Патенти з міткою «напівпровідникових»

Номер патенту: 120756

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Сльотов Олексій Михайлович, Махній Віктор Петрович, Бодюл Георгій Ілліч

МПК: H01L 21/66

Мітки: напівпровідникових, ширини, забороненої, зони, матеріалів, спосіб, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони , що включає вимірювання при сталій температурі спектрів оптичного пропускання  не менше як трьох зразків різної товщини  конкретного напівпровідника, знаходження для кожного з них ширини...

Номер патенту: 118064

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Боледзюк Володимир Богданович

МПК: C30B 29/68

Мітки: властивостями, основі, температури, матеріалів, кристалів, шаруватих, кімнатний, bi2se3, одержання, феромагнітними, напівпровідникових, спосіб, bi2te3

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, що базується на методі електрохімічного інтеркалювання іонів кобальту Со2+ у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників Bi2Se3, Ві2Те3, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому паралельно базовій площині кристалу та...

Номер патенту: 113046

Опубліковано: 12.12.2016

Автори: Самбоджу Нарасімха Чарі, Йо Керм Й., Бероуз Френк Дж., Семьюел Джаякумар Пон, Веб Стивен Р.

МПК: C12N 15/82, C12N 15/87, B82B 3/00 ...

Мітки: лінійної, наночастинок, спосіб, введення, рослини, клітину, молекули, яка, нуклеїнової, клітинну, застосуванням, кислоти, має, пегильованих, стінку, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Спосіб введення лінійної молекули нуклеїнової кислоти, яка представляє інтерес, в клітину рослини, яка має клітинну стінку, за яким:надають клітину рослини, яка має клітинну стінку;покривають наночастинку на основі позитивно зарядженого напівпровідника поліетиленгліколем;покривають наночастинку на основі позитивно зарядженого напівпровідника лінійною молекулою нуклеїнової кислоти, яка представляє...

Номер патенту: 108138

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: ширини, визначення, забороненої, спосіб, напівпровідникових, зони, матеріалів

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони  напівпровідникових матеріалів, що включає вимірювання при сталій температурі спектрів оптичного пропускання зразків певної товщини , їх трансформацію у спектри поглинання  та визначення

Номер патенту: 111753

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Мартен Крістіан, Ранкулі Гілберт, Дюбуа Лоран

МПК: C30B 11/00, C30B 28/06, C30B 11/14 ...

Мітки: спосіб, кристалізатор, напівпровідникових, кристалічних, виготовлення, заготовок, виробництва

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок, що включає внутрішній об'єм, який обмежується дном (1а), верхня поверхня якого включає плоску частину, яка утворює першу горизонтальну площину (Н), та периферійними боковими стінками (1b), кожна з яких має внутрішню поверхню, яка включає по суті вертикальну плоску частину, яка утворює по суті вертикальну площину (V), перпендикулярну першій горизонтальній площині...

Номер патенту: 106400

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Цибуленко Юрій Михайлович, Боледзюк Володимир Богданович

МПК: C30B 29/68

Мітки: основі, отримання, напівпровідникових, in2se3, нанокомпозитних, шаруватих, кристалів, спосіб, матеріалів, inse, властивостями, феромагнітними

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, ґрунтується на методі електрохімічного впровадження (інтеркалювання) іонів кобальту у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників InSeб In2Se3, InTe, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в градієнтному магнітному полі, направленому...

Номер патенту: 104132

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Лебедь Олег Миколайович, Деменський Олексій Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/00

Мітки: носіїв, життя, спосіб, визначення, заряду, напівпровідникових, нерівноважних, часу, діодах

Формула / Реферат:

Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах, що включає вимірювання при заданій температурі прямої вольт-амперної характеристики діода й знаходження шуканого значення часу життя нерівноважних носіїв заряду, який відрізняться тим, що для визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду, що рекомбінують переважно в області просторового заряду активних переходів напівпровідникових діодів, додатково, при...

Номер патенту: 103983

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Томашик Василь Миколайович, Курик Андрій Онуфрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Капуш Ольга Анатоліївна, Томашик Зінаїда Федорівна, Тріщук Любомир Іванович, Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Борук Сергій Дмитрович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: C01B 19/04, C01G 1/02, C01G 11/00 ...

Мітки: цинку, телуридів, металів, пристрій, нанокристалів, напівпровідникових, синтезу, підгрупи

Формула / Реферат:

Пристрій для синтезу напівпровідникових нанокристалів телуридів металів підгрупи цинку, який складається з тригорлого ізотермічного гетерогенного реактора напівперіодичної дії для низькотемпературних некаталітичних процесів, оснащеного електромагнітною мішалкою, термометром та патрубком для вихлопних газів, який відрізняється тим, що до патрубка для вихлопних газів пристрою додатково приєднано рідинний нейтралізатор, що виконаний із скляного...

Номер патенту: 103551

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Насиров Махсуд Уалієвич, Виноградов Анатолій Олегович, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна, Коростинська Тамара Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна

МПК: H01L 29/47

Мітки: контактів, виготовлення, напівпровідникових, типу, з'єднань, спосіб, бар'єрних, а3в5

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення бар'єрних контактів до напівпровідникових з'єднань типу А3В5, що включає очищення поверхні підкладки напівпровідникового з'єднання типу А3В5, магнетронне напилювання контактоутворюючого та зовнішнього контактного шарів і швидкий термічний відпал при температурі 450¸550 °C, який відрізняється тим, що для створення контактоутворюючого шару здійснюють магнетронне напилювання квазіаморфної плівки ТіВх товщиною...

Номер патенту: 102378

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Павлик Богдан Васильович, Грипа Андрій Сергійович, Лис Роман Мирославович, Кушлик Маркіян Олегович, Шикоряк Йосип Андрійович, Слободзян Дмитро Петрович, Дідик Роман Іванович

МПК: H01L 21/02

Мітки: обробки, матеріалів, спосіб, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб обробки напівпровідникових матеріалів, за яким напівпровідники опромінюють електромагнітним полем, який відрізняється тим, що для опромінення використовують Х-промені.

Номер патенту: 97318

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Никируй Любомир Іванович, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: термоелектричною, структур, тонкоплівкових, провідності, snte:bi, напівпровідникових, отримання, покращеною, спосіб, потужністю, p-типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур SnTe:Bi р-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на ситалові підкладки при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnТе:Ві із вмістом Ві 0,3...

Номер патенту: 97317

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Маковишин Володимир Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Костюк Оксана Богданівна, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: ситалових, структур, підкладках, отримання, спосіб, напівпровідникових, p-snte:bi

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур p-SnTe:Bi на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують ситалові підкладки при температурі випарника Тв і температурі осадження Тп, який відрізняється тим, що температура випаровування Тв=(870±10) К, а температура осадження Тп=(470±10) К.2. Спосіб за п. 1...

Номер патенту: 95506

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Галян Володимир Володимирович, Олексеюк Іван Дмитрович, Панкевич Володимир Зіновійович, Іващенко Інна Алімівна, Данилюк Ірина Вікторівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: одержання, напівпровідникових, монокристалів, халькогінідних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів, що включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала...

Номер патенту: 95429

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Швець Євген Якович, Юдачов Андрій Валерійович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: температури, напівпровідникових, приладів, пристрій, силових, кристала, контролю

Формула / Реферат:

Пристрій контролю температури кристала силових напівпровідникових приладів, що містить комірки напівпровідникового датчика температури, який відрізняється тим, що комірки розташовані безпосередньо на кристалі силового напівпровідникового приладу.

Номер патенту: 88901

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Приходько Андрій Миколайович, Сокуренко Олег Михайлович, Сокуренко Вячеслав Михайлович

МПК: G02B 9/00, G02B 11/00

Мітки: напівпровідникових, колімації, об'єктів, лазерів, випромінювання

Формула / Реферат:

Об'єктив для колімації випромінювання напівпровідникових лазерів, що містить чотири компоненти, при цьому перший компонент виконано як двовипуклу лінзу, другий компонент виконано як негативний меніск, обернений увігнутістю до предмета, третій компонент виконано позитивною лінзою, четвертий компонент виконано як позитивний меніск, обернений увігнутістю до площини зображення, який відрізняється тим, що третій компонент виконано як двовипуклу...

Номер патенту: 86829

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Шикоряк Йосип Андрійович, Павлик Богдан Васильович, Дідик Роман Іванович, Лис Роман Мирославович, Слободзян Дмитро Петрович, Кушлик Маркіян Олегович, Грипа Андрій Сергійович

МПК: G01N 3/08, H01L 21/322

Мітки: деформації, напівпровідникових, пластичної, пристрій, матеріалів

Формула / Реферат:

Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів, що містить несучу трубу, з розміщеними елементами кріплення і фіксації дослідного зразка, та приєднаним навантажувачем, який відрізняється тим, що частина несучої труби з елементами кріплення дослідного зразка розміщена у місці з відсутнім температурним градієнтом трубчатої печі.

Номер патенту: 85543

Опубліковано: 25.11.2013

Автор: Літвінов Андрій Георгійович

МПК: G09F 19/12, G09F 19/00, G09F 19/18 ...

Мітки: лазерів, пізнавальної, допомогою, діодним, напівпровідникових, твердотільних, подання, інформації, накачуванням, візуальної, спосіб, рекламної

Формула / Реферат:

1. Спосіб подання візуальної рекламної або пізнавальної інформації за допомогою напівпровідникових лазерів та твердотільних лазерів з діодним накачуванням, який відрізняється тим, що проекція букв, цифр, логотипів, знаків здійснюється пристроєм, в конструкції якого використовуються твердотільні лазери з діодним (напівпровідниковим) накачуванням, що випромінюють в зеленій області видимого спектра (501-561 нм), та/або лазери з діодним...

Номер патенту: 84570

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Шикоряк Йосип Андрійович, Павлик Богдан Васильович, Слободзян Дмитро Петрович, Дідик Роман Іванович, Кушлик Маркіян Олегович, Лис Роман Мирославович, Грипа Андрій Сергійович

МПК: G01R 1/00

Мітки: характеристик, температурах, електрофізичних, вимірювання, пристрій, різних, зондовий, структур, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах, що містить підпружинені зонди для підведення до дослідного зразка випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, фторопластова пластина, встановлена у направляючі штифти Г-подібної мідної пластини і...

Номер патенту: 84497

Опубліковано: 25.10.2013

Автор: Яворський Ярослав Святославович

МПК: B82B 3/00

Мітки: структур, термоелектричною, спосіб, отримання, потужністю, покращеною, напівпровідникових, n-pbte:bi

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур n-РbТе:Ві із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв=(970±10)К, на підкладку ситалу при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві з вмістом легуючої домішки 0,05...

Номер патенту: 83599

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Кисельов Юрій Владиславович, Кисельов Владислав Петрович, Безуглий Юрій Віталійович, Кашковський Володимир Ілліч

МПК: H01M 8/00, H01M 8/06

Мітки: електричну, напівпровідникових, енергії, ккд, спосіб, дії, корисної, перетворювачів, сонячної, підвищення, коефіцієнта

Формула / Реферат:

1. Спосіб підвищення коефіцієнта корисної дії (ККД) напівпровідникового перетворювача сонячної енергії в електричну, що складається із двох плоских напівпровідників Ρ і N типу, який полягає у тому, що між плоскими напівпровідниками Ρ і N типу, при їх з'єднанні, утворюється тонкий прошарок напівпровідника, здатний до фотоефекту, який відрізняється тим, що здійснюють збільшення об'єму простору між Ρ і N напівпровідниками шляхом...

Номер патенту: 83598

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Кашковський Володимир Ілліч, Безуглий Юрій Віталійович, Кисельов Владислав Петрович, Кисельов Юрій Владиславович

МПК: H01M 8/00, H01M 8/06

Мітки: пристрій, енергії, підвищення, сонячної, перетворювачів, напівпровідникових, ккд, електричну

Формула / Реферат:

Пристрій для підвищення коефіцієнта корисної дії (ККД) напівпровідникового перетворювача сонячної енергії в електричну, що виконаний із двох плоских напівпровідникових пластин Ρ і Ν, між якими при їх з'єднанні утворюється тонкий прошарок, здатний до фотоефекту, який відрізняється тим, що додатково містить напівпровідникову пластину з власною провідністю І, при цьому або один незатемнений торець пластини І розташовують...

Номер патенту: 83012

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Новіков Євген Іванович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H04N 5/257

Мітки: скануючий, мікроскоп, напівпровідникових, електрофізичних, параметрів, структур, контролю, мікрохвильовий

Формула / Реферат:

Скануючий мікрохвильовий мікроскоп для контролю електрофізичних параметрів напівпровідникових структур, що містить НВЧ генератор, коаксіальний резонатор із загостреним на кінці центральним провідником, детектор, керований столик для напівпровідникових зразків, блок керування та обробки інформативних сигналів, який відрізняється тим, що центральний провідник резонатора розташовано всередині діелектричного трубчатого світловоду, з торцем якого...

Номер патенту: 101707

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Журавльов Олександр Юрійович, Широков Борис Михайлович, Шеремет Володимир Іванович, Шиян Олександр Васильович

МПК: H01L 21/00, C23C 14/00

Мітки: напівпровідникових, атомів, осадження, джерело, вакуумного, основі, структур, кремнію

Формула / Реферат:

1. Джерело атомів для вакуумного осадження напівпровідникових структур на основі кремнію, що включає тверду робочу речовину, у склад якої входить кремній, і засоби для нагрівання робочої речовини, яке відрізняється тим, що робоча речовина містить хімічну сполуку кремнію або кремнію й германію щонайменше з одним з тугоплавких металів, вибраним з ряду: Мо, Nb, Та, W.2. Джерело за п. 1, яке відрізняється тим, що робоча речовина...

Номер патенту: 78467

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Дідик Роман Іванович, Слободзян Дмитро Петрович, Павлик Богдан Васильович, Шикоряк Йосип Андрійович, Кушлик Маркіян Олегович, Лис Роман Мирославович, Грипа Андрій Сергійович

МПК: H01L 21/02, G01R 1/00

Мітки: структур, характеристик, напівпровідникових, електрофізичних, вимірювання, пристрій, зондовий

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для встановлення притискної пружини, один кінець якої...

Номер патенту: 100405

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Канакі Микола Григорович, Канакі Сергій Миколайович, Афонін Ігор Леонідович

МПК: G03B 21/00, G09F 19/12, H04N 5/74 ...

Мітки: модуляцією, матриця, лазерів, напівпровідникових, самоскануюча

Формула / Реферат:

1. Самоскануюча матриця напівпровідникових лазерів з модуляцією, яка містить у собі визначену кількість двопроменевих напівпровідникових лазерів, заздалегідь підготованих до випромінювання і засвітлюваних, кожний наступний лазер, з використанням випромінення попереднього лазера, за допомогою фотоелектричних перетворювачів, почергово, один за одним, яка відрізняється тим, що для встановлення потрібного часу світіння на екрані кожної світлової...

Номер патенту: 70807

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Лисюк Юрій Васильович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Галущак Мар'ян Олексійович

МПК: B82B 3/00

Мітки: підкладках, наноструктур, напівпровідникових, n-pbte:bi, термоелектричними, спосіб, властивостями, покращеними, отримання, ситалових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-РbТе:Ві на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі ТВ, на підкладку ситалу при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника...

Номер патенту: 69952

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Горічок Ігор Володимирович, Лисюк Юрій Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: основі, n-рbте:ві, властивостями, термоелектричними, покращеними, спосіб, отримання, напівпровідникових, наноструктур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-РbТе:Ві з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв, на підкладку слюди-мусковіт при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника складає...

Номер патенту: 69106

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Громко Євген Дмитрович, Грицюк Богдан Миколайович, Нічий Сергій Васильович

МПК: H01L 21/263

Мітки: матеріалів, створення, напівпровідникових, контактів, омічних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічних контактів до напівпровідникових матеріалів, шляхом обробки поверхні напівпровідника імпульсним лазерним випромінюванням, який відрізняється тим, що в область формування контакту попередньо наносять розчин солі металу, робота виходу електрона якого забезпечує омічний контакт з напівпровідником, після чого проводять обробку даної області поверхні імпульсним лазерним випромінюванням з енергією, яка забезпечує проплавку...

Номер патенту: 68570

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Грипа Андрій Сергійович, Шикоряк Йосип Андрійович, Слободзян Дмитро Петрович, Павлик Богдан Васильович, Цвєткова Ольга Валентинівна, Лис Роман Мирославович, Дідик Роман Іванович

МПК: G01R 1/00, H01L 21/02

Мітки: електрофізичних, пристрій, характеристик, зондовий, структур, напівпровідникових, вимірювання

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, який відрізняється тим, що введено додаткові зонди, вставлені у напрямні отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для...

Номер патенту: 67458

Опубліковано: 27.02.2012

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: температури, визначення, матеріалів, кюрі, напівпровідникових, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температури Кюрі напівпровідникових матеріалів, що включає її знаходження шляхом розрахунку, який відрізняється тим, що для матеріалу. експериментально визначають енергію поздовжнього оптичного фонона, а температуру Кюрі визначають з виразу, Κ,де енергія поздовжнього фонона

Номер патенту: 66594

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Масол Ігор Віталійович, Ляхова Ніна Олегівна, Ляхова Наталія Миколаївна, Осінський Володимир Іванович

МПК: H01L 33/00, H01L 21/00

Мітки: напівпровідникових, гетероструктур, пристрій, епітаксійного, вирощування

Формула / Реферат:

1. Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур, що містить підкладки, камеру, трубчаті канали, який відрізняється тим, що камера виконана у вигляді реактора з керованою системою нагріву підкладок, розташованих на підставці, трубчатих каналів подачі газів-носіїв в реактор, причому в трубчаті канали введені газорозрядні комірки з електродами із алюмінію або галію, або індію, або їх сплавів без або з легуючими...

Номер патенту: 66042

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Струтинська Любов Тимофіївна, Разіньков Валерій Васильович

МПК: C03B 13/00, C03B 35/00, C03B 11/00 ...

Мітки: напівпровідникових, пристрій, синтезу, термоелектричних, матеріалів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для синтезу напівпровідникових термоелектричних матеріалів, що містить герметичний кварцовий контейнер, синтезну піч, механізм для перемішування розплаву, який відрізняється тим, що синтезна піч, яка складається з коаксіально розташованих алундової труби циліндричної форми, електричного нагрівача та корпусу з теплоізоляцією, оснащена пристроєм для розташування її у горизонтальному або вертикальному положеннях, пристроєм для...

Номер патенту: 96998

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Бондаренко Олександр Федорович, Єрмоленко Євген Олександрович

МПК: G01R 19/32, G01R 31/26

Мітки: приладів, характеристик, вольт-амперних, напівпровідникових, спосіб, вимірювання, автоматизованого

Формула / Реферат:

Спосіб автоматизованого вимірювання вольт-амперних характеристик напівпровідникових приладів, який полягає в тому, що на досліджуваний напівпровідниковий прилад подають послідовність прямокутних електричних імпульсів зі змінною амплітудою, реєструють відповідні значення відгуків на послідовність електричних імпульсів, який відрізняється тим, що перед подачею послідовності прямокутних електричних імпульсів реєструють початковий тепловий стан...

Номер патенту: 65395

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Болтовець Микола Силович, Шеремет Володимир Миколайович, Кудрик Ярослав Ярославович, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна

МПК: G01N 25/00

Мітки: теплового, опору, вимірювання, спосіб, напівпровідникових, діодів

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання теплового опору напівпровідникових діодів, який включає пропускання через діод струму імпульсом періодом τF, причому τF<<τпp, де τпр - характерний час теплової релаксації діода, і вимірювання залежності напруги від температури корпусу U(T), пропускання постійного розігріваючого струму ІT протягом періоду, більшого за τF, при підтриманні постійної температури корпусу діода, вимірювання...

Номер патенту: 62086

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Яворський Ярослав Святославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Потяк Володимир Юрійович, Соколов Олександр Леонідович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, напівпровідникових, отримання, спосіб, багатошарових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованих сполук РbТе та SnTe при температурі випаровування наважки Тв, шари n-РbТе, p-SnTe, n-РbТе осаджують послідовно на підкладку із сколів (001) КСl при температурі Тп, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп =...

Номер патенту: 60530

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: матеріалів, характеристик, корекції, напівпровідникових, процес

Формула / Реферат:

1. Процес корекції характеристик напівпровідникових матеріалів методом опромінювання, який відрізняється тим, що злиток напівпровідникового матеріалу розміщують в полі дії електромагнітного випромінювання, при цьому довжини хвиль λi та їх мінімальні потужності Ei вибирають згідно з резонансними довжинами хвиль λr та потужностями Еr енергій активацій, що визначаються складовими тонкої структури хімічного зв'язку конкретного...

Номер патенту: 58140

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Асаула Віталій Миколайович, Яремчук Галина Григорівна, Мирна Тетяна Альфредівна, Волков Сергій Васильович

МПК: B82B 1/00, C01G 21/00, C01G 11/00 ...

Мітки: напівпровідникових, скловидних, одержання, наночастинками, сульфідів, нанокомпозитних, рідкокристалічних, матеріалів, металів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання рідкокристалічних скловидних нанокомпозитних матеріалів з наночастинками напівпровідникових сульфідів металів, в основу якого покладено взаємодію металовмісної органічної матриці та сульфідного реагента, який відрізняється тим, що нанокомпозити одержують на основі рідкокристалічної фази алканоатів  металів, що містить монодисперсні (±0,5 нм) напівпровідникові наночастинки сульфіду металу, який вибраний з групи CdS, PbS, ZnS,...

Номер патенту: 56827

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Киселюк Максим Павлович, Велещук Віталій Петрович, Ляшенко Олег Всеволодович, Босий Віталій Ісаєвич, Власенко Олександр Іванович

МПК: H01L 21/66

Мітки: відбракування, світлодіодів, напівпровідникових, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб відбракування напівпровідникових світлодіодів на основі GaN, GaAs, GaP, який включає вимірювання напруги, який відрізняється тим, що для випробування на надійність світловипромінюючих структур попередньо для зразків із партії, виготовленої в одному технологічному циклі, методами акустичної емісії вимірюють середній струм , при якому виникає акустична емісія, і...

Номер патенту: 55758

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Лущін Сергій Петрович, Точилін Дмитро Сергійович

МПК: H01L 21/66

Мітки: поверхні, спосіб, випромінюванням, контролю, гетерування, напівпровідникових, лазерним, пластин

Формула / Реферат:

Спосіб контролю гетерування поверхні напівпровідникових пластин лазерним випромінюванням, що включає опромінення поверхні пластин лазерним випромінюванням, визначення ступеня дефектності пластин по характеру дії на них лазерного випромінювання, який відрізняється тим, що ступінь дефектності в результаті гетерування визначають по інтенсивності відбитого променя під прямим кутом до поверхні пластин.

Номер патенту: 54782

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Запаров Сергій Федорович, Анатичук Лук'ян Іванович, Німчук Віталій Васильович

МПК: H01L 21/461, H01L 21/475, B28D 5/04 ...

Мітки: інших, малогабаритний, настільний, матеріалів, станок, напівпровідникових, різання

Формула / Реферат:

1. Малогабаритний настільний верстат струнного різання напівпровідникових та інших матеріалів, на основі станини, каретки з ріжучим інструментом, керуючими і контролюючими елементами, який відрізняється тим, що містить напрямні з підшипниковим ковзанням, виконані з можливістю зворотно-поступального руху.2. Малогабаритний настільний верстат струнного різання за п. 1, який відрізняється тим, що ріжучий інструмент складається з каретки...