Патенти з міткою «полікристалічного»

Спосіб покращення термоелектричної потужності полікристалічного тетраталію(і) триселеностанату(іі)-тi4snse3

Завантаження...

Номер патенту: 121133

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Філеп Михайло Йосипович, Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Когутич Антон Антонович

МПК: C01G 15/00, H01L 35/16, H01L 35/00 ...

Мітки: триселеностанату(іі)-тi4snse3, тетраталію(і, термоелектричної, покращення, полікристалічного, спосіб, потужності

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної потужності полікристалічного тетраталію(І) триселеностанату(II)-Tl4SnSe3, який включає фазову модифікацію зразка тетраталію(І) триселеностанату(II), який відрізняється тим, що змінюють хімічний склад Tl4SnSe3 ізовалентним заміщенням атомів Стануму на Плюмбум, що підвищує термоелектричну потужність у 10¸35 разів, яку вимірюють на спеціально підготовлених зразках чотирикутної форми, при цьому...

Спосіб виготовлення зносостійкого надтвердого алмазного полікристалічного композиційного матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 120296

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Шульженко Олександр Олександрович, Яворська Луціна, Закора Анатолій Петрович, Соколов Олександр Миколайович, Гаргін Владислав Герасимович, Супрун Михайло Вікторович

МПК: B24D 18/00, B01J 3/06

Мітки: надтвердого, композиційного, матеріалу, спосіб, виготовлення, полікристалічного, алмазного, зносостійкого

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення надтвердого алмазного полікристалічного композиційного матеріалу, який включає послідовне виготовлення шихти, що містить алмазну масу, яка складається з мікропорошку і/або шліфпорошку природного і/або синтетичного алмазу, та спікання її з активуючою процес спікання добавкою при високому тиску з витримкою при високій температурі, який відрізняється тим, що при виготовленні шихти додатково вводять нановуглецевий матеріал...

Спосіб виготовлення надтвердого алмазного полікристалічного композиційного матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 113565

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Романко Людмила Олексіївна, Закора Анатолій Петрович, Яворська Луціна, Богданов Роберт Костянтинович, Гаргін Владислав Герасимович, Соколов Олександр Миколайович, Шульженко Олександр Олександрович

МПК: B24D 18/00

Мітки: композиційного, виготовлення, спосіб, матеріалу, полікристалічного, надтвердого, алмазного

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення надтвердого алмазного полікристалічного композиційного матеріалу, який включає послідовне виготовлення шихти, що містить алмазну масу, яка складається з мікропорошка і/або шліфпорошка природного і/або синтетичного алмазу, та спікання її з активуючою процес спікання добавкою, яка утворює карбід, при високому тиску з витримкою при високій температурі, який відрізняється тим, що при виготовленні шихти додатково вводять...

Спосіб виготовлення електропровідного алмазного полікристалічного матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 113564

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Яворська Луціна, Гаргін Владислав Герасимович, Шульженко Олександр Олександрович, Соколов Олександр Миколайович, Романко Людмила Олексіївна

МПК: B24D 18/00

Мітки: електропровідного, виготовлення, спосіб, матеріалу, полікристалічного, алмазного

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення електропровідного алмазного полікристалічного матеріалу, який включає послідовне виготовлення шихти, що містить нано- і/або мікропорошок природного і/або синтетичного алмазу з додаванням графену, та спікання її без активуючих процес добавок при високому тиску з витримкою при високій температурі, який відрізняється тим, що при виготовленні шихти використовують нано-і/або мікропорошки від 5 нм до 60 мкм, а за графен -...

Спосіб одержання порошку полікристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 111178

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Венгер Євген Федорович, Шека Галина Костянтинівна, Родіонов Валерій Євгенович

МПК: C01B 33/00, C01B 33/02, C01B 33/021 ...

Мітки: полікристалічного, одержання, спосіб, порошку, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання порошку полікристалічного кремнію, при якому використовують як вихідну речовину діоксид кремнію, при цьому технологічний процес містить чотири послідовні стадії, де на 1 стадії в першому реакторі діоксид кремнію обробляють елементним фтором (фторують) з надлишковою його кількістю відносно необхідної стехіометричної кількості; на 2 стадії у другому реакторі здійснюють фторування надлишкової кількості діоксиду кремнію...

Спосіб одержання полікристалічного кремнію водневим відновленням трихлорсилану

Завантаження...

Номер патенту: 107606

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Шварцман Леонід Якович, Троценко Едуард Анатолійович, Баженов Євгеній Васильович

МПК: C01B 33/035, H01L 21/66

Мітки: відновленням, спосіб, полікристалічного, кремнію, одержання, водневим, трихлорсилану

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію водневим відновленням трихлорсилану, який подають в складі парогазової суміші, на кремнієвих стрижнях, розігрітих електричним струмом до заданої температури їх поверхні, що включає запам'ятовування керованих і керуючих параметрів еталонних режимів ведення процесу, вимірювання параметрів кремнієвих стрижнів, коригування процесу шляхом зміни керуючих параметрів режимів при відхиленні вимірюваних...

Спосіб виробництва полікристалічного кремнію, придатного для виготовлення фотогальванічних сонячних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 107555

Опубліковано: 12.01.2015

Автори: Хенриксен Бьорн Руне, Берінгов Сергій Борисович, Черпак Юрій Володимирович, Власенко Тимур Вікторович, Форвальд Карл, Бучовська Ірина Богданівна

МПК: C01B 33/037, C30B 29/06

Мітки: полікристалічного, сонячних, кремнію, спосіб, придатного, фотогальванічних, елементів, виробництва, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виробництва полікристалічного кремнію, придатного для виготовлення фотогальванічних сонячних елементів, що включає плавлення металургійного кремнію, попередньо обробленого шляхом шлакування силікатом кальцію з наступними кристалізацією кремнію після шлакування та вилуговуванням кремнію розчином кислотного вилуговування для видалення домішок, кристалізацію розплаву попередньо обробленого металургійного кремнію з одержанням зливка...

Спосіб одержання полікристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 95096

Опубліковано: 10.12.2014

Автори: Прутцьков Дмитро Володимирович, Меркер Рольф Курт, Додонов Володимир Миколайович, Шварцман Леонід Якович

МПК: C01B 33/04, C01B 33/107

Мітки: кремнію, полікристалічного, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію, який включає змішування діоксиду кремнію та відновлювача, високоенергетичну обробку суміші, взаємодію одержаного продукту з хлоруючим агентом з утворенням хлорвмісної сполуки кремнію, яку направляють на одержання з неї полікристалічного кремнію, при цьому здійснюють переробку побічних продуктів, який відрізняється тим, що як діоксид кремнію використовують кварцовий пісок та/або техногенну...

Спосіб одержання полікристалічного кремнію в зливках

Завантаження...

Номер патенту: 107167

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Онищенко Олександр Веніамінович, Гринь Григорій Васильович, Алєксєєнко Олександр Володимирович

МПК: C01B 33/02, C30B 15/00, C30B 29/06 ...

Мітки: одержання, зливках, кремнію, спосіб, полікристалічного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання полікристалічного кремнію в зливках, що включає плавлення відходів кремнію в кварцовому тиглі, витримку розплаву, очищення та кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом витягування зливка полікристалічного кремнію із розплаву на затравку з вуглецевого матеріалу при швидкості обертання тигля не менше 15 об./хв, при цьому над поверхнею розплаву створюють горизонтальний...

Спосіб виготовлення полікристалічного сцинтилятора на основі стильбену

Завантаження...

Номер патенту: 106026

Опубліковано: 10.07.2014

Автори: Лазарєв Ігор Вікторович, Галунов Микола Захарович, Самохін Антон Дмитрович

МПК: C30B 28/00, C30B 29/54

Мітки: спосіб, основі, сцинтилятора, виготовлення, стильбену, полікристалічного

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення полікристалічного сцинтилятора на основі стильбену, що включає одержання кристалічної сировини з наступним її гарячим пресуванням шляхом одновісного стискання, підвищення тиску від атмосферного до заданого, витримку при цьому тиску, потім зниження його до атмосферного і повільне охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що вихідну сировину у вигляді гранул одержують шляхом кріогенного дроблення під...

Тримач для кріплення прутків-підкладок у реакторі вирощування полікристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 83364

Опубліковано: 10.09.2013

Автори: Голєв Євген Олександрович, Крігер Олександр Сергійович, Трегуб Олексій Михайлович, Реков Юрій Васильович, Іваніщев Олексій Григорович

МПК: C23C 16/00, C01B 33/035

Мітки: вирощування, реакторі, кремнію, кріплення, прутків-підкладок, тримач, полікристалічного

Формула / Реферат:

1. Тримач для кріплення прутків-підкладок у реакторі вирощування полікристалічного кремнію, який містить перехідник із встановленим у ньому цанговим фіксатором для розміщення прутка-підкладки, що має встановлювальну частину, металевий охолоджуваний струмоввід, з'єднаний з електродом, при цьому струмоввід має приймальне гніздо, в якому розміщена встановлювальна частина перехідника, який відрізняється тим, що глибина приймального гнізда...

Спосіб одержання полікристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 102244

Опубліковано: 25.06.2013

Автор: Ловцюс Андрєй Альгєрдовіч

МПК: C01B 33/035

Мітки: одержання, полікристалічного, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію осадженням з газової фази, що включає подачу в реактор, відновлення через систему патрубків газової суміші на основі газу, що містить кремній і осадження кремнію на нагрітих поверхнях з утворенням газової суміші, що відходить, який відрізняється тим, що процес осадження кремнію здійснюють одночасно в принаймні двох реакторах, які з'єднують між собою послідовно системою патрубків для...

Спосіб оцінювання рівня абразивної спроможності синтетичного полікристалічного алмазу

Завантаження...

Номер патенту: 75089

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Кліменко Віталій Григорович, Пижов Іван Миколайович, Грабченко Анатолій Іванович

МПК: B24B 53/00

Мітки: рівня, алмазу, абразивної, полікристалічного, оцінювання, синтетичного, спроможності, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб оцінювання рівня абразивної спроможності синтетичного полікристалічного алмазу, згідно з яким використовують непрямий критерій оцінювання, встановлюють його значення, після чого роблять висновок про рівень абразивної спроможності, який відрізняється тим, що як непрямий критерій використовують максимальну питому потужність шліфування випробовуваного полікристалу алмазним кругом на органічній зв'язці, а її значення розраховують за...

Спосіб одержання полікристалічного подвійного трипірофосфату калію-мангану (іі)

Завантаження...

Номер патенту: 74031

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Копілевич Володимир Абрамович, Лаврик Руслан Володимирович

МПК: C01B 25/42

Мітки: спосіб, трипірофосфату, калію-мангану, полікристалічного, іі, подвійного, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання подвійного трипірофосфату калію-мангану (II) у твердому полікристалічному стані загальної формули К4Мn4(Р2О7)3, що включає використання розплаву механічної суміші полікристалічних речовин, який відрізняється тим, що механічну суміш КРО3 та МnО розтирають в агатовій ступці, висипають в платиновий тигль (фарфоровий тигль) об'ємом 100 мл і гомогенізують протягом 1-2 години при температурі 650 °С, одержаний розплав насичують -...

Спосіб одержання полікристалічного подвійного оксодиортофосфату натрію-мангану (ііі)

Завантаження...

Номер патенту: 74030

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Копілевич Володимир Абрамович, Лаврик Руслан Володимирович

МПК: C01B 25/42

Мітки: подвійного, одержання, натрію-мангану, спосіб, ііі, оксодиортофосфату, полікристалічного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання подвійного оксодиортофосфату натрію-мангану (III) у твердому полікристалічному стані загальної формули Na2Mn2O(PO4)2, що включає використання розплаву механічної суміші полікристалічних речовин, який відрізняється тим, що механічну суміш NаРО3 та МnО розтирають в агатовій ступці, висипають в платиновий тигель (фарфоровий тигель) об'ємом 100 мл і гомогенізують протягом 1-2 годин при температурі 600 °С, одержаний розплав...

Спосіб одержання полікристалічного подвійного оксотриортофосфату літію-мангану (ііі)

Завантаження...

Номер патенту: 74029

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Лаврик Руслан Володимирович, Копілевич Володимир Абрамович

МПК: C01B 25/42

Мітки: спосіб, одержання, подвійного, ііі, полікристалічного, літію-мангану, оксотриортофосфату

Формула / Реферат:

Спосіб одержання подвійного оксотриортофосфату літію-мангану (III) у твердому полікристалічному стані загальної формули Li8МnО(РО4)3, що включає використання розплаву механічної суміші полікристалічних речовин, який відрізняється тим, що механічну суміш LiРО3 та МnО розтирають в агатовій ступці, висипають в платиновий тигль (фарфоровий тигль) об'ємом 100 мл і гомогенізують протягом 1-2 години при температурі 350 °С, одержаний розплав...

Установка для розділення і підготовки хлористого водню і хлорсиланів технологічної лінії виробництва полікристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 72917

Опубліковано: 27.08.2012

Автори: Скільсара Василь Михайлович, Котляренко Олег Миколайович, Онопрієнко Андрій Андрійович, Крігер Олександр Сергійович, Гапієнко Анатолій Олександрович

МПК: B01D 53/00, F25J 3/06, F25J 3/00 ...

Мітки: хлорсиланів, водню, установка, хлористого, розділення, технологічної, виробництва, лінії, кремнію, підготовки, полікристалічного

Формула / Реферат:

Установка для розділення і підготовки хлористого водню і хлорсиланів технологічної лінії виробництва полікристалічного кремнію, яка містить ректифікаційну колону, верхня частина якої сполучена через дефлегматор зі збірником флегми, на виході з якого встановлений насос, вихід якого сполучається з верхньою частиною ректифікаційної колони і з накопичувачем хлористого водню, а також систему трубопроводів із запірно-регулюючою арматурою, яка...

Тримач прутків-підкладок установки для осадження полікристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 72384

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Скільсара Василь Михайлович, Крігер Олександр Сергійович, Тахтай Іван Миколайович, Терехов Сергій Ігорович

МПК: F16B 1/00

Мітки: установки, прутків-підкладок, тримач, осадження, кремнію, полікристалічного

Формула / Реферат:

1. Тримач прутків-підкладок установки для осадження полікристалічного кремнію, який включає корпус, цанговий фіксатор з каналом для розміщення прутка, який має встановлювальну частину, при цьому в корпусі виконане приймальне гніздо для приймання встановлювальної частини фіксатора, який відрізняється тим, що на торцевій поверхні встановлювальної частини цангового фіксатора виконана вибірка, що утворює повітряний теплоізоляційний проміжок між...

Спосіб одержання композиту на основі полікристалічного хлорид-пентатіофосфату міді cu6ps5cl

Завантаження...

Номер патенту: 98864

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: H01M 6/18

Мітки: cu6ps5cl, хлорид-пентатіофосфату, одержання, полікристалічного, спосіб, міді, основі, композиту

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композиту на основі полікристалічного хлорид-пентатіофосфату міді Cu6PS5Cl, який включає синтез сполуки Cu6PS5Cl, який відрізняється тим, що синтезовану сполуку Cu6PS5Cl подрібнюють до стану мікрокристалічного порошку з середнім діаметром частинок 50 мкм, який змішують з полівінілацетатом, пресують під тиском 150 МПа в таблетки діаметром 8 мм та товщиною 0,2-2 мм і висушують при кімнатній температурі протягом 15 годин з...

Спосіб одержання полікристалічного кремнію з розчину кременефтористоводневої кислоти та пристрій для одержання полікристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 98148

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Шевчєнко Руслан Алєксєєвіч, Вахрушин Алєксандр Юрьєвіч, Смєтанкіна Стелла Валєрьєвна, Манчулянцев Олєг Алєксандровіч, Чуканов Андрєй Павловіч

МПК: C01B 33/033

Мітки: пристрій, полікристалічного, кременефтористоводневої, кремнію, кислоти, одержання, розчину, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію з розчину кременефтористоводневої кислоти, який відрізняється тим, що одержують органорозчинну сіль кременефтористоводневої кислоти з розчину кременефтористоводневої кислоти шляхом взаємодії кременефтористоводневої кислоти з органічною основою, одержану сіль кременефтористоводневої кислоти сушать повітрям або інертним газом при температурі 55-60 ºС, одержують газоподібний тетрафторид кремнію...

Спосіб одержання твердого полікристалічного кремнію високої чистоти

Завантаження...

Номер патенту: 97691

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Леблан Домінік, Буасвер Рене

МПК: C01B 33/037, C01B 33/00

Мітки: твердого, чистоти, спосіб, кремнію, полікристалічного, одержання, високої

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання твердого полікристалічного кремнію високої чистоти шляхом очищення металургійного кремнію низької чистоти, що містить щонайменше одну з наступних забруднювальних домішок Аl, As, Ba, Ві, Са, Cd, Fe, Co, Cr, Cu, Fe, La, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sb, Sc, Sn, Sr, Ті, V, Zn, Zr і В, причому вказаний спосіб включає етапи, на яких:(a) витримують розплав металургійного кремнію низької чистоти у формі, причому вказана...

Спосіб виявлення меж зерен на поверхні полікристалічного зразка

Завантаження...

Номер патенту: 96530

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Шеховцов Олег Валерійович, Шурінов Роман Володимирович, Бадіян Євген Юхимович, Тонкопряд Алла Григорівна

МПК: G01N 21/00

Мітки: поверхні, меж, полікристалічного, зразка, спосіб, зерен, виявлення

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення меж зерен на поверхні полікристалічного зразка, який полягає у тому, що після попередньої підготовки, яка включає шліфування та полірування досліджуваної поверхні, проводять обробку цієї поверхні, а потім під дією світла виявляють межі зерен, який відрізняється тим, що при обробці наносять на досліджувану поверхню серію паралельних подряпин, наприклад як при склерометруванні, а світловий пучок направляють під гострим кутом...

Пристрій для електророзрядного дроблення полікристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 60164

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Сиворижська Наталя Іванівна, Жекул Людмила Олександрівна, Рачков Олексій Миколайович, Денисюк Тетяна Дмитрівна, Голень Юрій Володимирович, Різун Анатолій Романович, Муштатний Григорій Павлович, Морев Геннадій Миколайович, Кононов Вячеслав Юрійович

МПК: C01B 33/00, B02C 19/18

Мітки: електророзрядного, кремнію, пристрій, дроблення, полікристалічного

Формула / Реферат:

Пристрій для електророзрядного дроблення полікристалічногокремнію, що містить заповнену рідиною розрядну камеру, внутрішня поверхня якої має неметалеве покриття, з розміщеними в ній класифікатором, який виконано у вигляді стакана, бокова поверхня якого складається з вертикальних прутків, які рівномірно розміщені по колу, а дном є решітка, та двома електродними системами, що встановлені зовні класифікатора, позитивні електроди яких з'єднані з...

Застосування полікристалічного хлорид-пентатіофосфату міді cu6ps5cl як матеріалу композиту для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 60128

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: H01M 6/18

Мітки: композиту, cu6ps5cl, полікристалічного, джерела, матеріалу, енергії, міді, хлорид-пентатіофосфату, твердоелектролітичного, застосування

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного хлорид-пентатіофосфату міді Cu6PS5Cl як матеріалу композиту, що має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Спосіб електророзрядного дроблення полікристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 60046

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Рачков Олексій Миколайович, Різун Анатолій Романович, Морев Геннадій Миколайович, Жекул Людмила Олександрівна, Денисюк Тетяна Дмитрівна, Голень Юрій Володимирович, Сиворижська Наталя Іванівна, Муштатний Григорій Павлович, Кононов Вячеслав Юрійович

МПК: B02C 19/18

Мітки: дроблення, полікристалічного, кремнію, спосіб, електророзрядного

Формула / Реферат:

Спосіб електророзрядного дроблення полікристалічного кремнію шляхом дії на нього імпульсними хвилями стиску, що генерують електричні розряди в рідині з параметрами, які встановлюють в залежності від міцності на розрив полікристалічного кремнію, який відрізняється тим, що електричні розряди здійснюють при енергії конденсаторних батарей від 2,5 до 5,0 кДж з частотою 0,5-1,0 Гц при питомих витратах енергії 13,9-14,0 кВт·год./т.

Спосіб визначення кристалографічної орієнтації зерен на поверхні полікристалічного зразка

Завантаження...

Номер патенту: 93021

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Зєтова Тетяна Расімовна, Шурінов Роман Володимирович, Шеховцов Олег Валерійович, Бадіян Євген Юхимович, Тонкопряд Алла Григорівна

МПК: G01N 21/17, G01N 33/20, G01N 21/00 ...

Мітки: зерен, орієнтації, зразка, полікристалічного, визначення, поверхні, спосіб, кристалографічно

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення кристалографічної орієнтації зерен на поверхні полікристалічного зразка, який полягає у тому, що на плоску поверхню зразка досліджуваного полікристалічного матеріалу направляють потік електромагнітного випромінювання, реєструють випромінювання, розсіяне поверхнею, що опромінюють, і судять про кристалографічну орієнтацію зерен на опромінюваній поверхні полікристалічного зразка, який відрізняється тим, що плоску поверхню...

Спосіб одержання зливків полікристалічного кремнію індукційним методом та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 92392

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Марченко Степан Анатолійович, Позігун Сергій Анатолійович, Онищенко Володимир Євгенович, Шевчук Андрій Леонідович, Шкульков Анатолій Васілієвіч, Берінгов Сергій Борисович, Черпак Юрій Володимирович

МПК: C30B 11/00, B22D 11/00, B22D 11/08 ...

Мітки: здійснення, індукційним, пристрій, полікристалічного, методом, зливків, одержання, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання зливків полікристалічного кремнію індукційним методом, що включає подачу і стартовий розігрів кускової шихти кремнію у контрольованій атмосфері на рухомому дні у плавильному просторі водоохолоджуваного тигля, формування ванни розплаву і наступне плавлення і лиття за формою плавильного простору, кристалізацію зливка полікристалічного кремнію і контрольоване його охолодження з використанням комплекту засобів нагріву,...

Спосіб одержання порошку полікристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 89460

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Бакай Едуард Аполлінарійович, Тарновський Олександр Васильович, Котвицький Денис Вадимович, Бурцев Федір Володимирович, Ройтман Юхим Мойсейович

МПК: C01B 33/02, C01B 33/037

Мітки: одержання, кремнію, полікристалічного, порошку, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання порошку полікристалічного кремнію сонячної градації, який включає багатостадійну хімічну обробку технічного кремнію, який відрізняється тим, що хімічну обробку кремнію здійснюють кислотою в три стадії, на першій - використовують хлористоводневу кислоту, на другій - азотну кислоту й на третій - фтористоводневу кислоту, причому на першій стадії використовують технічний кремній, а на другій і третій стадіях кремній,...

Спосіб одержання полікристалічного кремнію та установка для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 86336

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Ліпашов Віктор Олексійович, Огенко Володимир Михайлович, Бакай Едуард Аполінарійович, Тарасевич Олексій Юрійович, Тарасевич Юрій Стефанович, Богомаз Валерій Ігоревич

МПК: C01B 33/00, C01B 33/027, F01B 9/02 ...

Мітки: одержання, здійснення, кремнію, установка, полікристалічного, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію термохімічним розкладанням газоподібних кремнієвмісних сполук, який відрізняється тим, що вказане розкладання проводять при дії інерційних, переважно відцентрових сил, забезпечуючи в силовому полі утворення і стиснення потоку вихідних компонентів і протитечійного потоку одержаних продуктів, переважно водню, з перенесенням теплової енергії в потоках, ущільнення утворених частинок та їх...

Спосіб виготовлення полікристалічного зливка еремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом чохральського, методом зонної плавки

Завантаження...

Номер патенту: 86295

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Фр'єстад Кеннет, Детлофф Крістіан

МПК: C01B 33/02, C01B 33/00, C30B 13/00 ...

Мітки: методом, еремнію, зонної, полікристалічного, кристалізації, спосіб, виготовлення, плавки, зливка, шляхом, направленої, одержуваного, чохральського

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення полікристалічного зливка кремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом Чохральського, методом зонної плавки з кремнієвої сировини сонячної якості, яка спочатку містить (0,2-10)‰ бору та (0,1-10)‰ фосфору, який відрізняється тим, що у випадку, коли вміст бору в кремнієвій сировині перевищує вміст фосфору, то під час процесу направленої кристалізації зливка кремнію вміст бору в розплавленому кремнії...

Спосіб нанесення гнучкого омічного контакту до структур на основі полікристалічного cds

Завантаження...

Номер патенту: 40001

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Дімітрієв Олег Петрович, Смертенко Петро Семенович, Осипьонок Микола Михайлович, Пуд Олександр Аркадієвич

МПК: H01C 1/00, H01L 21/00, H01L 21/28 ...

Мітки: структур, контакту, полікристалічного, омічного, основі, спосіб, гнучкого, нанесення

Формула / Реферат:

Спосіб нанесення омічного контакту до структур на основі полікристалічного CdS, що включає нанесення на підкладинку водної суспензії порошкоподібного CdS з домішкою CdCl2 в кількості 10 мас. %, з подальшим спіканням цього шару в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що як омічний контакт до полікристалічного шару CdS використане вуглецеве волокно, яке попередньо відпалюють в атмосфері інертного газу при температурі...

Спосіб одержання легованого полікристалічного тригліцинсульфату

Завантаження...

Номер патенту: 80210

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Трапезнікова Людмила Віталіївна, Сливка Олександр Георгієвич, Кедик Ігор Васильович, Тюпа Олександр Іванович, Чундак Степан Юрійович

МПК: C30B 7/00, C30B 27/00, C30B 29/54 ...

Мітки: тригліцинсульфату, полікристалічного, одержання, легованого, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання легованого полікристалічного тригліцинсульфату, який включає поступове додавання осаджувача в розчин, що містить осаджувані іони, як осаджувач використовують суміш твердих гліцину та альфа- або бета-аланіну у співвідношенні 2,85: 0,15 відповідно, а як розчин з осаджуваними іонами використовують водний розчин сульфатної кислоти в стехіометричному співвідношенні гліцин плюс альфа- або бета-аланін:сульфатна кислота, що дорівнює...

Пристрій для вирощування полікристалічного карбіду кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 22257

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Янішин Ігор Борисович

МПК: C30B 23/02, C30B 35/00

Мітки: карбіду, кремнію, полікристалічного, пристрій, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування полікристалічного карбіду кремнію, що складається із синтезатора, тигля, нагрівального елемента, який відрізняється тим, що синтезатор виконано у вигляді двох циліндрів однакової висоти, у нижній частині синтезатора розміщено тигель, в об’ємі синтезатора поміщені вертикально і горизонтально касети, зверху синтезатор закритий кришкою з отворами, причому синтезатор з тиглем, пластинами всередині і кришкою зверху...

Спосіб вирощування полікристалічного карбіду кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 19072

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Янішин Ігор Борисович

МПК: C30B 35/00, C30B 23/02

Мітки: вирощування, полікристалічного, кремнію, карбіду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування полікристалічного карбіду кремнію, який включає прямий синтез кремнію і вуглецю, які розташовані в квазізамкнутому об'ємі, виготовленому із графіту, який розташований в нагрівачі високотемпературної печі, який відрізняється тим, що для одержання полікристалічного карбіду кремнію високої чистоти джерелом кремнію є високочистий кремній, розташований в тиглі, виготовлений із ізостатичного графіту високої щільності і чистоти, а...

Спосіб одержання легованого полікристалічного тригліцинсульфату

Завантаження...

Номер патенту: 16526

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Сливка Олександр Георгієвич, Тюпа Олександр Іванович, Чундак Степан Юрійович, Кедик Ігор Васильович, Трапезнікова Людмила Віталіївна

МПК: C30B 7/00, C30B 29/54

Мітки: полікристалічного, спосіб, одержання, легованого, тригліцинсульфату

Формула / Реферат:

Спосіб одержання легованого полікристалічного тригліцинсульфату, який включає поступове додавання осаджувача в розчин, що містить осаджувані іони, як осаджувач використовують суміш твердих гліцину та -аланіну у співвідношенні 2,85:0,15 відповідно, а як розчин з осаджуваними іонами використовують водний розчин сульфатної кислоти в стехіометричному співвідношенні гліцин та...

Спосіб одержання виробів із монолітного полікристалічного карбіду кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 70575

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Сніжко Петро Михайлович, Таіров Борис Хусаінович, Курченко Іван Павлович, Хайдакін Василь Іванович

МПК: C01B 31/36

Мітки: карбіду, полікристалічного, кремнію, виробів, спосіб, одержання, монолітного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання виробів із монолітного полікристалічного карбіду кремнію (МПК), що включає змішування карбіду кремнію з вуглецевим компонентом, який відрізняється тим, що до суміші додатково додають нафтовий кокс та сульфітно-спиртову барду, формують вироби, сушать їх і піддають силіціюванню  до  температури 1950 °С  та витримці 4-4,5 години.Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що нагрів при силіціюванні здійснюють з інтенсивністю...

Спосіб одержання полікристалічного кремнію по замкнутому циклу

Завантаження...

Номер патенту: 49463

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Свірідєнко Дмітрій Івановіч, Касаткін Юрій Алєксандровіч, Петрик Адольф Гаврилович, Шварцман Леонід Якович

МПК: C01B 33/029

Мітки: одержання, спосіб, замкнутому, кремнію, полікристалічного, циклу

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію по замкнутому циклу, який містить стадії синтезу хлорсиланів у реакторі "киплячого шару" часток технічного кремнію, з одержанням парогазової суміші, яка містить переважно трихлорсилан і тетрахлорид кремнію та побічні продукти реакції, диспропорціювання трихлорсилану, одержаного на стадії синтезу хлорсиланів у реакційній колоні, що має зону диспропорціювання, з утворенням моносилану і...

Спосіб одержання легованого полікристалічного тригліцинсульфату

Завантаження...

Номер патенту: 29130

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Тюпа Олександр Іванович, Горват Андрій Андрійович, Трапєзнікова Людмила Віталіївна

МПК: C30B 28/00

Мітки: спосіб, легованого, полікристалічного, одержання, тригліцинсульфату

Формула / Реферат:

Спосіб одержання легованого полікристалічного тригліцинсульфату, який включає поступову подачу осаджувача в розчин, що містить осаджувані іони, який відрізняється тим, що як осаджувач використовують суміш твердих гліцину та аланіну, а як розчин з осаджувальними іонами - сірчану кислоту густиною 1,65...1,68 г/см3 в стехіометричному співвідношенні