Патенти з міткою «p-типу»

Спосіб отримання наноструктур snte:sb p-типу на ситалових підкладках із значною термо-ерс

Завантаження...

Номер патенту: 102175

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Костюк Оксана Богданівна, Маковишин Володимир Ігорович, Яворський Ярослав Святославович

МПК: B82B 3/00

Мітки: значною, підкладках, p-типу, спосіб, термо-е.р.с, snte:sb, отримання, наноструктур, ситалових

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур структур SnTer:Sb р-типу на ситалових підкладках із значною термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують при температурі випарника ΤВ і осаджують на підкладку при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат.% Sb, а як підкладки використовують пластини...

Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур snte:bi p-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю

Завантаження...

Номер патенту: 97318

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Дзундза Богдан Степанович, Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: напівпровідникових, тонкоплівкових, структур, потужністю, термоелектричною, отримання, покращеною, спосіб, p-типу, snte:bi, провідності

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур SnTe:Bi р-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на ситалові підкладки при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnТе:Ві із вмістом Ві 0,3...

Спосіб покращення термоелектричних властивостей тонких плівок p-типу провідності на основі легованого бісмутом snte

Завантаження...

Номер патенту: 97316

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Ткачук Андрій Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Матківський Остап Миколайович

МПК: B82B 3/00

Мітки: тонких, p-типу, легованого, основі, спосіб, бісмутом, покращення, властивостей, провідності, термоелектричних, плівок

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей тонких плівок р-типу провідності на основі легованого бісмутом SnTe, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на підкладки із свіжих відколів (0001) слюди-мусковіту при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnTe:Bi...

Термоелектричні гілки з наноструктурованих матеріалів bi-sb-te p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 96424

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Вихор Людмила Миколаївна, Горський Петро Володимирович

МПК: H01L 35/30

Мітки: p-типу, термоелектричні, матеріалів, гілки, bi-sb-te, провідності, наноструктурованих

Формула / Реферат:

Термоелектричні гілки для охолоджувальних та генераторних термоелементів на основі оптимізованих наноструктурованих матеріалів з порошків Bi-Sb-Te р-типу провідності, які відрізняються тим, що крупність зерен узгоджена зі зміною температури вздовж висоти гілки таким чином, щоб при кожному значенні температури досягалось найбільше значення термоелектричної добротності матеріалу.

Спосіб отримання кристалів znse:in n- i p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 59326

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Фреїк Наталія Дмитрівна, Гургула Галина Ярославівна, Потяк Володимир Юрійович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: кристалів, провідності, p-типу, спосіб, znse:in, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів ZnSe:In n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину, за яку використовують ZnSe, поміщають в ампулу із затравкою, а як легуючий матеріал використовують In2Se3, ампулу поміщають у піч з вертикальним градієнтом, парофазне легування здійснюють у процесі вільного росту, при якому контролюють дозування вихідного матеріалу домішкового індію, який відрізняється тим, що при дозі індію до 0,5·1020 м-3...

Спосіб отримання сплаву pbsnte p-типу

Завантаження...

Номер патенту: 56813

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Борик Віктор Васильович, Карпаш Максим Олегович, Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C22C 28/00, C22C 11/00

Мітки: сплаву, отримання, pbsnte, p-типу, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання сплаву PbSnTe р-типу, який полягає у тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як вихідні...

Спосіб отримання термоелектричного самолегованого pbte p-типу

Завантаження...

Номер патенту: 56631

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Матеїк Галина Дмитрівна, Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: самолегованого, p-типу, спосіб, термоелектричного, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного самолегованого РbТе р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, яку поміщають у піч і витримують при певній температурі, потім ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять на фракції та здійснюють пресування порошку, який відрізняється тим, що вихідні речовини - свинець класу чистоти С-000 і телур - Т-ВЧ беруть у...

Спосіб отримання термоелектричного матеріалу p-типу на основі твердих розчинів pb1-xsnxte

Завантаження...

Номер патенту: 50157

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Борик Віктор Васильович, Туровська Лілія Вадимівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: p-типу, pb1-xsnxte, термоелектричного, твердих, розчинів, спосіб, матеріалу, основі, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного матеріалу р-типу на основі твердих розчинів Pb1-xSnxTe, який полягає в тому, що вихідні речовини свинець, олово і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють...

Спосіб отримання телуриду олова p-типу

Завантаження...

Номер патенту: 40444

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: p-типу, олова, отримання, спосіб, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання телуриду олова р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини використовують свинець, вісмут, телур і...

Спосіб отримання термоелектричного сплаву телуриду свинцю p-типу

Завантаження...

Номер патенту: 39125

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Борик Віктор Васильович, Дикун Наталія Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Данилишин Мирослава Олегівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: сплаву, p-типу, термоелектричного, телуриду, отримання, спосіб, свинцю

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного сплаву телуриду свинцю р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють гаряче пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини використовують свинець,...

Спосіб отримання напівпровідникових кристалів zns p-типу

Завантаження...

Номер патенту: 26751

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Сташко Назар Васильович, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Бабущак Галина Ярославівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: p-типу, напівпровідникових, спосіб, кристалів, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS р-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т=(1170

Спосіб отримання легованих монокристалів cdte:v n- i p-типу

Завантаження...

Номер патенту: 24510

Опубліковано: 10.07.2007

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Бабущак Галина Ярославівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, монокристалів, спосіб, cdte:v, p-типу, легованих

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:V n- i р-типу провідності, в якому як вихідну речовину використовують кадмій і телур особливо чистих марок, взяті у співвідношенні, що відповідає стехіометричному складу сполуки CdTe, і ванадій, поміщають у двозонну піч, нагрів у першій зоні проводять при температурі 1390 °С, температура другої зони дорівнює 1280 °С, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки (ванадій)...

Спосіб отримання легованих кристалів pbte:bi n-і p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 24133

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Борик Віктор Васильович, Ткачик Оксана Володимирівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: pbte:bi, отримання, спосіб, кристалів, легованих, p-типу, провідності

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Ві n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу...

Спосіб отримання легованого вісмутом pbte n- i p-типу

Завантаження...

Номер патенту: 19994

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Матеїк Галина Дмитрівна, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: легованого, спосіб, отримання, вісмутом, p-типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого вісмутом РbТе n- і р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини Рb і Те розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до...

Спосіб отримання легованого cdte:mn n-i p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 19930

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Михайльонка Руслан Ярославович, Межиловська Любов Йосипівна, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: cdte:mn, отримання, p-типу, провідності, легованого, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідні речовини кадмій і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони -1400К, температура другої зони - 1280К, який відрізняється тим, що концентрацію легуючої домішки змінюють в межах Ммn=1017-1021см-3.2. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і р-типу провідності за п. 1, який...

Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n- і p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 18232

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Михайльонка Руслан Ярославович, Дмитрів Анжела Миколаївна, Бабущак Галина Ярославівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: меркурію, отримання, монокристалів, провідності, p-типу, спосіб, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n- і р-типу, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, при цьому одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі представляє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, який відрізняється тим, що одержані...

Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 18231

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Дмитрів Анжела Миколаївна, Михайльонка Руслан Ярославович, Межиловська Любов Йосипівна, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: p-типу, спосіб, отримання, телуриду, провідності, монокристалів, меркурію

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду р-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...

Спосіб отримання легованих вісмутом плівок селеніду свинцю n- i p-типу

Завантаження...

Номер патенту: 68708

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Яцура Анна Михайлівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, вісмутом, свинцю, p-типу, спосіб, селеніду, легованих, плівок

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих вісмутом плівок селеніду свинцю n- і р-типу шляхом випаровування у вакуумі вихідної речовини при температурі ТВ, нагрівання додаткового джерела до температури ТД, стінок камери до температури ТС і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів ВаF2 до температури ТП, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують наперед синтезовані кристали PbSe, леговані вісмутом, які випаровують при ТВ=970 К,...

Спосіб отримання монокристалів cdte:cl p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 65336

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Прокопів Володимир Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Писклинець Уляна Михайлівна

МПК: C30B 33/02, C30B 31/00

Мітки: отримання, p-типу, спосіб, монокристалів, cdte:cl, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl р-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NCl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 2·102-6·103 Па,...

Спосіб отримання монокристалів телуриду кадмію n- і p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 61300

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Писклинець Уляна Михайлівна, Прокопів Володимир Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: провідності, монокристалів, спосіб, кадмію, p-типу, отримання, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів телуриду кадмію n- і p-типу провідності, що включає використання як вихідних речовин чистого кадмію і чистого телуру, які синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування кадмію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у...

Спосіб отримання монокристалів cdte:in n- і p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 61299

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Писклинець Уляна Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Прокопів Володимир Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: провідності, отримання, монокристалів, спосіб, p-типу, cdte:in

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів CdTe:In n- і р-типу провідності, що включає використання як вихідної речовини телуриду кадмію стехіометричного складу, який розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні...

Спосіб отримання кристалічного pbse n- i p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 57565

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Павлюк Любомир Ростиславович, Фреїк Андрій Дмитрович, Никируй Любомир Іванович

МПК: C30B 11/02, C30B 13/00

Мітки: провідності, p-типу, спосіб, кристалічного, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного PbSe n- і р- типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення...

Спосіб отримання кристалічного pbte n- і p-типу

Завантаження...

Номер патенту: 57564

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Яцура Анна Михайлівна, Павлюк Любомир Ростиславович, Матеїк Галина Дмитрівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович

МПК: C30B 11/02, C30B 13/00

Мітки: кристалічного, спосіб, p-типу, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного РbТе n- і р- типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до здійснення...

Спосіб отримання тонких плівок селеніду свинцю n- i p-типу

Завантаження...

Номер патенту: 53854

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Довгий Олег Ярославович, Фреїк Дмитро Дмитрович, Павлюк Любомир Ростиславович, Калитчук Іван Васильович, Никируй Любомир Іванович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, свинцю, p-типу, спосіб, селеніду, плівок, тонких

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких плівок селеніду свинцю n- і p - типу шляхом випаровування у вакуумі вихідної речовини при температурі Тв, нагрівання додаткового джерела свинцю до температури Тд, стінок камери – до температури Тс і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів ВаF2 - до температури Тп, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують попередньо синтезовані кристали PbSe, леговані талієм до 0,2 ат.%, які випаровують при...

Спосіб отримання легованих кристалів pbте n- i p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 51285

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: Бойчук Володимира Михайлівна, Павлюк Любомир Ростиславович, Фреїк Дмитро Михайлович, Нижникевич Володимир Всеволодович, Никируй Любомир Іванович

МПК: C30B 11/02

Мітки: кристалів, провідності, отримання, спосіб, легованих, p-типу, pbте

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих кристалів РbТе n- і p-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...

Спосіб отримання легованих плівок pbse n- i p-типу

Завантаження...

Номер патенту: 50176

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Андрій Дмитрович, Нижникевич Володимир Всеволодович, Довгий Олег Ярославович, Павлюк Любомир Ростиславович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, плівок, легованих, p-типу, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих плівок PbSe n- і р-типу методом випаровування у вакуумі вихідної речовини при ТВ, нагріванням додаткового джерела свинцю до ТД, стінок камери - до ТС і підкладок із свіжих сколів (111) монокристалів BaF2 - до ТП, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують наперед синтезовані кристали PbSe, леговані талієм, які випаровують при ТВ=970 К, температура додаткового джерела - ТД=900 К, температура стінок...

Спосіб створення закріплювачів стерильності п-типу на s-плазмі буряків

Завантаження...

Номер патенту: 37710

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Мельничук Юрій Вікторович, Малієнко Вадим Анатолійович, Парій Федір Микитович

МПК: A01H 1/04

Мітки: p-типу, s-плазмі, закріплювачів, створення, спосіб, стерильності, буряків

Формула / Реферат:

Спосіб створення закріплювачів стерильності П-типу на S-плазмі буряків, який включає схрещування чоловічостерильних рослин з кандидатами в закріплювачі стерильності, аналіз нащадків таких схрещувань за ступенем прояву ознаки стерильність-фертильність, добір за результатами цього аналізу закріплювачів стерильності, який відрізняється тим, що як кандидати в закріплювачі стерильності використовують функціонально фертильні рослини з стерилізуючою...