Патенти з міткою «селеніду»

Номер патенту: 122810

Опубліковано: 25.01.2018

Автори: Стаднік Віталій Євгенійович, Ятчишин Йосип Йосипович, Чайківська Руслана Тарасівна, Шаповал Павло Йосифович, Созанський Мартин Андрійович

МПК: C23C 18/12, C01B 19/04, C01G 13/00 ...

Мітки: плівок, одержання, селеніду, меркурію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання плівок меркурію селеніду, що включає здійснення хімічного осадження на підкладці з розчину, який містить сіль меркурію, натрій тіосульфат та натрій селеносульфат, який відрізняється тим, що розчин вибирають з молярним співвідношенням компонентів: сіль меркурію: натрій тіосульфат: натрій селеносульфат = 1:25-150:1-5.

Номер патенту: 114584

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Рибалка Ірина Анатоліївна, Галкін Сергій Миколайович, Звєрєва Віра Сергіївна

МПК: C30B 29/46, C01B 19/00, C01G 9/00 ...

Мітки: селеніду, цинку, спосіб, шихти, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шихти селеніду цинку, який включає завантаження елементарного цинку та селену у реактор, де у нижню частину вертикального реактора завантажують елементарний цинк, нагрівають нижню частину вище температури кипіння цинку з підтримкою у верхній частині реактора температури нижче за температуру кипіння цинку, але вище за температуру твердіння селену, і синтезують шихту у паровій фазі з елементарного цинку та селену, який...

Номер патенту: 115977

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Бодюл Георгій Ілліч, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/477

Мітки: спосіб, обробки, кристалів, селеніду, поверхні, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні кристалів селеніду цинку, що включає механічне полірування, хімічну обробку, відмивання у киплячій дистильованій воді та сушіння підкладинок селеніду цинку, який відрізняється тим, що підкладинку послідовно за 6-8 циклів обробляють в суміші H2SO4:H2O2=3:1 при 60-70 °С і дистильованій воді при 20 °С протягом 30-60 с.

Номер патенту: 114037

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Проданов Максим Федорович, Д'яков Максим Юрійович, Семиноженко Володимир Петрович, Ващенко Валерій Володимирович

МПК: C01B 19/04, B82B 3/00, C01G 11/00 ...

Мітки: спосіб, наночастинок, отримання, кадмію, селеніду, люмінесцентних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання люмінесцентних наночастинок селеніду кадмію, який включає приготування суміші прекурсорів кадмію і селену з молярним співвідношенням Cd:Se не менше за 2:1 у висококиплячому розчиннику, нагрівання суміші в інертній атмосфері, додання стабілізуючого ліганду і виділення отриманого продукту, який відрізняється тим, що стабілізуючий ліганд додають перед нагріванням безпосередньо у вихідну суміш прекурсорів у висококиплячому...

Номер патенту: 104988

Опубліковано: 25.02.2016

Автори: Сльотов Олексій Михайлович, Гавалешко Олександр Степанович, Сльотов Михайло Михайлович

МПК: C30B 28/00

Мітки: цинку, шарів, отримання, кольору, селеніду, різного, спосіб, люмінесценцією

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з люмінесценцією різного кольору, що включає відпал кристалів селеніду кадмію у парі домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі цинку у вакуумі не гірше 10-4 Торр при температурі 880-1040 °C, причому збільшенням температури відпалу змінюють колір люмінесценції з фіолетового до зеленого.

Номер патенту: 102557

Опубліковано: 10.11.2015

Автори: Герасименко Андрій Спартакович, Капустник Олексій Костянтинович, Коваленко Назар Олегович

МПК: C30B 11/00

Мітки: легованого, іонами, матеріал, кадмію, хрому, монокристалічний, основі, селеніду

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому, який відрізняється тим, що додатково містить акцепторну домішку срібла у концентрації 1÷8×10-3 мас. %.

Номер патенту: 108182

Опубліковано: 25.03.2015

Автори: Стариков Вадим Володимирович, Софронова Олена Михайлівна, Софронов Дмитро Семенович

МПК: C01B 19/00

Мітки: одержання, спосіб, селеніду, плівок, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб одержання плівок селеніду цинку, який включає розміщення кварцової або скляної підкладки в реакційному об'єму з 3-5 М розчином гідроксиду натрію або калію, додання еквівалентних співвідношень оксиду цинку і елементарного селену в концентрації 0,01-0,1 М, приливання двократного надлишку гідразину гідрату, нагрівання одержаної суміші до 80-100 °C та витримку протягом 60-30 хвилин відповідно, який відрізняється тим, що після приливання...

Номер патенту: 87571

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Саміла Андрій Петрович, Ковалюк Захар Дмитрович, Раранський Микола Дмитрович, Хандожко Віктор Олександрович, Балазюк Віталій Назарович

МПК: G01N 24/00

Мітки: температури, процес, реєстрації, селеніду, монокристалу, галію, основі

Формула / Реферат:

Процес реєстрації температури на основі монокристалу селеніду галію, який відрізняється тим, що як термометричний параметр вибирається температурна залежність власної частоти ядерного квадрупольного резонансу FP, причому лінійна залежність температури Т, яка визначається в інтервалі 20<T<130 °C відповідає частоті ядерного квадрупольного резонансу FP, що розташована в діапазоні 18,150<FP<19,110 МГц.

Номер патенту: 104518

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Софронова Олена Михайлівна, Софронов Дмитро Семенович, Стариков Вадим Володимирович

МПК: C01B 19/00

Мітки: цинку, плівок, селеніду, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання плівок селеніду цинку, який відрізняється тим, що кварцову або скляну підкладку поміщають в реакційний об'єм з 3-5М розчином гідроксиду натрію або калію, додають еквівалентні співвідношення оксиду цинку і елементарного селену в концентрації 0,01-0,1М, потім приливають двократний надлишок гідразин гідрату, одержану суміш нагрівають до 80-100 °C і витримують протягом 60-30 хвилин відповідно.

Номер патенту: 102783

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Жуков Олександр Вікторович, Зеня Ігор Михайлович, Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/48

Мітки: селеніду, матеріалу, цинку, сцинтиляційного, основі, активованого, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинку, що включає його вирощування з вихідної шихти в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що у вихідну шихту як активатор вводять сірчистий цинк у концентрації 1,0-10,0 мол. % й оксид або халькогенід одного з металів у концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. % як співактивуючу донорну домішку, що з вихідною сполукою утворює твердий розчин заміщення.

Номер патенту: 82328

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: Ятчишин Йосип Йосипович, Кусьнеж Віктор Вацлавович, Ільчук Григорій Архипович, Шаповал Павло Йосифович, Гумінілович Руслана Ростиславівна

МПК: C01B 19/00, C01G 11/00

Мітки: кадмій, селеніду, спосіб, одержання, плівок, тонких

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонких плівок кадмій селеніду, що включає його хімічне осадження на підкладку з розчину, що містить іони металу та іони селену у лужному середовищі, який відрізняється тим, що попередньо підкладку поміщають на нагріту термостатовану поверхню, а осадження здійснюють нанесенням на підкладку розчину, що містить іони металу та іони селену.

Номер патенту: 78537

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 31/0272, C30B 31/00, H01L 21/324 ...

Мітки: цинку, отримання, шарів, спосіб, блакитною, селеніду, люмінесценцією

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шарів селеніду цинку з блакитною люмінесценцією, що включає відпал кристалів селеніду цинку, який відрізняється тим, що монокристалічний селенід цинку у вигляді пластинок відпалюють у вакуумі не гірше 10-4 тор.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пластинки бездомішкових кристалів селеніду цинку відпалюють при температурах 500-1050 °C.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пластинки...

Номер патенту: 76617

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Кудринський Захар Русланович

МПК: H01G 4/06

Мітки: шаруватих, виготовлення, кристалів, селеніду, спосіб, gаsе, підкладинках, плівок, гексагональної, монокристалічних, кадмію, структури

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення монокристалічних плівок селеніду кадмію гексагональної структури на підкладинках шаруватих кристалів GaSe, що включає їх відпал у парі кадмію, який відрізняється тим, що як підкладинки використовуються шаруваті кристали моноселеніду галію.

Номер патенту: 76470

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: селеніду, цинку, спосіб, легування, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб легування селеніду цинку, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у присутності наважки олова Sn та подрібненої шихти ZnSe при температурі 850±50 °C.

Номер патенту: 71056

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Стратійчук Ірина Борисівна, Калитчук Сергій Михайлович, Галкін Сергій Миколайович, Томашик Василь Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Будзуляк Сергій Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Сосницька Ольга Олександрівна, Кравцова Анна Сергіївна, Томашик Зінаїда Федорівна

МПК: H01L 21/465, H01L 21/02

Мітки: полірованої, кристалів, цинк, селеніду, поверхні, формування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду, який включає механічне шліфування пластини кристала ZnSe, полірування рідкофазним травником, який містить бром та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластину кристала полірують травниками, які містять бромвиділяючу суміш гідроген пероксиду та бромідної кислоти в дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 4-6 хв. хіміко-механічне полірування напівпровідникової...

Номер патенту: 65584

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Махній Віктор Петрович, Мельник Володимир Васильович, Ульяницький Костянтин Сергійович

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00

Мітки: гетерошарів, виготовлення, кадмію, селеніду, кубічної, модифікації, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетерошарів селеніду кадмію кубічної модифікації, що включає підготовку базових підкладинок селеніду цинку та їх відпал у парі кадмію, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять при температурі 800 ± 10 °С.

Номер патенту: 65066

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Комарь Віталій Корнійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Христьян Володимир Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалічний, частоти, селеніду, діапазону, лазерів, цинку, основі, перестроюванням, активних, середнього, матеріал, елементів

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого двовалентними іонами хрому і заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Cr2+:Fe2+:Zn1-xMgxSe при 0,13<х<0,60.

Номер патенту: 95882

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Комарь Віталій Корнійович, Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Христьян Володимир Анатолійович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10, C30B 29/46 ...

Мітки: середнього, перестроюванням, основі, іонами, кристалічний, матеріал, елементів, діапазону, легованого, заліза, селеніду, активних, цинку, частоти, лазерів

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію, вміст якої складає 0,11<х<0,60 і створює твердий розчин заміщення Fe2+:Zn1-хMgxSe.

Номер патенту: 94142

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Герасименко Андрій Спартакович, Федоренко Ольга Олександрівна, Загоруйко Юрій Анатолійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Коваленко Назар Олегович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: C30B 29/46, C30B 11/00, C30B 29/10 ...

Мітки: лазерів, діапазону, активних, легованого, елементів, основі, кристалічний, хромом, перестроюванням, селеніду, частоти, матеріал, середнього, цинку

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом, який відрізняється тим, що матеріал додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Zn1-xMgxSe:Cr2+ при 0,22<х<0,6, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підрешітці.

Номер патенту: 54018

Опубліковано: 25.10.2010

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: шарів, спосіб, цинку, селеніду, провідністю, отримання, дірковою

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з дірковою провідністю, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок ZnSe та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у присутності подрібненої шихти GaP або GaAs при температурі 850±50 °С.

Номер патенту: 92286

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євгеній Федорович, Гриньов Борис Вікторович, Бреславський Ігор Анатолійович, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 29/10, G01T 1/202, C30B 29/46 ...

Мітки: спосіб, цинку, основі, сцинтиляційний, напівпровідниковий, селеніду, матеріал, активованого, одержання

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, який відрізняється тим, що активуючим елементом є елементи третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення, при співвідношенні компонентів, % мольн.: активуючий елемент 1.10-5-1.10-3 ZnSe решта. 2. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі...

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C01G 9/00, C30B 29/46, C01B 19/00 ...

Мітки: цинку, спосіб, селеніду, кристалів, активованих, термообробки

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Номер патенту: 46928

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Ульяницький Костянтин Сергійович, Кінзерська Оксана Володимирівна, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: легування, домішками, перехідних, цинку, металів, спосіб, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб легування селеніду цинку домішками перехідних металів, що включає підготовку базових підкладинок ZnSe та їх відпал у запаяній ампулі з перехідним металом, який відрізняється тим, що відпал проводять при температурі 1473±5 К у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі, в одній частині якої знаходиться підкладинка, а в протилежній частині, покритій шаром пірографіту, - елементарний Se та подрібнений перехідний метал з ряду Ті, V, Cr,...

Номер патенту: 43566

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен

МПК: G01K 17/00

Мітки: галію-індію, функціональних, твердого, селеніду, матеріал, пристроїв, основі, напівпровідникового, розчину, монокристалів, оптоелектроніки

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Лалаянц Олександр Іванович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Гальчинецький Леонід Павлович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гриньов Борис Вікторович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C01G 9/00, C30B 29/00, C01B 19/00 ...

Мітки: селеніду, цинку, спосіб, кристалів, термообробки, активованих

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Номер патенту: 87210

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен

МПК: G02F 1/29

Мітки: селеніду, оптоелектроніки, твердого, пристроїв, розчину, основі, напівпровідникового, функціональних, матеріал, галію-індію

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як матеріал використовують монокристал напівпровідникового твердого розчину складу, що відповідає формулі (Ga0.2In0.8)2Se3.

Номер патенту: 86114

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен

МПК: H01S 3/10, G02F 1/01

Мітки: твердого, напівпровідникового, монокристалів, селеніду, основі, пристроїв, функціональних, розчину, галію-індію, оптоелектроніки, матеріал

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.1In0.9)2Sе3.

Номер патенту: 34945

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/08

Мітки: галію-індію, розчину, селеніду, оптоелектроніки, монокристала, пристроїв, твердого, функціональних, ga0.3in0.7)2se3, застосування, матеріалу, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,3Іn0,7)2Sе3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 83765

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Феделеш Василь Іванович, Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G02F 1/01, H01S 3/10

Мітки: модулятора, основі, лазерного, монокристалів, селеніду, матеріал, акустооптичного, галію-індію, випромінювання

Формула / Реферат:

Матеріал для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання на основі монокристалів селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент застосований монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.

Номер патенту: 30108

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен

МПК: G01K 17/00

Мітки: застосування, твердого, розчину, ga0,2in0,8)2se3, функціональних, галію-індію, оптоелектроніки, напівпровідникового, селеніду, монокристала, матеріалу, пристроїв

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію  як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 26301

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G01K 17/08

Мітки: 0,9)2se3, розчину, напівпровідникового, монокристала, функціональних, твердого, матеріалу, оптоелектроніки, галію-індію, селеніду, пристроїв, застосування

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію - індію (Ga0.1In0.9)2Se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 25754

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Феделеш Василь Іванович, Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/08

Мітки: застосування, розчину, ga0,4in0,6)2se3, випромінювання, галію-індію, модулятора, твердого, акустооптичного, напівпровідникового, матеріалу, селеніду, лазерного, монокристала

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,4Іn0,6)2Se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання.

Номер патенту: 77305

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Феделеш Василь Іванович

МПК: H01S 3/10, G02F 1/01

Мітки: напівпровідникового, селеніду, лазерного, модулятора, ga0.3in0.7)2se3, монокристала, галію-індію, застосування, розчину, випромінювання, матеріалу, твердого, акустооптичного

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.3In0.7)2Sе3 як матеріалу для акустооптичного модулятора оптичного випромінювання.

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Сілін Віталій Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євгеній Федорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 33/02

Мітки: основі, сцинтиляційного, ізовалентною, домішкою, цинку, селеніду, кристала, матеріалу, термообробки, спосіб, легованого

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Номер патенту: 74998

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович, Сілін Віталій Іванович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: напівпровідникового, селеніду, одержання, активованого, основі, цинку, матеріалу, сцинтиляційного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі активованого селеніду цинку, який полягає в тому, що попередньо здійснюють термообробку шихти селеніду цинку та активатора, після чого вирощують кристали з розплаву в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що в шихту як активатор вводять халькогенід кадмію у концентрації 3-10% мас.

Номер патенту: 68708

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Яцура Анна Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: плівок, отримання, легованих, вісмутом, селеніду, p-типу, свинцю, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих вісмутом плівок селеніду свинцю n- і р-типу шляхом випаровування у вакуумі вихідної речовини при температурі ТВ, нагрівання додаткового джерела до температури ТД, стінок камери до температури ТС і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів ВаF2 до температури ТП, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують наперед синтезовані кристали PbSe, леговані вісмутом, які випаровують при ТВ=970 К,...

Номер патенту: 66046

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Махній Віктор Петрович, Сльотов Михайло Михайлович, Ткаченко Ірина Володимирівна

МПК: C30B 31/00

Мітки: цинку, селеніду, свіченням, зеленим, шарів, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з зеленим свіченням, що включає їх відпал у насиченій парі цинку, який відрізняється тим, що кристали попередньо відпалюють у парі телуру при температурі 650°С±10°С.

Номер патенту: 65074

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: цинку, легування, селеніду, кристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів селеніду цинку, що включає їх відпал у парі легуючої домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі Cd при температурі 550-650°С.

Номер патенту: 53854

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Павлюк Любомир Ростиславович, Довгий Олег Ярославович, Калитчук Іван Васильович, Фреїк Дмитро Дмитрович, Никируй Любомир Іванович

МПК: C30B 11/02

Мітки: селеніду, p-типу, плівок, тонких, отримання, свинцю, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких плівок селеніду свинцю n- і p - типу шляхом випаровування у вакуумі вихідної речовини при температурі Тв, нагрівання додаткового джерела свинцю до температури Тд, стінок камери – до температури Тс і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів ВаF2 - до температури Тп, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують попередньо синтезовані кристали PbSe, леговані талієм до 0,2 ат.%, які випаровують при...

Номер патенту: 51767

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 29/48, C30B 29/46

Мітки: напівпровідникового, n-типу, спосіб, основі, одержання, селеніду, матеріалу, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n - типу на основі селеніду цинку, що включає вирощування кристалів із розплаву під тиском інертного газу з наступною термообробкою зразків у насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину для вирощування використовують частки розміром 0,1 - 2,0 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощених кристалів селеніду цинку.