Патенти з міткою «переході»

Спосіб анкерного кріплення гірничої виробки при переході геологічного порушення

Завантаження...

Номер патенту: 114570

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Чередніченко Юрій Якович, Воронін Сергій Анатолійович, Круковський Олександр Петрович, Буліч Юрій Юрієвич, Барабаш Михайло Володимирович, Круковська Вікторія Вікторівна, Булат Анатолій Федорович

МПК: E21D 20/00

Мітки: кріплення, спосіб, анкерного, переході, порушення, гірничої, геологічного, виробки

Формула / Реферат:

Спосіб анкерного кріплення гірничої виробки при переході геологічного порушення, який включає збір та аналіз гірничо-геологічних даних, визначення фізико-механічних властивостей вмісних порід, який відрізняється тим, що в залежності від величини амплітуди зміщення геологічного порушення визначають довжину перехідної ділянки L1, для якої проводять розрахунок посиленої схеми розміщення анкерів із встановленням частини анкерів з нахилом на...

Конструкція деформаційного шва на мостовому переході

Завантаження...

Номер патенту: 89683

Опубліковано: 25.04.2014

Автор: Онищук Василь Варфоломійович

МПК: E04B 1/68

Мітки: деформаційного, мостовому, конструкція, шва, переході

Формула / Реферат:

Конструкція деформаційного шва на мостовому переході, що має дві, накладені одна на одну, хромонікелеві пластини, приварені до стояків і дорожнього полотна, який відрізняється тим, що додатково містить в собі приклеєний до нього суперміцним клеєм фартушок із суперміцної гуми.

Метод виявлення поверхневого пробою в p-n переході

Завантаження...

Номер патенту: 87430

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Довганюк Геннадій Віталійович, Гільмутдінова Валерія Рафаелівна, Птащенко Олександр Олександрович, Птащенко Федір Олександрович

МПК: G01R 31/26

Мітки: пробою, виявлення, переході, метод, поверхневого

Формула / Реферат:

Метод виявлення поверхневого пробою в р-n переході, який полягає в тому, що проводяться вимірювання вольт-амперної характеристики зворотного струму р-n переходу і по даній характеристиці визначається напруга пробою, який відрізняється тим, що вказані вимірювання проводяться два рази: при першому вимірюванні досліджуваний р-n перехід поміщується в сухе повітря, а при другому вимірюванні він поміщується в контейнер з повітрям і вологими парами...

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході першого роду

Завантаження...

Номер патенту: 90712

Опубліковано: 25.05.2010

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 21/59, G01N 25/02

Мітки: роду, кристалічного, урбахівську, структурного, фазовому, спосіб, внесків, температурного, енергію, зміни, переході, твердого, визначення, першого, тіла, розупорядкування

Формула / Реферат:

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході першого роду, який включає визначення внесків структурного та температурного розупорядкування шляхом температурних досліджень краю оптичного поглинання твердих кристалічних тіл , який відрізняється тим, що визначають зміну урбахівської енергії

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході другого роду

Завантаження...

Номер патенту: 90688

Опубліковано: 25.05.2010

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 21/00, G01N 21/59, G01N 25/02 ...

Мітки: температурного, внесків, тіла, переході, роду, кристалічного, фазовому, зміни, структурного, твердого, урбахівську, розупорядкування, другого, визначення, енергію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході другого роду, який включає визначення внесків температурного та структурного розупорядкування шляхом температурних досліджень краю оптичного поглинання твердих тіл, який відрізняється тим, що додатково визначають урбахівську енергію

Спосіб селективного виймання пологого вугільного пласта в очисному вибої при переході геологічних порушень

Завантаження...

Номер патенту: 39391

Опубліковано: 25.02.2009

Автор: Старіков Олександр Петрович

МПК: E21C 41/18

Мітки: вибої, спосіб, геологічних, переході, пологого, очисному, виймання, пласта, вугільного, порушень, селективного

Формула / Реферат:

1. Спосіб селективного виймання пологого вугільного пласта в очисному вибої при переході геологічних порушень, що включає роздільне виймання вугілля й порід геологічного порушення, розподіл транспортних потоків вугілля й порід безпосередньо в робочому просторі очисного вибою, транспортування вугілля на поверхню й транспортування порід геологічного порушення у вироблений простір, який відрізняється тим, що виймання порід геологічного порушення...

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході першого роду

Завантаження...

Номер патенту: 31018

Опубліковано: 25.03.2008

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 7/00

Мітки: кристалічного, зміни, спосіб, структурного, визначення, тіла, роду, температурного, твердого, внесків, енергію, першого, фазовому, розупорядкування, урбахівську, переході

Формула / Реферат:

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході першого роду, який включає визначення внесків структурного та температурного розупорядкування шляхом температурних досліджень краю оптичного поглинання твердих кристалічних тіл, який відрізняється тим, що визначають зміну урбахівської енергії DЕU при температурі фазового переходу першого роду...

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході другого роду

Завантаження...

Номер патенту: 25921

Опубліковано: 27.08.2007

Автор: Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/08

Мітки: розупорядкування, зміни, тіла, визначення, внесків, структурного, урбахівську, роду, температурного, фазовому, твердого, енергію, кристалічного, спосіб, другого, переході

Формула / Реферат:

Спосіб визначення зміни внесків структурного та температурного розупорядкування в урбахівську енергію твердого кристалічного тіла при фазовому переході другого роду, що включає визначення внесків температурного та структурного розупорядкування шляхом температурних досліджень краю оптичного поглинання твердих тіл, який відрізняється тим, що додатково визначають урбахівську енергію

Спосіб вимірювання температури з застосуванням напівпровідникових датчиків, що мають p-n переходи

Завантаження...

Номер патенту: 31120

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Плюта Ігор Васильович, Рибчак Володимир Костянтинович, Сташук Вадим Данилович

МПК: G01K 7/01

Мітки: мають, переході, температури, вимірювання, застосуванням, датчиків, напівпровідникових, спосіб

Текст:

.../2 . При цьому на р-п - переході формується імпульсна напруга, амплітуда якої дорівнює Vm = К, - V2 > яка згідно з (2) пропорційна температурі Т. Отже, для калібрування датчика достатньо виміряти амплітуду напруги на р-п - переході при одному опорному значенні температури Го , наприклад, взятому посередині діапазону вимірюваних температур,, щоб визначити коефіцієнт пропорційності між амплітудою вихідної напруги датчика і вимірюваною...

Спосіб визначення падіння напруги на р-n переході напівпровідникового датчика

Завантаження...

Номер патенту: 15274

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Наконечний Микола Петрович, Скрипник Юрій Олексійович, Іванченко Олександр Васильович, Стретович Анатолій Михайлович

МПК: G01R 19/00

Мітки: спосіб, падіння, датчика, визначення, напруги, напівпровідникового, переході

Формула / Реферат:

Способ определения падения напряжения на  переходе полупроводникового датчика, заключающийся в том, что к полупроводниковому датчику с ограничивающим резистором подключают постоянное напряжение с полярностью, открывающей  переход, измеряют протекающий ток, регулируют ток до получения заданного значения и изменяют падение напряжения  на полупроводниковом датчике, отличающийся тем, что измерение падения напряжения  производят при заданном токе,...