Патенти з міткою «провідності»

Спосіб визначення відносної діелектричної проникності, питомої провідності, тангенса кута діелектричних втрат електроізоляційних рідин

Завантаження...

Номер патенту: 123029

Опубліковано: 12.02.2018

Автори: Мамикін Андрій Васильович, Кукла Олександр Леонідович, Майстренко Анатолій Степанович, Мацас Євген Петрович, Матвієнко Людмила Михайлівна

МПК: G01N 27/30, G01N 27/48, G01N 27/06 ...

Мітки: спосіб, відносної, провідності, діелектричних, рідин, визначення, проникності, питомої, електроізоляційних, втрат, кута, діелектричної, тангенса

Формула / Реферат:

Спосіб визначення відносної діелектричної проникності, питомої провідності та тангенса кута діелектричних втрат ізоляційних рідин, при якому прикладають до електродів конденсаторну електрохімічну комірку, заповнену досліджуваною електроізоляційною рідиною, змінного електричного струму в області частот 0.1-10 Гц з подальшим визначенням значень опору R та ємності С комірки та розрахунком з них шуканих електрофізичних характеристик, який...

Спосіб модуляції провідності устячка рослини

Завантаження...

Номер патенту: 116097

Опубліковано: 12.02.2018

Автори: Мошеліон Меначем, Гранот Девід, Келлі Гілор

МПК: A01H 5/10, A01H 5/12, A01H 5/02 ...

Мітки: рослини, устячка, модуляції, спосіб, провідності

Формула / Реферат:

1. Спосіб регулювання провідності устячка рослини, який включає модуляцію в рослині рівня й/або активності гексокінази специфічним стосовно замикаючої клітини чином, причому зазначена гексокіназа являє собою гексокіназу типу В, здатну до регулювання провідності устячка, із регулюванням тим самим провідності рослини, при якому, коли зазначена модуляція являє собою підвищувальну регуляцію, зазначену підвищувальну регуляцію забезпечують...

Спосіб диференціальної діагностики порушень серцевого ритму та провідності в ранньому неонатальному періоді у передчасно народжених дітей з внутрішньошлуночковими крововиливами

Завантаження...

Номер патенту: 111557

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Ковальова Олена Михайлівна, Козакевич Олена Борисівна, Артьомова Наталія Сергіївна, Зюзіна Лариса Степанівна, Похилько Валерій Іванович, Соловйова Галина Олексіївна

МПК: A61B 5/0476, A61B 5/0478, A61B 5/0402 ...

Мітки: провідності, спосіб, порушень, ритму, ранньому, внутрішньошлуночковими, передчасної, серцевого, діагностики, неонатальному, крововиливами, періоди, дітей, народжених, диференціальної

Формула / Реферат:

Спосіб діагностики порушень серцевого ритму та провідності у передчасно народжених дітей з внутрішньошлуночковими крововиливами в ранньому неонатальному періоді, що включає вивчення біоелектричної активності серця й головного мозку на основі моніторингу добової електрокардіограми (ЕКГ) та амплітудно-інтегральної електроенцефалограми (аЕЕГ), аналізу взаємовідношень між порушеннями серцевого ритму (провідності) й показниками фонової...

Спосіб підвищення електричної провідності нематичного рідкого кристалу 6снвт шляхом внесення в нього наночастинок суперіонного провідника cu6ps5i

Завантаження...

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Ковальчук Олександр Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович, Копчанський Петер, Студеняк Віктор Ігорович, Тімко Мілан

МПК: G01R 3/00, G02F 1/13

Мітки: провідника, спосіб, 6снвт, рідкого, підвищення, наночастинок, суперіонного, електричної, шляхом, нього, cu6ps5i, кристалу, провідності, внесення, нематичного

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Спосіб підвищення питомої об’ємної електричної провідності епоксидних композитів

Завантаження...

Номер патенту: 110429

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Демченко Валерій Леонідович, Унрод Володимир Ізяславович, Куриленко Юлія Миколаївна, Гончаренко Людмила Андріївна

МПК: C08L 63/00, B01D 71/46

Мітки: епоксидних, спосіб, провідності, електричної, питомої, композитів, підвищення, об'ємної

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення питомої об'ємної електричної провідності епоксидних композитів, при якому наповнюють епоксидні смоли наповнювачами - сумішами поліаніліну із оксидом металу Fе2О3 або Аl2О3 і перемішують за кімнатної температури протягом 1 год., додають 18 об. % триетилентетраміну і перемішують протягом 0,5 год., дегазують суміші за залишкового тиску 1×105 Па протягом 0,5 год., який відрізняється тим, що композит отверджують під...

Спосіб підвищення електричної провідності нематичного рідкого кристалу шляхом внесення в нього наночастинок суперіонного провідника

Завантаження...

Номер патенту: 106745

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Ковальчук Олександр Васильович, Копчанський Петер, Тімко Мілан, Пал Юрій Олександрович, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович

МПК: G02F 1/13

Мітки: рідкого, підвищення, наночастинок, кристалу, суперіонного, провідника, електричної, спосіб, внесення, нього, нематичного, шляхом, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперінного провідника, внаслідок чого отриманий композит на основі рідкого кристалу має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність вихідного рідкого кристалу без наночастинок більш ніж на порядок.

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу

Завантаження...

Номер патенту: 99100

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Копчанський Петер, Студеняк Ігор Петрович, Томашовічова Наталія, Ковальчук Олександр Васильович, Тімко Мілан, Завісова Власта

МПК: G02F 1/13

Мітки: спосіб, рідкого, композита, підвищення, основі, кристалу, іонної, нематичного, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять домішки наночастинок магнетиту та вуглецевих нанотрубок, потім їх диспергують у ПВА, внаслідок чого отриманий композит має іонну провідність, яка перевищує іонну провідність композиту без наночастинок на 5 порядків.

Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур snte:bi p-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю

Завантаження...

Номер патенту: 97318

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Никируй Любомир Іванович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: snte:bi, провідності, спосіб, отримання, структур, напівпровідникових, потужністю, покращеною, термоелектричною, p-типу, тонкоплівкових

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур SnTe:Bi р-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на ситалові підкладки при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnТе:Ві із вмістом Ві 0,3...

Спосіб покращення термоелектричних властивостей тонких плівок p-типу провідності на основі легованого бісмутом snte

Завантаження...

Номер патенту: 97316

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Матківський Остап Миколайович, Дзундза Богдан Степанович, Ткачук Андрій Іванович

МПК: B82B 3/00

Мітки: тонких, основі, бісмутом, провідності, термоелектричних, p-типу, покращення, властивостей, спосіб, плівок, легованого

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей тонких плівок р-типу провідності на основі легованого бісмутом SnTe, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на підкладки із свіжих відколів (0001) слюди-мусковіту при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnTe:Bi...

Термоелектричні гілки з наноструктурованих матеріалів bi-sb-te p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 96424

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Горський Петро Володимирович, Вихор Людмила Миколаївна

МПК: H01L 35/30

Мітки: провідності, bi-sb-te, гілки, p-типу, термоелектричні, наноструктурованих, матеріалів

Формула / Реферат:

Термоелектричні гілки для охолоджувальних та генераторних термоелементів на основі оптимізованих наноструктурованих матеріалів з порошків Bi-Sb-Te р-типу провідності, які відрізняються тим, що крупність зерен узгоджена зі зміною температури вздовж висоти гілки таким чином, щоб при кожному значенні температури досягалось найбільше значення термоелектричної добротності матеріалу.

Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію р-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 91417

Опубліковано: 10.07.2014

Автори: Сукач Андрій Васильович, Ткачук Андрій Іванович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Ворощенко Андрій Тарасович

МПК: H01L 31/00, H01L 31/06, H01L 21/04 ...

Мітки: гетероструктурний, контакт, шарів, полікристалічних, р-типу, телуриду, омічний, провідності, кадмію

Формула / Реферат:

Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію, що включає полікристалічний шар телуриду кадмію р-типу провідності, а також метал з високою роботою виходу, який відрізняється тим, що між металом та телуридом кадмію розміщується полікристалічний шар сильно легованого телуриду свинцю р-типу провідності, причому контактний метал є акцептором у телуриді свинцю.

Термоелектричні гілки з нанопорошків bi2te3 n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 90765

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Вихор Людмила Миколаївна, Горський Петро Володимирович

МПК: H01L 35/00

Мітки: провідності, гілки, bi2te3, нанопорошків, n-типу, термоелектричні

Формула / Реферат:

Термоелектричні гілки для охолоджувальних та генераторних термоелементів на основі оптимізованих наноструктурованих матеріалів з порошків Ві2Те3 n-типу провідності, які відрізняються тим, що крупність порошку змінюється вздовж висоти гілки таким чином, щоб найбільш імовірний радіус r0 (в нанометрах) наночастинок порошку змінювався з температурою вздовж гілки за законом:

Спосіб прискорення провідності нервово-м’язового імпульсу в спортсменів

Завантаження...

Номер патенту: 89943

Опубліковано: 12.05.2014

Автори: Данцкер Ганна Борисівна, Гуніна Лариса Михайлівна, Конюшок Сергій Олександрович

МПК: A61K 31/00, A61K 36/00

Мітки: спортсменів, прискорення, імпульсу, спосіб, нервово-м'язового, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб прискорення провідності нервово-м'язового імпульсу в спортсменів, що включає застосування фармакологічного препарату, який відрізняється тим, що спортсмен протягом 21 дня щоденно на фоні стандартних тренувальних навантажень застосовує настоянку плодів лимоннику китайського по 25 крапель двічі на добу.

Модулятори регулятора трансмембранної провідності при муковісцидозі

Завантаження...

Номер патенту: 104601

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Ботфілд Мартін, Янг Сяоцин, Сіліна Аліна, Ван Гур Фредрік, Гротенхейс Петер Д.Й., Шет Урві, Бінч Хейлі, Харлі Деніс, Нума Мехді Мішель Джамель, Феннінг Лев Т.Д.

МПК: A61K 31/439, A61P 11/00, C07D 451/02 ...

Мітки: муковісцидозі, регулятора, модулятори, трансмембранної, провідності

Формула / Реферат:

            1. Сполука формули (І) (І)або її фармацевтично прийнятні солі, де            кільце А вибирають з, ,  або

Пристрій для перетворення на нуль сумарної провідності вузла у квазіаналогових моделях

Завантаження...

Номер патенту: 104210

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Кривенко Віктор Іванович, Карандаков Генадій Васильович

МПК: H03H 5/00, G06G 7/122

Мітки: сумарної, перетворення, нуль, пристрій, вузла, провідності, квазіаналогових, моделях

Формула / Реферат:

Пристрій для перетворення на нуль сумарної провідності вузла у квазіаналогових моделях, що містить гілку із резистором, провідність якого дорівнює сумі провідностей всіх інших гілок вузла, який відрізняється тим, що паралельно зазначеному резистору включено джерело струму, кероване струмом резистора із коефіцієнтом передачі , причому в контурі між точками і-0 напрямки...

Низькочастотний пристрій для вимірювання ємкісної та активної провідності для визначення кількості вологи у трансформаторному маслі

Завантаження...

Номер патенту: 84145

Опубліковано: 10.10.2013

Автори: Сирцов Анатолій Іванович, Невзлін Борис Ісакович, Бухтіяров Ігор Юрійович, Дяченко Юрій Юрійович, Джасим Мохамед Джасим, Половинка Дмитро Васильович

МПК: G01R 27/02

Мітки: кількості, маслі, низькочастотний, вимірювання, вологи, ємкісної, провідності, визначення, трансформаторному, активної, пристрій

Формула / Реферат:

Низькочастотний пристрій для вимірювання ємкісної та активної провідності для визначення кількості вологи у трансформаторному маслі, що містить низькочастотний генератор, стабільне джерело напруги, аналогові електронні перемикачі та резистори, через які відбувається розряд та заряд ємкості вимірювального двополюсника, центральний електрод якого під'єднано до аналого-цифрового перетворювача, цифровий вихід якого під'єднано до мікроконтролера,...

Спосіб модуляції провідності полімерних систем бета-променями

Завантаження...

Номер патенту: 80989

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Клепко Валерій Володимирович, Лебедев Євген Вікторович, Колупаєв Борис Борисович, Малиновський Євгеній Вікторович

МПК: H03K 7/00, H01L 31/00

Мітки: спосіб, полімерних, модуляції, провідності, систем, бета-променями

Формула / Реферат:

Спосіб модуляції провідності полімерних систем бета променями, який полягає в модуляції провідності під дією поля, який відрізняється тим, що як модулююче тіло використовують полімер наповнений наночастинками металу, а модуляцію здійснюють під дією - променів.

Спосіб отримання наноструктурованого матеріалу zno з р-типом провідності

Завантаження...

Номер патенту: 78485

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Турко Борис Ігорович, Крегель Ольга Петрівна, Пясецькі Міхал, Кітик Іван, Лубочкова Галина Олександрівна, Капустяник Володимир Богданович

МПК: C01G 9/00

Мітки: р-типом, матеріалу, отримання, спосіб, наноструктурованого, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованого матеріалу ZnO з р-типом провідності, який включає вирощування наноструктури на шарі зародків ZnO в електрохімічній комірці з електродами з розчину реагентів, де до робочого електрода прикладається напруга, який відрізняється тим, що як робочий електрод-катод використовують сіталову підкладку, а як другий електрод-анод - пластину графіту, причому нанострижні осаджують на попередньо нанесений на підкладку...

Спосіб визначення протонної провідності мембран

Завантаження...

Номер патенту: 69311

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Полункін Євген Васильович, Зубенко Степан Олександрович, Богомолов Юрій Іванович, Шелудько Євгеній Валентинович

МПК: H01B 1/00, G01N 27/00

Мітки: спосіб, провідності, протонної, визначення, мембран

Формула / Реферат:

Спосіб визначення протонної провідності мембран, який відрізняється тим, що включає використання двокамерної електрохімічної комірки, камери якої розділені мембраною, та насипаного електропровідного порошку, залитого водним розчином електроліту, в порошок введені графітові електроди, а до електродів підведена постійна електрична напруга, де при здійсненні способу камери нахиляють під таким кутом до вертикальної площини, який забезпечує...

Спосіб отримання легованих кристалів pbte:co n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 65673

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Борик Віктор Васильович, Туровська Лілія Вадимівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Бойчук Володимира Михайлівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: легованих, спосіб, pbte:co, отримання, провідності, кристалів, n-типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Со n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...

Пристрій для вимірювання ємкісної та активної провідності для визначення кількості вологи у трансформаторному маслі

Завантаження...

Номер патенту: 64602

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Морозова Дар'я Василівна, Половинка Дмитро Васильович, Кузнєцов Микола Іванович, Невзлін Борис Ісакович

МПК: G01R 27/02

Мітки: провідності, вимірювання, трансформаторному, активної, вологи, кількості, ємкісної, визначення, маслі, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання ємкісної та активної провідності для визначення кількості вологи у трансформаторному маслі, що містить генератор, конденсатори, фільтр, вимірювальне та еталонне плечі, діоди, стабільне джерело напруги, ланцюги із еталонного та вимірювального двополюсника, паралельно кожному плечу підключено діод, при цьому виводи діодів однієї полярності підключені до загальної точки з'єднання вимірювальних та еталонних плеч, який...

Спосіб діагностики можливого перебігу порушень серцевого ритму та провідності у дітей із системною дисплазією сполучної тканини

Завантаження...

Номер патенту: 60056

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Філонова Тетяна Олександрівна, Савво Володимир Михайлович, Кісельова Людмила Петрівна, Апанасенко Оксана Миколаївна, Ананьєва Наталія Володимирівна, Мамалуй Наталія Іванівна, Лупальцова Світлана Юхимівна

МПК: G01N 33/48, A61B 5/02

Мітки: сполучної, діагностики, провідності, серцевого, перебігу, тканини, дисплазією, спосіб, ритму, можливого, порушень, системною, дітей

Формула / Реферат:

Спосіб діагностики можливого перебігу порушень серцевого ритму та провідності у дітей із системною дисплазією сполучної тканини, що включає визначення клінічних ознак, параметрів вегетативного гомеостазу, ехокардіографічних критеріїв, показників ритмокардіографії та варіабельності ритму серця, який відрізняється тим, що додатково визначають біохімічні маркери обміну сполучної тканини, кожному показнику надають прогностичний коефіцієнт,...

Спосіб отримання кристалів znse:in n- i p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 59326

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Гургула Галина Ярославівна, Потяк Володимир Юрійович, Фреїк Наталія Дмитрівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: кристалів, спосіб, p-типу, провідності, отримання, znse:in

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів ZnSe:In n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину, за яку використовують ZnSe, поміщають в ампулу із затравкою, а як легуючий матеріал використовують In2Se3, ампулу поміщають у піч з вертикальним градієнтом, парофазне легування здійснюють у процесі вільного росту, при якому контролюють дозування вихідного матеріалу домішкового індію, який відрізняється тим, що при дозі індію до 0,5·1020 м-3...

Спосіб визначення власної провідності клітин тварин у розчинах

Завантаження...

Номер патенту: 54779

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Шигімага Віктор Олександрович, Шигимага Антон Вікторович

МПК: G01N 27/06, G01R 27/22

Мітки: провідності, спосіб, тварин, визначення, власної, розчинах, клітин

Формула / Реферат:

Спосіб визначення власної провідності клітин тварин у розчинах, що включає подачу на занурені у розчин електроди імпульсів напруги зростаючої амплітуди, вимірювання електричних параметрів об'єкта для обчислення його провідності, побудову графіка залежності провідності від напруженості поля, який відрізняється тим, що послідовно і незалежно одна від одної визначають провідність клітини у розчині і провідність розчину між тими ж електродами,...

Спосіб планування оперативних втручань при лікуванні порушень повітряної провідності верхніх дихальних шляхів

Завантаження...

Номер патенту: 92395

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Семенець Валерій Васильович, Калашник Михайло Васильович, Аврунін Олег Григорович, Журавльов Анатолій Семенович, Ященко Марина Іванівна

МПК: A61B 5/087, A61B 5/08

Мітки: повітряної, дихальних, верхніх, спосіб, оперативних, втручань, шляхів, порушень, провідності, лікуванні, планування

Формула / Реферат:

Спосіб планування оперативних втручань при лікуванні порушень повітряної провідності верхніх дихальних шляхів, який складається з проведення ринометричних досліджень, виконання ендоскопічного обстеження порожнини носа, проведення функціональних досліджень верхніх дихальних шляхів, виконання інтроскопічного обстеження стану носових пазух, який відрізняється тим, що вводяться процедури формування просторової сегментованої лофтінгової моделі...

Спосіб отримання легованих монокристалів cdte:i n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 46915

Опубліковано: 11.01.2010

Автор: Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/02

Мітки: cdte:i, отримання, n-типу, спосіб, монокристалів, провідності, легованих

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:I n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу легуючої домішки з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що як легуючу домішку  вибирають CdI2 при концентрації йоду .

Спосіб моделювання порушення атріовентрикулярної провідності

Завантаження...

Номер патенту: 43620

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Антипов Микола Васильович, Антіпов Василь Миколайович, Вакуленко Іван Петрович

МПК: G09B 23/00

Мітки: провідності, атріовентрикулярної, моделювання, спосіб, порушення

Формула / Реферат:

Спосіб моделювання порушення атріовентрикулярної провідності, що включає оклюзію атріовентрикулярної вузлової артерії, який відрізняється тим, що додатково виконують оклюзію першої перетинкової артерії передньої міжшлуночкової гілки лівої коронарної артерії.

Процес визначення типу провідності термоелектричних злитків, заготовок та деталей

Завантаження...

Номер патенту: 35442

Опубліковано: 25.09.2008

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Бучовський Іван Аполінарієвич

МПК: H01L 35/34

Мітки: визначення, типу, провідності, термоелектричних, злитків, заготовок, деталей, процес

Формула / Реферат:

1. Процес визначення типу провідності термоелектричних об'єктів, який характеризується тим, що безконтактним методом при вибраних позитивних та негативних напрямках уніполярного струму індуктивного датчика кільцевого типу вимірюють їх електропровідність та далі, по її максимальному значенню, визначають тип провідності.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що р-тип провідності відповідає максимальним значенням електропровідності...

Спосіб вимірювання питомої провідності однорідних напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 32572

Опубліковано: 26.05.2008

Автор: Нічий Сергій Васильович

МПК: G01N 27/00

Мітки: спосіб, матеріалів, однорідних, напівпровідникових, вимірювання, провідності, питомої

Формула / Реферат:

1. Спосіб вимірювання питомої провідності однорідних напівпровідникових матеріалів на зразках правильної геометричної форми двозондовим методом, який відрізняється тим, що через зразок пропускають лінійнозмінний струм і значення питомої провідності визначають як величину, яка пропорційна відношенню приросту струму до приросту напруги між вимірювальними зондами на лінійній ділянці лінійнозмінного струму, за один і той же проміжок...

Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 30706

Опубліковано: 11.03.2008

Автор: Борик Віктор Васильович

МПК: C21D 1/00

Мітки: провідності, отримання, свинцю, n-типу, спосіб, сплавів, термоелектричних, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють гаряче пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини...

Спосіб визначення параметрів електропробою мембрани клітини за кривизною провідності

Завантаження...

Номер патенту: 30272

Опубліковано: 25.02.2008

Автор: Шигімага Віктор Олександрович

МПК: G01N 33/483, G01R 27/22

Мітки: електропробою, параметрів, визначення, спосіб, клітині, провідності, кривизною, мембрани

Формула / Реферат:

Спосіб визначення параметрів електропробою мембрани клітини за кривизною провідності, що включає розміщення досліджуваної клітини в середовищі між електродами, подачу на них зростаючої імпульсної напруги, визначення залежності провідності клітини від напруженості поля і параметрів електропробою за її аналітичною апроксимацією, який відрізняється тим, що клітину злегка підтискають електродами, а апроксимацію провідності виконують поліномом...

Спосіб одержання поліуретанів з напівпровідниковим рівнем провідності

Завантаження...

Номер патенту: 82006

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Колупаєв Борис Сергійович, Бувайло Олена Анатоліївна, Нестеренко Гелена Мечиславівна, Нестеров Дмитро Сергійович, Козак Наталія Віталівна, Мніх Надія Володимирівна, Нізельський Юрій Миколайович, Кокозей Володимир Миколайович, Грищук Олег Іванович

МПК: C08G 18/22, C08G 18/10, C08K 3/10 ...

Мітки: поліуретанів, рівнем, напівпровідниковим, одержання, спосіб, провідності

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання поліуретанів з напівпровідниковим рівнем провідності шляхом введення сполук металів в органічних розчинниках до реакційної суміші поліуретанового форполімеру на основі поліолу та діізоціанату, який відрізняється тим, що як сполуку металу використовують бі-  або триметалічні полігетероядерні координаційні комплекси перехідних металів, попередньо готують 0,2-2,0 % мас. розчин цих сполук з наступним введенням його до...

Термоелектричні гілки n- і p-типів провідності з функціонально-градієнтних матеріалів на основі pb-te

Завантаження...

Номер патенту: 26669

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Вихор Людмила Миколаївна, Анатичук Лук'ян Іванович

МПК: H01L 35/12

Мітки: функціонально-градієнтних, pb-te, гілки, матеріалів, термоелектричні, провідності, основі, p-типів

Формула / Реферат:

1. Термоелектричні гілки n- і p-типів провідності з функціонально-градієнтних матеріалів на основі Рb-Те для генераторних термоелементів, які відрізняються тим, що розподіл легуючих домішок вздовж висоти гілок створюється таким чином, що концентрація носіїв струму  змінюється від  см-3 біля холодної до...

Спосіб отримання легованих кристалів pbte:bi n-і p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 24133

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Ткачик Оксана Володимирівна, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: провідності, p-типу, спосіб, легованих, отримання, кристалів, pbte:bi

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Ві n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу...

Цифровий перетворювач електричної провідності рідин

Завантаження...

Номер патенту: 78595

Опубліковано: 10.04.2007

Автор: Кірющенко Ігор Георгійович

МПК: G01R 27/22, G01N 27/22, G01N 27/02 ...

Мітки: провідності, електричної, перетворювач, рідин, цифровий

Формула / Реферат:

Цифровий перетворювач електричної провідності рідин, що містить генератор гармонічної напруги, вихід якого підключений до живильної обмотки трансформаторного первинного вимірювального перетворювача (ПВП), вихідна обмотка якого підключена до входу вторинного вимірювального перетворювача, що містить послідовно з’єднані узгоджувальний блок, фазообертач, синхронний детектор, інтегратор і модулятор струму, який містить пороговий пристрій, вхід...

Спосіб визначення провідності рідких середовищ

Завантаження...

Номер патенту: 20187

Опубліковано: 15.01.2007

Автор: Шигімага Віктор Олександрович

МПК: G01R 27/22, G01N 27/06

Мітки: спосіб, середовищ, провідності, визначення, рідких

Формула / Реферат:

Спосіб визначення провідності рідких середовищ, що включає подачу на електроди, занурені в середовище, прямокутних імпульсів напруги, вимірювання їх амплітуди, струму через середовище і розрахунок провідності, який відрізняється тим, що імпульси подають із зростаючою від нуля за заданим законом амплітудою, обчислюють провідність середовища при кожному значенні амплітуди імпульсу, будують графік залежності провідності від напруженості поля між...

Спосіб отримання легованого cdte:mn n-i p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 19930

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Михайльонка Руслан Ярославович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, отримання, провідності, p-типу, cdte:mn, легованого

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідні речовини кадмій і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони -1400К, температура другої зони - 1280К, який відрізняється тим, що концентрацію легуючої домішки змінюють в межах Ммn=1017-1021см-3.2. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і р-типу провідності за п. 1, який...

Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n- і p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 18232

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Бабущак Галина Ярославівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Михайльонка Руслан Ярославович, Дмитрів Анжела Миколаївна

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, отримання, p-типу, монокристалів, телуриду, провідності, меркурію

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n- і р-типу, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, при цьому одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі представляє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, який відрізняється тим, що одержані...

Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 18231

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Михайльонка Руслан Ярославович, Борик Віктор Васильович, Межиловська Любов Йосипівна, Дмитрів Анжела Миколаївна

МПК: C30B 11/02

Мітки: монокристалів, телуриду, p-типу, спосіб, меркурію, провідності, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду р-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...

Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 18230

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Лисюк Юрій Васильович, Никируй Любомир Іванович, Ткачик Оксана Володимирівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: n-типу, телуриду, отримання, провідності, меркурію, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...