Патенти з міткою «напівпровідникового»

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з обернено пропорційною лінійною залежністю електропровідності від температури

Завантаження...

Номер патенту: 110938

Опубліковано: 25.10.2016

Автори: Козярський Дмитро Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Козярський Іван Петрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: залежністю, напівпровідникового, отримання, пропорційною, спосіб, лінійною, оберненої, електропровідності, температури, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з обернено пропорційною лінійною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, індій, сірка, вирощування твердого розчину методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що вирощування проводять у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину...

Спосіб визначення робочого перегріву кристала напівпровідникового діода

Завантаження...

Номер патенту: 110340

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Деменський Олексій Миколайович, Єрохін Сергій Юрійович, Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: визначення, діода, робочого, спосіб, кристала, перегріву, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб визначення робочого перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  крізь діод і температурах

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з від’ємним температурним коефіцієнтом електропровідності

Завантаження...

Номер патенту: 104442

Опубліковано: 25.01.2016

Автори: Козярський Дмитро Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Козярський Іван Петрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, матеріалу, напівпровідникового, отримання, електропровідності, від'ємним, температурним, коефіцієнтом

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з від'ємним температурним коефіцієнтом електропровідності, що включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, індій, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають сірку та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом...

Спосіб визначення величини перегріву кристала напівпровідникового діода

Завантаження...

Номер патенту: 102780

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович, Деменський Олексій Миколайович, Єрохін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: напівпровідникового, діода, спосіб, величини, визначення, кристала, перегріву

Формула / Реферат:

Спосіб визначення величини перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  і температурах

Пристрій для комплексних вимірів параметрів напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 101175

Опубліковано: 25.08.2015

Автор: Тюменцев Володимир Антонович

МПК: G01R 27/00, G01N 25/18

Мітки: вимірів, напівпровідникового, комплексних, пристрій, параметрів, матеріалу

Формула / Реферат:

Пристрій для комплексних вимірів параметрів напівпровідникового матеріалу, що містить гарячий і холодний зонди, які контактують із зразком, автоматичний регулятор різниці температур між зондами, на вхід якого підключений вихід вимірювача температури диференційною термопарою, робочі кінці якої встановлені в місцях контакту зонда із зразком, резистивний нагрівач гарячого зонда, механізми підйому та опускання зондів, а також переміщення їх...

Двокаскадний мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 100436

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Ярослав Олександрович, Червак Оксана Петрівна, Нікешин Юрій Ігорович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: вимірювання, мікроелектронний, напівпровідникового, опору, пристрій, шестизондовий, виходом, частотним, двокаскадний

Формула / Реферат:

Двокаскадний мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом включає ємність, котушку індуктивності, вимірювач різниці частот, джерело живлення, а також рамку - тримач, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді двох каскадів, при цьому в перший каскад введено чотири зонди, друге джерело живлення, чотири резистори, ємність та два біполярних транзистори, причому третій та...

Пристрій для вимірів електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 100080

Опубліковано: 10.07.2015

Автор: Тюменцев Володимир Антонович

МПК: G01N 13/00, G01N 27/406, G01Q 10/00 ...

Мітки: матеріалу, пристрій, напівпровідникового, електрофізичних, параметрів, вимірів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вимірювання електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу, що містить вимірювальні зонди, вимірювальну головку, важіль, пружину, механізми підйому і опускання зондів, переміщення вимірюваного зразка, переміщення вимірювальної головки щодо зразка, блоків управління і вимірювання, який відрізняється тим, що зонди жорстко кріпляться на вимірювальної головці, виконаній у вигляді плоскої металевої пластини, яка...

Двокаскадний мікроелектронний чотирьохзондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 98569

Опубліковано: 27.04.2015

Автори: Осадчук Ярослав Олександрович, Осадчук Олександр Володимирович, Червак Оксана Петрівна, Нікешин Юрій Ігорович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: чотирьохзондовий, виходом, опору, напівпровідникового, частотним, пристрій, мікроелектронний, вимірювання, двокаскадний

Формула / Реферат:

Двокаскадний мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом включає ємність, котушку індуктивності, вимірювач різниці частот, джерело живлення, а також рамку-тримач, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді двох каскадів, при цьому перший каскад містить два зонди, чотири резистори, ємність та два біполярних транзистори, третій та четвертий зонди з'єднані з першим та...

Термостійка контактна омічна система до напівпровідникового приладу з алмазу

Завантаження...

Номер патенту: 97274

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Дуб Максим Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Ральчєнко Віктор Грігорьєвіч, Конакова Раїса Василівна, Шеремет Володимир Миколайович, Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 29/40, H01L 23/48, H01L 23/52 ...

Мітки: приладу, контактна, напівпровідникового, система, термостійка, алмазу, омічна

Формула / Реферат:

1. Термостійка контактна омічна система до напівпровідникового приладу з алмазу, яка містить в собі контактний шар титану визначеної товщини, який нанесений на поверхню алмазу, бар'єрний антидифузійний шар з тугоплавкого матеріалу оптимальної товщини та контактуючий шар із золота, до якого приєднуються електричні виводи приладу, причому після термічної обробки утворюється проміжний шар карбіду титану, який забезпечує адгезію та низький...

Спосіб одержання наноструктурного термоелектричного напівпровідникового сплаву

Завантаження...

Номер патенту: 107772

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Перекос Анатолій Омелянович, Коноплюк Сергій Михайлович, Храновська Катерина Миколаївна, Надутов Володимир Михайлович, Кокорін Володимир Володимирович

МПК: C22C 9/01, C22C 1/04, C22C 9/05 ...

Мітки: наноструктурного, напівпровідникового, спосіб, одержання, термоелектричного, сплаву

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання наноструктурного термоелектричного напівпровідникового сплаву, що включає високочастотне плавлення вихідного матеріалу сплаву при температурі до 1700 °C та початковому тиску 0,1 МПа в атмосфері аргону, твердіння розплаву та одержання порошку сплаву, який відрізняється тим, що розплав твердіє до температури 20-30 °C зі швидкістю 20 °C/с з утворенням зливків сплаву, одержують порошок сплаву з середнім діаметром...

Спосіб одержання наноструктурного термоелектричного напівпровідникового сплаву

Завантаження...

Номер патенту: 92108

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Перекос Анатолій Омелянович, Храновська Катерина Миколаївна, Надутов Володимир Михайлович, Коноплюк Сергій Михайлович, Кокорін Володимир Володимирович

МПК: C22C 1/04, C22C 9/00

Мітки: термоелектричного, напівпровідникового, спосіб, наноструктурного, одержання, сплаву

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання наноструктурного термоелектричного напівпровідникового сплаву, що включає високочастотне плавлення вихідного матеріалу сплаву при температурі до 1700 °C та початковому тиску 0,1 МПа в атмосфері аргону, твердіння розплаву, отримання порошку сплаву, який відрізняється тим, що розплав твердіє до температури 20-30 °С зі швидкістю 20 °С/секунду з утворенням зливків сплаву, отримують порошок сплаву з середнім діаметром...

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з лінійною залежністю електропровідності від температури

Завантаження...

Номер патенту: 92083

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Козярський Дмитро Петрович, Майструк Едуард Васильович, Козярський Іван Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, електропровідності, спосіб, лінійною, матеріалу, залежністю, напівпровідникового, температури

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з лінійною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, селен, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають індій та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом...

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з прямопропорційною залежністю електропровідності від температури

Завантаження...

Номер патенту: 89560

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Димко Лариса Миколаївна, Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: залежністю, отримання, електропровідності, прямопропорційною, спосіб, напівпровідникового, температури, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з прямопропорційною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть та телур, вирощування методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають алюміній і марганець у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого...

Спосіб підвищення ккд напівпровідникового перетворювача сонячної енергії в електричну та напівпровідниковий перетворювач сонячної енергії в електричну

Завантаження...

Номер патенту: 104957

Опубліковано: 25.03.2014

Автори: Кашковський Володимир Ілліч, Безуглий Юрій Віталійович, Кисельов Владислав Петрович, Кисельов Юрій Владиславович

МПК: H01M 8/06, H01M 8/00

Мітки: спосіб, напівпровідниковий, ккд, напівпровідникового, сонячної, перетворювача, енергії, електричну, підвищення, перетворювач

Формула / Реферат:

1. Спосіб підвищення ККД напівпровідникового перетворювача сонячної енергії в електричну, що складається з трьох елементів у вигляді плоских напівпровідникових пластин Р-, І- і N-типу провідності (або відповідно шарів Р, І, N), який відрізняється тим, що як робочий елемент, здатний до фотоефекту, використовують пластину І-типу провідності (або шар І), який інвертують в лицьову сторону перетворювача, а пластини Р- і N-типу провідності...

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 84899

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Козярський Дмитро Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Козярський Іван Петрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: напівпровідникового, матеріалу, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, селен, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена, та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають алюміній та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину (3HgSe)1-x(Al2Se3)x:Mn.

Процес визначення теплопровідності напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 78592

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Анатичук Лук'ян Іванович, Лисько Валентин Валерійович

МПК: G01R 27/00

Мітки: напівпровідникового, теплопровідності, визначення, процес, матеріалу

Формула / Реферат:

1. Процес визначення теплопровідності напівпровідникового матеріалу, який складається з розміщення досліджуваного зразка відомих геометричних розмірів у вимірювальному термостаті, включення резистивного нагрівника для створення градієнту температури вздовж зразка, виходу вимірювальної системи в стаціонарний режим та вимірювання електричної потужності нагрівника і перепаду температур на зразку, який відрізняється тим, що під час виходу...

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору

Завантаження...

Номер патенту: 74631

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Нікешин Юрій Ігорович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: мікроелектронний, пристрій, опору, напівпровідникового, вимірювання, шестизондовий

Формула / Реферат:

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності, яка підключена до джерела живлення, який  відрізняється тим, що в нього введено шість зондів, активний індуктивний елемент, друге та третє джерело живлення, три резистори, два біполярних транзистори, до яких підключена перша та друга ємність, кожна з яких з'єднані з активним індуктивним елементом та другим джерелом живлення,...

Спосіб одержання феромагнітного напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 70598

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Боледзюк Володимир Богданович, Ковалюк Захар Дмитрович, Шевчик Віталій Васильович

МПК: C30B 29/68

Мітки: одержання, напівпровідникового, феромагнітного, спосіб, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання феромагнітного напівпровідникового матеріалу, який ґрунтується на методі електрохімічного впровадження (інтеркалювання) іонів кобальту у міжшаровий простір монокристалів шаруватого напівпровідника GaSe, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому перпендикулярно напрямку електричного струму.

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору

Завантаження...

Номер патенту: 68937

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Нікешин Юрій Ігорович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: вимірювання, мікроелектронний, опору, напівпровідникового, шестизондовий, пристрій

Формула / Реферат:

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності і ємність, яка підключена до джерела живлення, який відрізняється тим, що в нього введено шість зондів, друге та третє джерело живлення, два резистори, біполярний транзистор, який з'єднаний з котушкою індуктивності та другим джерелом живлення, та польовий транзистор, до якого підключені третій та четвертий зонди, крім того...

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору

Завантаження...

Номер патенту: 66947

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: мікроелектронний, чотиризондовий, вимірювання, пристрій, опору, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності і ємність, яка підключена до джерела живлення, який  відрізняється тим, що в нього введено чотири зонди, друге джерело живлення, два резистори, біполярний транзистор, який з'єднаний з котушкою індуктивності та другим джерелом живлення, та польовий транзистор, до якого підключені другий та третій зонди, крім того ємність...

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 60532

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Майструк Едуард Васильович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, матеріалу, напівпровідникового, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, марганець, телур та сірка, вирощування твердого розчину та виготовлення зразків матеріалу, який відрізняється тим, що вихідні компоненти готують у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину Hg1-хMnxTe1-zSez , a виготовлені зразки відпалюють у парах сірки.

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 60531

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Майструк Едуард Васильович

МПК: C30B 13/00

Мітки: напівпровідникового, отримання, спосіб, матеріалу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, марганець, телур, вирощування твердого розчину та виготовлення зразків матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають залізо у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину Hg1-х-yMnxFeyTe.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що виготовлені зразки...

Спосіб виготовлення світлодіода на основі органічного напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 58198

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Возняк Леся Юріївна, Стахіра Павло Йосипович, Готра Зенон Юрійович, Волинюк Дмитро Юрійович, Костів Наталія Володимирівна, Черпак Владислав Володимирович

МПК: H01L 33/26

Мітки: матеріалу, спосіб, органічного, виготовлення, світлодіода, основі, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення світлодіода на основі органічного напівпровідникового матеріалу, згідно з яким на підкладці з електропровідним покриттям оксиду індію наносять дірково транспортний шар, зверху наносять органічну напівпровідникову плівку трихінолінат алюмінію та поверх якої формують алюмінієвий електрод, який відрізняється тим, що дірково транспортний шар виконаний з органічного напівпровідникового матеріалу фталоціаніну нікелю.

Спосіб виготовлення фотоперетворювача на основі органічного напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 49972

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Возняк Леся Юріївна, Волинюк Дмитро Юрійович, Готра Зеновій Юрійович, Стахіра Павло Йосипович, Черпак Владислав Володимирович

МПК: H01L 31/101

Мітки: виготовлення, напівпровідникового, матеріалу, фотоперетворювача, органічного, спосіб, основі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотоперетворювача на основі органічного напівпровідникового матеріалу, згідно з яким на підкладку з електропровідним покриттям наносять органічну напівпровідникову плівку та поверх такої структури формують алюмінієвий електрод, який відрізняється тим, що між електропровідним покриттям та органічною плівкою термовакуумним напиленням наносять оптично прозору плівку йодиду міді (CuІ).

Спосіб отримання кристалічного напівпровідникового матеріалу для фотоперетворювачів на основі cdte

Завантаження...

Номер патенту: 48261

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Ілащук Марія Іванівна, Парфенюк Орест Архипович, Ульяницький Костянтин Сергійович

МПК: C30B 29/00

Мітки: кристалічного, матеріалу, основі, фотоперетворювачів, напівпровідникового, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного напівпровідникового матеріалу для фотоперетворювачів на основі CdTe, що включає підготовку вихідних компонентів Cd і Те, їх синтез та вирощування матеріалу методом кристалізації із розплаву, який відрізняється тим, що при підготовці вихідних компонентів Cd і Те до них додають компоненту Mg у кількості, необхідній для утворення під час синтезу твердого розчину Cd1-xMgxТе.2. Спосіб за п. 1, який...

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію

Завантаження...

Номер патенту: 43566

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G01K 17/00

Мітки: матеріал, розчину, селеніду, функціональних, пристроїв, твердого, галію-індію, монокристалів, напівпровідникового, оптоелектроніки, основі

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.

Спосіб виготовлення напівпровідникового теплового діода

Завантаження...

Номер патенту: 42419

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Ворощенко Андрій Тарасович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Сукач Андрій Васильович

МПК: H01L 31/102, H01L 31/18, H01L 31/00 ...

Мітки: виготовлення, напівпровідникового, діода, спосіб, теплового

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникового теплового діода, що ґрунтується на використанні сильнолегованого германію з електронним типом провідності, який відрізняється тим, що потенціальний бар'єр для електронів створюється шляхом дифузії акцепторної домішки, а інжекційний шар формується повторною дифузією донорної домішки з більш високим рівнем розчинності для конвертації типу провідності, і досягнення концентрації електронів n

Матеріал на основі напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Завантаження...

Номер патенту: 87210

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G02F 1/29

Мітки: оптоелектроніки, селеніду, твердого, функціональних, напівпровідникового, основі, пристроїв, галію-індію, розчину, матеріал

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як матеріал використовують монокристал напівпровідникового твердого розчину складу, що відповідає формулі (Ga0.2In0.8)2Se3.

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію

Завантаження...

Номер патенту: 86114

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен

МПК: G02F 1/01, H01S 3/10

Мітки: монокристалів, селеніду, основі, оптоелектроніки, напівпровідникового, твердого, розчину, функціональних, галію-індію, матеріал, пристроїв

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.1In0.9)2Sе3.

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,3in0,7)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Завантаження...

Номер патенту: 34945

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G01K 17/08

Мітки: напівпровідникового, застосування, монокристала, ga0.3in0.7)2se3, твердого, функціональних, пристроїв, матеріалу, галію-індію, оптоелектроніки, селеніду, розчину

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,3Іn0,7)2Sе3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,2in0,8)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Завантаження...

Номер патенту: 30108

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G01K 17/00

Мітки: розчину, монокристала, галію-індію, функціональних, застосування, пристроїв, напівпровідникового, матеріалу, селеніду, ga0,2in0,8)2se3, оптоелектроніки, твердого

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію  як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga 0,1 in 0,9)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Завантаження...

Номер патенту: 26301

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен

МПК: G01K 17/08

Мітки: пристроїв, селеніду, застосування, функціональних, 0,9)2se3, твердого, галію-індію, розчину, матеріалу, монокристала, оптоелектроніки, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію - індію (Ga0.1In0.9)2Se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Спосіб виготовлення напівпровідникового газового датчика, чутливого до сірководню

Завантаження...

Номер патенту: 25783

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Євтух Анатолій Антонович, Солнцев В'ячеслав Сергійович, Горбанюк Тетяна Іванівна, Литовченко Володимир Григорович

МПК: G01N 27/12, G01N 27/22

Мітки: сірководню, газового, виготовлення, датчика, чутливого, напівпровідникового, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникового газового датчика, чутливого до сірководню, що включає отримання на монокристалічній пластині кремнію р-типу методом електрохімічного травлення шару пористого кремнію, його окиснення та осадження на поверхню паладієвої плівки, а також нанесення металічних контактів на плівку паладію та пластину кремнію, який відрізняється тим, що окиснення шару пористого кремнію проводять шляхом термічного окиснення при...

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,4in0,6)2se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 25754

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Феделеш Василь Іванович

МПК: G01K 17/08

Мітки: розчину, селеніду, ga0,4in0,6)2se3, застосування, акустооптичного, твердого, модулятора, напівпровідникового, матеріалу, лазерного, випромінювання, галію-індію, монокристала

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,4Іn0,6)2Se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання.

Пристрій для охолодження та термостабілізації напівпровідникового приладу

Завантаження...

Номер патенту: 22867

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Бобженко Сергій Володимирович, Воронько Андрій Олександрович, Пономаренко Анатолій Олександрович

МПК: H01L 23/34, H01S 5/00

Мітки: охолодження, напівпровідникового, приладу, термостабілізації, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для охолодження та термостабілізації напівпровідникового приладу, що містить теплову трубу, камера випаровування якої знаходиться у тепловому контакті з напівпровідниковим кристалом, який відрізняється тим, що зона теплового контакту теплової труби з кристалом обмежена контактною площадкою напівпровідникового кристала, розташованою у зоні найбільшого тепловиділення.2. Пристрій для охолодження та термостабілізації...

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0.3in0.7)2se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 77305

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Феделеш Василь Іванович, Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G02F 1/01, H01S 3/10

Мітки: матеріалу, напівпровідникового, монокристала, застосування, галію-індію, акустооптичного, ga0.3in0.7)2se3, селеніду, твердого, випромінювання, модулятора, розчину, лазерного

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.3In0.7)2Sе3 як матеріалу для акустооптичного модулятора оптичного випромінювання.

Прилад для захисту і контролю стану напівпровідникового перетворювача

Завантаження...

Номер патенту: 76470

Опубліковано: 15.08.2006

Автор: Поповкін Юрій Матвійович

МПК: H02H 7/10

Мітки: прилад, перетворювача, захисту, стану, контролю, напівпровідникового

Формула / Реферат:

1. Прилад для захисту та контролю напівпровідникового перетворювача, який має m плечей та n вентилів у кожному плечі, кожен вентиль з'єднаний з відповідним формувачем імпульсів, комутатор сигналів, який містить генератор імпульсів, схему НІ, схему І, один вхід якого з'єднаний з генератором, а другий - зі схемою НІ, лічильник, вхід якого з'єднаний зі схемою І, а вихід - з виходом першого дешифратора, вихід дешифратора з'єднаний з комутатором,...

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку

Завантаження...

Номер патенту: 15651

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Богатирьова Ірина Вікторівна, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Сілін Віталій Іванович

МПК: C30B 29/48

Мітки: одержання, спосіб, цинку, напівпровідникового, халькогенідів, сцинтиляційного, матеріалу, основі

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку, що містить активуючу домішку кисню, що включає попередню термообробку сировини, вирощування кристалів з розплаву в атмосфері інертного газу, наступну термообробку отриманих кристалів у парах власних компонентів, який відрізняється тим, що попередньо до шихти додають Аl2О3 у концентрації 10-3-10-1мол. %.

Спосіб нанесення металічних контактів на фотоприймач з напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 14375

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Маслов Володимир Петрович, Коломзаров Юрій Вікторович

МПК: H01L 25/00, H01L 21/00, H01L 27/15 ...

Мітки: металічних, матеріалу, спосіб, напівпровідникового, нанесення, контактів, фотоприймач

Формула / Реферат:

Спосіб нанесення металічних контактів на фотоприймач з напівпровідникового матеріалу, що включає нанесення на поверхню фотоприймача двох металічних шарів, один з яких виконаний з нікелю, який відрізняється тим, що обидва шари металів наносять методом вакуумного випаровування при температурі підкладки 130-170 °С, причому перший шар виконують з адгезійно активного металу – титану, товщиною 30-70 нм, а другий шар виконують з нікелю,...