Патенти з міткою «напівпровідниках»

Спосіб прямого перетворення хімічної енергії в електричну при протіканні гетерогенних реакцій на напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 109308

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Стиров Владислав Володимирович, Сімченко Сергій Володимирович

МПК: H01L 25/00, C25B 5/00

Мітки: прямого, електричну, спосіб, перетворення, реакцій, енергії, гетерогенних, хімічної, протіканні, напівпровідниках

Формула / Реферат:

1. Спосіб перетворення хімічної енергії в електричну, що включає створення атомно-молекулярної суміші або суміші радикалів у газовій фазі, компоненти якої можуть вступати в екзотермічну хімічну реакцію; поміщення в цю суміш напівпровідникового пристрою, поверхня якого в контакті з такою сумішшю ініціює на поверхні гетерогенну хімічну реакцію між компонентами суміші, що супроводжується появою в напівпровідниковому пристрої електричного струму...

Пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 91869

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Дуда Роман Валерійович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01N 27/00

Мітки: визначення, напівпровідниках, пристрій, шарів, епітаксіальних, товщини

Формула / Реферат:

Пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках, що містить джерело світла та епітаксіальну структуру, що послідовно з'єднані між собою, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить фоторезистор, перший та другий резистори, перший та другий польові транзистори, біполярний транзистор, перший та другий конденсатори та джерело постійної...

Мікроелектронний пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 91868

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Дуда Роман Валерійович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01N 27/12

Мітки: шарів, пристрій, визначення, товщини, напівпровідниках, мікроелектронний, епітаксіальних

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках, що містить джерело світла та епітаксіальну структуру, що послідовно з'єднані між собою, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить фоторезистор, резистор, перший та другий польові транзистори, індуктивність, обмежувальний конденсатор, дві вихідні клеми та джерело...

Пристрій для визначення часу життя носіїв заряду в напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 89370

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Дуда Роман Валерійович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Крилик Людмила Вікторівна

МПК: G01N 27/12

Мітки: заряду, носіїв, напівпровідниках, визначення, життя, часу, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для визначення часу життя носіїв заряду, що містить генератор спарених імпульсів, що складається з першого та другого генераторів прямокутних імпульсів, лінії затримки, а також обмежувача імпульсів, який паралельно з'єднаний з першим та другим генераторами прямокутних імпульсів та лінією затримки, яка послідовно з'єднана з першим генератором прямокутних імпульсів, другий генератор прямокутних імпульсів паралельно з'єднаний з першим...

Мікроелектронний пристрій для визначення часу життя носіїв заряду в напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 84424

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Дуда Роман Валерійович, Крилик Людмила Вікторівна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01N 27/00

Мітки: пристрій, мікроелектронний, носіїв, життя, часу, напівпровідниках, заряду, визначення

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для визначення часу життя носіїв заряду в напівпровідниках, який містить генератор спарених імпульсів, що складається з двох генераторів прямокутних імпульсів та лінії затримки, а також обмежувача імпульсів, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить перший та другий резистори, перший та другий польові транзистори, індуктивність,...

Спосіб визначення рекомбінаційних параметрів нерівноважних носіїв заряду в напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 67186

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Чирчик Сергій Васильович, Шеремет Володимир Миколайович

МПК: G01N 27/00

Мітки: носіїв, спосіб, напівпровідниках, параметрів, заряду, нерівноважних, рекомбінаційних, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення рекомбінаційних параметрів нерівноважних носіїв заряду в напівпровідниках, що включає постійне опромінення напівпровідника надвисокочастотною (НВЧ) електромагнітною хвилею і освітлення поверхні напівпровідника імпульсом світла з довжиною хвилі l1, меншою краю власного поглинання напівпровідника, і тривалістю фронту спадання інтенсивності набагато менше ефективного часу життя нерівноважних носіїв заряду у напівпровіднику...

Спосіб вимірювання часу життя нерівноважних носіїв струму у напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 90369

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Чугай Олег Миколайович, Олійник Сергій Володимирович, Сулима Сергій Віталійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Абашин Сергій Леонідович, Комарь Віталій Корнійович, Чуйко Олексій Сергійович, Терзін Ігор Сергійович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: нерівноважних, струму, спосіб, вимірювання, напівпровідниках, носіїв, часу, життя

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання часу життя нерівноважних носіїв струму у напівпровідниках шляхом одержання частотної залежності фотопровідності, зумовленої дією прямокутних імпульсів світла, який відрізняється тим, що вимірюють амплітуду першої гармоніки сигналу фотопровідності, одержують залежність її розкладу у ряд Фур’є від частоти слідування імпульсів фотозбудження і з цієї залежності визначають час життя нерівноважних носіїв струму.

Мікроелектронний пристрій для визначення дифузійної довжини неосновних носіїв заряду в напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 46501

Опубліковано: 25.12.2009

Автори: Плахотнюк Максим Миколайович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ

МПК: H01L 21/00

Мітки: дифузійної, носіїв, довжини, мікроелектронний, пристрій, заряду, неосновних, напівпровідниках, визначення

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для визначення дифузійної довжини неосновних носіїв заряду в напівпровідниках, який містить лазерне джерело світла, розташоване над діафрагмою та оптично зв'язане з фокусуючою системою, яка складається з фокусуючих лінз, а також з джерела живлення і системи контактів, з'єднаних із зразком, та паралельно з'єднаних з опором навантаження, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу,...

Спосіб визначення температурної області існування проміжного порядку в склоподібних напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 87523

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Шпак Іван Іванович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 25/00, H01L 21/66, G01N 21/59 ...

Мітки: визначення, склоподібних, існування, температурної, проміжного, порядку, області, спосіб, напівпровідниках

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температурної області існування проміжного порядку в склоподібних напівпровідниках, який включає експериментальні дослідження фізичних властивостей склоподібних напівпровідників, який відрізняється тим, що проводять температурні дослідження краю оптичного поглинання склоподібних напівпровідників і представляють енергетичну ширину w краю оптичного поглинання у вигляді

Спосіб визначення температурної області існування проміжного порядку в склоподібних напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 25864

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Шпак Іван Іванович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/00

Мітки: існування, напівпровідниках, порядку, визначення, області, температурної, спосіб, склоподібних, проміжного

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температурної області існування проміжного порядку в склоподібних напівпровідниках, який включає експериментальні дослідження фізичних властивостей склоподібних напівпровідників, який відрізняється тим, що проводять температурні дослідження краю оптичного поглинання склоподібних напівпровідників і представляють енергетичну ширину w краю оптичного поглинання у вигляді:w = wT + (wX)stat+(wx)dyn,після чого...

Безконтактний спосіб визначення рекомбінаційних параметрів в напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 15589

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Чирчик Сергій Васильович

МПК: G01N 27/00

Мітки: напівпровідниках, визначення, рекомбінаційних, параметрів, спосіб, безконтактний

Формула / Реферат:

1. Безконтактний спосіб визначення рекомбінаційних параметрів в напівпровідниках, що включає нагрівання напівпровідника до температури, вищої за температуру навколишнього середовища, підтримують цю температуру сталою, опромінюють поверхню нагрітого напівпровідника монохроматичним світлом, для якого добуток коефіцієнта поглинання на дифузійну довжину носіїв заряду та добуток коефіцієнта поглинання на товщину напівпровідникового зразка набагато...

Спосіб визначення довжини дифузійного зміщення неосновних носіїв заряду в напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 67130

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Новіков Сергій Сергійович, Жарких Юрій Серафимович, Лисоченко Сергій Васильович, Третяк Олег Васильович

МПК: G01N 27/00

Мітки: заряду, носіїв, зміщення, визначення, спосіб, довжини, неосновних, напівпровідниках, дифузійного

Формула / Реферат:

Спосіб визначення довжини дифузійного зміщення неосновних носіїв заряду в напівпровідниках, що включає освітлення поверхні зразка світловим зондом у вигляді смужки і наступне сканування вздовж поверхні зразка в неосвітленій області з вимірюванням струму в колі тонкого дротяного металевого зонда, який відрізняється тим, що зонду надають зворотно-поступальний коливальний рух в напрямку нормальному до поверхні зразка з звуковою частотою, а...

Спосіб вимірювання об’ємного часу життя та швидкості поверхневої рекомбінації носіїв заряду у напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 57427

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Бабиченко Сергій Васильович, Гордієнко Юрій Омелянович, Бородін Борис Григорович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: часу, носіїв, напівпровідниках, заряду, рекомбінації, швидкості, спосіб, поверхневої, об`ємного, життя, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання об'ємного часу життя і швидкості поверхневої рекомбінації носіїв заряду у напівпровідниках, який заснований на розміщенні досліджуваного напівпровідникового зразка в НВЧ резонаторному вимірювальному перетворювачі, освітленні його гармонійно модульованим монохроматичним світлом, виділенні на виході вимірювального перетворювача сигналів фотопровідності, який відрізняється тим, що здійснюють вимірювання спектрального...

Спосіб вимірювання об’ємного часу життя та швидкості поверхневої рекомбінації носіїв заряду у напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 38308

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Гордієнко Юрій Омелянович, Бородін Борис Григорович

МПК: G01N 21/41, H01L 21/66

Мітки: рекомбінації, поверхневої, вимірювання, часу, швидкості, життя, заряду, напівпровідниках, спосіб, об`ємного, носіїв

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання об'ємного часу життя і швидкості поверхневої рекомбінації носіїв заряду у напівпровідниках, який заснований на розміщенні досліджуваного   напівпровідникового   зразка   в   НВЧ   резонаторному вимірювальному перетворювачі, освітленні його по черзі світлом яке сильно і слабко поглинається у матеріалі напівпровідника, виділенні на виході резонаторного вимірювального перетворювача сигналів фотопровідності при сильному і...