Патенти з міткою «напівпровідниках»

Номер патенту: 109308

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Сімченко Сергій Володимирович, Стиров Владислав Володимирович

МПК: H01L 25/00, C25B 5/00

Мітки: гетерогенних, прямого, реакцій, хімічної, протіканні, електричну, напівпровідниках, енергії, перетворення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб перетворення хімічної енергії в електричну, що включає створення атомно-молекулярної суміші або суміші радикалів у газовій фазі, компоненти якої можуть вступати в екзотермічну хімічну реакцію; поміщення в цю суміш напівпровідникового пристрою, поверхня якого в контакті з такою сумішшю ініціює на поверхні гетерогенну хімічну реакцію між компонентами суміші, що супроводжується появою в напівпровідниковому пристрої електричного струму...

Номер патенту: 91869

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Дуда Роман Валерійович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01N 27/00

Мітки: товщини, визначення, напівпровідниках, епітаксіальних, пристрій, шарів

Формула / Реферат:

Пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках, що містить джерело світла та епітаксіальну структуру, що послідовно з'єднані між собою, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить фоторезистор, перший та другий резистори, перший та другий польові транзистори, біполярний транзистор, перший та другий конденсатори та джерело постійної...

Номер патенту: 91868

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Дуда Роман Валерійович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01N 27/12

Мітки: мікроелектронний, епітаксіальних, шарів, товщини, напівпровідниках, пристрій, визначення

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках, що містить джерело світла та епітаксіальну структуру, що послідовно з'єднані між собою, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить фоторезистор, резистор, перший та другий польові транзистори, індуктивність, обмежувальний конденсатор, дві вихідні клеми та джерело...

Номер патенту: 89370

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Крилик Людмила Вікторівна, Дуда Роман Валерійович

МПК: G01N 27/12

Мітки: напівпровідниках, носіїв, заряду, життя, пристрій, визначення, часу

Формула / Реферат:

Пристрій для визначення часу життя носіїв заряду, що містить генератор спарених імпульсів, що складається з першого та другого генераторів прямокутних імпульсів, лінії затримки, а також обмежувача імпульсів, який паралельно з'єднаний з першим та другим генераторами прямокутних імпульсів та лінією затримки, яка послідовно з'єднана з першим генератором прямокутних імпульсів, другий генератор прямокутних імпульсів паралельно з'єднаний з першим...

Номер патенту: 84424

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Дуда Роман Валерійович, Крилик Людмила Вікторівна, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01N 27/00

Мітки: життя, часу, напівпровідниках, носіїв, заряду, мікроелектронний, визначення, пристрій

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для визначення часу життя носіїв заряду в напівпровідниках, який містить генератор спарених імпульсів, що складається з двох генераторів прямокутних імпульсів та лінії затримки, а також обмежувача імпульсів, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить перший та другий резистори, перший та другий польові транзистори, індуктивність,...

Номер патенту: 67186

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Шеремет Володимир Миколайович, Чирчик Сергій Васильович, Кудрик Ярослав Ярославович

МПК: G01N 27/00

Мітки: визначення, носіїв, спосіб, заряду, параметрів, напівпровідниках, нерівноважних, рекомбінаційних

Формула / Реферат:

Спосіб визначення рекомбінаційних параметрів нерівноважних носіїв заряду в напівпровідниках, що включає постійне опромінення напівпровідника надвисокочастотною (НВЧ) електромагнітною хвилею і освітлення поверхні напівпровідника імпульсом світла з довжиною хвилі l1, меншою краю власного поглинання напівпровідника, і тривалістю фронту спадання інтенсивності набагато менше ефективного часу життя нерівноважних носіїв заряду у напівпровіднику...

Номер патенту: 90369

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Терзін Ігор Сергійович, Абашин Сергій Леонідович, Олійник Сергій Володимирович, Чугай Олег Миколайович, Чуйко Олексій Сергійович, Комарь Віталій Корнійович, Сулима Сергій Віталійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: струму, нерівноважних, напівпровідниках, часу, носіїв, спосіб, життя, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання часу життя нерівноважних носіїв струму у напівпровідниках шляхом одержання частотної залежності фотопровідності, зумовленої дією прямокутних імпульсів світла, який відрізняється тим, що вимірюють амплітуду першої гармоніки сигналу фотопровідності, одержують залежність її розкладу у ряд Фур’є від частоти слідування імпульсів фотозбудження і з цієї залежності визначають час життя нерівноважних носіїв струму.

Номер патенту: 46501

Опубліковано: 25.12.2009

Автори: Плахотнюк Максим Миколайович, Осадчук Олександр Володимирович, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 21/00

Мітки: носіїв, довжини, визначення, неосновних, заряду, дифузійної, пристрій, напівпровідниках, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для визначення дифузійної довжини неосновних носіїв заряду в напівпровідниках, який містить лазерне джерело світла, розташоване над діафрагмою та оптично зв'язане з фокусуючою системою, яка складається з фокусуючих лінз, а також з джерела живлення і системи контактів, з'єднаних із зразком, та паралельно з'єднаних з опором навантаження, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу,...

Номер патенту: 87523

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Шпак Іван Іванович

МПК: G01N 25/00, G01N 21/59, H01L 21/66 ...

Мітки: проміжного, напівпровідниках, області, спосіб, склоподібних, температурної, існування, порядку, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температурної області існування проміжного порядку в склоподібних напівпровідниках, який включає експериментальні дослідження фізичних властивостей склоподібних напівпровідників, який відрізняється тим, що проводять температурні дослідження краю оптичного поглинання склоподібних напівпровідників і представляють енергетичну ширину w краю оптичного поглинання у вигляді

Номер патенту: 25864

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Шпак Іван Іванович

МПК: G01K 17/00

Мітки: визначення, напівпровідниках, існування, порядку, проміжного, склоподібних, області, температурної, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температурної області існування проміжного порядку в склоподібних напівпровідниках, який включає експериментальні дослідження фізичних властивостей склоподібних напівпровідників, який відрізняється тим, що проводять температурні дослідження краю оптичного поглинання склоподібних напівпровідників і представляють енергетичну ширину w краю оптичного поглинання у вигляді:w = wT + (wX)stat+(wx)dyn,після чого...

Номер патенту: 15589

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Чирчик Сергій Васильович, Малютенко Володимир Костянтинович

МПК: G01N 27/00

Мітки: напівпровідниках, безконтактний, параметрів, рекомбінаційних, спосіб, визначення

Формула / Реферат:

1. Безконтактний спосіб визначення рекомбінаційних параметрів в напівпровідниках, що включає нагрівання напівпровідника до температури, вищої за температуру навколишнього середовища, підтримують цю температуру сталою, опромінюють поверхню нагрітого напівпровідника монохроматичним світлом, для якого добуток коефіцієнта поглинання на дифузійну довжину носіїв заряду та добуток коефіцієнта поглинання на товщину напівпровідникового зразка набагато...

Номер патенту: 67130

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Новіков Сергій Сергійович, Лисоченко Сергій Васильович, Третяк Олег Васильович, Жарких Юрій Серафимович

МПК: G01N 27/00

Мітки: дифузійного, носіїв, заряду, довжини, визначення, напівпровідниках, спосіб, зміщення, неосновних

Формула / Реферат:

Спосіб визначення довжини дифузійного зміщення неосновних носіїв заряду в напівпровідниках, що включає освітлення поверхні зразка світловим зондом у вигляді смужки і наступне сканування вздовж поверхні зразка в неосвітленій області з вимірюванням струму в колі тонкого дротяного металевого зонда, який відрізняється тим, що зонду надають зворотно-поступальний коливальний рух в напрямку нормальному до поверхні зразка з звуковою частотою, а...

Номер патенту: 57427

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Бородін Борис Григорович, Бабиченко Сергій Васильович, Гордієнко Юрій Омелянович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: носіїв, поверхневої, спосіб, заряду, часу, об`ємного, вимірювання, напівпровідниках, життя, швидкості, рекомбінації

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання об'ємного часу життя і швидкості поверхневої рекомбінації носіїв заряду у напівпровідниках, який заснований на розміщенні досліджуваного напівпровідникового зразка в НВЧ резонаторному вимірювальному перетворювачі, освітленні його гармонійно модульованим монохроматичним світлом, виділенні на виході вимірювального перетворювача сигналів фотопровідності, який відрізняється тим, що здійснюють вимірювання спектрального...

Номер патенту: 38308

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Гордієнко Юрій Омелянович, Бородін Борис Григорович

МПК: G01N 21/41, H01L 21/66

Мітки: носіїв, поверхневої, рекомбінації, спосіб, вимірювання, заряду, об`ємного, швидкості, часу, напівпровідниках, життя

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання об'ємного часу життя і швидкості поверхневої рекомбінації носіїв заряду у напівпровідниках, який заснований на розміщенні досліджуваного   напівпровідникового   зразка   в   НВЧ   резонаторному вимірювальному перетворювачі, освітленні його по черзі світлом яке сильно і слабко поглинається у матеріалі напівпровідника, виділенні на виході резонаторного вимірювального перетворювача сигналів фотопровідності при сильному і...