину, що містить іони металу та іони селену.

Номер патенту: 78537

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Махній Віктор Петрович, Сльотов Михайло Михайлович

МПК: C30B 31/00, H01L 21/324, H01L 31/0272 ...

Мітки: блакитною, цинку, селеніду, спосіб, люмінесценцією, шарів, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шарів селеніду цинку з блакитною люмінесценцією, що включає відпал кристалів селеніду цинку, який відрізняється тим, що монокристалічний селенід цинку у вигляді пластинок відпалюють у вакуумі не гірше 10-4 тор.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пластинки бездомішкових кристалів селеніду цинку відпалюють при температурах 500-1050 °C.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пластинки...

Номер патенту: 76617

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Кудринський Захар Русланович

МПК: H01G 4/06

Мітки: структури, шаруватих, плівок, gаsе, гексагональної, виготовлення, селеніду, підкладинках, спосіб, монокристалічних, кадмію, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення монокристалічних плівок селеніду кадмію гексагональної структури на підкладинках шаруватих кристалів GaSe, що включає їх відпал у парі кадмію, який відрізняється тим, що як підкладинки використовуються шаруваті кристали моноселеніду галію.

Номер патенту: 76470

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: селеніду, цинку, легування, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб легування селеніду цинку, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у присутності наважки олова Sn та подрібненої шихти ZnSe при температурі 850±50 °C.

Номер патенту: 71056

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Калитчук Сергій Михайлович, Корбутяк Дмитро Васильович, Стратійчук Ірина Борисівна, Галкін Сергій Миколайович, Томашик Зінаїда Федорівна, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Василь Миколайович, Сосницька Ольга Олександрівна, Кравцова Анна Сергіївна

МПК: H01L 21/465, H01L 21/02

Мітки: спосіб, формування, полірованої, кристалів, селеніду, поверхні, цинк

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду, який включає механічне шліфування пластини кристала ZnSe, полірування рідкофазним травником, який містить бром та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластину кристала полірують травниками, які містять бромвиділяючу суміш гідроген пероксиду та бромідної кислоти в дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 4-6 хв. хіміко-механічне полірування напівпровідникової...

Номер патенту: 65584

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Ульяницький Костянтин Сергійович, Махній Віктор Петрович, Мельник Володимир Васильович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: селеніду, кадмію, кубічної, спосіб, модифікації, виготовлення, гетерошарів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетерошарів селеніду кадмію кубічної модифікації, що включає підготовку базових підкладинок селеніду цинку та їх відпал у парі кадмію, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять при температурі 800 ± 10 °С.

Номер патенту: 65066

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Герасименко Андрій Спартакович, Коваленко Назар Олегович, Комарь Віталій Корнійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Христьян Володимир Анатолійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: частоти, селеніду, діапазону, перестроюванням, активних, середнього, цинку, лазерів, елементів, основі, кристалічний, матеріал

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого двовалентними іонами хрому і заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Cr2+:Fe2+:Zn1-xMgxSe при 0,13<х<0,60.

Номер патенту: 95882

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Коваленко Назар Олегович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Герасименко Андрій Спартакович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Христьян Володимир Анатолійович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10, C30B 29/46 ...

Мітки: активних, матеріал, легованого, іонами, елементів, кристалічний, діапазону, лазерів, перестроюванням, заліза, основі, селеніду, середнього, частоти, цинку

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію, вміст якої складає 0,11<х<0,60 і створює твердий розчин заміщення Fe2+:Zn1-хMgxSe.

Номер патенту: 94142

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Герасименко Андрій Спартакович, Федоренко Ольга Олександрівна, Загоруйко Юрій Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Коваленко Назар Олегович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00, C30B 29/46 ...

Мітки: частоти, перестроюванням, елементів, основі, хромом, матеріал, цинку, середнього, активних, діапазону, кристалічний, селеніду, легованого, лазерів

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом, який відрізняється тим, що матеріал додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Zn1-xMgxSe:Cr2+ при 0,22<х<0,6, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підрешітці.

Номер патенту: 54018

Опубліковано: 25.10.2010

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: провідністю, дірковою, спосіб, отримання, селеніду, шарів, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з дірковою провідністю, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок ZnSe та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у присутності подрібненої шихти GaP або GaAs при температурі 850±50 °С.

Номер патенту: 92286

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Бреславський Ігор Анатолійович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: C30B 29/10, G01T 1/202, C30B 29/46 ...

Мітки: напівпровідниковий, селеніду, основі, матеріал, сцинтиляційний, цинку, спосіб, одержання, активованого

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, який відрізняється тим, що активуючим елементом є елементи третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення, при співвідношенні компонентів, % мольн.: активуючий елемент 1.10-5-1.10-3 ZnSe решта. 2. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі...

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович, Гриньов Борис Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович

МПК: C01G 9/00, C30B 29/46, C01B 19/00 ...

Мітки: кристалів, термообробки, спосіб, активованих, цинку, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Номер патенту: 46928

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Ульяницький Костянтин Сергійович, Махній Віктор Петрович, Кінзерська Оксана Володимирівна

МПК: C30B 31/00

Мітки: домішками, металів, спосіб, селеніду, цинку, перехідних, легування

Формула / Реферат:

Спосіб легування селеніду цинку домішками перехідних металів, що включає підготовку базових підкладинок ZnSe та їх відпал у запаяній ампулі з перехідним металом, який відрізняється тим, що відпал проводять при температурі 1473±5 К у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі, в одній частині якої знаходиться підкладинка, а в протилежній частині, покритій шаром пірографіту, - елементарний Se та подрібнений перехідний метал з ряду Ті, V, Cr,...

Номер патенту: 43566

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G01K 17/00

Мітки: основі, монокристалів, галію-індію, оптоелектроніки, матеріал, селеніду, пристроїв, розчину, функціональних, напівпровідникового, твердого

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Катрунов Костянтин Олексійович, Старжинський Микола Григорович, Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Трубаєва Ольга Геннадіївна

МПК: C30B 29/00, C01G 9/00, C01B 19/00 ...

Мітки: селеніду, термообробки, спосіб, цинку, кристалів, активованих

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Номер патенту: 87210

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G02F 1/29

Мітки: напівпровідникового, селеніду, твердого, розчину, галію-індію, основі, пристроїв, матеріал, оптоелектроніки, функціональних

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як матеріал використовують монокристал напівпровідникового твердого розчину складу, що відповідає формулі (Ga0.2In0.8)2Se3.

Номер патенту: 86114

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен

МПК: H01S 3/10, G02F 1/01

Мітки: пристроїв, матеріал, оптоелектроніки, монокристалів, розчину, функціональних, галію-індію, твердого, напівпровідникового, селеніду, основі

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.1In0.9)2Sе3.

Номер патенту: 34945

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G01K 17/08

Мітки: твердого, галію-індію, напівпровідникового, матеріалу, пристроїв, ga0.3in0.7)2se3, монокристала, селеніду, оптоелектроніки, функціональних, застосування, розчину

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,3Іn0,7)2Sе3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 83765

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Феделеш Василь Іванович

МПК: G02F 1/01, H01S 3/10

Мітки: модулятора, акустооптичного, матеріал, випромінювання, основі, галію-індію, селеніду, лазерного, монокристалів

Формула / Реферат:

Матеріал для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання на основі монокристалів селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент застосований монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.

Номер патенту: 30108

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G01K 17/00

Мітки: твердого, селеніду, напівпровідникового, пристроїв, монокристала, матеріалу, ga0,2in0,8)2se3, галію-індію, розчину, функціональних, оптоелектроніки, застосування

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію  як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 26301

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен

МПК: G01K 17/08

Мітки: пристроїв, твердого, оптоелектроніки, застосування, розчину, матеріалу, напівпровідникового, монокристала, галію-індію, 0,9)2se3, функціональних, селеніду

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію - індію (Ga0.1In0.9)2Se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 25754

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Феделеш Василь Іванович, Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен

МПК: G01K 17/08

Мітки: випромінювання, галію-індію, селеніду, твердого, лазерного, модулятора, акустооптичного, ga0,4in0,6)2se3, монокристала, матеріалу, розчину, застосування, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,4Іn0,6)2Se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання.

Номер патенту: 77305

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Феделеш Василь Іванович, Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01S 3/10, G02F 1/01

Мітки: модулятора, розчину, твердого, випромінювання, акустооптичного, лазерного, селеніду, напівпровідникового, галію-індію, монокристала, застосування, матеріалу, ga0.3in0.7)2se3

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.3In0.7)2Sе3 як матеріалу для акустооптичного модулятора оптичного випромінювання.

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович, Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович

МПК: C30B 33/02

Мітки: селеніду, основі, термообробки, цинку, спосіб, матеріалу, сцинтиляційного, домішкою, кристала, легованого, ізовалентною

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Номер патенту: 74998

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Сілін Віталій Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: одержання, селеніду, активованого, матеріалу, сцинтиляційного, основі, цинку, напівпровідникового, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі активованого селеніду цинку, який полягає в тому, що попередньо здійснюють термообробку шихти селеніду цинку та активатора, після чого вирощують кристали з розплаву в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що в шихту як активатор вводять халькогенід кадмію у концентрації 3-10% мас.

Номер патенту: 68708

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Яцура Анна Михайлівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: легованих, отримання, спосіб, плівок, селеніду, вісмутом, p-типу, свинцю

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих вісмутом плівок селеніду свинцю n- і р-типу шляхом випаровування у вакуумі вихідної речовини при температурі ТВ, нагрівання додаткового джерела до температури ТД, стінок камери до температури ТС і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів ВаF2 до температури ТП, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують наперед синтезовані кристали PbSe, леговані вісмутом, які випаровують при ТВ=970 К,...

Номер патенту: 66046

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Ткаченко Ірина Володимирівна, Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: отримання, селеніду, цинку, спосіб, зеленим, шарів, свіченням

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з зеленим свіченням, що включає їх відпал у насиченій парі цинку, який відрізняється тим, що кристали попередньо відпалюють у парі телуру при температурі 650°С±10°С.

Номер патенту: 65074

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: цинку, легування, кристалів, спосіб, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів селеніду цинку, що включає їх відпал у парі легуючої домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі Cd при температурі 550-650°С.

Номер патенту: 53854

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Дмитрович, Калитчук Іван Васильович, Довгий Олег Ярославович, Павлюк Любомир Ростиславович

МПК: C30B 11/02

Мітки: p-типу, спосіб, селеніду, отримання, свинцю, плівок, тонких

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких плівок селеніду свинцю n- і p - типу шляхом випаровування у вакуумі вихідної речовини при температурі Тв, нагрівання додаткового джерела свинцю до температури Тд, стінок камери – до температури Тс і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів ВаF2 - до температури Тп, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують попередньо синтезовані кристали PbSe, леговані талієм до 0,2 ат.%, які випаровують при...

Номер патенту: 51767

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/48

Мітки: селеніду, одержання, напівпровідникового, основі, спосіб, n-типу, цинку, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n - типу на основі селеніду цинку, що включає вирощування кристалів із розплаву під тиском інертного газу з наступною термообробкою зразків у насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину для вирощування використовують частки розміром 0,1 - 2,0 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощених кристалів селеніду цинку.