Патенти з міткою «напівпровідникового»

Спосіб визначення перегріву кристала напівпровідникового діода

Завантаження...

Номер патенту: 122011

Опубліковано: 26.12.2017

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Деменський Олексій Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: кристала, перегріву, діода, визначення, напівпровідникового, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання прямої вольт-амперної характеристики діода  при заданій температурі експлуатації  і перебудову її у...

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 116034

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Майструк Едуард Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: напівпровідникового, отримання, матеріалу, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять індій та телур, синтез напівпровідникового матеріалу, вирощування кристалів з нього методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів вводять кадмій, у співвідношенні, яке визначають стехіометричним складом напівпровідникового матеріалу Cd3In2Те6,...

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з обернено пропорційною лінійною залежністю електропровідності від температури

Завантаження...

Номер патенту: 110938

Опубліковано: 25.10.2016

Автори: Козярський Дмитро Петрович, Козярський Іван Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: пропорційною, спосіб, залежністю, матеріалу, отримання, електропровідності, оберненої, температури, напівпровідникового, лінійною

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з обернено пропорційною лінійною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, індій, сірка, вирощування твердого розчину методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що вирощування проводять у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину...

Спосіб визначення робочого перегріву кристала напівпровідникового діода

Завантаження...

Номер патенту: 110340

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Деменський Олексій Миколайович, Єрохін Сергій Юрійович, Лебедь Олег Миколайович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: напівпровідникового, робочого, перегріву, кристала, визначення, діода, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення робочого перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  крізь діод і температурах

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з від’ємним температурним коефіцієнтом електропровідності

Завантаження...

Номер патенту: 104442

Опубліковано: 25.01.2016

Автори: Козярський Іван Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Козярський Дмитро Петрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, спосіб, від'ємним, електропровідності, температурним, коефіцієнтом, матеріалу, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з від'ємним температурним коефіцієнтом електропровідності, що включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, індій, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають сірку та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом...

Спосіб визначення величини перегріву кристала напівпровідникового діода

Завантаження...

Номер патенту: 102780

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Деменський Олексій Миколайович, Лебедь Олег Миколайович, Єрохін Сергій Юрійович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: спосіб, величини, визначення, напівпровідникового, перегріву, діода, кристала

Формула / Реферат:

Спосіб визначення величини перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  і температурах

Пристрій для комплексних вимірів параметрів напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 101175

Опубліковано: 25.08.2015

Автор: Тюменцев Володимир Антонович

МПК: G01R 27/00, G01N 25/18

Мітки: комплексних, пристрій, матеріалу, вимірів, параметрів, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Пристрій для комплексних вимірів параметрів напівпровідникового матеріалу, що містить гарячий і холодний зонди, які контактують із зразком, автоматичний регулятор різниці температур між зондами, на вхід якого підключений вихід вимірювача температури диференційною термопарою, робочі кінці якої встановлені в місцях контакту зонда із зразком, резистивний нагрівач гарячого зонда, механізми підйому та опускання зондів, а також переміщення їх...

Двокаскадний мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 100436

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Ярослав Олександрович, Червак Оксана Петрівна

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: двокаскадний, напівпровідникового, вимірювання, частотним, мікроелектронний, опору, пристрій, виходом, шестизондовий

Формула / Реферат:

Двокаскадний мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом включає ємність, котушку індуктивності, вимірювач різниці частот, джерело живлення, а також рамку - тримач, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді двох каскадів, при цьому в перший каскад введено чотири зонди, друге джерело живлення, чотири резистори, ємність та два біполярних транзистори, причому третій та...

Пристрій для вимірів електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 100080

Опубліковано: 10.07.2015

Автор: Тюменцев Володимир Антонович

МПК: G01N 13/00, G01N 27/406, G01Q 10/00 ...

Мітки: параметрів, вимірів, напівпровідникового, пристрій, електрофізичних, матеріалу

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вимірювання електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу, що містить вимірювальні зонди, вимірювальну головку, важіль, пружину, механізми підйому і опускання зондів, переміщення вимірюваного зразка, переміщення вимірювальної головки щодо зразка, блоків управління і вимірювання, який відрізняється тим, що зонди жорстко кріпляться на вимірювальної головці, виконаній у вигляді плоскої металевої пластини, яка...

Двокаскадний мікроелектронний чотирьохзондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 98569

Опубліковано: 27.04.2015

Автори: Осадчук Ярослав Олександрович, Осадчук Олександр Володимирович, Червак Оксана Петрівна, Нікешин Юрій Ігорович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: мікроелектронний, частотним, двокаскадний, чотирьохзондовий, напівпровідникового, пристрій, виходом, вимірювання, опору

Формула / Реферат:

Двокаскадний мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом включає ємність, котушку індуктивності, вимірювач різниці частот, джерело живлення, а також рамку-тримач, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді двох каскадів, при цьому перший каскад містить два зонди, чотири резистори, ємність та два біполярних транзистори, третій та четвертий зонди з'єднані з першим та...

Термостійка контактна омічна система до напівпровідникового приладу з алмазу

Завантаження...

Номер патенту: 97274

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович, Дуб Максим Миколайович, Конакова Раїса Василівна, Ральчєнко Віктор Грігорьєвіч, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 23/48, H01L 23/52, H01L 29/40 ...

Мітки: алмазу, система, омічна, напівпровідникового, приладу, контактна, термостійка

Формула / Реферат:

1. Термостійка контактна омічна система до напівпровідникового приладу з алмазу, яка містить в собі контактний шар титану визначеної товщини, який нанесений на поверхню алмазу, бар'єрний антидифузійний шар з тугоплавкого матеріалу оптимальної товщини та контактуючий шар із золота, до якого приєднуються електричні виводи приладу, причому після термічної обробки утворюється проміжний шар карбіду титану, який забезпечує адгезію та низький...

Спосіб одержання наноструктурного термоелектричного напівпровідникового сплаву

Завантаження...

Номер патенту: 107772

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Надутов Володимир Михайлович, Коноплюк Сергій Михайлович, Перекос Анатолій Омелянович, Кокорін Володимир Володимирович, Храновська Катерина Миколаївна

МПК: C22C 9/01, C22C 9/05, C22C 1/04 ...

Мітки: наноструктурного, одержання, сплаву, напівпровідникового, термоелектричного, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання наноструктурного термоелектричного напівпровідникового сплаву, що включає високочастотне плавлення вихідного матеріалу сплаву при температурі до 1700 °C та початковому тиску 0,1 МПа в атмосфері аргону, твердіння розплаву та одержання порошку сплаву, який відрізняється тим, що розплав твердіє до температури 20-30 °C зі швидкістю 20 °C/с з утворенням зливків сплаву, одержують порошок сплаву з середнім діаметром...

Спосіб одержання наноструктурного термоелектричного напівпровідникового сплаву

Завантаження...

Номер патенту: 92108

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Кокорін Володимир Володимирович, Коноплюк Сергій Михайлович, Перекос Анатолій Омелянович, Храновська Катерина Миколаївна, Надутов Володимир Михайлович

МПК: C22C 9/00, C22C 1/04

Мітки: одержання, сплаву, спосіб, термоелектричного, наноструктурного, напівпровідникового

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання наноструктурного термоелектричного напівпровідникового сплаву, що включає високочастотне плавлення вихідного матеріалу сплаву при температурі до 1700 °C та початковому тиску 0,1 МПа в атмосфері аргону, твердіння розплаву, отримання порошку сплаву, який відрізняється тим, що розплав твердіє до температури 20-30 °С зі швидкістю 20 °С/секунду з утворенням зливків сплаву, отримують порошок сплаву з середнім діаметром...

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з лінійною залежністю електропровідності від температури

Завантаження...

Номер патенту: 92083

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Майструк Едуард Васильович, Козярський Дмитро Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Козярський Іван Петрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: залежністю, температури, матеріалу, лінійною, напівпровідникового, отримання, електропровідності, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з лінійною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, селен, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають індій та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом...

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з прямопропорційною залежністю електропровідності від температури

Завантаження...

Номер патенту: 89560

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Димко Лариса Миколаївна, Майструк Едуард Васильович

МПК: C30B 13/00

Мітки: прямопропорційною, електропровідності, спосіб, напівпровідникового, температури, матеріалу, залежністю, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з прямопропорційною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть та телур, вирощування методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають алюміній і марганець у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого...

Спосіб підвищення ккд напівпровідникового перетворювача сонячної енергії в електричну та напівпровідниковий перетворювач сонячної енергії в електричну

Завантаження...

Номер патенту: 104957

Опубліковано: 25.03.2014

Автори: Безуглий Юрій Віталійович, Кисельов Владислав Петрович, Кисельов Юрій Владиславович, Кашковський Володимир Ілліч

МПК: H01M 8/06, H01M 8/00

Мітки: електричну, енергії, перетворювач, спосіб, сонячної, перетворювача, напівпровідниковий, напівпровідникового, підвищення, ккд

Формула / Реферат:

1. Спосіб підвищення ККД напівпровідникового перетворювача сонячної енергії в електричну, що складається з трьох елементів у вигляді плоских напівпровідникових пластин Р-, І- і N-типу провідності (або відповідно шарів Р, І, N), який відрізняється тим, що як робочий елемент, здатний до фотоефекту, використовують пластину І-типу провідності (або шар І), який інвертують в лицьову сторону перетворювача, а пластини Р- і N-типу провідності...

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 84899

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Козярський Іван Петрович, Козярський Дмитро Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: матеріалу, напівпровідникового, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, селен, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена, та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають алюміній та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину (3HgSe)1-x(Al2Se3)x:Mn.

Процес визначення теплопровідності напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 78592

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Анатичук Лук'ян Іванович, Лисько Валентин Валерійович

МПК: G01R 27/00

Мітки: матеріалу, визначення, процес, теплопровідності, напівпровідникового

Формула / Реферат:

1. Процес визначення теплопровідності напівпровідникового матеріалу, який складається з розміщення досліджуваного зразка відомих геометричних розмірів у вимірювальному термостаті, включення резистивного нагрівника для створення градієнту температури вздовж зразка, виходу вимірювальної системи в стаціонарний режим та вимірювання електричної потужності нагрівника і перепаду температур на зразку, який відрізняється тим, що під час виходу...

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору

Завантаження...

Номер патенту: 74631

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Нікешин Юрій Ігорович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: мікроелектронний, опору, напівпровідникового, пристрій, шестизондовий, вимірювання

Формула / Реферат:

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності, яка підключена до джерела живлення, який  відрізняється тим, що в нього введено шість зондів, активний індуктивний елемент, друге та третє джерело живлення, три резистори, два біполярних транзистори, до яких підключена перша та друга ємність, кожна з яких з'єднані з активним індуктивним елементом та другим джерелом живлення,...

Спосіб одержання феромагнітного напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 70598

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Шевчик Віталій Васильович, Боледзюк Володимир Богданович

МПК: C30B 29/68

Мітки: матеріалу, напівпровідникового, одержання, спосіб, феромагнітного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання феромагнітного напівпровідникового матеріалу, який ґрунтується на методі електрохімічного впровадження (інтеркалювання) іонів кобальту у міжшаровий простір монокристалів шаруватого напівпровідника GaSe, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому перпендикулярно напрямку електричного струму.

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору

Завантаження...

Номер патенту: 68937

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Нікешин Юрій Ігорович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: шестизондовий, пристрій, вимірювання, напівпровідникового, мікроелектронний, опору

Формула / Реферат:

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності і ємність, яка підключена до джерела живлення, який відрізняється тим, що в нього введено шість зондів, друге та третє джерело живлення, два резистори, біполярний транзистор, який з'єднаний з котушкою індуктивності та другим джерелом живлення, та польовий транзистор, до якого підключені третій та четвертий зонди, крім того...

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору

Завантаження...

Номер патенту: 66947

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: вимірювання, опору, мікроелектронний, напівпровідникового, чотиризондовий, пристрій

Формула / Реферат:

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності і ємність, яка підключена до джерела живлення, який  відрізняється тим, що в нього введено чотири зонди, друге джерело живлення, два резистори, біполярний транзистор, який з'єднаний з котушкою індуктивності та другим джерелом живлення, та польовий транзистор, до якого підключені другий та третій зонди, крім того ємність...

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 60532

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Майструк Едуард Васильович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, спосіб, напівпровідникового, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, марганець, телур та сірка, вирощування твердого розчину та виготовлення зразків матеріалу, який відрізняється тим, що вихідні компоненти готують у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину Hg1-хMnxTe1-zSez , a виготовлені зразки відпалюють у парах сірки.

Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 60531

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Майструк Едуард Васильович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, матеріалу, напівпровідникового, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, марганець, телур, вирощування твердого розчину та виготовлення зразків матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають залізо у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину Hg1-х-yMnxFeyTe.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що виготовлені зразки...

Спосіб виготовлення світлодіода на основі органічного напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 58198

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Готра Зенон Юрійович, Костів Наталія Володимирівна, Черпак Владислав Володимирович, Стахіра Павло Йосипович, Волинюк Дмитро Юрійович, Возняк Леся Юріївна

МПК: H01L 33/26

Мітки: світлодіода, основі, спосіб, органічного, напівпровідникового, виготовлення, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення світлодіода на основі органічного напівпровідникового матеріалу, згідно з яким на підкладці з електропровідним покриттям оксиду індію наносять дірково транспортний шар, зверху наносять органічну напівпровідникову плівку трихінолінат алюмінію та поверх якої формують алюмінієвий електрод, який відрізняється тим, що дірково транспортний шар виконаний з органічного напівпровідникового матеріалу фталоціаніну нікелю.

Спосіб виготовлення фотоперетворювача на основі органічного напівпровідникового матеріалу

Завантаження...

Номер патенту: 49972

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Возняк Леся Юріївна, Черпак Владислав Володимирович, Волинюк Дмитро Юрійович, Стахіра Павло Йосипович, Готра Зеновій Юрійович

МПК: H01L 31/101

Мітки: спосіб, фотоперетворювача, основі, виготовлення, органічного, матеріалу, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотоперетворювача на основі органічного напівпровідникового матеріалу, згідно з яким на підкладку з електропровідним покриттям наносять органічну напівпровідникову плівку та поверх такої структури формують алюмінієвий електрод, який відрізняється тим, що між електропровідним покриттям та органічною плівкою термовакуумним напиленням наносять оптично прозору плівку йодиду міді (CuІ).

Спосіб отримання кристалічного напівпровідникового матеріалу для фотоперетворювачів на основі cdte

Завантаження...

Номер патенту: 48261

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Ілащук Марія Іванівна, Ульяницький Костянтин Сергійович, Парфенюк Орест Архипович

МПК: C30B 29/00

Мітки: спосіб, основі, напівпровідникового, кристалічного, матеріалу, фотоперетворювачів, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного напівпровідникового матеріалу для фотоперетворювачів на основі CdTe, що включає підготовку вихідних компонентів Cd і Те, їх синтез та вирощування матеріалу методом кристалізації із розплаву, який відрізняється тим, що при підготовці вихідних компонентів Cd і Те до них додають компоненту Mg у кількості, необхідній для утворення під час синтезу твердого розчину Cd1-xMgxТе.2. Спосіб за п. 1, який...

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію

Завантаження...

Номер патенту: 43566

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/00

Мітки: твердого, пристроїв, матеріал, галію-індію, монокристалів, оптоелектроніки, розчину, функціональних, основі, селеніду, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.

Спосіб виготовлення напівпровідникового теплового діода

Завантаження...

Номер патенту: 42419

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Сукач Андрій Васильович, Ворощенко Андрій Тарасович, Тетьоркін Володимир Володимирович

МПК: H01L 31/102, H01L 31/00, H01L 31/18 ...

Мітки: напівпровідникового, виготовлення, теплового, діода, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникового теплового діода, що ґрунтується на використанні сильнолегованого германію з електронним типом провідності, який відрізняється тим, що потенціальний бар'єр для електронів створюється шляхом дифузії акцепторної домішки, а інжекційний шар формується повторною дифузією донорної домішки з більш високим рівнем розчинності для конвертації типу провідності, і досягнення концентрації електронів n

Матеріал на основі напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Завантаження...

Номер патенту: 87210

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G02F 1/29

Мітки: галію-індію, селеніду, основі, функціональних, напівпровідникового, пристроїв, твердого, оптоелектроніки, матеріал, розчину

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як матеріал використовують монокристал напівпровідникового твердого розчину складу, що відповідає формулі (Ga0.2In0.8)2Se3.

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію

Завантаження...

Номер патенту: 86114

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: H01S 3/10, G02F 1/01

Мітки: оптоелектроніки, розчину, твердого, функціональних, матеріал, галію-індію, напівпровідникового, монокристалів, основі, пристроїв, селеніду

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.1In0.9)2Sе3.

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,3in0,7)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Завантаження...

Номер патенту: 34945

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен

МПК: G01K 17/08

Мітки: пристроїв, застосування, матеріалу, розчину, напівпровідникового, твердого, функціональних, галію-індію, ga0.3in0.7)2se3, монокристала, селеніду, оптоелектроніки

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,3Іn0,7)2Sе3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,2in0,8)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Завантаження...

Номер патенту: 30108

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G01K 17/00

Мітки: твердого, селеніду, напівпровідникового, ga0,2in0,8)2se3, застосування, галію-індію, розчину, функціональних, матеріалу, монокристала, пристроїв, оптоелектроніки

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію  як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga 0,1 in 0,9)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Завантаження...

Номер патенту: 26301

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен

МПК: G01K 17/08

Мітки: оптоелектроніки, розчину, твердого, застосування, пристроїв, функціональних, матеріалу, монокристала, галію-індію, селеніду, напівпровідникового, 0,9)2se3

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію - індію (Ga0.1In0.9)2Se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Спосіб виготовлення напівпровідникового газового датчика, чутливого до сірководню

Завантаження...

Номер патенту: 25783

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Литовченко Володимир Григорович, Солнцев В'ячеслав Сергійович, Євтух Анатолій Антонович, Горбанюк Тетяна Іванівна

МПК: G01N 27/22, G01N 27/12

Мітки: сірководню, чутливого, газового, напівпровідникового, виготовлення, спосіб, датчика

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникового газового датчика, чутливого до сірководню, що включає отримання на монокристалічній пластині кремнію р-типу методом електрохімічного травлення шару пористого кремнію, його окиснення та осадження на поверхню паладієвої плівки, а також нанесення металічних контактів на плівку паладію та пластину кремнію, який відрізняється тим, що окиснення шару пористого кремнію проводять шляхом термічного окиснення при...

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,4in0,6)2se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 25754

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Феделеш Василь Іванович, Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/08

Мітки: акустооптичного, селеніду, розчину, монокристала, лазерного, застосування, галію-індію, модулятора, ga0,4in0,6)2se3, твердого, напівпровідникового, матеріалу, випромінювання

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,4Іn0,6)2Se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання.

Пристрій для охолодження та термостабілізації напівпровідникового приладу

Завантаження...

Номер патенту: 22867

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Пономаренко Анатолій Олександрович, Бобженко Сергій Володимирович, Воронько Андрій Олександрович

МПК: H01S 5/00, H01L 23/34

Мітки: термостабілізації, напівпровідникового, охолодження, пристрій, приладу

Формула / Реферат:

1. Пристрій для охолодження та термостабілізації напівпровідникового приладу, що містить теплову трубу, камера випаровування якої знаходиться у тепловому контакті з напівпровідниковим кристалом, який відрізняється тим, що зона теплового контакту теплової труби з кристалом обмежена контактною площадкою напівпровідникового кристала, розташованою у зоні найбільшого тепловиділення.2. Пристрій для охолодження та термостабілізації...

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0.3in0.7)2se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 77305

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Феделеш Василь Іванович, Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен

МПК: H01S 3/10, G02F 1/01

Мітки: застосування, селеніду, розчину, напівпровідникового, лазерного, акустооптичного, випромінювання, матеріалу, монокристала, твердого, галію-індію, ga0.3in0.7)2se3, модулятора

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.3In0.7)2Sе3 як матеріалу для акустооптичного модулятора оптичного випромінювання.

Прилад для захисту і контролю стану напівпровідникового перетворювача

Завантаження...

Номер патенту: 76470

Опубліковано: 15.08.2006

Автор: Поповкін Юрій Матвійович

МПК: H02H 7/10

Мітки: перетворювача, напівпровідникового, контролю, захисту, стану, прилад

Формула / Реферат:

1. Прилад для захисту та контролю напівпровідникового перетворювача, який має m плечей та n вентилів у кожному плечі, кожен вентиль з'єднаний з відповідним формувачем імпульсів, комутатор сигналів, який містить генератор імпульсів, схему НІ, схему І, один вхід якого з'єднаний з генератором, а другий - зі схемою НІ, лічильник, вхід якого з'єднаний зі схемою І, а вихід - з виходом першого дешифратора, вихід дешифратора з'єднаний з комутатором,...