Патенти з міткою «переході»

Спосіб анкерного кріплення гірничої виробки при переході геологічного порушення

Завантаження...

Номер патенту: 114570

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Булат Анатолій Федорович, Буліч Юрій Юрієвич, Чередніченко Юрій Якович, Круковська Вікторія Вікторівна, Воронін Сергій Анатолійович, Барабаш Михайло Володимирович, Круковський Олександр Петрович

МПК: E21D 20/00

Мітки: анкерного, гірничої, порушення, геологічного, кріплення, спосіб, виробки, переході

Формула / Реферат:

Спосіб анкерного кріплення гірничої виробки при переході геологічного порушення, який включає збір та аналіз гірничо-геологічних даних, визначення фізико-механічних властивостей вмісних порід, який відрізняється тим, що в залежності від величини амплітуди зміщення геологічного порушення визначають довжину перехідної ділянки L1, для якої проводять розрахунок посиленої схеми розміщення анкерів із встановленням частини анкерів з нахилом на...

Конструкція деформаційного шва на мостовому переході

Завантаження...

Номер патенту: 89683

Опубліковано: 25.04.2014

Автор: Онищук Василь Варфоломійович

МПК: E04B 1/68

Мітки: мостовому, деформаційного, шва, переході, конструкція

Формула / Реферат:

Конструкція деформаційного шва на мостовому переході, що має дві, накладені одна на одну, хромонікелеві пластини, приварені до стояків і дорожнього полотна, який відрізняється тим, що додатково містить в собі приклеєний до нього суперміцним клеєм фартушок із суперміцної гуми.

Метод виявлення поверхневого пробою в p-n переході

Завантаження...

Номер патенту: 87430

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Птащенко Олександр Олександрович, Птащенко Федір Олександрович, Довганюк Геннадій Віталійович, Гільмутдінова Валерія Рафаелівна

МПК: G01R 31/26

Мітки: поверхневого, метод, пробою, виявлення, переході

Формула / Реферат:

Метод виявлення поверхневого пробою в р-n переході, який полягає в тому, що проводяться вимірювання вольт-амперної характеристики зворотного струму р-n переходу і по даній характеристиці визначається напруга пробою, який відрізняється тим, що вказані вимірювання проводяться два рази: при першому вимірюванні досліджуваний р-n перехід поміщується в сухе повітря, а при другому вимірюванні він поміщується в контейнер з повітрям і вологими парами...

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході першого роду

Завантаження...

Номер патенту: 90712

Опубліковано: 25.05.2010

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 25/02, G01N 21/59

Мітки: першого, визначення, урбахівську, роду, внесків, розупорядкування, переході, тіла, фазовому, спосіб, структурного, кристалічного, температурного, енергію, твердого, зміни

Формула / Реферат:

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході першого роду, який включає визначення внесків структурного та температурного розупорядкування шляхом температурних досліджень краю оптичного поглинання твердих кристалічних тіл , який відрізняється тим, що визначають зміну урбахівської енергії

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході другого роду

Завантаження...

Номер патенту: 90688

Опубліковано: 25.05.2010

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 25/02, G01N 21/59, G01N 21/00 ...

Мітки: роду, переході, твердого, кристалічного, фазовому, внесків, зміни, розупорядкування, другого, визначення, урбахівську, спосіб, структурного, тіла, енергію, температурного

Формула / Реферат:

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході другого роду, який включає визначення внесків температурного та структурного розупорядкування шляхом температурних досліджень краю оптичного поглинання твердих тіл, який відрізняється тим, що додатково визначають урбахівську енергію

Спосіб селективного виймання пологого вугільного пласта в очисному вибої при переході геологічних порушень

Завантаження...

Номер патенту: 39391

Опубліковано: 25.02.2009

Автор: Старіков Олександр Петрович

МПК: E21C 41/18

Мітки: спосіб, виймання, порушень, пологого, вибої, пласта, геологічних, очисному, селективного, переході, вугільного

Формула / Реферат:

1. Спосіб селективного виймання пологого вугільного пласта в очисному вибої при переході геологічних порушень, що включає роздільне виймання вугілля й порід геологічного порушення, розподіл транспортних потоків вугілля й порід безпосередньо в робочому просторі очисного вибою, транспортування вугілля на поверхню й транспортування порід геологічного порушення у вироблений простір, який відрізняється тим, що виймання порід геологічного порушення...

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході першого роду

Завантаження...

Номер патенту: 31018

Опубліковано: 25.03.2008

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 7/00

Мітки: зміни, температурного, визначення, першого, твердого, фазовому, структурного, урбахівську, внесків, кристалічного, розупорядкування, тіла, роду, енергію, спосіб, переході

Формула / Реферат:

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході першого роду, який включає визначення внесків структурного та температурного розупорядкування шляхом температурних досліджень краю оптичного поглинання твердих кристалічних тіл, який відрізняється тим, що визначають зміну урбахівської енергії DЕU при температурі фазового переходу першого роду...

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході другого роду

Завантаження...

Номер патенту: 25921

Опубліковано: 27.08.2007

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/08

Мітки: внесків, фазовому, другого, температурного, кристалічного, структурного, визначення, розупорядкування, твердого, зміни, тіла, спосіб, енергію, переході, роду, урбахівську

Формула / Реферат:

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході другого роду, що включає визначення внесків температурного та структурного розупорядкування шляхом температурних досліджень краю оптичного поглинання твердих тіл, який відрізняється тим, що додатково визначають урбахівську енергію

Спосіб вимірювання температури з застосуванням напівпровідникових датчиків, що мають p-n переходи

Завантаження...

Номер патенту: 31120

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Сташук Вадим Данилович, Плюта Ігор Васильович, Рибчак Володимир Костянтинович

МПК: G01K 7/01

Мітки: застосуванням, температури, вимірювання, датчиків, мають, напівпровідникових, переході, спосіб

Текст:

.../2 . При цьому на р-п - переході формується імпульсна напруга, амплітуда якої дорівнює Vm = К, - V2 > яка згідно з (2) пропорційна температурі Т. Отже, для калібрування датчика достатньо виміряти амплітуду напруги на р-п - переході при одному опорному значенні температури Го , наприклад, взятому посередині діапазону вимірюваних температур,, щоб визначити коефіцієнт пропорційності між амплітудою вихідної напруги датчика і вимірюваною...

Спосіб визначення падіння напруги на р-n переході напівпровідникового датчика

Завантаження...

Номер патенту: 15274

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Стретович Анатолій Михайлович, Скрипник Юрій Олексійович, Наконечний Микола Петрович, Іванченко Олександр Васильович

МПК: G01R 19/00

Мітки: переході, напівпровідникового, напруги, датчика, спосіб, падіння, визначення

Формула / Реферат:

Способ определения падения напряжения на  переходе полупроводникового датчика, заключающийся в том, что к полупроводниковому датчику с ограничивающим резистором подключают постоянное напряжение с полярностью, открывающей  переход, измеряют протекающий ток, регулируют ток до получения заданного значения и изменяют падение напряжения  на полупроводниковом датчике, отличающийся тем, что измерение падения напряжения  производят при заданном токе,...