Патенти з міткою «поруватого»

Спосіб отримання сонячних елементів на монокристалічному кремнії з використанням нанорозмірного поруватого кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 116768

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Кідалов Валерій Віталійович, Дяденчук Альона Федорівна, Хрипко Сергій Леонідович

МПК: H01L 21/00, C30B 29/06, H01L 31/00 ...

Мітки: використанням, кремнію, монокристалічному, кремнії, сонячних, отримання, спосіб, поруватого, нанорозмірного, елементів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання сонячних елементів з використанням поруватого кремнію як антивідбиттєвого покриття, який відрізняється тим, що для отримання якісного покриття порувату поверхню кремнію отримують шляхом електрохімічної обробки монокристалічних кремнієвих зразків у гальваностатичному режимі в електроліті з різними співвідношеннями HF:H2О:C2H5ОH=2:1:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщину шарів поруватого кремнію в...

Спосіб отримання фоточутливих структур на основі поруватого кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 109647

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Оленич Ігор Богданович, Монастирський Любомир Степанович, Аксіментьєва Олена Ігорівна

МПК: H01L 21/20, H01L 31/00, H01L 21/04 ...

Мітки: отримання, кремнію, структур, фоточутлівих, спосіб, основі, поруватого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоточутливих структур на основі поруватого кремнію, за яким фотоелектрохімічно травлять монокристалічний кремній у водно-етанольному розчині фтористоводневої кислоти при густині струму 40-180 мА/см2 упродовж 6-10 хвилин і на поверхні утвореного поруватого шару синтезують наноструктури ZnO, який відрізняється тим, що на поруватий кремній електрохімічно осаджують оксид цинку з водного розчину 0,05 М Zn(NO3)2 і 0,1 М NaNO3 при...

Спосіб отримання фотовольтаїчних сенсорних структур на основі поруватого кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 100132

Опубліковано: 10.07.2015

Автори: Монастирський Любомир Степанович, Оленич Ігор Богданович, Аксіментьєва Олена Ігорівна

МПК: H01L 31/00, H01L 29/861, H01L 21/04 ...

Мітки: основі, сенсорних, спосіб, отримання, кремнію, поруватого, структур, фотовольтаїчних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фотовольтаїчних сенсорних структур на основі поруватого кремнію, за яким фотоелектрохімічно травлять пластину монокристалічного кремнію в розчині C2H5OH:HF:H2O=1:1:1 при густині струму 10-60 мА/см2 упродовж 10-30 хвилин і на отриманий поруватий шар кремнію електрохімічно осаджують пасивуючий шар полімеру, який відрізняється тим, що як полімер використовують полі-3,4-етилендіокситіофен, а пасивуючий шар отримують...

Спосіб виготовлення оксидних кристалітів на поверхні поруватого фосфіду індію

Завантаження...

Номер патенту: 80524

Опубліковано: 10.06.2013

Автор: Сичікова Яна Олександрівна

МПК: C30B 33/10, C25F 3/00

Мітки: оксидних, кристалітів, виготовлення, поверхні, спосіб, індію, поруватого, фосфіду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного оксиду індію методом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять обробкою монокристалу у розчині кислоти протягом 5-15 хвилин.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що розчин готовлять за формулою: плавикова кислота (HF), етиловий спирт (С2Н5ОН) та вода (Н2О) у співвідношенні 1:2:1.3. Спосіб за п. 2, який відрізняється тим, що травлення проводять при...

Спосіб отримання поруватого кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 80522

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Коноваленко Анатолій Анатольович, Сичікова Яна Олександрівна

МПК: C23C 26/00

Мітки: отримання, кремнію, поруватого, спосіб

Формула / Реферат:

 Спосіб отримання поруватого кремнію методом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять в розчині соляної кислоти (5-15 %) у темряві при проходженні постійного струму щільністю (0,5-2) мА/см2.

Спосіб отримання поруватого шару n-gaas шляхом електрохімічного травлення

Завантаження...

Номер патенту: 79850

Опубліковано: 13.05.2013

Автори: Кірілаш Олександр Іванович, Сімченко Сергій Володимирович, Кідалов Валерій Віталійович

МПК: C30B 33/08, H01L 21/306

Мітки: шару, n-gaas, шляхом, отримання, травлення, спосіб, електрохімічного, поруватого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання поруватого шару n-GaAs шляхом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала n-GaAs у розчині етилового спирту та HF у співвідношенні 1:1 відповідно при проходженні через електроліт постійного струму щільністю 70-90 мА/см2 протягом 10-15 хв.

Спосіб електрокінетичної дезактивації твердого поруватого середовища

Завантаження...

Номер патенту: 101066

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: де Надаї Аксель, Кюе Фредерік

МПК: C04B 41/72, E04G 23/02, G21F 9/30 ...

Мітки: електрокінетичної, твердого, середовища, дезактивації, поруватого, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб електрокінетичної дезактивації твердого поруватого середовища, який містить:a) виділення забруднюючих речовин, присутніх в цьому твердому середовищі, в електроліт, головним чином неорганічний гель, причому це виділення здійснюють шляхом пропускання електричного струму між двома електродами, розташованими на поверхні і/або усередині твердого середовища, причому контакт між принаймні одним з цих електродів і вказаним твердим...

Спосіб отримання поруватого вуглецевого матеріалу з бурого вугілля

Завантаження...

Номер патенту: 61059

Опубліковано: 11.07.2011

Автори: Тамаркіна Юлія Володимирівна, Хабарова Тетяна Вікторівна, Шендрик Тетяна Георгіївна, Кучеренко Володимир Олександрович

МПК: C01B 31/08

Мітки: отримання, вугілля, поруватого, матеріалу, бурого, вуглецевого, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання поруватого вуглецевого матеріалу з бурого вугілля, що включає подрібнення бурого вугілля до фракції 1-2 мм, змішування вугілля з гідроксидом калію у твердому вигляді, карбонізацію та активацію суміші при 600-800 °С, відмивку водою та сушіння, який відрізняється тим, що на змішування подають буре вугілля та гідроксид калію у масовому співвідношенні, рівному 1:0,6-1:1, і активацію ведуть в режимі теплового удару.

Спосіб видалення поруватого шару з поверхні por-inp

Завантаження...

Номер патенту: 58008

Опубліковано: 25.03.2011

Автори: Кідалов Валерій Вітальович, Сукач Георгій Олексійович, Сичікова Яна Олександрівна

МПК: C03C 15/00

Мітки: спосіб, видалення, поверхні, шару, por-inp, поруватого

Формула / Реферат:

Спосіб видалення поруватого шару з поверхні por-ІnР, що включає електрохімічну обробку пластин в розчині плавикової кислоти при відношенні компонентів електроліту H2O:HF= 1:1, який відрізняється тим, що травлення проводиться у два етапи:1) електрохімічна обробка проводиться при середніх значення щільності струму (близько 80 мА/см2) протягом 3 хвилин;2) другий етап реалізується травленням у тому самому електроліті при щільності...

Спосіб отримання поруватого шару p-gaas шляхом електрохімічного травлення

Завантаження...

Номер патенту: 57811

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Сичікова Яна Олександрівна, Кідалов Валерій Віталійович, Кірілаш Олександр Іванович

МПК: C01G 15/00

Мітки: p-gaas, отримання, шляхом, шару, поруватого, спосіб, електрохімічного, травлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання поруватого шару на поверхні монокристалічного арсеніду галію, який включає обробку поверхні монокристалічного GaAs шляхом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять у розчині електроліту за такою формулою: H2O:HF:HBr=7:5:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення проводять у розчині електроліту за формулою H2O:HF:HBr=7:5:1 протягом 10 хвилин при використанні щільності...

Спосіб виготовлення поверхнево пасивованого поруватого кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 57697

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Воробець Георгій Іванович, Воробець Марія Михайлівна, Волощук Анатолій Григорович

МПК: C30B 33/00, H01L 21/02, C25D 11/00 ...

Мітки: спосіб, виготовлення, пасивованого, поруватого, кремнію, поверхневої

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення поверхнево пасивованого поруватого кремнію, який включає механічне полірування, попередню хімічну обробку, електрохімічне анодування кремнієвих пластин р-типу провідності в електроліті HF(48 %):C2H5OH=1:1 за густини струму 4÷40 мА/см2 з часом анодування від 10 до 30 хв при кімнатній температурі та пасивування сформованого поруватого кремнію, який відрізняється тим, що відразу після завершення процесу...

Спосіб отримання поруватого шару znse n-типу методом електрохімічного травлення при освітленні зразків лазером

Завантаження...

Номер патенту: 57476

Опубліковано: 25.02.2011

Автори: Мараховський Олександр Вікторович, Сичікова Яна Олександрівна, Кідалов Валерій Віталійович

МПК: H01L 21/3063

Мітки: методом, травлення, електрохімічного, шару, n-типу, поруватого, освітленні, лазером, спосіб, зразків, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання поруватого шару ZnSe, який характеризується тим, що включає обробку поверхні монокристалічного селеніду цинку шляхом електрохімічного травлення.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала ZnSe у водному розчині НВr (концентрація кислоти 40 %), час травлення 15 хв при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 150 мА/см2.3. Спосіб за п....

Спосіб отримання плівки inn на підкладці з поруватого шару inp

Завантаження...

Номер патенту: 54800

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Кідалов Валерій Вітальович, Коноваленко Анатолій Анатольович, Балан Олександр Сергійович, Сукач Георгій Олексійович, Сичікова Яна Олександрівна

МПК: H01L 21/00

Мітки: плівки, поруватого, підкладці, шару, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання плівки InN на підкладці з поруватого шару InP, що здійснюють методом радикало-променевої епітаксії, який відрізняється тим, що плівку InN отримують методом радикало-променевої епітаксії у потоці чистого аміаку при температурі 300-400 °С протягом 1,5 години на підкладках поруватого фосфіду індію, отриманого електрохімічним травленням.

Спосіб отримання плівки кубічного gan на підкладці з поруватого шару gaas

Завантаження...

Номер патенту: 21939

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Кідалов Валерій Віталійович, Сукач Георгій Олексійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: підкладці, отримання, кубічного, спосіб, плівки, шару, поруватого

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання плівки кубічного GaN на підкладці з поруватого шару GaAs, що включає обробку монокристала GaAs шляхом електролітичного травлення та нарощування плівки GaN епітаксією, який відрізняється тим, що епітаксію здійснюють радикало-променевим методом у два етапи: перший - при температурі 720-820 К у потоці атомарного азоту, другий - при температурі 930-950 К та вакуумі 10-6 мм.рт.ст.2. Спосіб за п. 1, який...