Патенти з міткою «напівпровідників»

Номер патенту: 118036

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Тору Аокі, Гнатюк Володимир Анастасійович, Власенко Олександр Іванович, Левицький Сергій Миколайович

МПК: H01L 21/00, C30B 11/00

Мітки: імпульсами, рідкому, твердофазного, елементами, а2в6, деформаційними, поверхневого, шару, середовищі, легування, лазера, ударними, групи, напівпровідників, наносекундними, спосіб, хвилями, генерованими

Формула / Реферат:

Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...

Номер патенту: 116894

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Нетяга Віктор Васильович, Бахтінов Анатолій Петрович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Ковалюк Захар Дмитрович, Кудринський Захар Русланович

МПК: B82B 3/00, H01L 21/288

Мітки: мек, іонних, а3в6, мeno3, напівпровідників, шаруватих, солей, основі, виготовлення, матеріалів, спосіб, іонотронних, нанокомпозитних, наночастинок

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення іонотронних нанокомпозитних матеріалів на основі 2D наночастинок шаруватих напівпровідників А3В6 і іонних солей MeNО3 (Me=K, Na, Rb, Cs), що ґрунтується на методі впровадження розплавів цих солей у міжшаровий простір об'ємних (3D) монокристалів А3В6, який відрізняється тим, що процес впровадження розплавів іонних солей MeNО3 (Me=K, Na, Rb, Cs) в кристали А3В6 проводять при значеннях температури, які перевищують значення...

Номер патенту: 114980

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Опанасюк Анатолій Сергійович, Курбатов Денис Ігорович, Д'яченко Олексій Вікторович

МПК: B05B 5/00

Мітки: плівок, розчинів, напівпровідників, методом, нанесення, автоматизований, твердих, безвакуумним, пристрій

Формула / Реферат:

Автоматизований пристрій для нанесення плівок напівпровідників та їх твердих розчинів безвакуумним методом, що містить камеру розпилювання, систему нагріву підкладки та систему розпилення з форсункою, який відрізняється тим, що камера розпилювання виконана герметичною і до неї приєднані газовий балон, блок керування та датчик газу з клапаном, що встановлений у вентиляційний отвір, а всередині металевої камери встановлена система нагріву...

Номер патенту: 102232

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Коробіцин Борис Васильович, Вікулін Іван Михайлович, Криськів Світлана Казимирівна

МПК: H01L 27/00, G01R 31/28

Мітки: визначення, напівпровідників, забороненої, зони, ширини, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони напівпровідників за вимірянням вольтамперних характеристик при двох температурах, який відрізняється тим, що на гомогенних p-n-структурах при двох невисоких температурах кімнатній та вищій на 30…50 °C, вимірюються вольт-амперні характеристики при струмах, що відповідають лінійній ділянці, з котрих екстраполяцією до нуля струму визначаються струмові напруги відсічки і по отриманій формулі...

Номер патенту: 97882

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Пилипчук Олександр Сергійович, Ткаченко Олександр Кирилович, Новицький Сергій Вадимович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Іванов Володимир Миколайович, Арсєнтьєв Іван Нікітовіч, Саченко Анатолій Васильович

МПК: H01L 21/268

Мітки: низькотемпературного, типу, контакту, омічного, напівпровідників, спосіб, а3в5, створення

Формула / Реферат:

Спосіб створення низькотемпературного омічного контакту до напівпровідників типу А3В5, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника і напилення на попередньо підігріту пластину двох контактоутворюючих шарів з шару металу і шару германію, потім шар дифузійного бар'єру тугоплавкої сполуки та зовнішній контактний шар, після чого отриману контактну структуру відпалюють в атмосфері суміші водню та азоту, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 76662

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Скляр Олександр Григорович, Федоренко Петро Петрович, Шишкін Геннадій Олександрович

МПК: H01L 31/00

Мітки: пристрій, фотопровідності, напівпровідників, дослідження

Формула / Реферат:

Пристрій для дослідження фотопровідності напівпровідників, що має блок живлення, блок регулятора напруги (потенціометр), вимірювальні прилади (вольтметр, мікроамперметр), який відрізняється тим, що він забезпечений блоком світлодіодів, перший вхід якого зв'язаний з блоком живлення, другий вхід - з блоком керування світлодіодами, а вихід - з блоком фоторезисторів, один вхід якого зв'язаний з виходом блока регулювання напругою, а другий вхід -...

Номер патенту: 76300

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Сулима Сергій Віталійович, Чугай Олег Миколайович, Шматко Олександр Олександрович, Олійник Сергій Володимирович, Терзін Ігор Сергійович, Полубояров Олексій Олександрович, Новохатська Тетяна Миколаївна

МПК: G01R 31/26

Мітки: спосіб, вимірювання, напівпровідників, високоомних, електроопору, твердих, розчинів, питомого

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання в низькочастотній області тангенса кута діелектричних втрат  та електроємності  вимірювального конденсатора, який утворено за допомогою плоских електродів, діелектричних шарів та досліджуваного зразка;...

Номер патенту: 71287

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Зіньковський Юрій Францевич, Прокоф'єв Михайло Іванович, Зінченко Максим В'ячеславович

МПК: G01S 13/75, G01S 7/292, G01S 13/00 ...

Мітки: характеристик, селекції, нелінійних, розсіювачів, процесів, інерційністю, спотворення, напівпровідників, спосіб, вольт-амперних

Формула / Реферат:

Спосіб селекції нелінійних розсіювачів за інерційністю процесів спотворення вольт-амперних характеристик напівпровідників, що включає опромінювання нелінійного розсіювача двома зондуючими сигналами, приймання та реєстрацію кратної гармоніки як  сигналу відгуку, який відрізняється тим, що для виявлення та ідентифікації нелінійних розсіювачів, при почерговому опромінюванні двома зондуючими сигналами, різними за рівнями потужності та значеннями...

Номер патенту: 68748

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Масол Ігор Віталійович, Осінський Володимир Іванович, Демінський Петро Віталійович, Дяченко Ольга Дмитрівна

МПК: H01L 21/208

Мітки: напівпровідників, пристрій, отримання, підкладок

Формула / Реферат:

1. Пристрій для отримання підкладок напівпровідників, що містить підкладку з ростовими комірками, тримач підкладок, маніпулятор, систему управління, систему забезпечення технологічного середовища, який відрізняється тим, що система забезпечення технологічного середовища виконана із системи гетероепітаксійного росту напівпровідників, зокрема нітридів галію, індію і алюмінію, розрахована на епітаксійний ріст напівпровідникових структур з...

Номер патенту: 61621

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Мілєнін Віктор Володимирович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Кудрик Ярослав Ярославович, Новицький Сергій Вадимович, Шеремет Володимир Миколайович

МПК: H01L 21/268

Мітки: контактів, створення, омічних, спосіб, широкозонних, напівпровідників

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників з густиною структурних дефектів >105 см-2, який включає напилення на поверхню напівпровідника контактоутворюючого шару, в ролі якого виступає метал з роботою виходу, меншою ніж в напівпровіднику, створення дифузійного бар'єра шляхом напилення тугоплавких металів або їх сполук, напилення шару золота і проведення НВЧ обробки з частотою опромінення 2,45 ГГц, який...

Номер патенту: 90037

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Абашин Сергій Леонідович, Морозов Дмитро Сергійович, Олійник Сергій Володимирович, Комарь Віталій Корнійович, Герасименко Андрій Спартакович, Сулима Сергій Віталійович, Чугай Олег Миколайович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: G01R 31/26

Мітки: питомого, електроопору, високоомних, напівпровідників, розчинів, спосіб, вимірювання, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання тангенса кута діелектричних втрат вимірювального конденсатора, який утворений за допомогою плоских електродів діелектричних шарів та досліджуваного зразка, у залежності від частоти змінного електричного поля в низькочастотній області, який відрізняється тим, що вимірюють електроємність вимірювального конденсатора, а питомий електроопір rs...

Номер патенту: 43410

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Плахотнюк Максим Миколайович, Осадчук Олександр Володимирович, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 21/70

Мітки: пристрій, параметрів, мікроелектронний, контролю, оптично, напівпровідників, прозорих

Формула / Реферат:

Мікроелектроний пристрій для контролю параметрів оптично прозорих напівпровідників, який містить джерело світла, оптично зв'язане з фокусуючою системою, джерело живлення і систему контактів, з'єднаних із зразком, який відрізняється тим, що в нього введено мікроелектронний частотний перетворювач, що містить дільник напруги з двох резисторів, польовий та біполярний транзистори, індуктивність, ємність, резистор і два джерела постійної напруги,...

Номер патенту: 41139

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Раренко Іларій Михайлович, Ковальчук Мирослав Любомирович

МПК: C30B 13/00

Мітки: спосіб, отримання, монокристалів, напівпровідників

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів напівпровідників заданої форми та кристалографічної орієнтації з повним використанням розплаву, зокрема вісмуту, що включає нагрів до розплавлення вихідного матеріалу в тиглі, який обертається, затравлення на монокристалічну затравку, що також обертається та опускається в розплав штоком, розрощування монокристала з одночасним витягуванням, який відрізняється тим, що при досягненні діаметра кристала близько...

Номер патенту: 79638

Опубліковано: 10.07.2007

Автори: Лоп'янко Михайло Антонович, Никируй Ростислав Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/02, C30B 11/00

Мітки: напівпровідників, спосіб, одержання, нанокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання нанокристалів напівпровідників у вакуумі із парової фази методом гарячих стінок на підкладках, який відрізняється тим, що вздовж стінок циліндричної камери створюють градієнт температури, а підкладки розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери.2. Спосіб одержання нанокристалів напівпровідників за п.1, який відрізняється тим, що нанокристали вирощують в області критичного перерізу пари, яка близька до...

Номер патенту: 20263

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Гетманець Олег Михайлович, Пеліхатий Микола Михайлович

МПК: C30B 31/00, C30B 30/00

Мітки: плівок, напівпровідників, методом, легування, зовнішньому, електричному, полі, металевих, віддачі, атомів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб легування напівпровідників методом атомів віддачі з металевих плівок в зовнішньому електричному полі в процесі опромінювання системи метал-напівпровідник пучком прискорених іонів при впливі на систему імпульсу напруги, який відрізняється тим, що величину й напрям зовнішнього електричного поля в процесі легування змінюють, при цьому цілеспрямовано змінюють профіль концентрації атомів віддачі в напівпровіднику.

Номер патенту: 46513

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Вахняк Надія Дмитрівна, Крюченко Юрій Володимирович, Корбутяк Дмитро Васильович, Бобицький Ярослав Васильович, Крилюк Сергій Георгійович, Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: H01L 21/04

Мітки: напівпровідників, основі, cdznte, сdte, детектора, спосіб, високоомних, виготовлення, х-випромінювання

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора  - та X-випромінювання на основі високоомних напівпровідників CdTe та CdZnTe, що включає шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному протравлювачі, очищення контактної площадки на зразку одиночним імпульсом технологічного лазера з енергією кванта hv  Eg  і густиною...

Номер патенту: 43935

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Болгов Сергій Семенович, Омеляновській Еразм Михайлович, Малютенко Володимир Костянтинович, Глушков Євгеній Олександрович, Морозов Володимир Олексійович, Мороженко Василій Олександрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: контролю, напівпровідників, однорідності, спосіб

Формула / Реферат:

Формула изобретения1. Способ контроля однородности полупроводников, включающий изготовление пластины полупроводника толщиной 1, определяемой соотношением a×1<<1, где a - коэффициент поглощения излучения на свободных носителях заряда, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности при сохранении высокой точности, пластину нагревают до температуры выше фоновой, регистрируют тепловое изображение образца и по...

Номер патенту: 24110

Опубліковано: 31.08.1998

Автори: Яшнік Владілен Макарович, Челюбєєв Віктор Миколайович, Сумська Тамара Севастянівна, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H01L 21/18, H01L 21/24

Мітки: матрично-капельного, спосіб, формування, контакту, напівпровідників

Текст:

...на очищенную поверхность полупроводника эвтектического сплава толщиной 3 0 150 нм с прследующим нагревом до 900-1000°С в течение не более 30 с н охлаждением в течение не более 30 с д о температуры термообработки а После чего осаждают барьерный слой с предварительной выдержкой системы при температуре термообработки в т е чение 0 , 5 - 5 контактом методом магнетронного н а пыления в вакууме осаждают барьерные слои Аи (50 нм) - Мо (100 нм) -...

Номер патенту: 19080

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Бабічев Геннадій Григорович, Козловський Сергій Іванович, Романов Валентин Олександрович

МПК: H01L 23/00

Мітки: спосіб, напівпровідників, металами, з'єднування, деталей

Формула / Реферат:

1. Способ соединения деталей полупроводников или полупроводников с металлами, включающий выращивание слоя диоксида кремния на поверхности, по крайней мере, одной из соединяемых деталей, легирование слоя диоксида кремния путем предварительного нагрева слоя, нанесения водного раствора, содержащего химическое соединение с щелочным металлом, и отжига, контактирование соединяемых деталей, приложение давления, нагрев, создание разности потенциалов...

Номер патенту: 11658

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Лукинський Юрій Леонідович, Любченко Олексій Вікторович, Ергаков Валерій Костянтинович, Рябіков Віктор Михайлович, Карачевцева Людмила Анатольєвна, Сальков Євген Андрійович

МПК: H01L 21/66

Мітки: електрофізичних, контролю, напівпровідників, параметрів, спосіб

Формула / Реферат:

Способ контроля электрофизических пара­метров полупроводников, основанный на измере­нии электропроводимости, коэффициента Холла в слабом магнитном поле и зависимости коэффици­ента Холла от величины магнитного поля, отлича­ющийся тем, что, с целью повышения точности раздельного определения концентрации и подвиж­ности электронов и дырок в CdxHg1-xTe и InSb р-типа проводимости, дополнительно производят измерение коэффициента Холла при значении...

Номер патенту: 7501

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Скакун Василь Захарович, Іванов Володимир Миколайович, Коваленко Леонід Євгенійович

МПК: H01L 21/28

Мітки: електронах, спосіб, формування, напівпровідників, основі, приладів, контактів, типу, гарячих

Формула / Реферат:

Способ формирования контактов к приборам на горячих электронах на основе полупроводников типа АІІІBV, включающий очистку поверхности полупроводника с помощью импульсной фотонной обработки, формирование контактного, барьерно­го и технологического слоев и термообработку при температуре выше точки плавления контактного слоя, проводимые в едином технологическом цик­ле, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента полезного действия...