Патенти з міткою «провідності»

Спосіб визначення відносної діелектричної проникності, питомої провідності, тангенса кута діелектричних втрат електроізоляційних рідин

Завантаження...

Номер патенту: 123029

Опубліковано: 12.02.2018

Автори: Мамикін Андрій Васильович, Матвієнко Людмила Михайлівна, Майстренко Анатолій Степанович, Кукла Олександр Леонідович, Мацас Євген Петрович

МПК: G01N 27/48, G01N 27/06, G01N 27/30 ...

Мітки: втрат, діелектричної, діелектричних, рідин, питомої, визначення, проникності, електроізоляційних, відносної, спосіб, провідності, кута, тангенса

Формула / Реферат:

Спосіб визначення відносної діелектричної проникності, питомої провідності та тангенса кута діелектричних втрат ізоляційних рідин, при якому прикладають до електродів конденсаторну електрохімічну комірку, заповнену досліджуваною електроізоляційною рідиною, змінного електричного струму в області частот 0.1-10 Гц з подальшим визначенням значень опору R та ємності С комірки та розрахунком з них шуканих електрофізичних характеристик, який...

Спосіб модуляції провідності устячка рослини

Завантаження...

Номер патенту: 116097

Опубліковано: 12.02.2018

Автори: Келлі Гілор, Мошеліон Меначем, Гранот Девід

МПК: A01H 5/12, A01H 5/10, A01H 5/02 ...

Мітки: спосіб, модуляції, провідності, рослини, устячка

Формула / Реферат:

1. Спосіб регулювання провідності устячка рослини, який включає модуляцію в рослині рівня й/або активності гексокінази специфічним стосовно замикаючої клітини чином, причому зазначена гексокіназа являє собою гексокіназу типу В, здатну до регулювання провідності устячка, із регулюванням тим самим провідності рослини, при якому, коли зазначена модуляція являє собою підвищувальну регуляцію, зазначену підвищувальну регуляцію забезпечують...

Спосіб диференціальної діагностики порушень серцевого ритму та провідності в ранньому неонатальному періоді у передчасно народжених дітей з внутрішньошлуночковими крововиливами

Завантаження...

Номер патенту: 111557

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Ковальова Олена Михайлівна, Соловйова Галина Олексіївна, Козакевич Олена Борисівна, Артьомова Наталія Сергіївна, Зюзіна Лариса Степанівна, Похилько Валерій Іванович

МПК: A61B 5/0476, A61B 5/0478, A61B 5/0402 ...

Мітки: внутрішньошлуночковими, ритму, спосіб, провідності, неонатальному, діагностики, серцевого, періоди, народжених, крововиливами, дітей, порушень, ранньому, диференціальної, передчасної

Формула / Реферат:

Спосіб діагностики порушень серцевого ритму та провідності у передчасно народжених дітей з внутрішньошлуночковими крововиливами в ранньому неонатальному періоді, що включає вивчення біоелектричної активності серця й головного мозку на основі моніторингу добової електрокардіограми (ЕКГ) та амплітудно-інтегральної електроенцефалограми (аЕЕГ), аналізу взаємовідношень між порушеннями серцевого ритму (провідності) й показниками фонової...

Спосіб підвищення електричної провідності нематичного рідкого кристалу 6снвт шляхом внесення в нього наночастинок суперіонного провідника cu6ps5i

Завантаження...

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Копчанський Петер, Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович, Ковальчук Олександр Васильович, Тімко Мілан

МПК: G01R 3/00, G02F 1/13

Мітки: провідності, кристалу, спосіб, рідкого, суперіонного, нього, наночастинок, підвищення, внесення, провідника, 6снвт, шляхом, нематичного, електричної, cu6ps5i

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Спосіб підвищення питомої об’ємної електричної провідності епоксидних композитів

Завантаження...

Номер патенту: 110429

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Демченко Валерій Леонідович, Унрод Володимир Ізяславович, Куриленко Юлія Миколаївна, Гончаренко Людмила Андріївна

МПК: B01D 71/46, C08L 63/00

Мітки: спосіб, електричної, об'ємної, епоксидних, композитів, питомої, підвищення, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення питомої об'ємної електричної провідності епоксидних композитів, при якому наповнюють епоксидні смоли наповнювачами - сумішами поліаніліну із оксидом металу Fе2О3 або Аl2О3 і перемішують за кімнатної температури протягом 1 год., додають 18 об. % триетилентетраміну і перемішують протягом 0,5 год., дегазують суміші за залишкового тиску 1×105 Па протягом 0,5 год., який відрізняється тим, що композит отверджують під...

Спосіб підвищення електричної провідності нематичного рідкого кристалу шляхом внесення в нього наночастинок суперіонного провідника

Завантаження...

Номер патенту: 106745

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Бендак Андрій Васильович, Тімко Мілан, Пал Юрій Олександрович, Ковальчук Олександр Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Копчанський Петер

МПК: G02F 1/13

Мітки: нематичного, шляхом, електричної, кристалу, провідника, внесення, нього, рідкого, суперіонного, спосіб, провідності, підвищення, наночастинок

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперінного провідника, внаслідок чого отриманий композит на основі рідкого кристалу має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність вихідного рідкого кристалу без наночастинок більш ніж на порядок.

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу

Завантаження...

Номер патенту: 99100

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Ковальчук Олександр Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Тімко Мілан, Копчанський Петер, Завісова Власта, Томашовічова Наталія

МПК: G02F 1/13

Мітки: кристалу, іонної, основі, рідкого, нематичного, композита, провідності, спосіб, підвищення

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять домішки наночастинок магнетиту та вуглецевих нанотрубок, потім їх диспергують у ПВА, внаслідок чого отриманий композит має іонну провідність, яка перевищує іонну провідність композиту без наночастинок на 5 порядків.

Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур snte:bi p-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю

Завантаження...

Номер патенту: 97318

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Дзундза Богдан Степанович, Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: спосіб, тонкоплівкових, провідності, структур, snte:bi, напівпровідникових, p-типу, термоелектричною, потужністю, покращеною, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур SnTe:Bi р-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на ситалові підкладки при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnТе:Ві із вмістом Ві 0,3...

Спосіб покращення термоелектричних властивостей тонких плівок p-типу провідності на основі легованого бісмутом snte

Завантаження...

Номер патенту: 97316

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Матківський Остап Миколайович, Ткачук Андрій Іванович

МПК: B82B 3/00

Мітки: плівок, спосіб, p-типу, бісмутом, тонких, провідності, покращення, термоелектричних, основі, легованого, властивостей

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей тонких плівок р-типу провідності на основі легованого бісмутом SnTe, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на підкладки із свіжих відколів (0001) слюди-мусковіту при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnTe:Bi...

Термоелектричні гілки з наноструктурованих матеріалів bi-sb-te p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 96424

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Вихор Людмила Миколаївна, Горський Петро Володимирович

МПК: H01L 35/30

Мітки: провідності, матеріалів, гілки, bi-sb-te, p-типу, наноструктурованих, термоелектричні

Формула / Реферат:

Термоелектричні гілки для охолоджувальних та генераторних термоелементів на основі оптимізованих наноструктурованих матеріалів з порошків Bi-Sb-Te р-типу провідності, які відрізняються тим, що крупність зерен узгоджена зі зміною температури вздовж висоти гілки таким чином, щоб при кожному значенні температури досягалось найбільше значення термоелектричної добротності матеріалу.

Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію р-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 91417

Опубліковано: 10.07.2014

Автори: Ткачук Андрій Іванович, Сукач Андрій Васильович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Ворощенко Андрій Тарасович

МПК: H01L 21/04, H01L 31/00, H01L 31/06 ...

Мітки: полікристалічних, телуриду, омічний, гетероструктурний, провідності, контакт, шарів, кадмію, р-типу

Формула / Реферат:

Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію, що включає полікристалічний шар телуриду кадмію р-типу провідності, а також метал з високою роботою виходу, який відрізняється тим, що між металом та телуридом кадмію розміщується полікристалічний шар сильно легованого телуриду свинцю р-типу провідності, причому контактний метал є акцептором у телуриді свинцю.

Термоелектричні гілки з нанопорошків bi2te3 n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 90765

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Вихор Людмила Миколаївна, Горський Петро Володимирович

МПК: H01L 35/00

Мітки: нанопорошків, bi2te3, термоелектричні, провідності, n-типу, гілки

Формула / Реферат:

Термоелектричні гілки для охолоджувальних та генераторних термоелементів на основі оптимізованих наноструктурованих матеріалів з порошків Ві2Те3 n-типу провідності, які відрізняються тим, що крупність порошку змінюється вздовж висоти гілки таким чином, щоб найбільш імовірний радіус r0 (в нанометрах) наночастинок порошку змінювався з температурою вздовж гілки за законом:

Спосіб прискорення провідності нервово-м’язового імпульсу в спортсменів

Завантаження...

Номер патенту: 89943

Опубліковано: 12.05.2014

Автори: Данцкер Ганна Борисівна, Гуніна Лариса Михайлівна, Конюшок Сергій Олександрович

МПК: A61K 31/00, A61K 36/00

Мітки: провідності, спосіб, спортсменів, нервово-м'язового, прискорення, імпульсу

Формула / Реферат:

Спосіб прискорення провідності нервово-м'язового імпульсу в спортсменів, що включає застосування фармакологічного препарату, який відрізняється тим, що спортсмен протягом 21 дня щоденно на фоні стандартних тренувальних навантажень застосовує настоянку плодів лимоннику китайського по 25 крапель двічі на добу.

Модулятори регулятора трансмембранної провідності при муковісцидозі

Завантаження...

Номер патенту: 104601

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Нума Мехді Мішель Джамель, Ботфілд Мартін, Гротенхейс Петер Д.Й., Ван Гур Фредрік, Феннінг Лев Т.Д., Харлі Деніс, Янг Сяоцин, Бінч Хейлі, Шет Урві, Сіліна Аліна

МПК: A61P 11/00, C07D 451/02, A61K 31/439 ...

Мітки: модулятори, регулятора, муковісцидозі, трансмембранної, провідності

Формула / Реферат:

            1. Сполука формули (І) (І)або її фармацевтично прийнятні солі, де            кільце А вибирають з, ,  або

Пристрій для перетворення на нуль сумарної провідності вузла у квазіаналогових моделях

Завантаження...

Номер патенту: 104210

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Карандаков Генадій Васильович, Кривенко Віктор Іванович

МПК: H03H 5/00, G06G 7/122

Мітки: вузла, провідності, моделях, пристрій, сумарної, перетворення, квазіаналогових, нуль

Формула / Реферат:

Пристрій для перетворення на нуль сумарної провідності вузла у квазіаналогових моделях, що містить гілку із резистором, провідність якого дорівнює сумі провідностей всіх інших гілок вузла, який відрізняється тим, що паралельно зазначеному резистору включено джерело струму, кероване струмом резистора із коефіцієнтом передачі , причому в контурі між точками і-0 напрямки...

Низькочастотний пристрій для вимірювання ємкісної та активної провідності для визначення кількості вологи у трансформаторному маслі

Завантаження...

Номер патенту: 84145

Опубліковано: 10.10.2013

Автори: Бухтіяров Ігор Юрійович, Сирцов Анатолій Іванович, Невзлін Борис Ісакович, Половинка Дмитро Васильович, Дяченко Юрій Юрійович, Джасим Мохамед Джасим

МПК: G01R 27/02

Мітки: ємкісної, низькочастотний, трансформаторному, кількості, пристрій, провідності, визначення, вологи, вимірювання, активної, маслі

Формула / Реферат:

Низькочастотний пристрій для вимірювання ємкісної та активної провідності для визначення кількості вологи у трансформаторному маслі, що містить низькочастотний генератор, стабільне джерело напруги, аналогові електронні перемикачі та резистори, через які відбувається розряд та заряд ємкості вимірювального двополюсника, центральний електрод якого під'єднано до аналого-цифрового перетворювача, цифровий вихід якого під'єднано до мікроконтролера,...

Спосіб модуляції провідності полімерних систем бета-променями

Завантаження...

Номер патенту: 80989

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Лебедев Євген Вікторович, Колупаєв Борис Борисович, Клепко Валерій Володимирович, Малиновський Євгеній Вікторович

МПК: H01L 31/00, H03K 7/00

Мітки: провідності, полімерних, модуляції, спосіб, бета-променями, систем

Формула / Реферат:

Спосіб модуляції провідності полімерних систем бета променями, який полягає в модуляції провідності під дією поля, який відрізняється тим, що як модулююче тіло використовують полімер наповнений наночастинками металу, а модуляцію здійснюють під дією - променів.

Спосіб отримання наноструктурованого матеріалу zno з р-типом провідності

Завантаження...

Номер патенту: 78485

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Крегель Ольга Петрівна, Пясецькі Міхал, Кітик Іван, Капустяник Володимир Богданович, Турко Борис Ігорович, Лубочкова Галина Олександрівна

МПК: C01G 9/00

Мітки: спосіб, матеріалу, отримання, р-типом, провідності, наноструктурованого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованого матеріалу ZnO з р-типом провідності, який включає вирощування наноструктури на шарі зародків ZnO в електрохімічній комірці з електродами з розчину реагентів, де до робочого електрода прикладається напруга, який відрізняється тим, що як робочий електрод-катод використовують сіталову підкладку, а як другий електрод-анод - пластину графіту, причому нанострижні осаджують на попередньо нанесений на підкладку...

Спосіб визначення протонної провідності мембран

Завантаження...

Номер патенту: 69311

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Богомолов Юрій Іванович, Шелудько Євгеній Валентинович, Зубенко Степан Олександрович, Полункін Євген Васильович

МПК: G01N 27/00, H01B 1/00

Мітки: спосіб, мембран, визначення, провідності, протонної

Формула / Реферат:

Спосіб визначення протонної провідності мембран, який відрізняється тим, що включає використання двокамерної електрохімічної комірки, камери якої розділені мембраною, та насипаного електропровідного порошку, залитого водним розчином електроліту, в порошок введені графітові електроди, а до електродів підведена постійна електрична напруга, де при здійсненні способу камери нахиляють під таким кутом до вертикальної площини, який забезпечує...

Спосіб отримання легованих кристалів pbte:co n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 65673

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Бойчук Володимира Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Туровська Лілія Вадимівна, Межиловська Любов Йосипівна, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: легованих, провідності, pbte:co, n-типу, кристалів, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Со n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...

Пристрій для вимірювання ємкісної та активної провідності для визначення кількості вологи у трансформаторному маслі

Завантаження...

Номер патенту: 64602

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Половинка Дмитро Васильович, Кузнєцов Микола Іванович, Невзлін Борис Ісакович, Морозова Дар'я Василівна

МПК: G01R 27/02

Мітки: кількості, трансформаторному, активної, пристрій, вимірювання, визначення, ємкісної, вологи, маслі, провідності

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання ємкісної та активної провідності для визначення кількості вологи у трансформаторному маслі, що містить генератор, конденсатори, фільтр, вимірювальне та еталонне плечі, діоди, стабільне джерело напруги, ланцюги із еталонного та вимірювального двополюсника, паралельно кожному плечу підключено діод, при цьому виводи діодів однієї полярності підключені до загальної точки з'єднання вимірювальних та еталонних плеч, який...

Спосіб діагностики можливого перебігу порушень серцевого ритму та провідності у дітей із системною дисплазією сполучної тканини

Завантаження...

Номер патенту: 60056

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Кісельова Людмила Петрівна, Філонова Тетяна Олександрівна, Лупальцова Світлана Юхимівна, Савво Володимир Михайлович, Мамалуй Наталія Іванівна, Ананьєва Наталія Володимирівна, Апанасенко Оксана Миколаївна

МПК: A61B 5/02, G01N 33/48

Мітки: перебігу, спосіб, дітей, серцевого, діагностики, ритму, тканини, порушень, дисплазією, сполучної, системною, провідності, можливого

Формула / Реферат:

Спосіб діагностики можливого перебігу порушень серцевого ритму та провідності у дітей із системною дисплазією сполучної тканини, що включає визначення клінічних ознак, параметрів вегетативного гомеостазу, ехокардіографічних критеріїв, показників ритмокардіографії та варіабельності ритму серця, який відрізняється тим, що додатково визначають біохімічні маркери обміну сполучної тканини, кожному показнику надають прогностичний коефіцієнт,...

Спосіб отримання кристалів znse:in n- i p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 59326

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Потяк Володимир Юрійович, Гургула Галина Ярославівна, Фреїк Наталія Дмитрівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: отримання, p-типу, кристалів, znse:in, провідності, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів ZnSe:In n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину, за яку використовують ZnSe, поміщають в ампулу із затравкою, а як легуючий матеріал використовують In2Se3, ампулу поміщають у піч з вертикальним градієнтом, парофазне легування здійснюють у процесі вільного росту, при якому контролюють дозування вихідного матеріалу домішкового індію, який відрізняється тим, що при дозі індію до 0,5·1020 м-3...

Спосіб визначення власної провідності клітин тварин у розчинах

Завантаження...

Номер патенту: 54779

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Шигимага Антон Вікторович, Шигімага Віктор Олександрович

МПК: G01N 27/06, G01R 27/22

Мітки: клітин, розчинах, власної, тварин, визначення, провідності, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення власної провідності клітин тварин у розчинах, що включає подачу на занурені у розчин електроди імпульсів напруги зростаючої амплітуди, вимірювання електричних параметрів об'єкта для обчислення його провідності, побудову графіка залежності провідності від напруженості поля, який відрізняється тим, що послідовно і незалежно одна від одної визначають провідність клітини у розчині і провідність розчину між тими ж електродами,...

Спосіб планування оперативних втручань при лікуванні порушень повітряної провідності верхніх дихальних шляхів

Завантаження...

Номер патенту: 92395

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Журавльов Анатолій Семенович, Семенець Валерій Васильович, Калашник Михайло Васильович, Аврунін Олег Григорович, Ященко Марина Іванівна

МПК: A61B 5/08, A61B 5/087

Мітки: шляхів, повітряної, верхніх, втручань, спосіб, планування, оперативних, лікуванні, порушень, дихальних, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб планування оперативних втручань при лікуванні порушень повітряної провідності верхніх дихальних шляхів, який складається з проведення ринометричних досліджень, виконання ендоскопічного обстеження порожнини носа, проведення функціональних досліджень верхніх дихальних шляхів, виконання інтроскопічного обстеження стану носових пазух, який відрізняється тим, що вводяться процедури формування просторової сегментованої лофтінгової моделі...

Спосіб отримання легованих монокристалів cdte:i n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 46915

Опубліковано: 11.01.2010

Автор: Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, провідності, n-типу, отримання, cdte:i, монокристалів, легованих

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:I n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу легуючої домішки з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що як легуючу домішку  вибирають CdI2 при концентрації йоду .

Спосіб моделювання порушення атріовентрикулярної провідності

Завантаження...

Номер патенту: 43620

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Вакуленко Іван Петрович, Антипов Микола Васильович, Антіпов Василь Миколайович

МПК: G09B 23/00

Мітки: моделювання, атріовентрикулярної, порушення, спосіб, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб моделювання порушення атріовентрикулярної провідності, що включає оклюзію атріовентрикулярної вузлової артерії, який відрізняється тим, що додатково виконують оклюзію першої перетинкової артерії передньої міжшлуночкової гілки лівої коронарної артерії.

Процес визначення типу провідності термоелектричних злитків, заготовок та деталей

Завантаження...

Номер патенту: 35442

Опубліковано: 25.09.2008

Автори: Бучовський Іван Аполінарієвич, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 35/34

Мітки: термоелектричних, типу, визначення, заготовок, злитків, деталей, провідності, процес

Формула / Реферат:

1. Процес визначення типу провідності термоелектричних об'єктів, який характеризується тим, що безконтактним методом при вибраних позитивних та негативних напрямках уніполярного струму індуктивного датчика кільцевого типу вимірюють їх електропровідність та далі, по її максимальному значенню, визначають тип провідності.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що р-тип провідності відповідає максимальним значенням електропровідності...

Спосіб вимірювання питомої провідності однорідних напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 32572

Опубліковано: 26.05.2008

Автор: Нічий Сергій Васильович

МПК: G01N 27/00

Мітки: однорідних, напівпровідникових, спосіб, питомої, вимірювання, провідності, матеріалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб вимірювання питомої провідності однорідних напівпровідникових матеріалів на зразках правильної геометричної форми двозондовим методом, який відрізняється тим, що через зразок пропускають лінійнозмінний струм і значення питомої провідності визначають як величину, яка пропорційна відношенню приросту струму до приросту напруги між вимірювальними зондами на лінійній ділянці лінійнозмінного струму, за один і той же проміжок...

Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 30706

Опубліковано: 11.03.2008

Автор: Борик Віктор Васильович

МПК: C21D 1/00

Мітки: свинцю, провідності, спосіб, сплавів, n-типу, отримання, телуриду, термоелектричних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють гаряче пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини...

Спосіб визначення параметрів електропробою мембрани клітини за кривизною провідності

Завантаження...

Номер патенту: 30272

Опубліковано: 25.02.2008

Автор: Шигімага Віктор Олександрович

МПК: G01R 27/22, G01N 33/483

Мітки: клітині, спосіб, кривизною, визначення, параметрів, мембрани, електропробою, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб визначення параметрів електропробою мембрани клітини за кривизною провідності, що включає розміщення досліджуваної клітини в середовищі між електродами, подачу на них зростаючої імпульсної напруги, визначення залежності провідності клітини від напруженості поля і параметрів електропробою за її аналітичною апроксимацією, який відрізняється тим, що клітину злегка підтискають електродами, а апроксимацію провідності виконують поліномом...

Спосіб одержання поліуретанів з напівпровідниковим рівнем провідності

Завантаження...

Номер патенту: 82006

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Козак Наталія Віталівна, Грищук Олег Іванович, Мніх Надія Володимирівна, Колупаєв Борис Сергійович, Бувайло Олена Анатоліївна, Нестеренко Гелена Мечиславівна, Нізельський Юрій Миколайович, Кокозей Володимир Миколайович, Нестеров Дмитро Сергійович

МПК: C08K 3/10, C08G 18/10, C08G 18/22 ...

Мітки: напівпровідниковим, провідності, поліуретанів, рівнем, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання поліуретанів з напівпровідниковим рівнем провідності шляхом введення сполук металів в органічних розчинниках до реакційної суміші поліуретанового форполімеру на основі поліолу та діізоціанату, який відрізняється тим, що як сполуку металу використовують бі-  або триметалічні полігетероядерні координаційні комплекси перехідних металів, попередньо готують 0,2-2,0 % мас. розчин цих сполук з наступним введенням його до...

Термоелектричні гілки n- і p-типів провідності з функціонально-градієнтних матеріалів на основі pb-te

Завантаження...

Номер патенту: 26669

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Вихор Людмила Миколаївна, Анатичук Лук'ян Іванович

МПК: H01L 35/12

Мітки: гілки, pb-te, p-типів, провідності, функціонально-градієнтних, матеріалів, основі, термоелектричні

Формула / Реферат:

1. Термоелектричні гілки n- і p-типів провідності з функціонально-градієнтних матеріалів на основі Рb-Те для генераторних термоелементів, які відрізняються тим, що розподіл легуючих домішок вздовж висоти гілок створюється таким чином, що концентрація носіїв струму  змінюється від  см-3 біля холодної до...

Спосіб отримання легованих кристалів pbte:bi n-і p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 24133

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Борик Віктор Васильович, Ткачик Оксана Володимирівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: p-типу, pbte:bi, кристалів, спосіб, отримання, легованих, провідності

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Ві n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу...

Цифровий перетворювач електричної провідності рідин

Завантаження...

Номер патенту: 78595

Опубліковано: 10.04.2007

Автор: Кірющенко Ігор Георгійович

МПК: G01N 27/22, G01N 27/02, G01R 27/22 ...

Мітки: провідності, електричної, рідин, перетворювач, цифровий

Формула / Реферат:

Цифровий перетворювач електричної провідності рідин, що містить генератор гармонічної напруги, вихід якого підключений до живильної обмотки трансформаторного первинного вимірювального перетворювача (ПВП), вихідна обмотка якого підключена до входу вторинного вимірювального перетворювача, що містить послідовно з’єднані узгоджувальний блок, фазообертач, синхронний детектор, інтегратор і модулятор струму, який містить пороговий пристрій, вхід...

Спосіб визначення провідності рідких середовищ

Завантаження...

Номер патенту: 20187

Опубліковано: 15.01.2007

Автор: Шигімага Віктор Олександрович

МПК: G01N 27/06, G01R 27/22

Мітки: рідких, середовищ, спосіб, провідності, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення провідності рідких середовищ, що включає подачу на електроди, занурені в середовище, прямокутних імпульсів напруги, вимірювання їх амплітуди, струму через середовище і розрахунок провідності, який відрізняється тим, що імпульси подають із зростаючою від нуля за заданим законом амплітудою, обчислюють провідність середовища при кожному значенні амплітуди імпульсу, будують графік залежності провідності від напруженості поля між...

Спосіб отримання легованого cdte:mn n-i p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 19930

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Михайльонка Руслан Ярославович

МПК: C30B 11/02

Мітки: p-типу, cdte:mn, отримання, спосіб, провідності, легованого

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідні речовини кадмій і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони -1400К, температура другої зони - 1280К, який відрізняється тим, що концентрацію легуючої домішки змінюють в межах Ммn=1017-1021см-3.2. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і р-типу провідності за п. 1, який...

Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n- і p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 18232

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Бабущак Галина Ярославівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Михайльонка Руслан Ярославович, Дмитрів Анжела Миколаївна

МПК: C30B 11/02

Мітки: p-типу, спосіб, меркурію, монокристалів, отримання, провідності, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n- і р-типу, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, при цьому одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі представляє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, який відрізняється тим, що одержані...

Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 18231

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Дмитрів Анжела Миколаївна, Михайльонка Руслан Ярославович, Борик Віктор Васильович, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, телуриду, p-типу, отримання, меркурію, провідності, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду р-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...

Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 18230

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Любомир Іванович, Лисюк Юрій Васильович, Ткачик Оксана Володимирівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, телуриду, монокристалів, n-типу, спосіб, меркурію, провідності

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...