Патенти з міткою «напівпровідникових»

Спосіб введення лінійної молекули нуклеїнової кислоти в клітину рослини, яка має клітинну стінку, із застосуванням пегильованих напівпровідникових наночастинок

Завантаження...

Номер патенту: 113046

Опубліковано: 12.12.2016

Автори: Семьюел Джаякумар Пон, Самбоджу Нарасімха Чарі, Йо Керм Й., Веб Стивен Р., Бероуз Френк Дж.

МПК: B82B 3/00, C12N 15/87, C12N 15/82 ...

Мітки: застосуванням, клітину, пегильованих, рослини, має, спосіб, введення, стінку, молекули, нуклеїнової, клітинну, кислоти, напівпровідникових, яка, лінійної, наночастинок

Формула / Реферат:

1. Спосіб введення лінійної молекули нуклеїнової кислоти, яка представляє інтерес, в клітину рослини, яка має клітинну стінку, за яким:надають клітину рослини, яка має клітинну стінку;покривають наночастинку на основі позитивно зарядженого напівпровідника поліетиленгліколем;покривають наночастинку на основі позитивно зарядженого напівпровідника лінійною молекулою нуклеїнової кислоти, яка представляє...

Спосіб визначення ширини забороненої зони напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 108138

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Махній Віктор Петрович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: H01L 21/66

Мітки: спосіб, забороненої, визначення, матеріалів, напівпровідникових, зони, ширини

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони  напівпровідникових матеріалів, що включає вимірювання при сталій температурі спектрів оптичного пропускання зразків певної товщини , їх трансформацію у спектри поглинання  та визначення

Кристалізатор для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок та спосіб його виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 111753

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Мартен Крістіан, Ранкулі Гілберт, Дюбуа Лоран

МПК: C30B 28/06, C30B 11/00, C30B 11/14 ...

Мітки: кристалічних, напівпровідникових, виробництва, спосіб, виготовлення, заготовок, кристалізатор

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок, що включає внутрішній об'єм, який обмежується дном (1а), верхня поверхня якого включає плоску частину, яка утворює першу горизонтальну площину (Н), та периферійними боковими стінками (1b), кожна з яких має внутрішню поверхню, яка включає по суті вертикальну плоску частину, яка утворює по суті вертикальну площину (V), перпендикулярну першій горизонтальній площині...

Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів з феромагнітними властивостями на основі шаруватих кристалів inse, in2se3, inte

Завантаження...

Номер патенту: 106400

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Боледзюк Володимир Богданович, Цибуленко Юрій Михайлович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: C30B 29/68

Мітки: спосіб, основі, нанокомпозитних, отримання, inse, матеріалів, in2se3, шаруватих, феромагнітними, властивостями, напівпровідникових, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, ґрунтується на методі електрохімічного впровадження (інтеркалювання) іонів кобальту у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників InSeб In2Se3, InTe, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в градієнтному магнітному полі, направленому...

Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах

Завантаження...

Номер патенту: 104132

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Деменський Олексій Миколайович, Лебедь Олег Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Єрохін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: життя, часу, діодах, заряду, носіїв, визначення, нерівноважних, спосіб, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах, що включає вимірювання при заданій температурі прямої вольт-амперної характеристики діода й знаходження шуканого значення часу життя нерівноважних носіїв заряду, який відрізняться тим, що для визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду, що рекомбінують переважно в області просторового заряду активних переходів напівпровідникових діодів, додатково, при...

Пристрій для синтезу напівпровідникових нанокристалів телуридів металів підгрупи цинку

Завантаження...

Номер патенту: 103983

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Зінаїда Федорівна, Борук Сергій Дмитрович, Тріщук Любомир Іванович, Капуш Ольга Анатоліївна, Курик Андрій Онуфрійович, Томашик Василь Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: C01B 19/04, C01G 11/00, C01G 1/02 ...

Мітки: нанокристалів, підгрупи, цинку, металів, напівпровідникових, пристрій, синтезу, телуридів

Формула / Реферат:

Пристрій для синтезу напівпровідникових нанокристалів телуридів металів підгрупи цинку, який складається з тригорлого ізотермічного гетерогенного реактора напівперіодичної дії для низькотемпературних некаталітичних процесів, оснащеного електромагнітною мішалкою, термометром та патрубком для вихлопних газів, який відрізняється тим, що до патрубка для вихлопних газів пристрою додатково приєднано рідинний нейтралізатор, що виконаний із скляного...

Спосіб виготовлення бар’єрних контактів до напівпровідникових з’єднань типу а3в5

Завантаження...

Номер патенту: 103551

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Болтовець Микола Силович, Виноградов Анатолій Олегович, Коростинська Тамара Василівна, Насиров Махсуд Уалієвич, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: H01L 29/47

Мітки: спосіб, типу, контактів, з'єднань, а3в5, напівпровідникових, виготовлення, бар'єрних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення бар'єрних контактів до напівпровідникових з'єднань типу А3В5, що включає очищення поверхні підкладки напівпровідникового з'єднання типу А3В5, магнетронне напилювання контактоутворюючого та зовнішнього контактного шарів і швидкий термічний відпал при температурі 450¸550 °C, який відрізняється тим, що для створення контактоутворюючого шару здійснюють магнетронне напилювання квазіаморфної плівки ТіВх товщиною...

Спосіб обробки напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 102378

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Грипа Андрій Сергійович, Слободзян Дмитро Петрович, Лис Роман Мирославович, Дідик Роман Іванович, Павлик Богдан Васильович, Кушлик Маркіян Олегович, Шикоряк Йосип Андрійович

МПК: H01L 21/02

Мітки: спосіб, матеріалів, напівпровідникових, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб обробки напівпровідникових матеріалів, за яким напівпровідники опромінюють електромагнітним полем, який відрізняється тим, що для опромінення використовують Х-промені.

Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур snte:bi p-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю

Завантаження...

Номер патенту: 97318

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: B82B 3/00

Мітки: потужністю, напівпровідникових, структур, покращеною, отримання, спосіб, тонкоплівкових, провідності, p-типу, термоелектричною, snte:bi

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур SnTe:Bi р-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на ситалові підкладки при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnТе:Ві із вмістом Ві 0,3...

Спосіб отримання напівпровідникових структур p-snte:bi на ситалових підкладках

Завантаження...

Номер патенту: 97317

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Костюк Оксана Богданівна, Маковишин Володимир Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: ситалових, p-snte:bi, структур, спосіб, отримання, напівпровідникових, підкладках

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур p-SnTe:Bi на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують ситалові підкладки при температурі випарника Тв і температурі осадження Тп, який відрізняється тим, що температура випаровування Тв=(870±10) К, а температура осадження Тп=(470±10) К.2. Спосіб за п. 1...

Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 95506

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Данилюк Ірина Вікторівна, Панкевич Володимир Зіновійович, Іващенко Інна Алімівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Галян Володимир Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, халькогінідних, одержання, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів, що включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала...

Пристрій контролю температури кристала силових напівпровідникових приладів

Завантаження...

Номер патенту: 95429

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Швець Євген Якович, Юдачов Андрій Валерійович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: силових, напівпровідникових, кристала, температури, пристрій, приладів, контролю

Формула / Реферат:

Пристрій контролю температури кристала силових напівпровідникових приладів, що містить комірки напівпровідникового датчика температури, який відрізняється тим, що комірки розташовані безпосередньо на кристалі силового напівпровідникового приладу.

Об’єктив для колімації випромінювання напівпровідникових лазерів

Завантаження...

Номер патенту: 88901

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Сокуренко Олег Михайлович, Сокуренко Вячеслав Михайлович, Приходько Андрій Миколайович

МПК: G02B 11/00, G02B 9/00

Мітки: колімації, напівпровідникових, лазерів, об'єктів, випромінювання

Формула / Реферат:

Об'єктив для колімації випромінювання напівпровідникових лазерів, що містить чотири компоненти, при цьому перший компонент виконано як двовипуклу лінзу, другий компонент виконано як негативний меніск, обернений увігнутістю до предмета, третій компонент виконано позитивною лінзою, четвертий компонент виконано як позитивний меніск, обернений увігнутістю до площини зображення, який відрізняється тим, що третій компонент виконано як двовипуклу...

Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 86829

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Дідик Роман Іванович, Слободзян Дмитро Петрович, Лис Роман Мирославович, Шикоряк Йосип Андрійович, Павлик Богдан Васильович, Грипа Андрій Сергійович, Кушлик Маркіян Олегович

МПК: G01N 3/08, H01L 21/322

Мітки: деформації, матеріалів, пластичної, напівпровідникових, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів, що містить несучу трубу, з розміщеними елементами кріплення і фіксації дослідного зразка, та приєднаним навантажувачем, який відрізняється тим, що частина несучої труби з елементами кріплення дослідного зразка розміщена у місці з відсутнім температурним градієнтом трубчатої печі.

Спосіб подання візуальної рекламної або пізнавальної інформації за допомогою напівпровідникових лазерів та твердотільних лазерів з діодним накачуванням

Завантаження...

Номер патенту: 85543

Опубліковано: 25.11.2013

Автор: Літвінов Андрій Георгійович

МПК: G09F 19/18, G09F 19/00, G09F 19/12 ...

Мітки: інформації, подання, візуальної, лазерів, допомогою, твердотільних, рекламної, напівпровідникових, діодним, пізнавальної, спосіб, накачуванням

Формула / Реферат:

1. Спосіб подання візуальної рекламної або пізнавальної інформації за допомогою напівпровідникових лазерів та твердотільних лазерів з діодним накачуванням, який відрізняється тим, що проекція букв, цифр, логотипів, знаків здійснюється пристроєм, в конструкції якого використовуються твердотільні лазери з діодним (напівпровідниковим) накачуванням, що випромінюють в зеленій області видимого спектра (501-561 нм), та/або лазери з діодним...

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах

Завантаження...

Номер патенту: 84570

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Грипа Андрій Сергійович, Слободзян Дмитро Петрович, Лис Роман Мирославович, Павлик Богдан Васильович, Шикоряк Йосип Андрійович, Кушлик Маркіян Олегович, Дідик Роман Іванович

МПК: G01R 1/00

Мітки: різних, зондовий, характеристик, напівпровідникових, електрофізичних, пристрій, вимірювання, структур, температурах

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах, що містить підпружинені зонди для підведення до дослідного зразка випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, фторопластова пластина, встановлена у направляючі штифти Г-подібної мідної пластини і...

Спосіб отримання напівпровідникових структур n-pbte:bi із покращеною термоелектричною потужністю

Завантаження...

Номер патенту: 84497

Опубліковано: 25.10.2013

Автор: Яворський Ярослав Святославович

МПК: B82B 3/00

Мітки: потужністю, напівпровідникових, покращеною, структур, отримання, n-pbte:bi, термоелектричною, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур n-РbТе:Ві із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв=(970±10)К, на підкладку ситалу при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві з вмістом легуючої домішки 0,05...

Спосіб підвищення коефіцієнта корисної дії (ккд) напівпровідникових перетворювачів сонячної енергії в електричну

Завантаження...

Номер патенту: 83599

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Кашковський Володимир Ілліч, Кисельов Юрій Владиславович, Кисельов Владислав Петрович, Безуглий Юрій Віталійович

МПК: H01M 8/00, H01M 8/06

Мітки: корисної, підвищення, електричну, ккд, спосіб, енергії, коефіцієнта, перетворювачів, напівпровідникових, дії, сонячної

Формула / Реферат:

1. Спосіб підвищення коефіцієнта корисної дії (ККД) напівпровідникового перетворювача сонячної енергії в електричну, що складається із двох плоских напівпровідників Ρ і N типу, який полягає у тому, що між плоскими напівпровідниками Ρ і N типу, при їх з'єднанні, утворюється тонкий прошарок напівпровідника, здатний до фотоефекту, який відрізняється тим, що здійснюють збільшення об'єму простору між Ρ і N напівпровідниками шляхом...

Пристрій для підвищення ккд напівпровідникових перетворювачів сонячної енергії в електричну

Завантаження...

Номер патенту: 83598

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Кисельов Владислав Петрович, Безуглий Юрій Віталійович, Кисельов Юрій Владиславович, Кашковський Володимир Ілліч

МПК: H01M 8/06, H01M 8/00

Мітки: енергії, електричну, підвищення, сонячної, ккд, напівпровідникових, пристрій, перетворювачів

Формула / Реферат:

Пристрій для підвищення коефіцієнта корисної дії (ККД) напівпровідникового перетворювача сонячної енергії в електричну, що виконаний із двох плоских напівпровідникових пластин Ρ і Ν, між якими при їх з'єднанні утворюється тонкий прошарок, здатний до фотоефекту, який відрізняється тим, що додатково містить напівпровідникову пластину з власною провідністю І, при цьому або один незатемнений торець пластини І розташовують...

Скануючий мікрохвильовий мікроскоп для контролю електрофізичних параметрів напівпровідникових структур

Завантаження...

Номер патенту: 83012

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Новіков Євген Іванович

МПК: H04N 5/257

Мітки: мікрохвильовий, контролю, скануючий, мікроскоп, параметрів, електрофізичних, напівпровідникових, структур

Формула / Реферат:

Скануючий мікрохвильовий мікроскоп для контролю електрофізичних параметрів напівпровідникових структур, що містить НВЧ генератор, коаксіальний резонатор із загостреним на кінці центральним провідником, детектор, керований столик для напівпровідникових зразків, блок керування та обробки інформативних сигналів, який відрізняється тим, що центральний провідник резонатора розташовано всередині діелектричного трубчатого світловоду, з торцем якого...

Джерело атомів для вакуумного осадження напівпровідникових структур на основі кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 101707

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Широков Борис Михайлович, Шеремет Володимир Іванович, Журавльов Олександр Юрійович, Шиян Олександр Васильович

МПК: C23C 14/00, H01L 21/00

Мітки: атомів, осадження, структур, джерело, вакуумного, кремнію, напівпровідникових, основі

Формула / Реферат:

1. Джерело атомів для вакуумного осадження напівпровідникових структур на основі кремнію, що включає тверду робочу речовину, у склад якої входить кремній, і засоби для нагрівання робочої речовини, яке відрізняється тим, що робоча речовина містить хімічну сполуку кремнію або кремнію й германію щонайменше з одним з тугоплавких металів, вибраним з ряду: Мо, Nb, Та, W.2. Джерело за п. 1, яке відрізняється тим, що робоча речовина...

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур

Завантаження...

Номер патенту: 78467

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Лис Роман Мирославович, Кушлик Маркіян Олегович, Слободзян Дмитро Петрович, Павлик Богдан Васильович, Дідик Роман Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович, Грипа Андрій Сергійович

МПК: H01L 21/02, G01R 1/00

Мітки: вимірювання, структур, зондовий, напівпровідникових, електрофізичних, пристрій, характеристик

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для встановлення притискної пружини, один кінець якої...

Самоскануюча матриця напівпровідникових лазерів з модуляцією

Завантаження...

Номер патенту: 100405

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Афонін Ігор Леонідович, Канакі Микола Григорович, Канакі Сергій Миколайович

МПК: H04N 5/74, G09F 19/12, G03B 21/00 ...

Мітки: самоскануюча, напівпровідникових, модуляцією, лазерів, матриця

Формула / Реферат:

1. Самоскануюча матриця напівпровідникових лазерів з модуляцією, яка містить у собі визначену кількість двопроменевих напівпровідникових лазерів, заздалегідь підготованих до випромінювання і засвітлюваних, кожний наступний лазер, з використанням випромінення попереднього лазера, за допомогою фотоелектричних перетворювачів, почергово, один за одним, яка відрізняється тим, що для встановлення потрібного часу світіння на екрані кожної світлової...

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-pbte:bi на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями

Завантаження...

Номер патенту: 70807

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Лисюк Юрій Васильович, Галущак Мар'ян Олексійович, Дзундза Богдан Степанович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: B82B 3/00

Мітки: ситалових, підкладках, напівпровідникових, отримання, n-pbte:bi, властивостями, спосіб, термоелектричними, покращеними, наноструктур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-РbТе:Ві на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі ТВ, на підкладку ситалу при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника...

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-рbте:ві з покращеними термоелектричними властивостями

Завантаження...

Номер патенту: 69952

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Лисюк Юрій Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: B82B 3/00

Мітки: спосіб, термоелектричними, покращеними, n-рbте:ві, властивостями, основі, наноструктур, напівпровідникових, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-РbТе:Ві з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв, на підкладку слюди-мусковіт при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника складає...

Спосіб створення омічних контактів до напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 69106

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Грицюк Богдан Миколайович, Громко Євген Дмитрович, Нічий Сергій Васильович

МПК: H01L 21/263

Мітки: напівпровідникових, омічних, матеріалів, створення, контактів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічних контактів до напівпровідникових матеріалів, шляхом обробки поверхні напівпровідника імпульсним лазерним випромінюванням, який відрізняється тим, що в область формування контакту попередньо наносять розчин солі металу, робота виходу електрона якого забезпечує омічний контакт з напівпровідником, після чого проводять обробку даної області поверхні імпульсним лазерним випромінюванням з енергією, яка забезпечує проплавку...

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур

Завантаження...

Номер патенту: 68570

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Слободзян Дмитро Петрович, Грипа Андрій Сергійович, Павлик Богдан Васильович, Цвєткова Ольга Валентинівна, Шикоряк Йосип Андрійович, Дідик Роман Іванович, Лис Роман Мирославович

МПК: G01R 1/00, H01L 21/02

Мітки: пристрій, напівпровідникових, структур, електрофізичних, вимірювання, характеристик, зондовий

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, який відрізняється тим, що введено додаткові зонди, вставлені у напрямні отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для...

Спосіб визначення температури кюрі напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 67458

Опубліковано: 27.02.2012

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: матеріалів, температури, напівпровідникових, визначення, кюрі, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температури Кюрі напівпровідникових матеріалів, що включає її знаходження шляхом розрахунку, який відрізняється тим, що для матеріалу. експериментально визначають енергію поздовжнього оптичного фонона, а температуру Кюрі визначають з виразу, Κ,де енергія поздовжнього фонона

Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур

Завантаження...

Номер патенту: 66594

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Осінський Володимир Іванович, Ляхова Наталія Миколаївна, Ляхова Ніна Олегівна, Масол Ігор Віталійович

МПК: H01L 21/00, H01L 33/00

Мітки: вирощування, епітаксійного, гетероструктур, напівпровідникових, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур, що містить підкладки, камеру, трубчаті канали, який відрізняється тим, що камера виконана у вигляді реактора з керованою системою нагріву підкладок, розташованих на підставці, трубчатих каналів подачі газів-носіїв в реактор, причому в трубчаті канали введені газорозрядні комірки з електродами із алюмінію або галію, або індію, або їх сплавів без або з легуючими...

Пристрій для синтезу напівпровідникових термоелектричних матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 66042

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Разіньков Валерій Васильович, Струтинська Любов Тимофіївна

МПК: C03B 11/00, C03B 35/00, C03B 13/00 ...

Мітки: термоелектричних, пристрій, матеріалів, синтезу, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Пристрій для синтезу напівпровідникових термоелектричних матеріалів, що містить герметичний кварцовий контейнер, синтезну піч, механізм для перемішування розплаву, який відрізняється тим, що синтезна піч, яка складається з коаксіально розташованих алундової труби циліндричної форми, електричного нагрівача та корпусу з теплоізоляцією, оснащена пристроєм для розташування її у горизонтальному або вертикальному положеннях, пристроєм для...

Спосіб автоматизованого вимірювання вольт-амперних характеристик напівпровідникових приладів

Завантаження...

Номер патенту: 96998

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Бондаренко Олександр Федорович, Єрмоленко Євген Олександрович

МПК: G01R 19/32, G01R 31/26

Мітки: вимірювання, спосіб, приладів, автоматизованого, вольт-амперних, напівпровідникових, характеристик

Формула / Реферат:

Спосіб автоматизованого вимірювання вольт-амперних характеристик напівпровідникових приладів, який полягає в тому, що на досліджуваний напівпровідниковий прилад подають послідовність прямокутних електричних імпульсів зі змінною амплітудою, реєструють відповідні значення відгуків на послідовність електричних імпульсів, який відрізняється тим, що перед подачею послідовності прямокутних електричних імпульсів реєструють початковий тепловий стан...

Спосіб вимірювання теплового опору напівпровідникових діодів

Завантаження...

Номер патенту: 65395

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович, Шеремет Володимир Миколайович, Конакова Раїса Василівна

МПК: G01N 25/00

Мітки: спосіб, опору, діодів, напівпровідникових, вимірювання, теплового

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання теплового опору напівпровідникових діодів, який включає пропускання через діод струму імпульсом періодом τF, причому τF<<τпp, де τпр - характерний час теплової релаксації діода, і вимірювання залежності напруги від температури корпусу U(T), пропускання постійного розігріваючого струму ІT протягом періоду, більшого за τF, при підтриманні постійної температури корпусу діода, вимірювання...

Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 62086

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Соколов Олександр Леонідович, Яворський Ярослав Святославович, Потяк Володимир Юрійович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: напівпровідникових, спосіб, багатошарових, отримання, наноструктур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованих сполук РbТе та SnTe при температурі випаровування наважки Тв, шари n-РbТе, p-SnTe, n-РbТе осаджують послідовно на підкладку із сколів (001) КСl при температурі Тп, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп =...

Процес корекції характеристик напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 60530

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: процес, матеріалів, характеристик, напівпровідникових, корекції

Формула / Реферат:

1. Процес корекції характеристик напівпровідникових матеріалів методом опромінювання, який відрізняється тим, що злиток напівпровідникового матеріалу розміщують в полі дії електромагнітного випромінювання, при цьому довжини хвиль λi та їх мінімальні потужності Ei вибирають згідно з резонансними довжинами хвиль λr та потужностями Еr енергій активацій, що визначаються складовими тонкої структури хімічного зв'язку конкретного...

Спосіб одержання рідкокристалічних скловидних нанокомпозитних матеріалів з наночастинками напівпровідникових сульфідів металів

Завантаження...

Номер патенту: 58140

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Волков Сергій Васильович, Яремчук Галина Григорівна, Мирна Тетяна Альфредівна, Асаула Віталій Миколайович

МПК: C01G 21/00, B82B 1/00, C01G 11/00 ...

Мітки: наночастинками, спосіб, матеріалів, скловидних, нанокомпозитних, сульфідів, металів, напівпровідникових, одержання, рідкокристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання рідкокристалічних скловидних нанокомпозитних матеріалів з наночастинками напівпровідникових сульфідів металів, в основу якого покладено взаємодію металовмісної органічної матриці та сульфідного реагента, який відрізняється тим, що нанокомпозити одержують на основі рідкокристалічної фази алканоатів  металів, що містить монодисперсні (±0,5 нм) напівпровідникові наночастинки сульфіду металу, який вибраний з групи CdS, PbS, ZnS,...

Спосіб відбракування напівпровідникових світлодіодів

Завантаження...

Номер патенту: 56827

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Ляшенко Олег Всеволодович, Киселюк Максим Павлович, Велещук Віталій Петрович, Власенко Олександр Іванович, Босий Віталій Ісаєвич

МПК: H01L 21/66

Мітки: напівпровідникових, відбракування, світлодіодів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб відбракування напівпровідникових світлодіодів на основі GaN, GaAs, GaP, який включає вимірювання напруги, який відрізняється тим, що для випробування на надійність світловипромінюючих структур попередньо для зразків із партії, виготовленої в одному технологічному циклі, методами акустичної емісії вимірюють середній струм , при якому виникає акустична емісія, і...

Спосіб контролю гетерування поверхні напівпровідникових пластин лазерним випромінюванням

Завантаження...

Номер патенту: 55758

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Точилін Дмитро Сергійович, Лущін Сергій Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: гетерування, лазерним, випромінюванням, поверхні, контролю, пластин, напівпровідникових, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб контролю гетерування поверхні напівпровідникових пластин лазерним випромінюванням, що включає опромінення поверхні пластин лазерним випромінюванням, визначення ступеня дефектності пластин по характеру дії на них лазерного випромінювання, який відрізняється тим, що ступінь дефектності в результаті гетерування визначають по інтенсивності відбитого променя під прямим кутом до поверхні пластин.

Малогабаритний настільний станок для різання напівпровідникових та інших матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 54782

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Анатичук Лук'ян Іванович, Запаров Сергій Федорович, Німчук Віталій Васильович

МПК: H01L 21/475, H01L 21/461, B28D 5/04 ...

Мітки: напівпровідникових, інших, малогабаритний, матеріалів, різання, настільний, станок

Формула / Реферат:

1. Малогабаритний настільний верстат струнного різання напівпровідникових та інших матеріалів, на основі станини, каретки з ріжучим інструментом, керуючими і контролюючими елементами, який відрізняється тим, що містить напрямні з підшипниковим ковзанням, виконані з можливістю зворотно-поступального руху.2. Малогабаритний настільний верстат струнного різання за п. 1, який відрізняється тим, що ріжучий інструмент складається з каретки...

Спосіб реєстрації геліконового резонансу в напівпровідникових матеріалах

Завантаження...

Номер патенту: 53585

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Верига Андрій Дмитрович, Ластівка Галина Іванівна, Хандожко Олександр Григорович

МПК: G01R 31/26

Мітки: резонансу, спосіб, реєстрації, напівпровідникових, матеріалах, геліконового

Формула / Реферат:

Спосіб реєстрації геліконового резонансу в напівпровідникових матеріалах, що включає сканування магнітного поля в області умов геліконового резонансу, збудження в досліджуваній пластинці геліконових хвиль та реєстрацію частоти генерованих коливань, який відрізняється тим, що пластину геліконового резонатора розміщують в коливальному контурі автодинного давача, який одночасно є індукуючим та збуджуючим пристроєм, вимірюють зміну частоти...

Пристрій для отримання зливків з монокристалічною, полікристалічною та певною структурою напівпровідникових матеріалів, а також для отримання мультикристалічних зливків для сонячної енергетики

Завантаження...

Номер патенту: 51634

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Шаповалов Віктор Олександрович, Колєсніченко Володимир Іванович, Якуша Володимир Вікторович, Карускевич Ольга Віталіївна, Гніздило Олександр Миколайович

МПК: C30B 11/10, C30B 13/00, B01D 9/00 ...

Мітки: сонячної, полікристалічною, енергетики, мультикристалічних, також, напівпровідникових, пристрій, отримання, певною, структурою, зливків, матеріалів, монокристалічною

Формула / Реферат:

1. Пристрій для отримання зливків з монокристалічною, полікристалічною та певною структурою напівпровідникових матеріалів, а також для отримання мультикристалічних зливків для сонячної енергетики, що включає герметичну камеру кристалізації зливка, вакуумну систему, пристрій подачі шихти, камеру плавлення шихти, джерело для розплавлення шихти та нагріву розплаву, механізм витягування зливка, системи струмо- та водопостачання, який...