Патенти з міткою «наноструктур»

Спосіб отримання наноструктур ag2o на поверхні гетероепітаксійної плівки p-cdhgte

Завантаження...

Номер патенту: 112999

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Удовицька Руслана Сергіївна, Савкіна Рада Костянтинівна, Смірнов Олексій Борисович, Сизов Федір Федорович

МПК: H01L 21/20, B82B 3/00, C23C 14/48 ...

Мітки: p-cdhgte, наноструктур, плівки, спосіб, поверхні, отримання, гетероепітаксійної

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe (x ~ 0,222-0,223), який включає радіаційне опромінення іонним пучком поверхні плівки з енергіями (50 ч 150) кеВ і дозами імплантації (3 ч 7)*1013 см-2 відповідно та відрізня Спосіб отримання наноструктур Ag2O на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe, де x=0,222-0,223, який включає радіаційне опромінення іонним пучком Ag поверхні плівки з енергіями...

Спосіб синтезу одновимірних наноструктур стануму (iv) оксиду

Завантаження...

Номер патенту: 110032

Опубліковано: 26.09.2016

Автори: Люц Вікторія Анатоліївна, Нагірняк Світлана Валеріївна, Донцова Тетяна Анатоліївна

МПК: C01G 19/02

Мітки: оксиду, наноструктур, одновимірних, спосіб, стануму, синтезу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу одновимірних наноструктур стануму (IV) оксиду, що включає отримання прекурсору стануму (II) оксалату шляхом змішування гарячих розчинів стануму (II) хлориду та амонію оксалату з подальшим відфільтровуванням осаду стануму (II) оксалату, відмиванням, висушуванням та нагріванням в трубчатій печі при температурі 850 °C впродовж 2 годин, який відрізняється тим, що нагрівання стануму (II) оксалату відбувається зі швидкістю...

Спосіб отримання наноструктур snte:sb на слюді із високою термо-ерс

Завантаження...

Номер патенту: 102229

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Яворський Ростислав Святославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: B82B 3/00, C01B 19/00, C01G 30/00 ...

Мітки: спосіб, термо-е.р.с, високою, наноструктур, snte:sb, слюди, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур SnTe:Sb на слюді із високою термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі ТВ, осаджують на підкладку при температурі ТП та часі τ, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований станум телурид SnTe:Sb із вмістом 2,5 ат. % Sb, а товщина наноструктур становить...

Спосіб отримання наноструктур snte:sb на слюді із високою питомою термоелектричною потужністю

Завантаження...

Номер патенту: 102226

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Костюк Оксана Богданівна, Маковишин Володимир Ігорович, Яворський Ярослав Святославович

МПК: B82B 3/00

Мітки: високою, питомою, отримання, наноструктур, потужністю, snte:sb, слюди, термоелектричною, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур SnTe:Sb на слюді із високою питомою термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі ТВ, осаджують на підкладку при температурі ТП та часі t, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований сурмою станум телурид SnTe:Sb із вмістом 2,5 ат. % Sb, а...

Спосіб отримання наноструктур snte:sb p-типу на ситалових підкладках із значною термо-ерс

Завантаження...

Номер патенту: 102175

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Костюк Оксана Богданівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Маковишин Володимир Ігорович, Яворський Ярослав Святославович

МПК: B82B 3/00

Мітки: спосіб, отримання, підкладках, наноструктур, ситалових, snte:sb, термо-е.р.с, p-типу, значною

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур структур SnTer:Sb р-типу на ситалових підкладках із значною термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують при температурі випарника ΤВ і осаджують на підкладку при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат.% Sb, а як підкладки використовують пластини...

Спосіб отримання наноструктур snte:sb на слюді із високою питомою термоелектричною потужністю

Завантаження...

Номер патенту: 101359

Опубліковано: 10.09.2015

Автори: Маковишин Володимир Ігорович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Костюк Оксана Богданівна, Яворський Ярослав Святославович

МПК: B82B 3/00

Мітки: спосіб, слюди, отримання, snte:sb, наноструктур, питомою, термоелектричною, потужністю, високою

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричних парофазних конденсатів SnTe:Sb р-типу на слюді, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі Тв, осаджують на підкладку при температурі Тп та часі t, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат. % Sb, а товщина конденсату...

Спосіб отримання наноструктур кремнію неелектролітичним травленням

Завантаження...

Номер патенту: 98703

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Сминтина Валентин Андрійович, Рімашевський Олександр Аркадійович, Павленко Микола Миколайович, Яцунський Ігор Ростиславович

МПК: B02B 3/00

Мітки: кремнію, отримання, неелектролітичним, спосіб, наноструктур, травленням

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованого кремнію неелектролітичним травленням, який полягає в окисненні та розчиненні кремнію в розчині плавикової кислоти та окиснювача, який відрізняється тим, що в розчин додатково вводять наночастинки срібла в кількості 10-3-10-4 моль/л, а як окиснювач використовують перекис водню в кількості 0,5-3,5 моль/л.

Реактор для отримання наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 96541

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Борова Валентина Євгенівна, Андрєєв Олександр Анатолійович, Боровий Ярослав Анатолійович, Замлинний Вячеслав Юрійович, Остапін Іван Сергійович, Берник Віталій Олегович

МПК: C01B 31/00

Мітки: наноструктур, отримання, реактор

Формула / Реферат:

Реактор для отримання наноструктур, що містить корпус, заповнений робочою рідиною, позитивні і негативні електроди, які з'єднані з джерелом напруги, вузол переміщення, патрубки для підведення та відведення робочої рідини, який відрізняється тим, що між електродами розташовані електроізоляційні прокладки, які зв'язані з вузлом переміщення.

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки p-cdхнg1-хte

Завантаження...

Номер патенту: 87886

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Смірнов Олексій Борисович, Савкіна Рада Костянтинівна, Сизов Федір Федорович, Удовицька Руслана Сергіївна

МПК: B28B 1/00, B28B 23/00

Мітки: поверхні, гетероепітаксійної, наноструктур, спосіб, p-cdхнg1-хte, плівки, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки p-CdxHg1-xTe (x ~ 0,222-0,223), який включає радіаційне опромінення поверхні плівки, який відрізняється тим, що поверхню опромінюють іонами срібла з енергіями 50-150 кеВ і дозами імплантації 3-7*1013 см-2 відповідно.

Реактор для одержання наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 84451

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Замлинний Вячеслав Юрійович, Мірошніченко Іван Сергійович, Стасюк Андрій Романович, Остапін Іван Сергійович, Берник Віталій Олегович, Борова Валентина Євгенівна, Боровий Ярослав Анатолійович, Андрєєв Олександр Анатолійович

МПК: B82B 1/00, C01B 31/00

Мітки: одержання, реактор, наноструктур

Формула / Реферат:

1. Реактор для одержання наноструктур, що містить корпус, заповнений робочою рідиною, позитивні і негативні електроди, які з'єднані з джерелом напруги, при цьому позитивні електроди із струмопровідним стрижнем встановлені з можливість переміщення, а негативні електроди виконані у вигляді змінних патрубкоподібних вставок з різною товщиною стінок, патрубки для підведення та відведення робочої рідини, який відрізняється тим, що в корпусі в...

Пристрій для одержання вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 82332

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: Боровий Ярослав Анатолійович, Берник Віталій Олегович, Остапін Іван Сергійович, Андрєєв Олександр Анатолійович

МПК: C01B 31/00

Мітки: одержання, вуглецевих, наноструктур, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання вуглецевих наноструктур, що містить корпус, заповнений робочою рідиною, позитивний електрод у вигляді ряду електродів і негативний електрод, які з'єднані з джерелом напруги, патрубки для підведення та відведення робочої рідини, при цьому позитивні електроди встановлені з можливістю переміщення, який відрізняється тим, що корпус має форму циліндричної поверхні, а негативний електрод, виконаний у вигляді змінних...

Реактор для одержання вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 81663

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Боровий Ярослав Анатолійович, Лісовий Оксен Васильович, Остапін Іван Сергійович, Андрєєв Олександр Анатолійович, Берник Віталій Олегович

МПК: C01B 31/00

Мітки: вуглецевих, одержання, наноструктур, реактор

Формула / Реферат:

1. Реактор для одержання вуглецевих наноструктур, що містить корпус, у вигляді поверхні зрізаного конуса, заповненого робочою рідиною, кришку, патрубки для підведення та відведення робочої рідини, позитивний електрод у вигляді диска і негативний, яким є корпус, електроди з'єднані з джерелом напруги, при цьому позитивний електрод встановлений з можливістю переміщення, який відрізняється тим, що позитивний електрод виконаний у вигляді ряду...

Спосіб створення наноструктур на поверхні германію

Завантаження...

Номер патенту: 101705

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Уколов Олексій Іванович, Надточій Віктор Олексійович

МПК: H01L 21/322

Мітки: наноструктур, спосіб, поверхні, германію, створення

Формула / Реферат:

Спосіб створення наноструктур на поверхні германію, що включає дифузію атомів речовини в полі локальних механічних напружень, який відрізняється тим, що пластину германію обробляють механічним та хіміко-динамічним поліруванням, після чого пластину за кімнатної температури деформують циклами стискання-розвантаження з одночасним ультразвуковим опромінюванням зі створенням наноструктур в області виходу на поверхню дислокаційної півпетлі.

Спосіб отримання наноструктур zno

Завантаження...

Номер патенту: 71235

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Турко Борис Ігорович, Лень Наталія Володимирівна, Капустяник Володимир Богданович

МПК: C01G 9/00, B82B 3/00, C01G 9/02 ...

Мітки: спосіб, наноструктур, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктур ZnO, за яким готують суміш порошків ZnO і каталізатора у масовому співвідношенні 1:1 або 1:2, розміщують її поблизу запаяного кінця, а відповідну підкладку поблизу відкритого кінця кварцової трубки, яку поміщають горизонтально у нагрівник, де витримують 30-60 хв. і охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як каталізатор використовують активоване вугілля, при цьому кварцову трубку...

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-pbte:bi на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями

Завантаження...

Номер патенту: 70807

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Лисюк Юрій Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: B82B 3/00

Мітки: n-pbte:bi, отримання, напівпровідникових, термоелектричними, покращеними, ситалових, наноструктур, спосіб, підкладках, властивостями

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-РbТе:Ві на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі ТВ, на підкладку ситалу при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника...

Пристрій для вакуумного синтезу вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 98909

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Панарін Валентин Євгенович, Хомінич Анастасія Іванівна, Свавільний Микола Євгенович

МПК: B82B 3/00, B01J 3/03, B01J 19/08 ...

Мітки: синтезу, вуглецевих, вакуумного, наноструктур, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вакуумного синтезу вуглецевих наноструктур, який містить джерело вуглецевмісної плазми, плазмовід у вигляді вакуумної труби, що під'єднана до джерела плазми, магнітний сепаратор потоку плазми, який складається з котушок, що розміщені повздовж плазмоводу з забезпеченням можливості повороту потоку плазми на 90°, підкладку, закріплену на підігрівному столику, який встановлений на виході плазмоводу перпендикулярно потоку плазми і...

Інструмент для отримання поверхневих наноструктур різнонаправленою термопластичною деформацією

Завантаження...

Номер патенту: 70431

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Гурей Ігор Володимирович, Максимів Ольга Володимирівна, Никифорчин Григорій Миколайович, Кирилів Володимир Іванович, Курнат Іван Миколайович

МПК: B24B 39/00

Мітки: поверхневих, різнонаправленою, інструмент, деформацією, термопластичною, отримання, наноструктур

Формула / Реферат:

Інструмент для отримання поверхневих наноструктур різнонаправленою термопластичною деформацією, який складається із корпусу і робочого диска, виконаного із титанового сплаву або нержавіючої сталі, причому для підвищення продуктивності процесу та покращення шорсткості оброблюваної поверхні робоча поверхня інструмента виконана криволінійною у вигляді шевронного зигзагоподібного профілю з кутом нахилу шеврона 12-30°, а кількість зигзагів...

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-рbте:ві з покращеними термоелектричними властивостями

Завантаження...

Номер патенту: 69952

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Лисюк Юрій Васильович, Горічок Ігор Володимирович, Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: термоелектричними, основі, властивостями, покращеними, спосіб, отримання, n-рbте:ві, напівпровідникових, наноструктур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-РbТе:Ві з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв, на підкладку слюди-мусковіт при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника складає...

Установка для одержання вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 66524

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Цолін Павло Леонідович, Хайнацький Сергій Олександрович, Зубенко Олександр Олександрович, Малюшевська Антоніна Павлівна, Кускова Наталя Іванівна, Петриченко Сергій Вікторович

МПК: C01B 31/00, B82B 3/00

Мітки: наноструктур, одержання, вуглецевих, установка

Формула / Реферат:

Установка для одержання вуглецевих наноструктур, що містить електророзрядний реактор, заповнений робочою органічною рідиною, генератор імпульсних струмів, бак-накопичувач, який встановлений вище рівня електророзрядного реактора і з'єднаний з його підвідним патрубком, фільтрувальний пристрій, який з'єднаний з відвідним патрубком електророзрядного реактора, насос, що перекачує робочу рідину з фільтрувального пристрою до бака-накопичувача, яка...

Пристрій зондового анодного окислення наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 62412

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Галстян Георгій Георгійович, Золот Анатолій Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Ходаковський Микола Іванович, Новіков Євген Іванович

МПК: H01L 21/00

Мітки: зондового, пристрій, окислення, анодного, наноструктур

Формула / Реферат:

Пристрій зондового анодного окислення наноструктур, який містить блок вибору режимів роботи атомно-силового мікроскопа (АСМ), блок сканування зонда з робочим полем підкладки, блок контролю вологості, блок прив'язки зонда, виходи АСМ з'єднані з входом блока сканування зонда, з входом блока прив’язки зонда і входом блока контролю вологості, вихід якого з'єднаний з робочим полем підкладки, вихід блока сканування з'єднаний з робочим полем...

Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 62086

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Потяк Володимир Юрійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ярослав Святославович, Дзундза Богдан Степанович, Соколов Олександр Леонідович

МПК: B82B 3/00

Мітки: багатошарових, спосіб, отримання, наноструктур, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованих сполук РbТе та SnTe при температурі випаровування наважки Тв, шари n-РbТе, p-SnTe, n-РbТе осаджують послідовно на підкладку із сколів (001) КСl при температурі Тп, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп =...

Спосіб отримання термоелектричних наноструктур pbs

Завантаження...

Номер патенту: 60221

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Борик Віктор Васильович, Карпаш Максим Олегович, Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович, Ткачук Андрій Іванович

МПК: B82B 3/00

Мітки: спосіб, наноструктур, отримання, термоелектричних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних наноструктур PbS, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки PbS при температурі випаровування наважки , осаджують на підкладку із свіжих сколів (001) кристалів КСl при температурі  який...

Спосіб отримання гібридних наноструктур полімер-напівпровідник

Завантаження...

Номер патенту: 55629

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Оленич Ігор Богданович, Монастирський Любомир Степанович, Аксіментьєва Олена Ігорівна, Павлик Михайло Романович, Євчук Оксана Миколаївна

МПК: C08G 61/00, C08K 7/00, C08K 3/36 ...

Мітки: отримання, наноструктур, гібридних, полімер-напівпровідник, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання гібридних наноструктур полімер-напівпровідник, що базується на електролізі кислого водного розчину аміноарену на електроді з поруватого кремнію, який відрізняється тим, що електроліз проводять в умовах циклічної розгортки потенціалу у межах -0,2 ÷ +1,5 В (х. с. е.) протягом 4-20 циклів, а контроль кількості утвореного полімеру здійснюють за лінійною залежністю струму анодного максимуму в інтервалі Е=0,75-0,90 В від...

Установка для одержання вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 55578

Опубліковано: 10.12.2010

Автори: Кускова Наталя Іванівна, Цолін Павло Леонідович, Зубенко Олександр Олександрович, Баклар Віктор Юрійович, Петриченко Сергій Вікторович, Малюшевська Антоніна Павлівна

МПК: C01B 31/00

Мітки: наноструктур, одержання, установка, вуглецевих

Формула / Реферат:

Установка для одержання вуглецевих наноструктур, що містить електророзрядний реактор, який має заповнений робочою органічною рідиною циліндричний корпус з днищем, кришкою, підвідним та відвідним патрубками і розміщеним в корпусі співвісно його осі позитивним електродом, робоча частина якого виконана у вигляді диска, та генератор імпульсних струмів, з'єднаний з позитивним та негативним, яким є циліндричний корпус, електродами, яка...

Спосіб покращення термоелектричних характеристик наноструктур телуриду свинцю

Завантаження...

Номер патенту: 54833

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Чав'як Іван Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Ткачук Андрій Іванович, Никируй Любомир Іванович

МПК: B82B 3/00

Мітки: телуриду, покращення, характеристик, наноструктур, свинцю, термоелектричних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних характеристик наноструктур телуриду свинцю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на поліамідну підкладку при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що отримані наноструктурні матеріали витримують на повітрі протягом певного часу t.2....

Спосіб одержання провідних наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 51900

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Пилипенко Олексій Іванович, Фісун Василь Васильович, Камарчук Геннадій Васильович, Александров Юрій Леонідович, Поспєлов Олександр Петрович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, спосіб, провідних, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення двох струмопідводів до виникнення між ними електричного контакту, причому принаймні один із цих струмопідводів у місці контакту загострений; після виникнення контакту його механічно переривають, область контакту заповнюють електролітом, що містить іони металу, з якого виготовлений незагострений струмопідвід, і реєструють опір, який відрізняється тим, що різке падіння...

Процес створення об’ємних мікро-та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи аiiвv

Завантаження...

Номер патенту: 50923

Опубліковано: 25.06.2010

Автори: Маник Орест Миколайович, Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: низькосиметричних, основі, напівпровідникових, групи, аiiвv, об'ємних, кристалів, мікро-та, сполук, наноструктур, процес, створення

Формула / Реферат:

1. Процес створення об'ємних мікро- та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи АIIВV, що складається з етапів завантаження наважки, її синтезу, зонної перекристалізації, температурного відпалу отриманого злитка та контролю його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі зонної перекристалізації температура розплаву зони при першому проходженні нагрівача підтримується постійною на рівні Т (t) =...

Спосіб одержання провідних наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 49385

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Поспєлов Олександр Петрович, Александров Юрій Леонідович, Камарчук Геннадій Васильович, Фісун Василь Васильович, Пилипенко Олексій Іванович

МПК: B82B 3/00

Мітки: спосіб, провідних, одержання, наноструктур

Формула / Реферат:

Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення струмопідводів, один з яких загострений у вигляді голки, до виникнення між ними електричного контакту, причому після виникнення контакту його механічно переривають, а в область контакту вводять електроліт, що містить іони того ж металу, з якого виготовлені струмопідводи, пропускають струм силою 1-500 мкА, реєструють опір системи в процесі автоколивань і в момент...

Реактор для одержання вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 49039

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Цолін Павло Леонідович, Кускова Наталя Іванівна, Малюшевська Антоніна Павлівна, Зубенко Олександр Олександрович

МПК: C01B 31/00

Мітки: наноструктур, реактор, одержання, вуглецевих

Формула / Реферат:

Реактор для одержання вуглецевих наноструктур, що містить корпус, заповнений робочою рідиною, розміщений в корпусі співвісно його осі позитивний електрод, робоча частина якого виконана у вигляді диска, розташовані на бічній поверхні корпусу патрубки підведення й зливу робочої рідини, позитивний і негативний, яким є корпус, електроди з'єднані з джерелом високої напруги, який відрізняється тим, що внутрішня поверхня корпусу виконана у вигляді...

Спосіб одержання провідних наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 45130

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Поспєлов Олександр Петрович, Пилипенко Олексій Іванович, Камарчук Геннадій Васильович, Александров Юрій Леонідович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, провідних, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення електродів, один з яких загострений у вигляді голки, до виникнення між ними електричного контакту, причому після появи контакту його механічно переривають, а в область контакту вводять електроліт, що містить іони того ж металу, з якого виготовлені електроди, з добавкою іммобілізуючого агента, після витримки електроліту впродовж 20-30 хв. з моменту внесення...

Спосіб одержання провідних наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 43859

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Александров Юрій Леонідович, Лебедь Олена Костянтинівна, Камарчук Геннадій Васильович, Поспєлов Олександр Петрович

МПК: B82B 3/00

Мітки: спосіб, наноструктур, провідних, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення двох струмопідводів до виникнення між ними електричного контакту, причому принаймні один із цих струмопідводів у місці контакту загострений, після виникнення контакту між струмопідводами пропускають струм 1-500 мкА і реєструють опір та після декількох циклів різкого падіння й різного зростання опору, які відбуваються автоматично, струм відключають, який відрізняється...

Реактор для одержання вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 43714

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Смалько Анатолій Олександрович, Баклар Віктор Юрійович, Богуславський Леонід Зиновійович, Зубенко Олександр Олександрович, Кускова Наталя Іванівна

МПК: C01B 31/00

Мітки: реактор, одержання, наноструктур, вуглецевих

Формула / Реферат:

Реактор для одержання вуглецевих наноструктур, що містить циліндричний корпус з днищем та кришкою, заповнений робочою органічною рідиною, розміщені в корпусі позитивний та негативний електроди, які з'єднані з джерелом високої напруги, патрубок підводу робочої рідини та патрубок відводу газу, що розміщений на кришці, який відрізняється тим, що робоча частина позитивного електрода виконана у вигляді диска, що розміщений коаксіально...

Спосіб одержання провідних наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 41750

Опубліковано: 10.06.2009

Автори: Пилипенко Олексій Іванович, Камарчук Геннадій Васильович, Александров Юрій Леонідович, Поспєлов Олександр Петрович

МПК: B82B 3/00

Мітки: провідних, наноструктур, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення електродів до виникнення між ними електричного контакту, один з яких загострений у вигляді голки, причому після виникнення контакту його механічно переривають, а в область контакту вводять електроліт, що містить іони того ж металу, з якого виготовлені електроди, який відрізняється тим, що до електроліту попередньо додають іммобілізуючий іони агент; після витримки...

Спосіб керування ефектом самоорганізації фрактальних наноструктур при електроімпульсній абляції електропровідних матеріалів “нанотехнологія фракталів”

Завантаження...

Номер патенту: 38109

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Косінов Микола Васильович, Каплуненко Володимир Георгійович

МПК: B01J 2/02, B22F 9/02, A61K 9/50 ...

Мітки: фракталів, самоорганізації, ефектом, матеріалів, нанотехнологія, наноструктур, абляції, керування, спосіб, фрактальних, електроімпульсний, електропровідних

Формула / Реферат:

Спосіб керування ефектом самоорганізації фрактальних наноструктур при електроімпульсній абляції електропровідних матеріалів, який заснований на руйнуванні поверхні електропровідних матеріалів шляхом швидкого випаровування речовини з поверхні під дією імпульсів електричного струму, утворенні плазми шляхом електричних розрядів в проміжках між гранулами електропровідних матеріалів, дії на речовину, що аблює, плазмою для її розпаду і іонізації,...

Спосіб одержання провідних наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 35732

Опубліковано: 10.10.2008

Автори: Поспєлов Олександр Петрович, Пилипенко Олексій Іванович, Александров Юрій Леонідович, Комарчук Геннадій Васильович, Фісун Василь Васильович

МПК: B82B 3/00

Мітки: спосіб, одержання, провідних, наноструктур

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення двох струмопідводів до виникнення між ними електричного контакту, причому принаймні один із цих струмопідводів у місці контакту загострений, який відрізняється тим, що після виникнення контакту його механічно переривають, область контакту заповнюють електролітом, що містить іони металу, з якого виготовлений незагострений струмопідвід, між струмопідводами пропускають...

Спосіб одержання наноструктур на основі нанотемплати з діоксиду кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 83773

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Толмачов Олександр Володимирович, Семиноженко Володимир Петрович, Єрмолаєва Юлія Володимирівна, Матвеєвська Неонила Анатоліївна

МПК: B82B 3/00, C30B 28/00

Мітки: наноструктур, спосіб, кремнію, одержання, нанотемплати, діоксиду, основі

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання наноструктур на основі нанотемплат з діоксиду кремнію, який включає одержання нанотемплат з діоксиду кремнію в розчині, функціоналізацію поверхні нанотемплат біфункціональними молекулами триамінопропілтриетоксисилану, одержання нанокристалів в розчині і їх осадження шляхом перемішування одержаних розчинів з формуванням оболонки на нанотемплатах, який відрізняється тим, що функціоналізацію ведуть додаванням до розчину...

Спосіб одержання провідних наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 32638

Опубліковано: 26.05.2008

Автори: Камарчук Геннадій Васильович, Поспєлов Олександр Петрович, Александров Юрій Леонідович, Пилипенко Олексій Іванович, Фісун Василь Васильович

МПК: B82B 3/00

Мітки: провідних, наноструктур, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення двох струмопідводів до виникнення між ними електричного контакту, причому принаймні один із цих струмопідводів у місці контакту загострений, який відрізняється тим, що після виникнення контакту його механічно переривають, в область контакту поміщають електроліт, що містить іони металу, з якого виготовлений незагострений струмопідвід, між струмопідводами пропускають...

Пристрій для виготовлення наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 80154

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Золот Анатолій Іванович, Мержвинський Павло Анатолійович, Ходаковський Микола Іванович, Коржинський Федір Йосипович

МПК: H01L 21/67, B82B 3/00

Мітки: виготовлення, пристрій, наноструктур

Формула / Реферат:

1. Пристрій для виготовлення наноструктур, який містить блок керування параметрами, вхід якого є входом пристрою, а вихід якого зв'язаний з входом блока подачі вістревої структури, вихід блока подачі вістревої структури з'єднаний з входом блока керування тунельним струмом, вхід-вихід блока керування тунельним струмом зв'язаний з входом-виходом блока керування параметрами, який відрізняється тим, що додатково містить блок технологічного...

Спосіб одержання вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 6747

Опубліковано: 16.05.2005

Автори: Перекос Анатолій Омелянович, Мельниченко Володимир Петрович, Шпак Анатолій Петрович, Рудь Олександр Дмитрович, Уваров Віктор Миколайович, Огенко Володимир Михайлович

МПК: C01B 31/00

Мітки: наноструктур, вуглецевих, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання вуглецевих наноструктур, який полягає у тому, що електроди, встановлені на відстані один від одного, розміщують у неполярному розчиннику, у міжелектродний проміжок подають стрижні, замикаючи електроди, а випаровування стрижнів, утворення високотемпературної плазми і одержання розчину, що містить фулерени, здійснюють, подаючи на електроди імпульси високої напруги, який відрізняється тим, що попередньо електроди виготовляють із...