Патенти з міткою «провідності»

Номер патенту: 111557

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Ковальова Олена Михайлівна, Артьомова Наталія Сергіївна, Соловйова Галина Олексіївна, Зюзіна Лариса Степанівна, Козакевич Олена Борисівна, Похилько Валерій Іванович

МПК: A61B 5/0476, A61B 5/0402, A61B 5/0478 ...

Мітки: діагностики, передчасної, ритму, народжених, крововиливами, серцевого, порушень, спосіб, диференціальної, дітей, внутрішньошлуночковими, періоди, неонатальному, ранньому, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб діагностики порушень серцевого ритму та провідності у передчасно народжених дітей з внутрішньошлуночковими крововиливами в ранньому неонатальному періоді, що включає вивчення біоелектричної активності серця й головного мозку на основі моніторингу добової електрокардіограми (ЕКГ) та амплітудно-інтегральної електроенцефалограми (аЕЕГ), аналізу взаємовідношень між порушеннями серцевого ритму (провідності) й показниками фонової...

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Студеняк Віктор Ігорович, Ковальчук Олександр Васильович, Тімко Мілан, Копчанський Петер, Бендак Андрій Васильович

МПК: G01R 3/00, G02F 1/13

Мітки: внесення, підвищення, рідкого, шляхом, нематичного, провідника, наночастинок, cu6ps5i, електричної, провідності, нього, 6снвт, суперіонного, спосіб, кристалу

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Номер патенту: 110429

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Куриленко Юлія Миколаївна, Демченко Валерій Леонідович, Унрод Володимир Ізяславович, Гончаренко Людмила Андріївна

МПК: C08L 63/00, B01D 71/46

Мітки: питомої, провідності, підвищення, епоксидних, електричної, об'ємної, спосіб, композитів

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення питомої об'ємної електричної провідності епоксидних композитів, при якому наповнюють епоксидні смоли наповнювачами - сумішами поліаніліну із оксидом металу Fе2О3 або Аl2О3 і перемішують за кімнатної температури протягом 1 год., додають 18 об. % триетилентетраміну і перемішують протягом 0,5 год., дегазують суміші за залишкового тиску 1×105 Па протягом 0,5 год., який відрізняється тим, що композит отверджують під...

Номер патенту: 106745

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Ковальчук Олександр Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович, Копчанський Петер, Тімко Мілан, Пал Юрій Олександрович

МПК: G02F 1/13

Мітки: спосіб, шляхом, наночастинок, внесення, провідності, рідкого, кристалу, підвищення, нематичного, суперіонного, електричної, нього, провідника

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперінного провідника, внаслідок чого отриманий композит на основі рідкого кристалу має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність вихідного рідкого кристалу без наночастинок більш ніж на порядок.

Номер патенту: 99100

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Ковальчук Олександр Васильович, Тімко Мілан, Копчанський Петер, Томашовічова Наталія, Завісова Власта, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G02F 1/13

Мітки: іонної, підвищення, кристалу, провідності, нематичного, рідкого, основі, композита, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять домішки наночастинок магнетиту та вуглецевих нанотрубок, потім їх диспергують у ПВА, внаслідок чого отриманий композит має іонну провідність, яка перевищує іонну провідність композиту без наночастинок на 5 порядків.

Номер патенту: 97318

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Никируй Любомир Іванович, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: snte:bi, покращеною, структур, напівпровідникових, провідності, тонкоплівкових, p-типу, отримання, спосіб, потужністю, термоелектричною

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур SnTe:Bi р-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на ситалові підкладки при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnТе:Ві із вмістом Ві 0,3...

Номер патенту: 97316

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Ткачук Андрій Іванович, Матківський Остап Миколайович

МПК: B82B 3/00

Мітки: провідності, бісмутом, властивостей, легованого, спосіб, основі, тонких, плівок, p-типу, термоелектричних, покращення

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей тонких плівок р-типу провідності на основі легованого бісмутом SnTe, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на підкладки із свіжих відколів (0001) слюди-мусковіту при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnTe:Bi...

Номер патенту: 96424

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Горський Петро Володимирович, Вихор Людмила Миколаївна

МПК: H01L 35/30

Мітки: термоелектричні, bi-sb-te, p-типу, провідності, матеріалів, гілки, наноструктурованих

Формула / Реферат:

Термоелектричні гілки для охолоджувальних та генераторних термоелементів на основі оптимізованих наноструктурованих матеріалів з порошків Bi-Sb-Te р-типу провідності, які відрізняються тим, що крупність зерен узгоджена зі зміною температури вздовж висоти гілки таким чином, щоб при кожному значенні температури досягалось найбільше значення термоелектричної добротності матеріалу.

Номер патенту: 91417

Опубліковано: 10.07.2014

Автори: Ворощенко Андрій Тарасович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Ткачук Андрій Іванович, Сукач Андрій Васильович

МПК: H01L 31/06, H01L 31/00, H01L 21/04 ...

Мітки: омічний, шарів, контакт, гетероструктурний, полікристалічних, телуриду, р-типу, кадмію, провідності

Формула / Реферат:

Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію, що включає полікристалічний шар телуриду кадмію р-типу провідності, а також метал з високою роботою виходу, який відрізняється тим, що між металом та телуридом кадмію розміщується полікристалічний шар сильно легованого телуриду свинцю р-типу провідності, причому контактний метал є акцептором у телуриді свинцю.

Номер патенту: 90765

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Вихор Людмила Миколаївна, Горський Петро Володимирович

МПК: H01L 35/00

Мітки: термоелектричні, bi2te3, провідності, нанопорошків, гілки, n-типу

Формула / Реферат:

Термоелектричні гілки для охолоджувальних та генераторних термоелементів на основі оптимізованих наноструктурованих матеріалів з порошків Ві2Те3 n-типу провідності, які відрізняються тим, що крупність порошку змінюється вздовж висоти гілки таким чином, щоб найбільш імовірний радіус r0 (в нанометрах) наночастинок порошку змінювався з температурою вздовж гілки за законом:

Номер патенту: 89943

Опубліковано: 12.05.2014

Автори: Гуніна Лариса Михайлівна, Конюшок Сергій Олександрович, Данцкер Ганна Борисівна

МПК: A61K 36/00, A61K 31/00

Мітки: спортсменів, нервово-м'язового, провідності, імпульсу, спосіб, прискорення

Формула / Реферат:

Спосіб прискорення провідності нервово-м'язового імпульсу в спортсменів, що включає застосування фармакологічного препарату, який відрізняється тим, що спортсмен протягом 21 дня щоденно на фоні стандартних тренувальних навантажень застосовує настоянку плодів лимоннику китайського по 25 крапель двічі на добу.

Номер патенту: 104601

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Сіліна Аліна, Гротенхейс Петер Д.Й., Ботфілд Мартін, Ван Гур Фредрік, Янг Сяоцин, Бінч Хейлі, Феннінг Лев Т.Д., Нума Мехді Мішель Джамель, Харлі Деніс, Шет Урві

МПК: C07D 451/02, A61P 11/00, A61K 31/439 ...

Мітки: модулятори, провідності, трансмембранної, муковісцидозі, регулятора

Формула / Реферат:

            1. Сполука формули (І) (І)або її фармацевтично прийнятні солі, де            кільце А вибирають з, ,  або

Номер патенту: 104210

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Кривенко Віктор Іванович, Карандаков Генадій Васильович

МПК: G06G 7/122, H03H 5/00

Мітки: вузла, нуль, пристрій, сумарної, квазіаналогових, провідності, моделях, перетворення

Формула / Реферат:

Пристрій для перетворення на нуль сумарної провідності вузла у квазіаналогових моделях, що містить гілку із резистором, провідність якого дорівнює сумі провідностей всіх інших гілок вузла, який відрізняється тим, що паралельно зазначеному резистору включено джерело струму, кероване струмом резистора із коефіцієнтом передачі , причому в контурі між точками і-0 напрямки...

Номер патенту: 84145

Опубліковано: 10.10.2013

Автори: Невзлін Борис Ісакович, Бухтіяров Ігор Юрійович, Дяченко Юрій Юрійович, Сирцов Анатолій Іванович, Половинка Дмитро Васильович, Джасим Мохамед Джасим

МПК: G01R 27/02

Мітки: кількості, маслі, вимірювання, трансформаторному, низькочастотний, провідності, визначення, активної, ємкісної, пристрій, вологи

Формула / Реферат:

Низькочастотний пристрій для вимірювання ємкісної та активної провідності для визначення кількості вологи у трансформаторному маслі, що містить низькочастотний генератор, стабільне джерело напруги, аналогові електронні перемикачі та резистори, через які відбувається розряд та заряд ємкості вимірювального двополюсника, центральний електрод якого під'єднано до аналого-цифрового перетворювача, цифровий вихід якого під'єднано до мікроконтролера,...

Номер патенту: 80989

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Колупаєв Борис Борисович, Малиновський Євгеній Вікторович, Лебедев Євген Вікторович, Клепко Валерій Володимирович

МПК: H01L 31/00, H03K 7/00

Мітки: бета-променями, провідності, спосіб, систем, полімерних, модуляції

Формула / Реферат:

Спосіб модуляції провідності полімерних систем бета променями, який полягає в модуляції провідності під дією поля, який відрізняється тим, що як модулююче тіло використовують полімер наповнений наночастинками металу, а модуляцію здійснюють під дією - променів.

Номер патенту: 78485

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Крегель Ольга Петрівна, Пясецькі Міхал, Турко Борис Ігорович, Кітик Іван, Лубочкова Галина Олександрівна, Капустяник Володимир Богданович

МПК: C01G 9/00

Мітки: матеріалу, провідності, отримання, р-типом, наноструктурованого, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованого матеріалу ZnO з р-типом провідності, який включає вирощування наноструктури на шарі зародків ZnO в електрохімічній комірці з електродами з розчину реагентів, де до робочого електрода прикладається напруга, який відрізняється тим, що як робочий електрод-катод використовують сіталову підкладку, а як другий електрод-анод - пластину графіту, причому нанострижні осаджують на попередньо нанесений на підкладку...

Номер патенту: 69311

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Зубенко Степан Олександрович, Полункін Євген Васильович, Шелудько Євгеній Валентинович, Богомолов Юрій Іванович

МПК: G01N 27/00, H01B 1/00

Мітки: провідності, спосіб, протонної, мембран, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення протонної провідності мембран, який відрізняється тим, що включає використання двокамерної електрохімічної комірки, камери якої розділені мембраною, та насипаного електропровідного порошку, залитого водним розчином електроліту, в порошок введені графітові електроди, а до електродів підведена постійна електрична напруга, де при здійсненні способу камери нахиляють під таким кутом до вертикальної площини, який забезпечує...

Номер патенту: 65673

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Бойчук Володимира Михайлівна, Борик Віктор Васильович, Межиловська Любов Йосипівна, Туровська Лілія Вадимівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: pbte:co, n-типу, легованих, отримання, спосіб, кристалів, провідності

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Со n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...

Номер патенту: 64602

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Невзлін Борис Ісакович, Половинка Дмитро Васильович, Кузнєцов Микола Іванович, Морозова Дар'я Василівна

МПК: G01R 27/02

Мітки: визначення, вологи, маслі, активної, вимірювання, пристрій, ємкісної, трансформаторному, провідності, кількості

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання ємкісної та активної провідності для визначення кількості вологи у трансформаторному маслі, що містить генератор, конденсатори, фільтр, вимірювальне та еталонне плечі, діоди, стабільне джерело напруги, ланцюги із еталонного та вимірювального двополюсника, паралельно кожному плечу підключено діод, при цьому виводи діодів однієї полярності підключені до загальної точки з'єднання вимірювальних та еталонних плеч, який...

Номер патенту: 60056

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Ананьєва Наталія Володимирівна, Мамалуй Наталія Іванівна, Лупальцова Світлана Юхимівна, Філонова Тетяна Олександрівна, Савво Володимир Михайлович, Кісельова Людмила Петрівна, Апанасенко Оксана Миколаївна

МПК: A61B 5/02, G01N 33/48

Мітки: дисплазією, діагностики, спосіб, серцевого, провідності, ритму, дітей, порушень, тканини, перебігу, можливого, системною, сполучної

Формула / Реферат:

Спосіб діагностики можливого перебігу порушень серцевого ритму та провідності у дітей із системною дисплазією сполучної тканини, що включає визначення клінічних ознак, параметрів вегетативного гомеостазу, ехокардіографічних критеріїв, показників ритмокардіографії та варіабельності ритму серця, який відрізняється тим, що додатково визначають біохімічні маркери обміну сполучної тканини, кожному показнику надають прогностичний коефіцієнт,...

Номер патенту: 59326

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Потяк Володимир Юрійович, Фреїк Наталія Дмитрівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Гургула Галина Ярославівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: p-типу, кристалів, znse:in, провідності, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів ZnSe:In n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину, за яку використовують ZnSe, поміщають в ампулу із затравкою, а як легуючий матеріал використовують In2Se3, ампулу поміщають у піч з вертикальним градієнтом, парофазне легування здійснюють у процесі вільного росту, при якому контролюють дозування вихідного матеріалу домішкового індію, який відрізняється тим, що при дозі індію до 0,5·1020 м-3...

Номер патенту: 54779

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Шигимага Антон Вікторович, Шигімага Віктор Олександрович

МПК: G01R 27/22, G01N 27/06

Мітки: клітин, розчинах, провідності, власної, спосіб, визначення, тварин

Формула / Реферат:

Спосіб визначення власної провідності клітин тварин у розчинах, що включає подачу на занурені у розчин електроди імпульсів напруги зростаючої амплітуди, вимірювання електричних параметрів об'єкта для обчислення його провідності, побудову графіка залежності провідності від напруженості поля, який відрізняється тим, що послідовно і незалежно одна від одної визначають провідність клітини у розчині і провідність розчину між тими ж електродами,...

Номер патенту: 92395

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Калашник Михайло Васильович, Семенець Валерій Васильович, Аврунін Олег Григорович, Журавльов Анатолій Семенович, Ященко Марина Іванівна

МПК: A61B 5/087, A61B 5/08

Мітки: планування, провідності, лікуванні, порушень, втручань, повітряної, спосіб, верхніх, шляхів, дихальних, оперативних

Формула / Реферат:

Спосіб планування оперативних втручань при лікуванні порушень повітряної провідності верхніх дихальних шляхів, який складається з проведення ринометричних досліджень, виконання ендоскопічного обстеження порожнини носа, проведення функціональних досліджень верхніх дихальних шляхів, виконання інтроскопічного обстеження стану носових пазух, який відрізняється тим, що вводяться процедури формування просторової сегментованої лофтінгової моделі...

Номер патенту: 46915

Опубліковано: 11.01.2010

Автор: Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/02

Мітки: cdte:i, провідності, спосіб, легованих, монокристалів, отримання, n-типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:I n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу легуючої домішки з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що як легуючу домішку  вибирають CdI2 при концентрації йоду .

Номер патенту: 43620

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Антипов Микола Васильович, Вакуленко Іван Петрович, Антіпов Василь Миколайович

МПК: G09B 23/00

Мітки: провідності, порушення, спосіб, моделювання, атріовентрикулярної

Формула / Реферат:

Спосіб моделювання порушення атріовентрикулярної провідності, що включає оклюзію атріовентрикулярної вузлової артерії, який відрізняється тим, що додатково виконують оклюзію першої перетинкової артерії передньої міжшлуночкової гілки лівої коронарної артерії.

Номер патенту: 35442

Опубліковано: 25.09.2008

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Бучовський Іван Аполінарієвич

МПК: H01L 35/34

Мітки: деталей, заготовок, визначення, термоелектричних, злитків, типу, провідності, процес

Формула / Реферат:

1. Процес визначення типу провідності термоелектричних об'єктів, який характеризується тим, що безконтактним методом при вибраних позитивних та негативних напрямках уніполярного струму індуктивного датчика кільцевого типу вимірюють їх електропровідність та далі, по її максимальному значенню, визначають тип провідності.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що р-тип провідності відповідає максимальним значенням електропровідності...

Номер патенту: 32572

Опубліковано: 26.05.2008

Автор: Нічий Сергій Васильович

МПК: G01N 27/00

Мітки: провідності, спосіб, питомої, матеріалів, однорідних, напівпровідникових, вимірювання

Формула / Реферат:

1. Спосіб вимірювання питомої провідності однорідних напівпровідникових матеріалів на зразках правильної геометричної форми двозондовим методом, який відрізняється тим, що через зразок пропускають лінійнозмінний струм і значення питомої провідності визначають як величину, яка пропорційна відношенню приросту струму до приросту напруги між вимірювальними зондами на лінійній ділянці лінійнозмінного струму, за один і той же проміжок...

Номер патенту: 30706

Опубліковано: 11.03.2008

Автор: Борик Віктор Васильович

МПК: C21D 1/00

Мітки: n-типу, провідності, свинцю, телуриду, сплавів, отримання, спосіб, термоелектричних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють гаряче пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини...

Номер патенту: 30272

Опубліковано: 25.02.2008

Автор: Шигімага Віктор Олександрович

МПК: G01R 27/22, G01N 33/483

Мітки: спосіб, параметрів, кривизною, клітині, провідності, мембрани, електропробою, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення параметрів електропробою мембрани клітини за кривизною провідності, що включає розміщення досліджуваної клітини в середовищі між електродами, подачу на них зростаючої імпульсної напруги, визначення залежності провідності клітини від напруженості поля і параметрів електропробою за її аналітичною апроксимацією, який відрізняється тим, що клітину злегка підтискають електродами, а апроксимацію провідності виконують поліномом...

Номер патенту: 82006

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Колупаєв Борис Сергійович, Кокозей Володимир Миколайович, Нестеренко Гелена Мечиславівна, Бувайло Олена Анатоліївна, Нестеров Дмитро Сергійович, Козак Наталія Віталівна, Грищук Олег Іванович, Мніх Надія Володимирівна, Нізельський Юрій Миколайович

МПК: C08G 18/22, C08K 3/10, C08G 18/10 ...

Мітки: одержання, напівпровідниковим, спосіб, рівнем, провідності, поліуретанів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання поліуретанів з напівпровідниковим рівнем провідності шляхом введення сполук металів в органічних розчинниках до реакційної суміші поліуретанового форполімеру на основі поліолу та діізоціанату, який відрізняється тим, що як сполуку металу використовують бі-  або триметалічні полігетероядерні координаційні комплекси перехідних металів, попередньо готують 0,2-2,0 % мас. розчин цих сполук з наступним введенням його до...

Номер патенту: 26669

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Вихор Людмила Миколаївна, Анатичук Лук'ян Іванович

МПК: H01L 35/12

Мітки: основі, функціонально-градієнтних, провідності, гілки, матеріалів, pb-te, p-типів, термоелектричні

Формула / Реферат:

1. Термоелектричні гілки n- і p-типів провідності з функціонально-градієнтних матеріалів на основі Рb-Те для генераторних термоелементів, які відрізняються тим, що розподіл легуючих домішок вздовж висоти гілок створюється таким чином, що концентрація носіїв струму  змінюється від  см-3 біля холодної до...

Номер патенту: 24133

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Борик Віктор Васильович, Ткачик Оксана Володимирівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: провідності, pbte:bi, легованих, спосіб, p-типу, кристалів, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Ві n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу...

Номер патенту: 78595

Опубліковано: 10.04.2007

Автор: Кірющенко Ігор Георгійович

МПК: G01N 27/02, G01N 27/22, G01R 27/22 ...

Мітки: рідин, провідності, цифровий, перетворювач, електричної

Формула / Реферат:

Цифровий перетворювач електричної провідності рідин, що містить генератор гармонічної напруги, вихід якого підключений до живильної обмотки трансформаторного первинного вимірювального перетворювача (ПВП), вихідна обмотка якого підключена до входу вторинного вимірювального перетворювача, що містить послідовно з’єднані узгоджувальний блок, фазообертач, синхронний детектор, інтегратор і модулятор струму, який містить пороговий пристрій, вхід...

Номер патенту: 20187

Опубліковано: 15.01.2007

Автор: Шигімага Віктор Олександрович

МПК: G01R 27/22, G01N 27/06

Мітки: спосіб, визначення, провідності, рідких, середовищ

Формула / Реферат:

Спосіб визначення провідності рідких середовищ, що включає подачу на електроди, занурені в середовище, прямокутних імпульсів напруги, вимірювання їх амплітуди, струму через середовище і розрахунок провідності, який відрізняється тим, що імпульси подають із зростаючою від нуля за заданим законом амплітудою, обчислюють провідність середовища при кожному значенні амплітуди імпульсу, будують графік залежності провідності від напруженості поля між...

Номер патенту: 19930

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Борик Віктор Васильович, Михайльонка Руслан Ярославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: cdte:mn, p-типу, спосіб, легованого, отримання, провідності

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідні речовини кадмій і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони -1400К, температура другої зони - 1280К, який відрізняється тим, що концентрацію легуючої домішки змінюють в межах Ммn=1017-1021см-3.2. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і р-типу провідності за п. 1, який...

Номер патенту: 18232

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Михайльонка Руслан Ярославович, Бабущак Галина Ярославівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Дмитрів Анжела Миколаївна

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, провідності, монокристалів, телуриду, p-типу, меркурію, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n- і р-типу, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, при цьому одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі представляє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, який відрізняється тим, що одержані...

Номер патенту: 18231

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Дмитрів Анжела Миколаївна, Борик Віктор Васильович, Михайльонка Руслан Ярославович, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: меркурію, монокристалів, провідності, телуриду, p-типу, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду р-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...

Номер патенту: 18230

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Ткачик Оксана Володимирівна, Лисюк Юрій Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, n-типу, провідності, меркурію, монокристалів, телуриду, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...

Номер патенту: 15805

Опубліковано: 17.07.2006

Автор: Воронко Андрій Анатолійович

МПК: A61B 5/0215, A61B 5/024, A61B 5/0255 ...

Мітки: україни, порушеннях, провідності, визначення, роботи, складу, придатності, льотної, льотного, авіації, спосіб, цивільній

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення придатності льотного складу до льотної роботи в цивільній авіації України при порушеннях провідності шляхом проведення авіамедичної експертизи, який відрізняється тим, що членам льотного складу з будь-якими порушеннями провідності проводить обстеження кардіолог авіамедичного відділу (визнаний авіамедичним відділом) з виконанням наступних методів обстеження: ЕКГ спокою та з навантаженням (велоергометрична проба або тредміл...

Номер патенту: 13620

Опубліковано: 17.04.2006

Автори: Липницький Тарас Миколайович, Мороз Василь Максимович

МПК: A61K 31/00

Мітки: провідності, імпульсів, функції, спосіб, синоатріальної, відновлення, серця, активації, метаболічної, синусового, вузла

Формула / Реферат:

Спосіб метаболічної активації функції синусового вузла та відновлення синоатріальної провідності імпульсів, що передбачає комбіноване застосування фармакологічних препаратів, який відрізняється тим, що додатково призначають натрієву та магнієву солі глюконової кислоти в дозі по 300-500 мг/кг/доб внутрішньовенно в 5 % розчині.