Патенти з міткою «переході»

Спосіб анкерного кріплення гірничої виробки при переході геологічного порушення

Завантаження...

Номер патенту: 114570

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Буліч Юрій Юрієвич, Чередніченко Юрій Якович, Булат Анатолій Федорович, Круковський Олександр Петрович, Барабаш Михайло Володимирович, Воронін Сергій Анатолійович, Круковська Вікторія Вікторівна

МПК: E21D 20/00

Мітки: гірничої, спосіб, геологічного, виробки, переході, анкерного, кріплення, порушення

Формула / Реферат:

Спосіб анкерного кріплення гірничої виробки при переході геологічного порушення, який включає збір та аналіз гірничо-геологічних даних, визначення фізико-механічних властивостей вмісних порід, який відрізняється тим, що в залежності від величини амплітуди зміщення геологічного порушення визначають довжину перехідної ділянки L1, для якої проводять розрахунок посиленої схеми розміщення анкерів із встановленням частини анкерів з нахилом на...

Конструкція деформаційного шва на мостовому переході

Завантаження...

Номер патенту: 89683

Опубліковано: 25.04.2014

Автор: Онищук Василь Варфоломійович

МПК: E04B 1/68

Мітки: мостовому, переході, конструкція, деформаційного, шва

Формула / Реферат:

Конструкція деформаційного шва на мостовому переході, що має дві, накладені одна на одну, хромонікелеві пластини, приварені до стояків і дорожнього полотна, який відрізняється тим, що додатково містить в собі приклеєний до нього суперміцним клеєм фартушок із суперміцної гуми.

Метод виявлення поверхневого пробою в p-n переході

Завантаження...

Номер патенту: 87430

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Птащенко Федір Олександрович, Довганюк Геннадій Віталійович, Гільмутдінова Валерія Рафаелівна, Птащенко Олександр Олександрович

МПК: G01R 31/26

Мітки: переході, виявлення, пробою, поверхневого, метод

Формула / Реферат:

Метод виявлення поверхневого пробою в р-n переході, який полягає в тому, що проводяться вимірювання вольт-амперної характеристики зворотного струму р-n переходу і по даній характеристиці визначається напруга пробою, який відрізняється тим, що вказані вимірювання проводяться два рази: при першому вимірюванні досліджуваний р-n перехід поміщується в сухе повітря, а при другому вимірюванні він поміщується в контейнер з повітрям і вологими парами...

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході першого роду

Завантаження...

Номер патенту: 90712

Опубліковано: 25.05.2010

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 25/02, G01N 21/59

Мітки: енергію, твердого, фазовому, урбахівську, роду, тіла, визначення, спосіб, розупорядкування, структурного, внесків, кристалічного, першого, зміни, температурного, переході

Формула / Реферат:

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході першого роду, який включає визначення внесків структурного та температурного розупорядкування шляхом температурних досліджень краю оптичного поглинання твердих кристалічних тіл , який відрізняється тим, що визначають зміну урбахівської енергії

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході другого роду

Завантаження...

Номер патенту: 90688

Опубліковано: 25.05.2010

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 21/00, G01N 21/59, G01N 25/02 ...

Мітки: роду, фазовому, спосіб, температурного, енергію, другого, розупорядкування, визначення, переході, кристалічного, внесків, зміни, твердого, структурного, урбахівську, тіла

Формула / Реферат:

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході другого роду, який включає визначення внесків температурного та структурного розупорядкування шляхом температурних досліджень краю оптичного поглинання твердих тіл, який відрізняється тим, що додатково визначають урбахівську енергію

Спосіб селективного виймання пологого вугільного пласта в очисному вибої при переході геологічних порушень

Завантаження...

Номер патенту: 39391

Опубліковано: 25.02.2009

Автор: Старіков Олександр Петрович

МПК: E21C 41/18

Мітки: пологого, пласта, переході, виймання, спосіб, геологічних, вибої, порушень, очисному, селективного, вугільного

Формула / Реферат:

1. Спосіб селективного виймання пологого вугільного пласта в очисному вибої при переході геологічних порушень, що включає роздільне виймання вугілля й порід геологічного порушення, розподіл транспортних потоків вугілля й порід безпосередньо в робочому просторі очисного вибою, транспортування вугілля на поверхню й транспортування порід геологічного порушення у вироблений простір, який відрізняється тим, що виймання порід геологічного порушення...

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході першого роду

Завантаження...

Номер патенту: 31018

Опубліковано: 25.03.2008

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 7/00

Мітки: спосіб, фазовому, внесків, визначення, урбахівську, твердого, температурного, зміни, енергію, переході, роду, кристалічного, тіла, структурного, першого, розупорядкування

Формула / Реферат:

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході першого роду, який включає визначення внесків структурного та температурного розупорядкування шляхом температурних досліджень краю оптичного поглинання твердих кристалічних тіл, який відрізняється тим, що визначають зміну урбахівської енергії DЕU при температурі фазового переходу першого роду...

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході другого роду

Завантаження...

Номер патенту: 25921

Опубліковано: 27.08.2007

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/08

Мітки: переході, розупорядкування, тіла, структурного, внесків, твердого, визначення, спосіб, фазовому, кристалічного, другого, роду, енергію, зміни, температурного, урбахівську

Формула / Реферат:

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході другого роду, що включає визначення внесків температурного та структурного розупорядкування шляхом температурних досліджень краю оптичного поглинання твердих тіл, який відрізняється тим, що додатково визначають урбахівську енергію

Спосіб вимірювання температури з застосуванням напівпровідникових датчиків, що мають p-n переходи

Завантаження...

Номер патенту: 31120

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Рибчак Володимир Костянтинович, Плюта Ігор Васильович, Сташук Вадим Данилович

МПК: G01K 7/01

Мітки: напівпровідникових, вимірювання, температури, спосіб, мають, датчиків, переході, застосуванням

Текст:

.../2 . При цьому на р-п - переході формується імпульсна напруга, амплітуда якої дорівнює Vm = К, - V2 > яка згідно з (2) пропорційна температурі Т. Отже, для калібрування датчика достатньо виміряти амплітуду напруги на р-п - переході при одному опорному значенні температури Го , наприклад, взятому посередині діапазону вимірюваних температур,, щоб визначити коефіцієнт пропорційності між амплітудою вихідної напруги датчика і вимірюваною...

Спосіб визначення падіння напруги на р-n переході напівпровідникового датчика

Завантаження...

Номер патенту: 15274

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Іванченко Олександр Васильович, Скрипник Юрій Олексійович, Наконечний Микола Петрович, Стретович Анатолій Михайлович

МПК: G01R 19/00

Мітки: переході, спосіб, напруги, датчика, визначення, напівпровідникового, падіння

Формула / Реферат:

Способ определения падения напряжения на  переходе полупроводникового датчика, заключающийся в том, что к полупроводниковому датчику с ограничивающим резистором подключают постоянное напряжение с полярностью, открывающей  переход, измеряют протекающий ток, регулируют ток до получения заданного значения и изменяют падение напряжения  на полупроводниковом датчике, отличающийся тем, что измерение падения напряжения  производят при заданном токе,...