Патенти з міткою «напівпровідників»

Номер патенту: 118036

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Левицький Сергій Миколайович, Власенко Олександр Іванович, Тору Аокі, Гнатюк Володимир Анастасійович

МПК: H01L 21/00, C30B 11/00

Мітки: спосіб, наносекундними, деформаційними, твердофазного, а2в6, хвилями, групи, напівпровідників, легування, ударними, рідкому, елементами, поверхневого, шару, генерованими, лазера, імпульсами, середовищі

Формула / Реферат:

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...

Номер патенту: 116894

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Водоп'янов Володимир Миколайович, Ковалюк Захар Дмитрович, Бахтінов Анатолій Петрович, Нетяга Віктор Васильович, Кудринський Захар Русланович

МПК: H01L 21/288, B82B 3/00

Мітки: а3в6, матеріалів, напівпровідників, спосіб, мeno3, наночастинок, іонотронних, основі, іонних, солей, нанокомпозитних, мек, шаруватих, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення іонотронних нанокомпозитних матеріалів на основі 2D наночастинок шаруватих напівпровідників А3В6 і іонних солей MeNО3 (Me=K, Na, Rb, Cs), що ґрунтується на методі впровадження розплавів цих солей у міжшаровий простір об'ємних (3D) монокристалів А3В6, який відрізняється тим, що процес впровадження розплавів іонних солей MeNО3 (Me=K, Na, Rb, Cs) в кристали А3В6 проводять при значеннях температури, які перевищують значення...

Номер патенту: 114980

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Д'яченко Олексій Вікторович, Опанасюк Анатолій Сергійович, Курбатов Денис Ігорович

МПК: B05B 5/00

Мітки: нанесення, плівок, твердих, напівпровідників, розчинів, автоматизований, методом, пристрій, безвакуумним

Формула / Реферат:

Автоматизований пристрій для нанесення плівок напівпровідників та їх твердих розчинів безвакуумним методом, що містить камеру розпилювання, систему нагріву підкладки та систему розпилення з форсункою, який відрізняється тим, що камера розпилювання виконана герметичною і до неї приєднані газовий балон, блок керування та датчик газу з клапаном, що встановлений у вентиляційний отвір, а всередині металевої камери встановлена система нагріву...

Номер патенту: 102232

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Коробіцин Борис Васильович, Криськів Світлана Казимирівна

МПК: G01R 31/28, H01L 27/00

Мітки: ширини, забороненої, визначення, зони, напівпровідників, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони напівпровідників за вимірянням вольтамперних характеристик при двох температурах, який відрізняється тим, що на гомогенних p-n-структурах при двох невисоких температурах кімнатній та вищій на 30…50 °C, вимірюються вольт-амперні характеристики при струмах, що відповідають лінійній ділянці, з котрих екстраполяцією до нуля струму визначаються струмові напруги відсічки і по отриманій формулі...

Номер патенту: 97882

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Арсєнтьєв Іван Нікітовіч, Бєляєв Олександр Євгенович, Саченко Анатолій Васильович, Болтовець Микола Силович, Шеремет Володимир Миколайович, Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Новицький Сергій Вадимович, Конакова Раїса Василівна, Іванов Володимир Миколайович, Пилипчук Олександр Сергійович, Ткаченко Олександр Кирилович

МПК: H01L 21/268

Мітки: створення, типу, омічного, а3в5, напівпровідників, спосіб, низькотемпературного, контакту

Формула / Реферат:

Спосіб створення низькотемпературного омічного контакту до напівпровідників типу А3В5, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника і напилення на попередньо підігріту пластину двох контактоутворюючих шарів з шару металу і шару германію, потім шар дифузійного бар'єру тугоплавкої сполуки та зовнішній контактний шар, після чого отриману контактну структуру відпалюють в атмосфері суміші водню та азоту, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 76662

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Федоренко Петро Петрович, Скляр Олександр Григорович, Шишкін Геннадій Олександрович

МПК: H01L 31/00

Мітки: пристрій, фотопровідності, напівпровідників, дослідження

Формула / Реферат:

Пристрій для дослідження фотопровідності напівпровідників, що має блок живлення, блок регулятора напруги (потенціометр), вимірювальні прилади (вольтметр, мікроамперметр), який відрізняється тим, що він забезпечений блоком світлодіодів, перший вхід якого зв'язаний з блоком живлення, другий вхід - з блоком керування світлодіодами, а вихід - з блоком фоторезисторів, один вхід якого зв'язаний з виходом блока регулювання напругою, а другий вхід -...

Номер патенту: 76300

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Новохатська Тетяна Миколаївна, Чугай Олег Миколайович, Шматко Олександр Олександрович, Полубояров Олексій Олександрович, Олійник Сергій Володимирович, Терзін Ігор Сергійович, Сулима Сергій Віталійович

МПК: G01R 31/26

Мітки: питомого, електроопору, твердих, розчинів, високоомних, напівпровідників, вимірювання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання в низькочастотній області тангенса кута діелектричних втрат  та електроємності  вимірювального конденсатора, який утворено за допомогою плоских електродів, діелектричних шарів та досліджуваного зразка;...

Номер патенту: 71287

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Зіньковський Юрій Францевич, Зінченко Максим В'ячеславович, Прокоф'єв Михайло Іванович

МПК: G01S 13/75, G01S 7/292, G01S 13/00 ...

Мітки: нелінійних, інерційністю, напівпровідників, вольт-амперних, характеристик, спотворення, селекції, розсіювачів, процесів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб селекції нелінійних розсіювачів за інерційністю процесів спотворення вольт-амперних характеристик напівпровідників, що включає опромінювання нелінійного розсіювача двома зондуючими сигналами, приймання та реєстрацію кратної гармоніки як  сигналу відгуку, який відрізняється тим, що для виявлення та ідентифікації нелінійних розсіювачів, при почерговому опромінюванні двома зондуючими сигналами, різними за рівнями потужності та значеннями...

Номер патенту: 68748

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Масол Ігор Віталійович, Осінський Володимир Іванович, Демінський Петро Віталійович, Дяченко Ольга Дмитрівна

МПК: H01L 21/208

Мітки: пристрій, підкладок, напівпровідників, отримання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для отримання підкладок напівпровідників, що містить підкладку з ростовими комірками, тримач підкладок, маніпулятор, систему управління, систему забезпечення технологічного середовища, який відрізняється тим, що система забезпечення технологічного середовища виконана із системи гетероепітаксійного росту напівпровідників, зокрема нітридів галію, індію і алюмінію, розрахована на епітаксійний ріст напівпровідникових структур з...

Номер патенту: 61621

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Новицький Сергій Вадимович, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна, Мілєнін Віктор Володимирович, Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович

МПК: H01L 21/268

Мітки: напівпровідників, спосіб, широкозонних, контактів, омічних, створення

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників з густиною структурних дефектів >105 см-2, який включає напилення на поверхню напівпровідника контактоутворюючого шару, в ролі якого виступає метал з роботою виходу, меншою ніж в напівпровіднику, створення дифузійного бар'єра шляхом напилення тугоплавких металів або їх сполук, напилення шару золота і проведення НВЧ обробки з частотою опромінення 2,45 ГГц, який...

Номер патенту: 90037

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Морозов Дмитро Сергійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Чугай Олег Миколайович, Сулима Сергій Віталійович, Олійник Сергій Володимирович, Герасименко Андрій Спартакович, Абашин Сергій Леонідович

МПК: G01R 31/26

Мітки: твердих, розчинів, електроопору, напівпровідників, спосіб, високоомних, питомого, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання тангенса кута діелектричних втрат вимірювального конденсатора, який утворений за допомогою плоских електродів діелектричних шарів та досліджуваного зразка, у залежності від частоти змінного електричного поля в низькочастотній області, який відрізняється тим, що вимірюють електроємність вимірювального конденсатора, а питомий електроопір rs...

Номер патенту: 43410

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Плахотнюк Максим Миколайович, Осадчук Володимир Степанович, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 21/70

Мітки: мікроелектронний, пристрій, контролю, параметрів, напівпровідників, оптично, прозорих

Формула / Реферат:

Мікроелектроний пристрій для контролю параметрів оптично прозорих напівпровідників, який містить джерело світла, оптично зв'язане з фокусуючою системою, джерело живлення і систему контактів, з'єднаних із зразком, який відрізняється тим, що в нього введено мікроелектронний частотний перетворювач, що містить дільник напруги з двох резисторів, польовий та біполярний транзистори, індуктивність, ємність, резистор і два джерела постійної напруги,...

Номер патенту: 41139

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Раренко Іларій Михайлович, Ковальчук Мирослав Любомирович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, спосіб, напівпровідників, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів напівпровідників заданої форми та кристалографічної орієнтації з повним використанням розплаву, зокрема вісмуту, що включає нагрів до розплавлення вихідного матеріалу в тиглі, який обертається, затравлення на монокристалічну затравку, що також обертається та опускається в розплав штоком, розрощування монокристала з одночасним витягуванням, який відрізняється тим, що при досягненні діаметра кристала близько...

Номер патенту: 79638

Опубліковано: 10.07.2007

Автори: Никируй Ростислав Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Лоп'янко Михайло Антонович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/00, C30B 11/02

Мітки: одержання, спосіб, нанокристалів, напівпровідників

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання нанокристалів напівпровідників у вакуумі із парової фази методом гарячих стінок на підкладках, який відрізняється тим, що вздовж стінок циліндричної камери створюють градієнт температури, а підкладки розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери.2. Спосіб одержання нанокристалів напівпровідників за п.1, який відрізняється тим, що нанокристали вирощують в області критичного перерізу пари, яка близька до...

Номер патенту: 20263

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Гетманець Олег Михайлович, Пеліхатий Микола Михайлович

МПК: C30B 30/00, C30B 31/00

Мітки: полі, електричному, легування, напівпровідників, зовнішньому, спосіб, металевих, плівок, атомів, віддачі, методом

Формула / Реферат:

Спосіб легування напівпровідників методом атомів віддачі з металевих плівок в зовнішньому електричному полі в процесі опромінювання системи метал-напівпровідник пучком прискорених іонів при впливі на систему імпульсу напруги, який відрізняється тим, що величину й напрям зовнішнього електричного поля в процесі легування змінюють, при цьому цілеспрямовано змінюють профіль концентрації атомів віддачі в напівпровіднику.

Номер патенту: 46513

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Вахняк Надія Дмитрівна, Крюченко Юрій Володимирович, Єрмаков Валерій Миколайович, Бобицький Ярослав Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Крилюк Сергій Георгійович, Будзуляк Сергій Іванович

МПК: H01L 21/04

Мітки: спосіб, напівпровідників, основі, х-випромінювання, виготовлення, детектора, cdznte, сdte, високоомних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора  - та X-випромінювання на основі високоомних напівпровідників CdTe та CdZnTe, що включає шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному протравлювачі, очищення контактної площадки на зразку одиночним імпульсом технологічного лазера з енергією кванта hv  Eg  і густиною...

Номер патенту: 43935

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Омеляновській Еразм Михайлович, Глушков Євгеній Олександрович, Мороженко Василій Олександрович, Морозов Володимир Олексійович, Болгов Сергій Семенович, Малютенко Володимир Костянтинович

МПК: H01L 21/66

Мітки: спосіб, однорідності, контролю, напівпровідників

Формула / Реферат:

Формула изобретения1. Способ контроля однородности полупроводников, включающий изготовление пластины полупроводника толщиной 1, определяемой соотношением a×1<<1, где a - коэффициент поглощения излучения на свободных носителях заряда, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности при сохранении высокой точности, пластину нагревают до температуры выше фоновой, регистрируют тепловое изображение образца и по...

Номер патенту: 24110

Опубліковано: 31.08.1998

Автори: Сумська Тамара Севастянівна, Іванов Володимир Миколайович, Яшнік Владілен Макарович, Челюбєєв Віктор Миколайович

МПК: H01L 21/18, H01L 21/24

Мітки: напівпровідників, спосіб, формування, контакту, матрично-капельного

Текст:

...на очищенную поверхность полупроводника эвтектического сплава толщиной 3 0 150 нм с прследующим нагревом до 900-1000°С в течение не более 30 с н охлаждением в течение не более 30 с д о температуры термообработки а После чего осаждают барьерный слой с предварительной выдержкой системы при температуре термообработки в т е чение 0 , 5 - 5 контактом методом магнетронного н а пыления в вакууме осаждают барьерные слои Аи (50 нм) - Мо (100 нм) -...

Номер патенту: 19080

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Романов Валентин Олександрович, Бабічев Геннадій Григорович, Козловський Сергій Іванович

МПК: H01L 23/00

Мітки: деталей, спосіб, металами, з'єднування, напівпровідників

Формула / Реферат:

1. Способ соединения деталей полупроводников или полупроводников с металлами, включающий выращивание слоя диоксида кремния на поверхности, по крайней мере, одной из соединяемых деталей, легирование слоя диоксида кремния путем предварительного нагрева слоя, нанесения водного раствора, содержащего химическое соединение с щелочным металлом, и отжига, контактирование соединяемых деталей, приложение давления, нагрев, создание разности потенциалов...

Номер патенту: 11658

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Карачевцева Людмила Анатольєвна, Ергаков Валерій Костянтинович, Любченко Олексій Вікторович, Лукинський Юрій Леонідович, Сальков Євген Андрійович, Рябіков Віктор Михайлович

МПК: H01L 21/66

Мітки: електрофізичних, спосіб, параметрів, контролю, напівпровідників

Формула / Реферат:

Способ контроля электрофизических пара­метров полупроводников, основанный на измере­нии электропроводимости, коэффициента Холла в слабом магнитном поле и зависимости коэффици­ента Холла от величины магнитного поля, отлича­ющийся тем, что, с целью повышения точности раздельного определения концентрации и подвиж­ности электронов и дырок в CdxHg1-xTe и InSb р-типа проводимости, дополнительно производят измерение коэффициента Холла при значении...

Номер патенту: 7501

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Скакун Василь Захарович, Коваленко Леонід Євгенійович

МПК: H01L 21/28

Мітки: напівпровідників, електронах, типу, формування, гарячих, спосіб, основі, приладів, контактів

Формула / Реферат:

Способ формирования контактов к приборам на горячих электронах на основе полупроводников типа АІІІBV, включающий очистку поверхности полупроводника с помощью импульсной фотонной обработки, формирование контактного, барьерно­го и технологического слоев и термообработку при температуре выше точки плавления контактного слоя, проводимые в едином технологическом цик­ле, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента полезного действия...