Патенти з міткою «напівпровідникових»

Номер патенту: 120756

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Бодюл Георгій Ілліч, Махній Віктор Петрович, Сльотов Олексій Михайлович

МПК: H01L 21/66

Мітки: ширини, спосіб, напівпровідникових, зони, забороненої, матеріалів, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони , що включає вимірювання при сталій температурі спектрів оптичного пропускання  не менше як трьох зразків різної товщини  конкретного напівпровідника, знаходження для кожного з них ширини...

Номер патенту: 118064

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Боледзюк Володимир Богданович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: C30B 29/68

Мітки: кристалів, спосіб, феромагнітними, bi2te3, основі, одержання, шаруватих, матеріалів, властивостями, напівпровідникових, кімнатний, bi2se3, температури

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, що базується на методі електрохімічного інтеркалювання іонів кобальту Со2+ у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників Bi2Se3, Ві2Те3, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому паралельно базовій площині кристалу та...

Номер патенту: 113046

Опубліковано: 12.12.2016

Автори: Бероуз Френк Дж., Семьюел Джаякумар Пон, Йо Керм Й., Самбоджу Нарасімха Чарі, Веб Стивен Р.

МПК: C12N 15/87, C12N 15/82, B82B 3/00 ...

Мітки: кислоти, лінійної, пегильованих, молекули, спосіб, клітинну, напівпровідникових, рослини, має, стінку, введення, застосуванням, наночастинок, клітину, нуклеїнової, яка

Формула / Реферат:

1. Спосіб введення лінійної молекули нуклеїнової кислоти, яка представляє інтерес, в клітину рослини, яка має клітинну стінку, за яким:надають клітину рослини, яка має клітинну стінку;покривають наночастинку на основі позитивно зарядженого напівпровідника поліетиленгліколем;покривають наночастинку на основі позитивно зарядженого напівпровідника лінійною молекулою нуклеїнової кислоти, яка представляє...

Номер патенту: 108138

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: зони, визначення, спосіб, напівпровідникових, матеріалів, забороненої, ширини

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони  напівпровідникових матеріалів, що включає вимірювання при сталій температурі спектрів оптичного пропускання зразків певної товщини , їх трансформацію у спектри поглинання  та визначення

Номер патенту: 111753

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Ранкулі Гілберт, Дюбуа Лоран, Мартен Крістіан

МПК: C30B 28/06, C30B 11/00, C30B 11/14 ...

Мітки: кристалічних, заготовок, напівпровідникових, кристалізатор, спосіб, виготовлення, виробництва

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок, що включає внутрішній об'єм, який обмежується дном (1а), верхня поверхня якого включає плоску частину, яка утворює першу горизонтальну площину (Н), та периферійними боковими стінками (1b), кожна з яких має внутрішню поверхню, яка включає по суті вертикальну плоску частину, яка утворює по суті вертикальну площину (V), перпендикулярну першій горизонтальній площині...

Номер патенту: 106400

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Цибуленко Юрій Михайлович, Ковалюк Захар Дмитрович, Боледзюк Володимир Богданович

МПК: C30B 29/68

Мітки: основі, отримання, inse, феромагнітними, шаруватих, in2se3, властивостями, напівпровідникових, кристалів, матеріалів, спосіб, нанокомпозитних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, ґрунтується на методі електрохімічного впровадження (інтеркалювання) іонів кобальту у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників InSeб In2Se3, InTe, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в градієнтному магнітному полі, направленому...

Номер патенту: 104132

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович, Деменський Олексій Миколайович, Лебедь Олег Миколайович, Єрохін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: нерівноважних, носіїв, діодах, визначення, напівпровідникових, життя, часу, заряду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах, що включає вимірювання при заданій температурі прямої вольт-амперної характеристики діода й знаходження шуканого значення часу життя нерівноважних носіїв заряду, який відрізняться тим, що для визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду, що рекомбінують переважно в області просторового заряду активних переходів напівпровідникових діодів, додатково, при...

Номер патенту: 103983

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Курик Андрій Онуфрійович, Капуш Ольга Анатоліївна, Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Зінаїда Федорівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Тріщук Любомир Іванович, Томашик Василь Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Борук Сергій Дмитрович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: C01G 1/02, C01G 11/00, C01B 19/04 ...

Мітки: нанокристалів, підгрупи, синтезу, пристрій, металів, цинку, напівпровідникових, телуридів

Формула / Реферат:

Пристрій для синтезу напівпровідникових нанокристалів телуридів металів підгрупи цинку, який складається з тригорлого ізотермічного гетерогенного реактора напівперіодичної дії для низькотемпературних некаталітичних процесів, оснащеного електромагнітною мішалкою, термометром та патрубком для вихлопних газів, який відрізняється тим, що до патрубка для вихлопних газів пристрою додатково приєднано рідинний нейтралізатор, що виконаний із скляного...

Номер патенту: 103551

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Кудрик Ярослав Ярославович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Насиров Махсуд Уалієвич, Коростинська Тамара Василівна, Конакова Раїса Василівна, Виноградов Анатолій Олегович

МПК: H01L 29/47

Мітки: спосіб, бар'єрних, а3в5, контактів, виготовлення, напівпровідникових, з'єднань, типу

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення бар'єрних контактів до напівпровідникових з'єднань типу А3В5, що включає очищення поверхні підкладки напівпровідникового з'єднання типу А3В5, магнетронне напилювання контактоутворюючого та зовнішнього контактного шарів і швидкий термічний відпал при температурі 450¸550 °C, який відрізняється тим, що для створення контактоутворюючого шару здійснюють магнетронне напилювання квазіаморфної плівки ТіВх товщиною...

Номер патенту: 102378

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Дідик Роман Іванович, Кушлик Маркіян Олегович, Павлик Богдан Васильович, Слободзян Дмитро Петрович, Лис Роман Мирославович, Шикоряк Йосип Андрійович, Грипа Андрій Сергійович

МПК: H01L 21/02

Мітки: обробки, спосіб, матеріалів, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб обробки напівпровідникових матеріалів, за яким напівпровідники опромінюють електромагнітним полем, який відрізняється тим, що для опромінення використовують Х-промені.

Номер патенту: 97318

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Межиловська Любов Йосипівна, Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: провідності, напівпровідникових, snte:bi, термоелектричною, тонкоплівкових, покращеною, потужністю, спосіб, структур, отримання, p-типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур SnTe:Bi р-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на ситалові підкладки при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnТе:Ві із вмістом Ві 0,3...

Номер патенту: 97317

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Маковишин Володимир Ігорович, Костюк Оксана Богданівна

МПК: B82B 3/00

Мітки: спосіб, ситалових, напівпровідникових, p-snte:bi, структур, підкладках, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур p-SnTe:Bi на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують ситалові підкладки при температурі випарника Тв і температурі осадження Тп, який відрізняється тим, що температура випаровування Тв=(870±10) К, а температура осадження Тп=(470±10) К.2. Спосіб за п. 1...

Номер патенту: 95506

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Данилюк Ірина Вікторівна, Панкевич Володимир Зіновійович, Галян Володимир Володимирович, Іващенко Інна Алімівна, Олексеюк Іван Дмитрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, одержання, монокристалів, халькогінідних, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів, що включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала...

Номер патенту: 95429

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Швець Євген Якович, Юдачов Андрій Валерійович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: приладів, напівпровідникових, кристала, контролю, температури, пристрій, силових

Формула / Реферат:

Пристрій контролю температури кристала силових напівпровідникових приладів, що містить комірки напівпровідникового датчика температури, який відрізняється тим, що комірки розташовані безпосередньо на кристалі силового напівпровідникового приладу.

Номер патенту: 88901

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Сокуренко Вячеслав Михайлович, Сокуренко Олег Михайлович, Приходько Андрій Миколайович

МПК: G02B 11/00, G02B 9/00

Мітки: об'єктів, колімації, випромінювання, лазерів, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Об'єктив для колімації випромінювання напівпровідникових лазерів, що містить чотири компоненти, при цьому перший компонент виконано як двовипуклу лінзу, другий компонент виконано як негативний меніск, обернений увігнутістю до предмета, третій компонент виконано позитивною лінзою, четвертий компонент виконано як позитивний меніск, обернений увігнутістю до площини зображення, який відрізняється тим, що третій компонент виконано як двовипуклу...

Номер патенту: 86829

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Дідик Роман Іванович, Слободзян Дмитро Петрович, Лис Роман Мирославович, Павлик Богдан Васильович, Кушлик Маркіян Олегович, Шикоряк Йосип Андрійович, Грипа Андрій Сергійович

МПК: G01N 3/08, H01L 21/322

Мітки: матеріалів, пристрій, пластичної, деформації, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів, що містить несучу трубу, з розміщеними елементами кріплення і фіксації дослідного зразка, та приєднаним навантажувачем, який відрізняється тим, що частина несучої труби з елементами кріплення дослідного зразка розміщена у місці з відсутнім температурним градієнтом трубчатої печі.

Номер патенту: 85543

Опубліковано: 25.11.2013

Автор: Літвінов Андрій Георгійович

МПК: G09F 19/18, G09F 19/00, G09F 19/12 ...

Мітки: діодним, пізнавальної, подання, спосіб, накачуванням, рекламної, допомогою, лазерів, візуальної, інформації, напівпровідникових, твердотільних

Формула / Реферат:

1. Спосіб подання візуальної рекламної або пізнавальної інформації за допомогою напівпровідникових лазерів та твердотільних лазерів з діодним накачуванням, який відрізняється тим, що проекція букв, цифр, логотипів, знаків здійснюється пристроєм, в конструкції якого використовуються твердотільні лазери з діодним (напівпровідниковим) накачуванням, що випромінюють в зеленій області видимого спектра (501-561 нм), та/або лазери з діодним...

Номер патенту: 84570

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Дідик Роман Іванович, Павлик Богдан Васильович, Слободзян Дмитро Петрович, Лис Роман Мирославович, Шикоряк Йосип Андрійович, Кушлик Маркіян Олегович, Грипа Андрій Сергійович

МПК: G01R 1/00

Мітки: зондовий, електрофізичних, характеристик, напівпровідникових, температурах, структур, пристрій, вимірювання, різних

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах, що містить підпружинені зонди для підведення до дослідного зразка випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, фторопластова пластина, встановлена у направляючі штифти Г-подібної мідної пластини і...

Номер патенту: 84497

Опубліковано: 25.10.2013

Автор: Яворський Ярослав Святославович

МПК: B82B 3/00

Мітки: структур, термоелектричною, отримання, спосіб, потужністю, n-pbte:bi, напівпровідникових, покращеною

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур n-РbТе:Ві із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв=(970±10)К, на підкладку ситалу при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві з вмістом легуючої домішки 0,05...

Номер патенту: 83599

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Кисельов Юрій Владиславович, Кисельов Владислав Петрович, Кашковський Володимир Ілліч, Безуглий Юрій Віталійович

МПК: H01M 8/06, H01M 8/00

Мітки: спосіб, корисної, коефіцієнта, підвищення, перетворювачів, напівпровідникових, сонячної, електричну, дії, ккд, енергії

Формула / Реферат:

1. Спосіб підвищення коефіцієнта корисної дії (ККД) напівпровідникового перетворювача сонячної енергії в електричну, що складається із двох плоских напівпровідників Ρ і N типу, який полягає у тому, що між плоскими напівпровідниками Ρ і N типу, при їх з'єднанні, утворюється тонкий прошарок напівпровідника, здатний до фотоефекту, який відрізняється тим, що здійснюють збільшення об'єму простору між Ρ і N напівпровідниками шляхом...

Номер патенту: 83598

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Кисельов Юрій Владиславович, Безуглий Юрій Віталійович, Кисельов Владислав Петрович, Кашковський Володимир Ілліч

МПК: H01M 8/00, H01M 8/06

Мітки: перетворювачів, пристрій, електричну, енергії, ккд, підвищення, напівпровідникових, сонячної

Формула / Реферат:

Пристрій для підвищення коефіцієнта корисної дії (ККД) напівпровідникового перетворювача сонячної енергії в електричну, що виконаний із двох плоских напівпровідникових пластин Ρ і Ν, між якими при їх з'єднанні утворюється тонкий прошарок, здатний до фотоефекту, який відрізняється тим, що додатково містить напівпровідникову пластину з власною провідністю І, при цьому або один незатемнений торець пластини І розташовують...

Номер патенту: 83012

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Новіков Євген Іванович

МПК: H04N 5/257

Мітки: структур, напівпровідникових, контролю, параметрів, електрофізичних, скануючий, мікроскоп, мікрохвильовий

Формула / Реферат:

Скануючий мікрохвильовий мікроскоп для контролю електрофізичних параметрів напівпровідникових структур, що містить НВЧ генератор, коаксіальний резонатор із загостреним на кінці центральним провідником, детектор, керований столик для напівпровідникових зразків, блок керування та обробки інформативних сигналів, який відрізняється тим, що центральний провідник резонатора розташовано всередині діелектричного трубчатого світловоду, з торцем якого...

Номер патенту: 101707

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Журавльов Олександр Юрійович, Шеремет Володимир Іванович, Широков Борис Михайлович, Шиян Олександр Васильович

МПК: C23C 14/00, H01L 21/00

Мітки: основі, структур, кремнію, атомів, осадження, вакуумного, напівпровідникових, джерело

Формула / Реферат:

1. Джерело атомів для вакуумного осадження напівпровідникових структур на основі кремнію, що включає тверду робочу речовину, у склад якої входить кремній, і засоби для нагрівання робочої речовини, яке відрізняється тим, що робоча речовина містить хімічну сполуку кремнію або кремнію й германію щонайменше з одним з тугоплавких металів, вибраним з ряду: Мо, Nb, Та, W.2. Джерело за п. 1, яке відрізняється тим, що робоча речовина...

Номер патенту: 78467

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Кушлик Маркіян Олегович, Шикоряк Йосип Андрійович, Грипа Андрій Сергійович, Слободзян Дмитро Петрович, Лис Роман Мирославович, Павлик Богдан Васильович, Дідик Роман Іванович

МПК: H01L 21/02, G01R 1/00

Мітки: зондовий, пристрій, вимірювання, електрофізичних, структур, напівпровідникових, характеристик

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для встановлення притискної пружини, один кінець якої...

Номер патенту: 100405

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Канакі Сергій Миколайович, Афонін Ігор Леонідович, Канакі Микола Григорович

МПК: G03B 21/00, G09F 19/12, H04N 5/74 ...

Мітки: напівпровідникових, самоскануюча, лазерів, матриця, модуляцією

Формула / Реферат:

1. Самоскануюча матриця напівпровідникових лазерів з модуляцією, яка містить у собі визначену кількість двопроменевих напівпровідникових лазерів, заздалегідь підготованих до випромінювання і засвітлюваних, кожний наступний лазер, з використанням випромінення попереднього лазера, за допомогою фотоелектричних перетворювачів, почергово, один за одним, яка відрізняється тим, що для встановлення потрібного часу світіння на екрані кожної світлової...

Номер патенту: 70807

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Лисюк Юрій Васильович

МПК: B82B 3/00

Мітки: n-pbte:bi, наноструктур, спосіб, покращеними, отримання, властивостями, напівпровідникових, термоелектричними, підкладках, ситалових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-РbТе:Ві на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі ТВ, на підкладку ситалу при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника...

Номер патенту: 69952

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Горічок Ігор Володимирович, Лисюк Юрій Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, покращеними, спосіб, отримання, властивостями, n-рbте:ві, основі, термоелектричними, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-РbТе:Ві з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв, на підкладку слюди-мусковіт при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника складає...

Номер патенту: 69106

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Грицюк Богдан Миколайович, Громко Євген Дмитрович, Нічий Сергій Васильович

МПК: H01L 21/263

Мітки: напівпровідникових, омічних, контактів, спосіб, матеріалів, створення

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічних контактів до напівпровідникових матеріалів, шляхом обробки поверхні напівпровідника імпульсним лазерним випромінюванням, який відрізняється тим, що в область формування контакту попередньо наносять розчин солі металу, робота виходу електрона якого забезпечує омічний контакт з напівпровідником, після чого проводять обробку даної області поверхні імпульсним лазерним випромінюванням з енергією, яка забезпечує проплавку...

Номер патенту: 68570

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Лис Роман Мирославович, Дідик Роман Іванович, Павлик Богдан Васильович, Шикоряк Йосип Андрійович, Цвєткова Ольга Валентинівна, Грипа Андрій Сергійович, Слободзян Дмитро Петрович

МПК: G01R 1/00, H01L 21/02

Мітки: характеристик, напівпровідникових, структур, електрофізичних, вимірювання, зондовий, пристрій

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, який відрізняється тим, що введено додаткові зонди, вставлені у напрямні отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для...

Номер патенту: 67458

Опубліковано: 27.02.2012

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: спосіб, напівпровідникових, температури, визначення, матеріалів, кюрі

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температури Кюрі напівпровідникових матеріалів, що включає її знаходження шляхом розрахунку, який відрізняється тим, що для матеріалу. експериментально визначають енергію поздовжнього оптичного фонона, а температуру Кюрі визначають з виразу, Κ,де енергія поздовжнього фонона

Номер патенту: 66594

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Осінський Володимир Іванович, Ляхова Ніна Олегівна, Ляхова Наталія Миколаївна, Масол Ігор Віталійович

МПК: H01L 21/00, H01L 33/00

Мітки: пристрій, напівпровідникових, вирощування, гетероструктур, епітаксійного

Формула / Реферат:

1. Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур, що містить підкладки, камеру, трубчаті канали, який відрізняється тим, що камера виконана у вигляді реактора з керованою системою нагріву підкладок, розташованих на підставці, трубчатих каналів подачі газів-носіїв в реактор, причому в трубчаті канали введені газорозрядні комірки з електродами із алюмінію або галію, або індію, або їх сплавів без або з легуючими...

Номер патенту: 66042

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Разіньков Валерій Васильович, Струтинська Любов Тимофіївна

МПК: C03B 35/00, C03B 11/00, C03B 13/00 ...

Мітки: матеріалів, синтезу, пристрій, напівпровідникових, термоелектричних

Формула / Реферат:

1. Пристрій для синтезу напівпровідникових термоелектричних матеріалів, що містить герметичний кварцовий контейнер, синтезну піч, механізм для перемішування розплаву, який відрізняється тим, що синтезна піч, яка складається з коаксіально розташованих алундової труби циліндричної форми, електричного нагрівача та корпусу з теплоізоляцією, оснащена пристроєм для розташування її у горизонтальному або вертикальному положеннях, пристроєм для...

Номер патенту: 96998

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Єрмоленко Євген Олександрович, Бондаренко Олександр Федорович

МПК: G01R 19/32, G01R 31/26

Мітки: напівпровідникових, спосіб, вольт-амперних, автоматизованого, приладів, характеристик, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб автоматизованого вимірювання вольт-амперних характеристик напівпровідникових приладів, який полягає в тому, що на досліджуваний напівпровідниковий прилад подають послідовність прямокутних електричних імпульсів зі змінною амплітудою, реєструють відповідні значення відгуків на послідовність електричних імпульсів, який відрізняється тим, що перед подачею послідовності прямокутних електричних імпульсів реєструють початковий тепловий стан...

Номер патенту: 65395

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Шеремет Володимир Миколайович, Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: G01N 25/00

Мітки: теплового, спосіб, опору, діодів, напівпровідникових, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання теплового опору напівпровідникових діодів, який включає пропускання через діод струму імпульсом періодом τF, причому τF<<τпp, де τпр - характерний час теплової релаксації діода, і вимірювання залежності напруги від температури корпусу U(T), пропускання постійного розігріваючого струму ІT протягом періоду, більшого за τF, при підтриманні постійної температури корпусу діода, вимірювання...

Номер патенту: 62086

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Соколов Олександр Леонідович, Яворський Ярослав Святославович, Потяк Володимир Юрійович

МПК: B82B 3/00

Мітки: напівпровідникових, отримання, спосіб, багатошарових, наноструктур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованих сполук РbТе та SnTe при температурі випаровування наважки Тв, шари n-РbТе, p-SnTe, n-РbТе осаджують послідовно на підкладку із сколів (001) КСl при температурі Тп, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп =...

Номер патенту: 60530

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: корекції, процес, напівпровідникових, матеріалів, характеристик

Формула / Реферат:

1. Процес корекції характеристик напівпровідникових матеріалів методом опромінювання, який відрізняється тим, що злиток напівпровідникового матеріалу розміщують в полі дії електромагнітного випромінювання, при цьому довжини хвиль λi та їх мінімальні потужності Ei вибирають згідно з резонансними довжинами хвиль λr та потужностями Еr енергій активацій, що визначаються складовими тонкої структури хімічного зв'язку конкретного...

Номер патенту: 58140

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Асаула Віталій Миколайович, Волков Сергій Васильович, Яремчук Галина Григорівна, Мирна Тетяна Альфредівна

МПК: C01G 11/00, B82B 1/00, C01G 21/00 ...

Мітки: наночастинками, сульфідів, одержання, скловидних, напівпровідникових, нанокомпозитних, матеріалів, металів, спосіб, рідкокристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання рідкокристалічних скловидних нанокомпозитних матеріалів з наночастинками напівпровідникових сульфідів металів, в основу якого покладено взаємодію металовмісної органічної матриці та сульфідного реагента, який відрізняється тим, що нанокомпозити одержують на основі рідкокристалічної фази алканоатів  металів, що містить монодисперсні (±0,5 нм) напівпровідникові наночастинки сульфіду металу, який вибраний з групи CdS, PbS, ZnS,...

Номер патенту: 56827

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Босий Віталій Ісаєвич, Ляшенко Олег Всеволодович, Киселюк Максим Павлович, Велещук Віталій Петрович, Власенко Олександр Іванович

МПК: H01L 21/66

Мітки: спосіб, світлодіодів, відбракування, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб відбракування напівпровідникових світлодіодів на основі GaN, GaAs, GaP, який включає вимірювання напруги, який відрізняється тим, що для випробування на надійність світловипромінюючих структур попередньо для зразків із партії, виготовленої в одному технологічному циклі, методами акустичної емісії вимірюють середній струм , при якому виникає акустична емісія, і...

Номер патенту: 55758

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Точилін Дмитро Сергійович, Лущін Сергій Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: напівпровідникових, спосіб, лазерним, контролю, поверхні, випромінюванням, гетерування, пластин

Формула / Реферат:

Спосіб контролю гетерування поверхні напівпровідникових пластин лазерним випромінюванням, що включає опромінення поверхні пластин лазерним випромінюванням, визначення ступеня дефектності пластин по характеру дії на них лазерного випромінювання, який відрізняється тим, що ступінь дефектності в результаті гетерування визначають по інтенсивності відбитого променя під прямим кутом до поверхні пластин.

Номер патенту: 54782

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Анатичук Лук'ян Іванович, Німчук Віталій Васильович, Запаров Сергій Федорович

МПК: H01L 21/461, B28D 5/04, H01L 21/475 ...

Мітки: матеріалів, станок, настільний, малогабаритний, різання, інших, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Малогабаритний настільний верстат струнного різання напівпровідникових та інших матеріалів, на основі станини, каретки з ріжучим інструментом, керуючими і контролюючими елементами, який відрізняється тим, що містить напрямні з підшипниковим ковзанням, виконані з можливістю зворотно-поступального руху.2. Малогабаритний настільний верстат струнного різання за п. 1, який відрізняється тим, що ріжучий інструмент складається з каретки...