Патенти з міткою «напівпровідникових»

Спосіб введення лінійної молекули нуклеїнової кислоти в клітину рослини, яка має клітинну стінку, із застосуванням пегильованих напівпровідникових наночастинок

Завантаження...

Номер патенту: 113046

Опубліковано: 12.12.2016

Автори: Йо Керм Й., Бероуз Френк Дж., Веб Стивен Р., Самбоджу Нарасімха Чарі, Семьюел Джаякумар Пон

МПК: B82B 3/00, C12N 15/87, C12N 15/82 ...

Мітки: спосіб, кислоти, лінійної, має, пегильованих, наночастинок, введення, молекули, стінку, застосуванням, клітину, яка, клітинну, напівпровідникових, рослини, нуклеїнової

Формула / Реферат:

1. Спосіб введення лінійної молекули нуклеїнової кислоти, яка представляє інтерес, в клітину рослини, яка має клітинну стінку, за яким:надають клітину рослини, яка має клітинну стінку;покривають наночастинку на основі позитивно зарядженого напівпровідника поліетиленгліколем;покривають наночастинку на основі позитивно зарядженого напівпровідника лінійною молекулою нуклеїнової кислоти, яка представляє...

Спосіб визначення ширини забороненої зони напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 108138

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: зони, матеріалів, забороненої, ширини, визначення, напівпровідникових, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони  напівпровідникових матеріалів, що включає вимірювання при сталій температурі спектрів оптичного пропускання зразків певної товщини , їх трансформацію у спектри поглинання  та визначення

Кристалізатор для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок та спосіб його виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 111753

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Дюбуа Лоран, Ранкулі Гілберт, Мартен Крістіан

МПК: C30B 11/00, C30B 11/14, C30B 28/06 ...

Мітки: виробництва, напівпровідникових, кристалічних, виготовлення, спосіб, заготовок, кристалізатор

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок, що включає внутрішній об'єм, який обмежується дном (1а), верхня поверхня якого включає плоску частину, яка утворює першу горизонтальну площину (Н), та периферійними боковими стінками (1b), кожна з яких має внутрішню поверхню, яка включає по суті вертикальну плоску частину, яка утворює по суті вертикальну площину (V), перпендикулярну першій горизонтальній площині...

Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів з феромагнітними властивостями на основі шаруватих кристалів inse, in2se3, inte

Завантаження...

Номер патенту: 106400

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Цибуленко Юрій Михайлович, Ковалюк Захар Дмитрович, Боледзюк Володимир Богданович

МПК: C30B 29/68

Мітки: шаруватих, основі, спосіб, отримання, феромагнітними, матеріалів, inse, кристалів, нанокомпозитних, властивостями, in2se3, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, ґрунтується на методі електрохімічного впровадження (інтеркалювання) іонів кобальту у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників InSeб In2Se3, InTe, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в градієнтному магнітному полі, направленому...

Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах

Завантаження...

Номер патенту: 104132

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович, Єрохін Сергій Юрійович, Деменський Олексій Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: нерівноважних, напівпровідникових, часу, спосіб, заряду, носіїв, життя, визначення, діодах

Формула / Реферат:

Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах, що включає вимірювання при заданій температурі прямої вольт-амперної характеристики діода й знаходження шуканого значення часу життя нерівноважних носіїв заряду, який відрізняться тим, що для визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду, що рекомбінують переважно в області просторового заряду активних переходів напівпровідникових діодів, додатково, при...

Пристрій для синтезу напівпровідникових нанокристалів телуридів металів підгрупи цинку

Завантаження...

Номер патенту: 103983

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Капуш Ольга Анатоліївна, Будзуляк Сергій Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Борук Сергій Дмитрович, Корбутяк Дмитро Васильович, Томашик Зінаїда Федорівна, Томашик Василь Миколайович, Тріщук Любомир Іванович, Курик Андрій Онуфрійович

МПК: C01G 1/02, C01B 19/04, C01G 11/00 ...

Мітки: пристрій, телуридів, цинку, синтезу, металів, нанокристалів, напівпровідникових, підгрупи

Формула / Реферат:

Пристрій для синтезу напівпровідникових нанокристалів телуридів металів підгрупи цинку, який складається з тригорлого ізотермічного гетерогенного реактора напівперіодичної дії для низькотемпературних некаталітичних процесів, оснащеного електромагнітною мішалкою, термометром та патрубком для вихлопних газів, який відрізняється тим, що до патрубка для вихлопних газів пристрою додатково приєднано рідинний нейтралізатор, що виконаний із скляного...

Спосіб виготовлення бар’єрних контактів до напівпровідникових з’єднань типу а3в5

Завантаження...

Номер патенту: 103551

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Виноградов Анатолій Олегович, Бєляєв Олександр Євгенович, Коростинська Тамара Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Насиров Махсуд Уалієвич, Конакова Раїса Василівна

МПК: H01L 29/47

Мітки: контактів, виготовлення, напівпровідникових, спосіб, а3в5, бар'єрних, з'єднань, типу

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення бар'єрних контактів до напівпровідникових з'єднань типу А3В5, що включає очищення поверхні підкладки напівпровідникового з'єднання типу А3В5, магнетронне напилювання контактоутворюючого та зовнішнього контактного шарів і швидкий термічний відпал при температурі 450¸550 °C, який відрізняється тим, що для створення контактоутворюючого шару здійснюють магнетронне напилювання квазіаморфної плівки ТіВх товщиною...

Спосіб обробки напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 102378

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Лис Роман Мирославович, Грипа Андрій Сергійович, Дідик Роман Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович, Слободзян Дмитро Петрович, Кушлик Маркіян Олегович, Павлик Богдан Васильович

МПК: H01L 21/02

Мітки: обробки, матеріалів, спосіб, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб обробки напівпровідникових матеріалів, за яким напівпровідники опромінюють електромагнітним полем, який відрізняється тим, що для опромінення використовують Х-промені.

Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур snte:bi p-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю

Завантаження...

Номер патенту: 97318

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Любомир Іванович, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: B82B 3/00

Мітки: спосіб, напівпровідникових, p-типу, отримання, провідності, покращеною, потужністю, термоелектричною, snte:bi, тонкоплівкових, структур

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур SnTe:Bi р-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на ситалові підкладки при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnТе:Ві із вмістом Ві 0,3...

Спосіб отримання напівпровідникових структур p-snte:bi на ситалових підкладках

Завантаження...

Номер патенту: 97317

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Костюк Оксана Богданівна, Дзундза Богдан Степанович, Маковишин Володимир Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: структур, підкладках, p-snte:bi, ситалових, напівпровідникових, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур p-SnTe:Bi на ситалових підкладках, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують ситалові підкладки при температурі випарника Тв і температурі осадження Тп, який відрізняється тим, що температура випаровування Тв=(870±10) К, а температура осадження Тп=(470±10) К.2. Спосіб за п. 1...

Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 95506

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Олексеюк Іван Дмитрович, Іващенко Інна Алімівна, Галян Володимир Володимирович, Данилюк Ірина Вікторівна, Панкевич Володимир Зіновійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, халькогінідних, одержання, спосіб, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів, що включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала...

Пристрій контролю температури кристала силових напівпровідникових приладів

Завантаження...

Номер патенту: 95429

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Юдачов Андрій Валерійович, Швець Євген Якович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: напівпровідникових, пристрій, температури, силових, контролю, кристала, приладів

Формула / Реферат:

Пристрій контролю температури кристала силових напівпровідникових приладів, що містить комірки напівпровідникового датчика температури, який відрізняється тим, що комірки розташовані безпосередньо на кристалі силового напівпровідникового приладу.

Об’єктив для колімації випромінювання напівпровідникових лазерів

Завантаження...

Номер патенту: 88901

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Сокуренко Вячеслав Михайлович, Сокуренко Олег Михайлович, Приходько Андрій Миколайович

МПК: G02B 9/00, G02B 11/00

Мітки: випромінювання, лазерів, напівпровідникових, колімації, об'єктів

Формула / Реферат:

Об'єктив для колімації випромінювання напівпровідникових лазерів, що містить чотири компоненти, при цьому перший компонент виконано як двовипуклу лінзу, другий компонент виконано як негативний меніск, обернений увігнутістю до предмета, третій компонент виконано позитивною лінзою, четвертий компонент виконано як позитивний меніск, обернений увігнутістю до площини зображення, який відрізняється тим, що третій компонент виконано як двовипуклу...

Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 86829

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Дідик Роман Іванович, Кушлик Маркіян Олегович, Слободзян Дмитро Петрович, Лис Роман Мирославович, Грипа Андрій Сергійович, Павлик Богдан Васильович, Шикоряк Йосип Андрійович

МПК: H01L 21/322, G01N 3/08

Мітки: пристрій, пластичної, напівпровідникових, матеріалів, деформації

Формула / Реферат:

Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів, що містить несучу трубу, з розміщеними елементами кріплення і фіксації дослідного зразка, та приєднаним навантажувачем, який відрізняється тим, що частина несучої труби з елементами кріплення дослідного зразка розміщена у місці з відсутнім температурним градієнтом трубчатої печі.

Спосіб подання візуальної рекламної або пізнавальної інформації за допомогою напівпровідникових лазерів та твердотільних лазерів з діодним накачуванням

Завантаження...

Номер патенту: 85543

Опубліковано: 25.11.2013

Автор: Літвінов Андрій Георгійович

МПК: G09F 19/12, G09F 19/00, G09F 19/18 ...

Мітки: діодним, інформації, спосіб, пізнавальної, лазерів, візуальної, допомогою, твердотільних, подання, рекламної, накачуванням, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Спосіб подання візуальної рекламної або пізнавальної інформації за допомогою напівпровідникових лазерів та твердотільних лазерів з діодним накачуванням, який відрізняється тим, що проекція букв, цифр, логотипів, знаків здійснюється пристроєм, в конструкції якого використовуються твердотільні лазери з діодним (напівпровідниковим) накачуванням, що випромінюють в зеленій області видимого спектра (501-561 нм), та/або лазери з діодним...

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах

Завантаження...

Номер патенту: 84570

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Павлик Богдан Васильович, Дідик Роман Іванович, Слободзян Дмитро Петрович, Кушлик Маркіян Олегович, Грипа Андрій Сергійович, Лис Роман Мирославович, Шикоряк Йосип Андрійович

МПК: G01R 1/00

Мітки: вимірювання, електрофізичних, пристрій, температурах, різних, характеристик, зондовий, структур, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах, що містить підпружинені зонди для підведення до дослідного зразка випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, фторопластова пластина, встановлена у направляючі штифти Г-подібної мідної пластини і...

Спосіб отримання напівпровідникових структур n-pbte:bi із покращеною термоелектричною потужністю

Завантаження...

Номер патенту: 84497

Опубліковано: 25.10.2013

Автор: Яворський Ярослав Святославович

МПК: B82B 3/00

Мітки: n-pbte:bi, термоелектричною, отримання, спосіб, структур, покращеною, напівпровідникових, потужністю

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур n-РbТе:Ві із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв=(970±10)К, на підкладку ситалу при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві з вмістом легуючої домішки 0,05...

Спосіб підвищення коефіцієнта корисної дії (ккд) напівпровідникових перетворювачів сонячної енергії в електричну

Завантаження...

Номер патенту: 83599

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Безуглий Юрій Віталійович, Кисельов Юрій Владиславович, Кисельов Владислав Петрович, Кашковський Володимир Ілліч

МПК: H01M 8/06, H01M 8/00

Мітки: спосіб, електричну, напівпровідникових, корисної, коефіцієнта, перетворювачів, ккд, підвищення, дії, сонячної, енергії

Формула / Реферат:

1. Спосіб підвищення коефіцієнта корисної дії (ККД) напівпровідникового перетворювача сонячної енергії в електричну, що складається із двох плоских напівпровідників Ρ і N типу, який полягає у тому, що між плоскими напівпровідниками Ρ і N типу, при їх з'єднанні, утворюється тонкий прошарок напівпровідника, здатний до фотоефекту, який відрізняється тим, що здійснюють збільшення об'єму простору між Ρ і N напівпровідниками шляхом...

Пристрій для підвищення ккд напівпровідникових перетворювачів сонячної енергії в електричну

Завантаження...

Номер патенту: 83598

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Кашковський Володимир Ілліч, Кисельов Юрій Владиславович, Кисельов Владислав Петрович, Безуглий Юрій Віталійович

МПК: H01M 8/00, H01M 8/06

Мітки: сонячної, пристрій, електричну, ккд, перетворювачів, напівпровідникових, підвищення, енергії

Формула / Реферат:

Пристрій для підвищення коефіцієнта корисної дії (ККД) напівпровідникового перетворювача сонячної енергії в електричну, що виконаний із двох плоских напівпровідникових пластин Ρ і Ν, між якими при їх з'єднанні утворюється тонкий прошарок, здатний до фотоефекту, який відрізняється тим, що додатково містить напівпровідникову пластину з власною провідністю І, при цьому або один незатемнений торець пластини І розташовують...

Скануючий мікрохвильовий мікроскоп для контролю електрофізичних параметрів напівпровідникових структур

Завантаження...

Номер патенту: 83012

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Новіков Євген Іванович

МПК: H04N 5/257

Мітки: параметрів, мікроскоп, електрофізичних, контролю, скануючий, напівпровідникових, мікрохвильовий, структур

Формула / Реферат:

Скануючий мікрохвильовий мікроскоп для контролю електрофізичних параметрів напівпровідникових структур, що містить НВЧ генератор, коаксіальний резонатор із загостреним на кінці центральним провідником, детектор, керований столик для напівпровідникових зразків, блок керування та обробки інформативних сигналів, який відрізняється тим, що центральний провідник резонатора розташовано всередині діелектричного трубчатого світловоду, з торцем якого...

Джерело атомів для вакуумного осадження напівпровідникових структур на основі кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 101707

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Шиян Олександр Васильович, Широков Борис Михайлович, Шеремет Володимир Іванович, Журавльов Олександр Юрійович

МПК: H01L 21/00, C23C 14/00

Мітки: атомів, вакуумного, осадження, основі, джерело, структур, напівпровідникових, кремнію

Формула / Реферат:

1. Джерело атомів для вакуумного осадження напівпровідникових структур на основі кремнію, що включає тверду робочу речовину, у склад якої входить кремній, і засоби для нагрівання робочої речовини, яке відрізняється тим, що робоча речовина містить хімічну сполуку кремнію або кремнію й германію щонайменше з одним з тугоплавких металів, вибраним з ряду: Мо, Nb, Та, W.2. Джерело за п. 1, яке відрізняється тим, що робоча речовина...

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур

Завантаження...

Номер патенту: 78467

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Лис Роман Мирославович, Дідик Роман Іванович, Слободзян Дмитро Петрович, Шикоряк Йосип Андрійович, Кушлик Маркіян Олегович, Павлик Богдан Васильович, Грипа Андрій Сергійович

МПК: G01R 1/00, H01L 21/02

Мітки: пристрій, вимірювання, напівпровідникових, структур, характеристик, зондовий, електрофізичних

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, вставлені у направляючі отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для встановлення притискної пружини, один кінець якої...

Самоскануюча матриця напівпровідникових лазерів з модуляцією

Завантаження...

Номер патенту: 100405

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Канакі Сергій Миколайович, Афонін Ігор Леонідович, Канакі Микола Григорович

МПК: G09F 19/12, G03B 21/00, H04N 5/74 ...

Мітки: напівпровідникових, самоскануюча, матриця, лазерів, модуляцією

Формула / Реферат:

1. Самоскануюча матриця напівпровідникових лазерів з модуляцією, яка містить у собі визначену кількість двопроменевих напівпровідникових лазерів, заздалегідь підготованих до випромінювання і засвітлюваних, кожний наступний лазер, з використанням випромінення попереднього лазера, за допомогою фотоелектричних перетворювачів, почергово, один за одним, яка відрізняється тим, що для встановлення потрібного часу світіння на екрані кожної світлової...

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-pbte:bi на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями

Завантаження...

Номер патенту: 70807

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Лисюк Юрій Васильович, Горічок Ігор Володимирович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: n-pbte:bi, покращеними, підкладках, наноструктур, спосіб, ситалових, напівпровідникових, отримання, властивостями, термоелектричними

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-РbТе:Ві на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі ТВ, на підкладку ситалу при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника...

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-рbте:ві з покращеними термоелектричними властивостями

Завантаження...

Номер патенту: 69952

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Галущак Мар'ян Олексійович, Лисюк Юрій Васильович

МПК: B82B 3/00

Мітки: покращеними, отримання, наноструктур, напівпровідникових, n-рbте:ві, спосіб, властивостями, термоелектричними, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-РbТе:Ві з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв, на підкладку слюди-мусковіт при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника складає...

Спосіб створення омічних контактів до напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 69106

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Нічий Сергій Васильович, Громко Євген Дмитрович, Грицюк Богдан Миколайович

МПК: H01L 21/263

Мітки: матеріалів, напівпровідникових, контактів, спосіб, створення, омічних

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічних контактів до напівпровідникових матеріалів, шляхом обробки поверхні напівпровідника імпульсним лазерним випромінюванням, який відрізняється тим, що в область формування контакту попередньо наносять розчин солі металу, робота виходу електрона якого забезпечує омічний контакт з напівпровідником, після чого проводять обробку даної області поверхні імпульсним лазерним випромінюванням з енергією, яка забезпечує проплавку...

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур

Завантаження...

Номер патенту: 68570

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Цвєткова Ольга Валентинівна, Павлик Богдан Васильович, Грипа Андрій Сергійович, Дідик Роман Іванович, Слободзян Дмитро Петрович, Шикоряк Йосип Андрійович, Лис Роман Мирославович

МПК: G01R 1/00, H01L 21/02

Мітки: зондовий, вимірювання, напівпровідникових, характеристик, електрофізичних, пристрій, структур

Формула / Реферат:

Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур, що містить підпружинені зонди для підведення випробувальних сигналів, який відрізняється тим, що введено додаткові зонди, вставлені у напрямні отвори фторопластової пластини, виконані по шаблону на місцях, відповідних до нанесених контактів на дослідному зразку, причому контактні торці зондів виготовлені у формі півкулі, а протилежні - з виїмкою для...

Спосіб визначення температури кюрі напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 67458

Опубліковано: 27.02.2012

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: матеріалів, спосіб, кюрі, температури, напівпровідникових, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температури Кюрі напівпровідникових матеріалів, що включає її знаходження шляхом розрахунку, який відрізняється тим, що для матеріалу. експериментально визначають енергію поздовжнього оптичного фонона, а температуру Кюрі визначають з виразу, Κ,де енергія поздовжнього фонона

Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур

Завантаження...

Номер патенту: 66594

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Масол Ігор Віталійович, Осінський Володимир Іванович, Ляхова Наталія Миколаївна, Ляхова Ніна Олегівна

МПК: H01L 33/00, H01L 21/00

Мітки: пристрій, напівпровідникових, вирощування, епітаксійного, гетероструктур

Формула / Реферат:

1. Пристрій для епітаксійного вирощування напівпровідникових гетероструктур, що містить підкладки, камеру, трубчаті канали, який відрізняється тим, що камера виконана у вигляді реактора з керованою системою нагріву підкладок, розташованих на підставці, трубчатих каналів подачі газів-носіїв в реактор, причому в трубчаті канали введені газорозрядні комірки з електродами із алюмінію або галію, або індію, або їх сплавів без або з легуючими...

Пристрій для синтезу напівпровідникових термоелектричних матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 66042

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Струтинська Любов Тимофіївна, Разіньков Валерій Васильович

МПК: C03B 11/00, C03B 13/00, C03B 35/00 ...

Мітки: пристрій, термоелектричних, синтезу, матеріалів, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Пристрій для синтезу напівпровідникових термоелектричних матеріалів, що містить герметичний кварцовий контейнер, синтезну піч, механізм для перемішування розплаву, який відрізняється тим, що синтезна піч, яка складається з коаксіально розташованих алундової труби циліндричної форми, електричного нагрівача та корпусу з теплоізоляцією, оснащена пристроєм для розташування її у горизонтальному або вертикальному положеннях, пристроєм для...

Спосіб автоматизованого вимірювання вольт-амперних характеристик напівпровідникових приладів

Завантаження...

Номер патенту: 96998

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Єрмоленко Євген Олександрович, Бондаренко Олександр Федорович

МПК: G01R 19/32, G01R 31/26

Мітки: характеристик, вимірювання, приладів, напівпровідникових, вольт-амперних, спосіб, автоматизованого

Формула / Реферат:

Спосіб автоматизованого вимірювання вольт-амперних характеристик напівпровідникових приладів, який полягає в тому, що на досліджуваний напівпровідниковий прилад подають послідовність прямокутних електричних імпульсів зі змінною амплітудою, реєструють відповідні значення відгуків на послідовність електричних імпульсів, який відрізняється тим, що перед подачею послідовності прямокутних електричних імпульсів реєструють початковий тепловий стан...

Спосіб вимірювання теплового опору напівпровідникових діодів

Завантаження...

Номер патенту: 65395

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: G01N 25/00

Мітки: діодів, теплового, напівпровідникових, опору, вимірювання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання теплового опору напівпровідникових діодів, який включає пропускання через діод струму імпульсом періодом τF, причому τF<<τпp, де τпр - характерний час теплової релаксації діода, і вимірювання залежності напруги від температури корпусу U(T), пропускання постійного розігріваючого струму ІT протягом періоду, більшого за τF, при підтриманні постійної температури корпусу діода, вимірювання...

Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 62086

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Соколов Олександр Леонідович, Фреїк Дмитро Михайлович, Потяк Володимир Юрійович, Яворський Ярослав Святославович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: багатошарових, напівпровідникових, наноструктур, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованих сполук РbТе та SnTe при температурі випаровування наважки Тв, шари n-РbТе, p-SnTe, n-РbТе осаджують послідовно на підкладку із сколів (001) КСl при температурі Тп, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп =...

Процес корекції характеристик напівпровідникових матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 60530

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: характеристик, матеріалів, напівпровідникових, процес, корекції

Формула / Реферат:

1. Процес корекції характеристик напівпровідникових матеріалів методом опромінювання, який відрізняється тим, що злиток напівпровідникового матеріалу розміщують в полі дії електромагнітного випромінювання, при цьому довжини хвиль λi та їх мінімальні потужності Ei вибирають згідно з резонансними довжинами хвиль λr та потужностями Еr енергій активацій, що визначаються складовими тонкої структури хімічного зв'язку конкретного...

Спосіб одержання рідкокристалічних скловидних нанокомпозитних матеріалів з наночастинками напівпровідникових сульфідів металів

Завантаження...

Номер патенту: 58140

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Асаула Віталій Миколайович, Мирна Тетяна Альфредівна, Волков Сергій Васильович, Яремчук Галина Григорівна

МПК: C01G 11/00, B82B 1/00, C01G 21/00 ...

Мітки: металів, сульфідів, спосіб, напівпровідникових, матеріалів, нанокомпозитних, одержання, скловидних, наночастинками, рідкокристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання рідкокристалічних скловидних нанокомпозитних матеріалів з наночастинками напівпровідникових сульфідів металів, в основу якого покладено взаємодію металовмісної органічної матриці та сульфідного реагента, який відрізняється тим, що нанокомпозити одержують на основі рідкокристалічної фази алканоатів  металів, що містить монодисперсні (±0,5 нм) напівпровідникові наночастинки сульфіду металу, який вибраний з групи CdS, PbS, ZnS,...

Спосіб відбракування напівпровідникових світлодіодів

Завантаження...

Номер патенту: 56827

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Власенко Олександр Іванович, Киселюк Максим Павлович, Велещук Віталій Петрович, Босий Віталій Ісаєвич, Ляшенко Олег Всеволодович

МПК: H01L 21/66

Мітки: світлодіодів, напівпровідникових, спосіб, відбракування

Формула / Реферат:

Спосіб відбракування напівпровідникових світлодіодів на основі GaN, GaAs, GaP, який включає вимірювання напруги, який відрізняється тим, що для випробування на надійність світловипромінюючих структур попередньо для зразків із партії, виготовленої в одному технологічному циклі, методами акустичної емісії вимірюють середній струм , при якому виникає акустична емісія, і...

Спосіб контролю гетерування поверхні напівпровідникових пластин лазерним випромінюванням

Завантаження...

Номер патенту: 55758

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Лущін Сергій Петрович, Точилін Дмитро Сергійович

МПК: H01L 21/66

Мітки: поверхні, гетерування, пластин, контролю, лазерним, напівпровідникових, випромінюванням, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб контролю гетерування поверхні напівпровідникових пластин лазерним випромінюванням, що включає опромінення поверхні пластин лазерним випромінюванням, визначення ступеня дефектності пластин по характеру дії на них лазерного випромінювання, який відрізняється тим, що ступінь дефектності в результаті гетерування визначають по інтенсивності відбитого променя під прямим кутом до поверхні пластин.

Малогабаритний настільний станок для різання напівпровідникових та інших матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 54782

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Анатичук Лук'ян Іванович, Німчук Віталій Васильович, Запаров Сергій Федорович

МПК: H01L 21/475, B28D 5/04, H01L 21/461 ...

Мітки: матеріалів, станок, напівпровідникових, малогабаритний, різання, інших, настільний

Формула / Реферат:

1. Малогабаритний настільний верстат струнного різання напівпровідникових та інших матеріалів, на основі станини, каретки з ріжучим інструментом, керуючими і контролюючими елементами, який відрізняється тим, що містить напрямні з підшипниковим ковзанням, виконані з можливістю зворотно-поступального руху.2. Малогабаритний настільний верстат струнного різання за п. 1, який відрізняється тим, що ріжучий інструмент складається з каретки...

Спосіб реєстрації геліконового резонансу в напівпровідникових матеріалах

Завантаження...

Номер патенту: 53585

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Хандожко Олександр Григорович, Ластівка Галина Іванівна, Верига Андрій Дмитрович

МПК: G01R 31/26

Мітки: матеріалах, напівпровідникових, реєстрації, резонансу, спосіб, геліконового

Формула / Реферат:

Спосіб реєстрації геліконового резонансу в напівпровідникових матеріалах, що включає сканування магнітного поля в області умов геліконового резонансу, збудження в досліджуваній пластинці геліконових хвиль та реєстрацію частоти генерованих коливань, який відрізняється тим, що пластину геліконового резонатора розміщують в коливальному контурі автодинного давача, який одночасно є індукуючим та збуджуючим пристроєм, вимірюють зміну частоти...

Пристрій для отримання зливків з монокристалічною, полікристалічною та певною структурою напівпровідникових матеріалів, а також для отримання мультикристалічних зливків для сонячної енергетики

Завантаження...

Номер патенту: 51634

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Якуша Володимир Вікторович, Колєсніченко Володимир Іванович, Гніздило Олександр Миколайович, Шаповалов Віктор Олександрович, Карускевич Ольга Віталіївна

МПК: C30B 13/00, C30B 11/10, B01D 9/00 ...

Мітки: енергетики, полікристалічною, отримання, структурою, мультикристалічних, матеріалів, напівпровідникових, також, сонячної, пристрій, певною, зливків, монокристалічною

Формула / Реферат:

1. Пристрій для отримання зливків з монокристалічною, полікристалічною та певною структурою напівпровідникових матеріалів, а також для отримання мультикристалічних зливків для сонячної енергетики, що включає герметичну камеру кристалізації зливка, вакуумну систему, пристрій подачі шихти, камеру плавлення шихти, джерело для розплавлення шихти та нагріву розплаву, механізм витягування зливка, системи струмо- та водопостачання, який...