Патенти з міткою «напівпровідникових»

Спосіб введення лінійної молекули нуклеїнової кислоти в клітину рослини, яка має клітинну стінку, із застосуванням пегильованих напівпровідникових наночастинок

Завантаження...

Номер патенту: 113046

Опубліковано: 12.12.2016

Автори: Самбоджу Нарасімха Чарі, Веб Стивен Р., Йо Керм Й., Семьюел Джаякумар Пон, Бероуз Френк Дж.

МПК: C12N 15/82, C12N 15/87, B82B 3/00 ...

Мітки: кислоти, стінку, має, нуклеїнової, яка, напівпровідникових, пегильованих, застосуванням, введення, спосіб, молекули, клітинну, лінійної, рослини, наночастинок, клітину

Формула / Реферат:

1. Спосіб введення лінійної молекули нуклеїнової кислоти, яка представляє інтерес, в клітину рослини, яка має клітинну стінку, за яким:надають клітину рослини, яка має клітинну стінку;покривають наночастинку на основі позитивно зарядженого напівпровідника поліетиленгліколем;покривають наночастинку на основі позитивно зарядженого напівпровідника лінійною молекулою нуклеїнової кислоти, яка представляє...

Спосіб визначення ширини забороненої зони напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 108138

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Махній Віктор Петрович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: H01L 21/66

Мітки: забороненої, ширини, напівпровідникових, спосіб, зони, матеріалів, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони  напівпровідникових матеріалів, що включає вимірювання при сталій температурі спектрів оптичного пропускання зразків певної товщини , їх трансформацію у спектри поглинання  та визначення

Кристалізатор для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок та спосіб його виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 111753

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Дюбуа Лоран, Мартен Крістіан, Ранкулі Гілберт

МПК: C30B 11/14, C30B 28/06, C30B 11/00 ...

Мітки: заготовок, виробництва, кристалічних, виготовлення, кристалізатор, спосіб, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок, що включає внутрішній об'єм, який обмежується дном (1а), верхня поверхня якого включає плоску частину, яка утворює першу горизонтальну площину (Н), та периферійними боковими стінками (1b), кожна з яких має внутрішню поверхню, яка включає по суті вертикальну плоску частину, яка утворює по суті вертикальну площину (V), перпендикулярну першій горизонтальній площині...

Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів з феромагнітними властивостями на основі шаруватих кристалів inse, in2se3, inte

Завантаження...

Номер патенту: 106400

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Боледзюк Володимир Богданович, Цибуленко Юрій Михайлович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: C30B 29/68

Мітки: феромагнітними, in2se3, властивостями, шаруватих, кристалів, inse, нанокомпозитних, отримання, основі, напівпровідникових, спосіб, матеріалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, ґрунтується на методі електрохімічного впровадження (інтеркалювання) іонів кобальту у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників InSeб In2Se3, InTe, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в градієнтному магнітному полі, направленому...

Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах

Завантаження...

Номер патенту: 104132

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Лебедь Олег Миколайович, Деменський Олексій Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович, Єрохін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: нерівноважних, напівпровідникових, носіїв, діодах, спосіб, часу, заряду, визначення, життя

Формула / Реферат:

Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах, що включає вимірювання при заданій температурі прямої вольт-амперної характеристики діода й знаходження шуканого значення часу життя нерівноважних носіїв заряду, який відрізняться тим, що для визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду, що рекомбінують переважно в області просторового заряду активних переходів напівпровідникових діодів, додатково, при...

Пристрій для синтезу напівпровідникових нанокристалів телуридів металів підгрупи цинку

Завантаження...

Номер патенту: 103983

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Курик Андрій Онуфрійович, Капуш Ольга Анатоліївна, Тріщук Любомир Іванович, Томашик Василь Миколайович, Томашик Зінаїда Федорівна, Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Борук Сергій Дмитрович

МПК: C01G 11/00, C01B 19/04, C01G 1/02 ...

Мітки: підгрупи, цинку, нанокристалів, пристрій, металів, синтезу, напівпровідникових, телуридів

Формула / Реферат:

Пристрій для синтезу напівпровідникових нанокристалів телуридів металів підгрупи цинку, який складається з тригорлого ізотермічного гетерогенного реактора напівперіодичної дії для низькотемпературних некаталітичних процесів, оснащеного електромагнітною мішалкою, термометром та патрубком для вихлопних газів, який відрізняється тим, що до патрубка для вихлопних газів пристрою додатково приєднано рідинний нейтралізатор, що виконаний із скляного...

Спосіб виготовлення бар’єрних контактів до напівпровідникових з’єднань типу а3в5

Завантаження...

Номер патенту: 103551

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Коростинська Тамара Василівна, Насиров Махсуд Уалієвич, Конакова Раїса Василівна, Виноградов Анатолій Олегович

МПК: H01L 29/47

Мітки: напівпровідникових, а3в5, спосіб, з'єднань, бар'єрних, контактів, виготовлення, типу

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення бар'єрних контактів до напівпровідникових з'єднань типу А3В5, що включає очищення поверхні підкладки напівпровідникового з'єднання типу А3В5, магнетронне напилювання контактоутворюючого та зовнішнього контактного шарів і швидкий термічний відпал при температурі 450¸550 °C, який відрізняється тим, що для створення контактоутворюючого шару здійснюють магнетронне напилювання квазіаморфної плівки ТіВх товщиною...

Спосіб обробки напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 102378

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Шикоряк Йосип Андрійович, Лис Роман Мирославович, Грипа Андрій Сергійович, Павлик Богдан Васильович, Слободзян Дмитро Петрович, Кушлик Маркіян Олегович, Дідик Роман Іванович

МПК: H01L 21/02

Мітки: обробки, напівпровідникових, спосіб, матеріалів

Формула / Реферат:

Спосіб обробки напівпровідникових матеріалів, за яким напівпровідники опромінюють електромагнітним полем, який відрізняється тим, що для опромінення використовують Х-промені.

Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур snte:bi p-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю

Завантаження...

Номер патенту: 97318

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Любомир Іванович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: потужністю, спосіб, термоелектричною, структур, snte:bi, отримання, провідності, покращеною, напівпровідникових, p-типу, тонкоплівкових

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур SnTe:Bi р-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на ситалові підкладки при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnТе:Ві із вмістом Ві 0,3...

Спосіб отримання напівпровідникових структур p-snte:bi на ситалових підкладках

Завантаження...

Номер патенту: 97317

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Маковишин Володимир Ігорович, Костюк Оксана Богданівна

МПК: B82B 3/00

Мітки: підкладках, p-snte:bi, напівпровідникових, отримання, структур, ситалових, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур p-SnTe:Bi на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують ситалові підкладки при температурі випарника Тв і температурі осадження Тп, який відрізняється тим, що температура випаровування Тв=(870±10) К, а температура осадження Тп=(470±10) К.2. Спосіб за п. 1...

Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 95506

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Данилюк Ірина Вікторівна, Іващенко Інна Алімівна, Галян Володимир Володимирович, Панкевич Володимир Зіновійович, Олексеюк Іван Дмитрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: одержання, халькогінідних, напівпровідникових, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів, що включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала...

Пристрій контролю температури кристала силових напівпровідникових приладів

Завантаження...

Номер патенту: 95429

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Юдачов Андрій Валерійович, Швець Євген Якович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: приладів, кристала, пристрій, контролю, силових, напівпровідникових, температури

Формула / Реферат:

Пристрій контролю температури кристала силових напівпровідникових приладів, що містить комірки напівпровідникового датчика температури, який відрізняється тим, що комірки розташовані безпосередньо на кристалі силового напівпровідникового приладу.

Об’єктив для колімації випромінювання напівпровідникових лазерів

Завантаження...

Номер патенту: 88901

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Сокуренко Вячеслав Михайлович, Сокуренко Олег Михайлович, Приходько Андрій Миколайович

МПК: G02B 9/00, G02B 11/00

Мітки: колімації, випромінювання, об'єктів, лазерів, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Об'єктив для колімації випромінювання напівпровідникових лазерів, що містить чотири компоненти, при цьому перший компонент виконано як двовипуклу лінзу, другий компонент виконано як негативний меніск, обернений увігнутістю до предмета, третій компонент виконано позитивною лінзою, четвертий компонент виконано як позитивний меніск, обернений увігнутістю до площини зображення, який відрізняється тим, що третій компонент виконано як двовипуклу...

Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 86829

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Лис Роман Мирославович, Слободзян Дмитро Петрович, Грипа Андрій Сергійович, Дідик Роман Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович, Кушлик Маркіян Олегович, Павлик Богдан Васильович

МПК: G01N 3/08, H01L 21/322

Мітки: матеріалів, пластичної, пристрій, деформації, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів, що містить несучу трубу, з розміщеними елементами кріплення і фіксації дослідного зразка, та приєднаним навантажувачем, який відрізняється тим, що частина несучої труби з елементами кріплення дослідного зразка розміщена у місці з відсутнім температурним градієнтом трубчатої печі.

Спосіб подання візуальної рекламної або пізнавальної інформації за допомогою напівпровідникових лазерів та твердотільних лазерів з діодним накачуванням

Завантаження...

Номер патенту: 85543

Опубліковано: 25.11.2013

Автор: Літвінов Андрій Георгійович

МПК: G09F 19/00, G09F 19/18, G09F 19/12 ...

Мітки: інформації, пізнавальної, візуальної, напівпровідникових, допомогою, лазерів, накачуванням, твердотільних, діодним, подання, рекламної, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб подання візуальної рекламної або пізнавальної інформації за допомогою напівпровідникових лазерів та твердотільних лазерів з діодним накачуванням, який відрізняється тим, що проекція букв, цифр, логотипів, знаків здійснюється пристроєм, в конструкції якого використовуються твердотільні лазери з діодним (напівпровідниковим) накачуванням, що випромінюють в зеленій області видимого спектра (501-561 нм), та/або лазери з діодним...

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах

Завантаження...

Номер патенту: 84570

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Грипа Андрій Сергійович, Лис Роман Мирославович, Дідик Роман Іванович, Кушлик Маркіян Олегович, Павлик Богдан Васильович, Слободзян Дмитро Петрович, Шикоряк Йосип Андрійович

МПК: G01R 1/00

Мітки: електрофізичних, вимірювання, пристрій, характеристик, напівпровідникових, структур, температурах, зондовий, різних

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах, що містить підпружинені зонди для підведення до дослідного зразка випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, фторопластова пластина, встановлена у направляючі штифти Г-подібної мідної пластини і...

Спосіб отримання напівпровідникових структур n-pbte:bi із покращеною термоелектричною потужністю

Завантаження...

Номер патенту: 84497

Опубліковано: 25.10.2013

Автор: Яворський Ярослав Святославович

МПК: B82B 3/00

Мітки: потужністю, отримання, покращеною, термоелектричною, структур, напівпровідникових, спосіб, n-pbte:bi

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур n-РbТе:Ві із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв=(970±10)К, на підкладку ситалу при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві з вмістом легуючої домішки 0,05...

Спосіб підвищення коефіцієнта корисної дії (ккд) напівпровідникових перетворювачів сонячної енергії в електричну

Завантаження...

Номер патенту: 83599

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Кашковський Володимир Ілліч, Кисельов Юрій Владиславович, Кисельов Владислав Петрович, Безуглий Юрій Віталійович

МПК: H01M 8/06, H01M 8/00

Мітки: електричну, спосіб, напівпровідникових, сонячної, ккд, коефіцієнта, підвищення, корисної, дії, енергії, перетворювачів

Формула / Реферат:

1. Спосіб підвищення коефіцієнта корисної дії (ККД) напівпровідникового перетворювача сонячної енергії в електричну, що складається із двох плоских напівпровідників Ρ і N типу, який полягає у тому, що між плоскими напівпровідниками Ρ і N типу, при їх з'єднанні, утворюється тонкий прошарок напівпровідника, здатний до фотоефекту, який відрізняється тим, що здійснюють збільшення об'єму простору між Ρ і N напівпровідниками шляхом...

Пристрій для підвищення ккд напівпровідникових перетворювачів сонячної енергії в електричну

Завантаження...

Номер патенту: 83598

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Безуглий Юрій Віталійович, Кисельов Владислав Петрович, Кисельов Юрій Владиславович, Кашковський Володимир Ілліч

МПК: H01M 8/00, H01M 8/06

Мітки: напівпровідникових, перетворювачів, підвищення, електричну, ккд, пристрій, енергії, сонячної

Формула / Реферат:

Пристрій для підвищення коефіцієнта корисної дії (ККД) напівпровідникового перетворювача сонячної енергії в електричну, що виконаний із двох плоских напівпровідникових пластин Ρ і Ν, між якими при їх з'єднанні утворюється тонкий прошарок, здатний до фотоефекту, який відрізняється тим, що додатково містить напівпровідникову пластину з власною провідністю І, при цьому або один незатемнений торець пластини І розташовують...

Скануючий мікрохвильовий мікроскоп для контролю електрофізичних параметрів напівпровідникових структур

Завантаження...

Номер патенту: 83012

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Новіков Євген Іванович

МПК: H04N 5/257

Мітки: мікроскоп, контролю, напівпровідникових, мікрохвильовий, скануючий, електрофізичних, параметрів, структур

Формула / Реферат:

Скануючий мікрохвильовий мікроскоп для контролю електрофізичних параметрів напівпровідникових структур, що містить НВЧ генератор, коаксіальний резонатор із загостреним на кінці центральним провідником, детектор, керований столик для напівпровідникових зразків, блок керування та обробки інформативних сигналів, який відрізняється тим, що центральний провідник резонатора розташовано всередині діелектричного трубчатого світловоду, з торцем якого...

Джерело атомів для вакуумного осадження напівпровідникових структур на основі кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 101707

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Журавльов Олександр Юрійович, Широков Борис Михайлович, Шиян Олександр Васильович, Шеремет Володимир Іванович

МПК: H01L 21/00, C23C 14/00

Мітки: структур, атомів, основі, кремнію, осадження, вакуумного, джерело, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Джерело атомів для вакуумного осадження напівпровідникових структур на основі кремнію, що включає тверду робочу речовину, у склад якої входить кремній, і засоби для нагрівання робочої речовини, яке відрізняється тим, що робоча речовина містить хімічну сполуку кремнію або кремнію й германію щонайменше з одним з тугоплавких металів, вибраним з ряду: Мо, Nb, Та, W.2. Джерело за п. 1, яке відрізняється тим, що робоча речовина...

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур

Завантаження...

Номер патенту: 78467

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Шикоряк Йосип Андрійович, Слободзян Дмитро Петрович, Кушлик Маркіян Олегович, Павлик Богдан Васильович, Лис Роман Мирославович, Дідик Роман Іванович, Грипа Андрій Сергійович

МПК: H01L 21/02, G01R 1/00

Мітки: пристрій, зондовий, електрофізичних, напівпровідникових, структур, характеристик, вимірювання

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для встановлення притискної пружини, один кінець якої...

Самоскануюча матриця напівпровідникових лазерів з модуляцією

Завантаження...

Номер патенту: 100405

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Канакі Микола Григорович, Афонін Ігор Леонідович, Канакі Сергій Миколайович

МПК: G03B 21/00, G09F 19/12, H04N 5/74 ...

Мітки: напівпровідникових, самоскануюча, модуляцією, лазерів, матриця

Формула / Реферат:

1. Самоскануюча матриця напівпровідникових лазерів з модуляцією, яка містить у собі визначену кількість двопроменевих напівпровідникових лазерів, заздалегідь підготованих до випромінювання і засвітлюваних, кожний наступний лазер, з використанням випромінення попереднього лазера, за допомогою фотоелектричних перетворювачів, почергово, один за одним, яка відрізняється тим, що для встановлення потрібного часу світіння на екрані кожної світлової...

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-pbte:bi на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями

Завантаження...

Номер патенту: 70807

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Лисюк Юрій Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович, Горічок Ігор Володимирович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: ситалових, n-pbte:bi, підкладках, термоелектричними, спосіб, властивостями, отримання, напівпровідникових, наноструктур, покращеними

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-РbТе:Ві на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі ТВ, на підкладку ситалу при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника...

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-рbте:ві з покращеними термоелектричними властивостями

Завантаження...

Номер патенту: 69952

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Лисюк Юрій Васильович

МПК: B82B 3/00

Мітки: термоелектричними, покращеними, спосіб, наноструктур, властивостями, основі, n-рbте:ві, напівпровідникових, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-РbТе:Ві з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв, на підкладку слюди-мусковіт при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника складає...

Спосіб створення омічних контактів до напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 69106

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Нічий Сергій Васильович, Громко Євген Дмитрович, Грицюк Богдан Миколайович

МПК: H01L 21/263

Мітки: контактів, створення, матеріалів, омічних, напівпровідникових, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічних контактів до напівпровідникових матеріалів, шляхом обробки поверхні напівпровідника імпульсним лазерним випромінюванням, який відрізняється тим, що в область формування контакту попередньо наносять розчин солі металу, робота виходу електрона якого забезпечує омічний контакт з напівпровідником, після чого проводять обробку даної області поверхні імпульсним лазерним випромінюванням з енергією, яка забезпечує проплавку...

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур

Завантаження...

Номер патенту: 68570

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Лис Роман Мирославович, Слободзян Дмитро Петрович, Павлик Богдан Васильович, Шикоряк Йосип Андрійович, Грипа Андрій Сергійович, Цвєткова Ольга Валентинівна, Дідик Роман Іванович

МПК: G01R 1/00, H01L 21/02

Мітки: зондовий, пристрій, вимірювання, структур, характеристик, напівпровідникових, електрофізичних

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, який відрізняється тим, що введено додаткові зонди, вставлені у напрямні отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для...

Спосіб визначення температури кюрі напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 67458

Опубліковано: 27.02.2012

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: напівпровідникових, кюрі, визначення, спосіб, температури, матеріалів

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температури Кюрі напівпровідникових матеріалів, що включає її знаходження шляхом розрахунку, який відрізняється тим, що для матеріалу. експериментально визначають енергію поздовжнього оптичного фонона, а температуру Кюрі визначають з виразу, Κ,де енергія поздовжнього фонона

Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур

Завантаження...

Номер патенту: 66594

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Ляхова Наталія Миколаївна, Ляхова Ніна Олегівна, Осінський Володимир Іванович, Масол Ігор Віталійович

МПК: H01L 33/00, H01L 21/00

Мітки: пристрій, напівпровідникових, гетероструктур, вирощування, епітаксійного

Формула / Реферат:

1. Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур, що містить підкладки, камеру, трубчаті канали, який відрізняється тим, що камера виконана у вигляді реактора з керованою системою нагріву підкладок, розташованих на підставці, трубчатих каналів подачі газів-носіїв в реактор, причому в трубчаті канали введені газорозрядні комірки з електродами із алюмінію або галію, або індію, або їх сплавів без або з легуючими...

Пристрій для синтезу напівпровідникових термоелектричних матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 66042

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Разіньков Валерій Васильович, Струтинська Любов Тимофіївна

МПК: C03B 13/00, C03B 11/00, C03B 35/00 ...

Мітки: термоелектричних, матеріалів, напівпровідникових, синтезу, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для синтезу напівпровідникових термоелектричних матеріалів, що містить герметичний кварцовий контейнер, синтезну піч, механізм для перемішування розплаву, який відрізняється тим, що синтезна піч, яка складається з коаксіально розташованих алундової труби циліндричної форми, електричного нагрівача та корпусу з теплоізоляцією, оснащена пристроєм для розташування її у горизонтальному або вертикальному положеннях, пристроєм для...

Спосіб автоматизованого вимірювання вольт-амперних характеристик напівпровідникових приладів

Завантаження...

Номер патенту: 96998

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Єрмоленко Євген Олександрович, Бондаренко Олександр Федорович

МПК: G01R 19/32, G01R 31/26

Мітки: напівпровідникових, приладів, вольт-амперних, характеристик, спосіб, вимірювання, автоматизованого

Формула / Реферат:

Спосіб автоматизованого вимірювання вольт-амперних характеристик напівпровідникових приладів, який полягає в тому, що на досліджуваний напівпровідниковий прилад подають послідовність прямокутних електричних імпульсів зі змінною амплітудою, реєструють відповідні значення відгуків на послідовність електричних імпульсів, який відрізняється тим, що перед подачею послідовності прямокутних електричних імпульсів реєструють початковий тепловий стан...

Спосіб вимірювання теплового опору напівпровідникових діодів

Завантаження...

Номер патенту: 65395

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна, Шеремет Володимир Миколайович, Кудрик Ярослав Ярославович, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: G01N 25/00

Мітки: теплового, спосіб, вимірювання, напівпровідникових, опору, діодів

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання теплового опору напівпровідникових діодів, який включає пропускання через діод струму імпульсом періодом τF, причому τF<<τпp, де τпр - характерний час теплової релаксації діода, і вимірювання залежності напруги від температури корпусу U(T), пропускання постійного розігріваючого струму ІT протягом періоду, більшого за τF, при підтриманні постійної температури корпусу діода, вимірювання...

Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 62086

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ярослав Святославович, Соколов Олександр Леонідович, Дзундза Богдан Степанович, Потяк Володимир Юрійович

МПК: B82B 3/00

Мітки: спосіб, напівпровідникових, отримання, багатошарових, наноструктур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованих сполук РbТе та SnTe при температурі випаровування наважки Тв, шари n-РbТе, p-SnTe, n-РbТе осаджують послідовно на підкладку із сколів (001) КСl при температурі Тп, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп =...

Процес корекції характеристик напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 60530

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: напівпровідникових, характеристик, матеріалів, корекції, процес

Формула / Реферат:

1. Процес корекції характеристик напівпровідникових матеріалів методом опромінювання, який відрізняється тим, що злиток напівпровідникового матеріалу розміщують в полі дії електромагнітного випромінювання, при цьому довжини хвиль λi та їх мінімальні потужності Ei вибирають згідно з резонансними довжинами хвиль λr та потужностями Еr енергій активацій, що визначаються складовими тонкої структури хімічного зв'язку конкретного...

Спосіб одержання рідкокристалічних скловидних нанокомпозитних матеріалів з наночастинками напівпровідникових сульфідів металів

Завантаження...

Номер патенту: 58140

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Волков Сергій Васильович, Мирна Тетяна Альфредівна, Асаула Віталій Миколайович, Яремчук Галина Григорівна

МПК: C01G 21/00, C01G 11/00, B82B 1/00 ...

Мітки: спосіб, матеріалів, напівпровідникових, одержання, нанокомпозитних, рідкокристалічних, сульфідів, металів, скловидних, наночастинками

Формула / Реферат:

Спосіб одержання рідкокристалічних скловидних нанокомпозитних матеріалів з наночастинками напівпровідникових сульфідів металів, в основу якого покладено взаємодію металовмісної органічної матриці та сульфідного реагента, який відрізняється тим, що нанокомпозити одержують на основі рідкокристалічної фази алканоатів  металів, що містить монодисперсні (±0,5 нм) напівпровідникові наночастинки сульфіду металу, який вибраний з групи CdS, PbS, ZnS,...

Спосіб відбракування напівпровідникових світлодіодів

Завантаження...

Номер патенту: 56827

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Босий Віталій Ісаєвич, Ляшенко Олег Всеволодович, Велещук Віталій Петрович, Киселюк Максим Павлович, Власенко Олександр Іванович

МПК: H01L 21/66

Мітки: світлодіодів, напівпровідникових, спосіб, відбракування

Формула / Реферат:

Спосіб відбракування напівпровідникових світлодіодів на основі GaN, GaAs, GaP, який включає вимірювання напруги, який відрізняється тим, що для випробування на надійність світловипромінюючих структур попередньо для зразків із партії, виготовленої в одному технологічному циклі, методами акустичної емісії вимірюють середній струм , при якому виникає акустична емісія, і...

Спосіб контролю гетерування поверхні напівпровідникових пластин лазерним випромінюванням

Завантаження...

Номер патенту: 55758

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Точилін Дмитро Сергійович, Лущін Сергій Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: контролю, гетерування, спосіб, випромінюванням, поверхні, лазерним, пластин, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб контролю гетерування поверхні напівпровідникових пластин лазерним випромінюванням, що включає опромінення поверхні пластин лазерним випромінюванням, визначення ступеня дефектності пластин по характеру дії на них лазерного випромінювання, який відрізняється тим, що ступінь дефектності в результаті гетерування визначають по інтенсивності відбитого променя під прямим кутом до поверхні пластин.

Малогабаритний настільний станок для різання напівпровідникових та інших матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 54782

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Запаров Сергій Федорович, Анатичук Лук'ян Іванович, Німчук Віталій Васильович

МПК: B28D 5/04, H01L 21/475, H01L 21/461 ...

Мітки: інших, різання, малогабаритний, станок, матеріалів, настільний, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Малогабаритний настільний верстат струнного різання напівпровідникових та інших матеріалів, на основі станини, каретки з ріжучим інструментом, керуючими і контролюючими елементами, який відрізняється тим, що містить напрямні з підшипниковим ковзанням, виконані з можливістю зворотно-поступального руху.2. Малогабаритний настільний верстат струнного різання за п. 1, який відрізняється тим, що ріжучий інструмент складається з каретки...

Спосіб реєстрації геліконового резонансу в напівпровідникових матеріалах

Завантаження...

Номер патенту: 53585

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Ластівка Галина Іванівна, Хандожко Олександр Григорович, Верига Андрій Дмитрович

МПК: G01R 31/26

Мітки: напівпровідникових, матеріалах, реєстрації, резонансу, спосіб, геліконового

Формула / Реферат:

Спосіб реєстрації геліконового резонансу в напівпровідникових матеріалах, що включає сканування магнітного поля в області умов геліконового резонансу, збудження в досліджуваній пластинці геліконових хвиль та реєстрацію частоти генерованих коливань, який відрізняється тим, що пластину геліконового резонатора розміщують в коливальному контурі автодинного давача, який одночасно є індукуючим та збуджуючим пристроєм, вимірюють зміну частоти...

Пристрій для отримання зливків з монокристалічною, полікристалічною та певною структурою напівпровідникових матеріалів, а також для отримання мультикристалічних зливків для сонячної енергетики

Завантаження...

Номер патенту: 51634

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Карускевич Ольга Віталіївна, Колєсніченко Володимир Іванович, Якуша Володимир Вікторович, Шаповалов Віктор Олександрович, Гніздило Олександр Миколайович

МПК: C30B 13/00, C30B 11/10, B01D 9/00 ...

Мітки: пристрій, мультикристалічних, зливків, також, монокристалічною, напівпровідникових, сонячної, структурою, матеріалів, енергетики, полікристалічною, певною, отримання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для отримання зливків з монокристалічною, полікристалічною та певною структурою напівпровідникових матеріалів, а також для отримання мультикристалічних зливків для сонячної енергетики, що включає герметичну камеру кристалізації зливка, вакуумну систему, пристрій подачі шихти, камеру плавлення шихти, джерело для розплавлення шихти та нагріву розплаву, механізм витягування зливка, системи струмо- та водопостачання, який...