Патенти з міткою «наноструктур»

Спосіб отримання наноструктур ag2o на поверхні гетероепітаксійної плівки p-cdhgte

Завантаження...

Номер патенту: 112999

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Савкіна Рада Костянтинівна, Смірнов Олексій Борисович, Удовицька Руслана Сергіївна, Сизов Федір Федорович

МПК: C23C 14/48, B82B 3/00, H01L 21/20 ...

Мітки: спосіб, гетероепітаксійної, отримання, плівки, поверхні, наноструктур, p-cdhgte

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe (x ~ 0,222-0,223), який включає радіаційне опромінення іонним пучком поверхні плівки з енергіями (50 ч 150) кеВ і дозами імплантації (3 ч 7)*1013 см-2 відповідно та відрізня Спосіб отримання наноструктур Ag2O на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe, де x=0,222-0,223, який включає радіаційне опромінення іонним пучком Ag поверхні плівки з енергіями...

Спосіб синтезу одновимірних наноструктур стануму (iv) оксиду

Завантаження...

Номер патенту: 110032

Опубліковано: 26.09.2016

Автори: Нагірняк Світлана Валеріївна, Донцова Тетяна Анатоліївна, Люц Вікторія Анатоліївна

МПК: C01G 19/02

Мітки: спосіб, синтезу, одновимірних, стануму, оксиду, наноструктур

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу одновимірних наноструктур стануму (IV) оксиду, що включає отримання прекурсору стануму (II) оксалату шляхом змішування гарячих розчинів стануму (II) хлориду та амонію оксалату з подальшим відфільтровуванням осаду стануму (II) оксалату, відмиванням, висушуванням та нагріванням в трубчатій печі при температурі 850 °C впродовж 2 годин, який відрізняється тим, що нагрівання стануму (II) оксалату відбувається зі швидкістю...

Спосіб отримання наноструктур snte:sb на слюді із високою термо-ерс

Завантаження...

Номер патенту: 102229

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Яворський Ростислав Святославович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C01G 30/00, C01B 19/00, B82B 3/00 ...

Мітки: отримання, високою, термо-е.р.с, слюди, спосіб, snte:sb, наноструктур

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур SnTe:Sb на слюді із високою термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі ТВ, осаджують на підкладку при температурі ТП та часі τ, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований станум телурид SnTe:Sb із вмістом 2,5 ат. % Sb, а товщина наноструктур становить...

Спосіб отримання наноструктур snte:sb на слюді із високою питомою термоелектричною потужністю

Завантаження...

Номер патенту: 102226

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Яворський Ярослав Святославович, Костюк Оксана Богданівна, Маковишин Володимир Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: отримання, snte:sb, спосіб, високою, потужністю, наноструктур, слюди, питомою, термоелектричною

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур SnTe:Sb на слюді із високою питомою термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі ТВ, осаджують на підкладку при температурі ТП та часі t, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований сурмою станум телурид SnTe:Sb із вмістом 2,5 ат. % Sb, а...

Спосіб отримання наноструктур snte:sb p-типу на ситалових підкладках із значною термо-ерс

Завантаження...

Номер патенту: 102175

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Костюк Оксана Богданівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ярослав Святославович, Маковишин Володимир Ігорович

МПК: B82B 3/00

Мітки: значною, наноструктур, snte:sb, отримання, термо-е.р.с, спосіб, p-типу, підкладках, ситалових

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур структур SnTer:Sb р-типу на ситалових підкладках із значною термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують при температурі випарника ΤВ і осаджують на підкладку при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат.% Sb, а як підкладки використовують пластини...

Спосіб отримання наноструктур snte:sb на слюді із високою питомою термоелектричною потужністю

Завантаження...

Номер патенту: 101359

Опубліковано: 10.09.2015

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ярослав Святославович, Дзундза Богдан Степанович, Маковишин Володимир Ігорович, Костюк Оксана Богданівна

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, термоелектричною, отримання, високою, спосіб, питомою, потужністю, snte:sb, слюди

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричних парофазних конденсатів SnTe:Sb р-типу на слюді, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі Тв, осаджують на підкладку при температурі Тп та часі t, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат. % Sb, а товщина конденсату...

Спосіб отримання наноструктур кремнію неелектролітичним травленням

Завантаження...

Номер патенту: 98703

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Яцунський Ігор Ростиславович, Павленко Микола Миколайович, Сминтина Валентин Андрійович, Рімашевський Олександр Аркадійович

МПК: B02B 3/00

Мітки: кремнію, наноструктур, отримання, травленням, неелектролітичним, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованого кремнію неелектролітичним травленням, який полягає в окисненні та розчиненні кремнію в розчині плавикової кислоти та окиснювача, який відрізняється тим, що в розчин додатково вводять наночастинки срібла в кількості 10-3-10-4 моль/л, а як окиснювач використовують перекис водню в кількості 0,5-3,5 моль/л.

Реактор для отримання наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 96541

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Боровий Ярослав Анатолійович, Замлинний Вячеслав Юрійович, Борова Валентина Євгенівна, Остапін Іван Сергійович, Берник Віталій Олегович, Андрєєв Олександр Анатолійович

МПК: C01B 31/00

Мітки: реактор, отримання, наноструктур

Формула / Реферат:

Реактор для отримання наноструктур, що містить корпус, заповнений робочою рідиною, позитивні і негативні електроди, які з'єднані з джерелом напруги, вузол переміщення, патрубки для підведення та відведення робочої рідини, який відрізняється тим, що між електродами розташовані електроізоляційні прокладки, які зв'язані з вузлом переміщення.

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки p-cdхнg1-хte

Завантаження...

Номер патенту: 87886

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Сизов Федір Федорович, Смірнов Олексій Борисович, Удовицька Руслана Сергіївна, Савкіна Рада Костянтинівна

МПК: B28B 23/00, B28B 1/00

Мітки: спосіб, гетероепітаксійної, плівки, p-cdхнg1-хte, наноструктур, поверхні, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки p-CdxHg1-xTe (x ~ 0,222-0,223), який включає радіаційне опромінення поверхні плівки, який відрізняється тим, що поверхню опромінюють іонами срібла з енергіями 50-150 кеВ і дозами імплантації 3-7*1013 см-2 відповідно.

Реактор для одержання наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 84451

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Стасюк Андрій Романович, Мірошніченко Іван Сергійович, Андрєєв Олександр Анатолійович, Боровий Ярослав Анатолійович, Берник Віталій Олегович, Замлинний Вячеслав Юрійович, Борова Валентина Євгенівна, Остапін Іван Сергійович

МПК: B82B 1/00, C01B 31/00

Мітки: одержання, реактор, наноструктур

Формула / Реферат:

1. Реактор для одержання наноструктур, що містить корпус, заповнений робочою рідиною, позитивні і негативні електроди, які з'єднані з джерелом напруги, при цьому позитивні електроди із струмопровідним стрижнем встановлені з можливість переміщення, а негативні електроди виконані у вигляді змінних патрубкоподібних вставок з різною товщиною стінок, патрубки для підведення та відведення робочої рідини, який відрізняється тим, що в корпусі в...

Пристрій для одержання вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 82332

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: Остапін Іван Сергійович, Берник Віталій Олегович, Боровий Ярослав Анатолійович, Андрєєв Олександр Анатолійович

МПК: C01B 31/00

Мітки: наноструктур, пристрій, вуглецевих, одержання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання вуглецевих наноструктур, що містить корпус, заповнений робочою рідиною, позитивний електрод у вигляді ряду електродів і негативний електрод, які з'єднані з джерелом напруги, патрубки для підведення та відведення робочої рідини, при цьому позитивні електроди встановлені з можливістю переміщення, який відрізняється тим, що корпус має форму циліндричної поверхні, а негативний електрод, виконаний у вигляді змінних...

Реактор для одержання вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 81663

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Боровий Ярослав Анатолійович, Берник Віталій Олегович, Андрєєв Олександр Анатолійович, Остапін Іван Сергійович, Лісовий Оксен Васильович

МПК: C01B 31/00

Мітки: реактор, наноструктур, вуглецевих, одержання

Формула / Реферат:

1. Реактор для одержання вуглецевих наноструктур, що містить корпус, у вигляді поверхні зрізаного конуса, заповненого робочою рідиною, кришку, патрубки для підведення та відведення робочої рідини, позитивний електрод у вигляді диска і негативний, яким є корпус, електроди з'єднані з джерелом напруги, при цьому позитивний електрод встановлений з можливістю переміщення, який відрізняється тим, що позитивний електрод виконаний у вигляді ряду...

Спосіб створення наноструктур на поверхні германію

Завантаження...

Номер патенту: 101705

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Надточій Віктор Олексійович, Уколов Олексій Іванович

МПК: H01L 21/322

Мітки: германію, спосіб, створення, наноструктур, поверхні

Формула / Реферат:

Спосіб створення наноструктур на поверхні германію, що включає дифузію атомів речовини в полі локальних механічних напружень, який відрізняється тим, що пластину германію обробляють механічним та хіміко-динамічним поліруванням, після чого пластину за кімнатної температури деформують циклами стискання-розвантаження з одночасним ультразвуковим опромінюванням зі створенням наноструктур в області виходу на поверхню дислокаційної півпетлі.

Спосіб отримання наноструктур zno

Завантаження...

Номер патенту: 71235

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Турко Борис Ігорович, Капустяник Володимир Богданович, Лень Наталія Володимирівна

МПК: C01G 9/02, B82B 3/00, C01G 9/00 ...

Мітки: отримання, наноструктур, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктур ZnO, за яким готують суміш порошків ZnO і каталізатора у масовому співвідношенні 1:1 або 1:2, розміщують її поблизу запаяного кінця, а відповідну підкладку поблизу відкритого кінця кварцової трубки, яку поміщають горизонтально у нагрівник, де витримують 30-60 хв. і охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як каталізатор використовують активоване вугілля, при цьому кварцову трубку...

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-pbte:bi на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями

Завантаження...

Номер патенту: 70807

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович, Дзундза Богдан Степанович, Лисюк Юрій Васильович

МПК: B82B 3/00

Мітки: спосіб, ситалових, властивостями, n-pbte:bi, покращеними, напівпровідникових, термоелектричними, отримання, підкладках, наноструктур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-РbТе:Ві на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі ТВ, на підкладку ситалу при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника...

Пристрій для вакуумного синтезу вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 98909

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Свавільний Микола Євгенович, Панарін Валентин Євгенович, Хомінич Анастасія Іванівна

МПК: B01J 19/08, B01J 3/03, B82B 3/00 ...

Мітки: синтезу, пристрій, вуглецевих, наноструктур, вакуумного

Формула / Реферат:

Пристрій для вакуумного синтезу вуглецевих наноструктур, який містить джерело вуглецевмісної плазми, плазмовід у вигляді вакуумної труби, що під'єднана до джерела плазми, магнітний сепаратор потоку плазми, який складається з котушок, що розміщені повздовж плазмоводу з забезпеченням можливості повороту потоку плазми на 90°, підкладку, закріплену на підігрівному столику, який встановлений на виході плазмоводу перпендикулярно потоку плазми і...

Інструмент для отримання поверхневих наноструктур різнонаправленою термопластичною деформацією

Завантаження...

Номер патенту: 70431

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Курнат Іван Миколайович, Максимів Ольга Володимирівна, Кирилів Володимир Іванович, Никифорчин Григорій Миколайович, Гурей Ігор Володимирович

МПК: B24B 39/00

Мітки: термопластичною, деформацією, наноструктур, інструмент, отримання, різнонаправленою, поверхневих

Формула / Реферат:

Інструмент для отримання поверхневих наноструктур різнонаправленою термопластичною деформацією, який складається із корпусу і робочого диска, виконаного із титанового сплаву або нержавіючої сталі, причому для підвищення продуктивності процесу та покращення шорсткості оброблюваної поверхні робоча поверхня інструмента виконана криволінійною у вигляді шевронного зигзагоподібного профілю з кутом нахилу шеврона 12-30°, а кількість зигзагів...

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-рbте:ві з покращеними термоелектричними властивостями

Завантаження...

Номер патенту: 69952

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович, Галущак Мар'ян Олексійович, Лисюк Юрій Васильович

МПК: B82B 3/00

Мітки: напівпровідникових, покращеними, n-рbте:ві, властивостями, спосіб, наноструктур, отримання, основі, термоелектричними

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-РbТе:Ві з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв, на підкладку слюди-мусковіт при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника складає...

Установка для одержання вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 66524

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Кускова Наталя Іванівна, Малюшевська Антоніна Павлівна, Зубенко Олександр Олександрович, Хайнацький Сергій Олександрович, Петриченко Сергій Вікторович, Цолін Павло Леонідович

МПК: C01B 31/00, B82B 3/00

Мітки: одержання, установка, вуглецевих, наноструктур

Формула / Реферат:

Установка для одержання вуглецевих наноструктур, що містить електророзрядний реактор, заповнений робочою органічною рідиною, генератор імпульсних струмів, бак-накопичувач, який встановлений вище рівня електророзрядного реактора і з'єднаний з його підвідним патрубком, фільтрувальний пристрій, який з'єднаний з відвідним патрубком електророзрядного реактора, насос, що перекачує робочу рідину з фільтрувального пристрою до бака-накопичувача, яка...

Пристрій зондового анодного окислення наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 62412

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Ходаковський Микола Іванович, Новіков Євген Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Золот Анатолій Іванович, Галстян Георгій Георгійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: окислення, анодного, зондового, пристрій, наноструктур

Формула / Реферат:

Пристрій зондового анодного окислення наноструктур, який містить блок вибору режимів роботи атомно-силового мікроскопа (АСМ), блок сканування зонда з робочим полем підкладки, блок контролю вологості, блок прив'язки зонда, виходи АСМ з'єднані з входом блока сканування зонда, з входом блока прив’язки зонда і входом блока контролю вологості, вихід якого з'єднаний з робочим полем підкладки, вихід блока сканування з'єднаний з робочим полем...

Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 62086

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Яворський Ярослав Святославович, Потяк Володимир Юрійович, Соколов Олександр Леонідович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, спосіб, отримання, багатошарових, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованих сполук РbТе та SnTe при температурі випаровування наважки Тв, шари n-РbТе, p-SnTe, n-РbТе осаджують послідовно на підкладку із сколів (001) КСl при температурі Тп, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп =...

Спосіб отримання термоелектричних наноструктур pbs

Завантаження...

Номер патенту: 60221

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Карпаш Максим Олегович, Борик Віктор Васильович, Ткачук Андрій Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: спосіб, отримання, наноструктур, термоелектричних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних наноструктур PbS, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки PbS при температурі випаровування наважки , осаджують на підкладку із свіжих сколів (001) кристалів КСl при температурі  який...

Спосіб отримання гібридних наноструктур полімер-напівпровідник

Завантаження...

Номер патенту: 55629

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Павлик Михайло Романович, Аксіментьєва Олена Ігорівна, Євчук Оксана Миколаївна, Оленич Ігор Богданович, Монастирський Любомир Степанович

МПК: C08K 7/00, C08K 3/36, C08G 61/00 ...

Мітки: наноструктур, полімер-напівпровідник, отримання, спосіб, гібридних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання гібридних наноструктур полімер-напівпровідник, що базується на електролізі кислого водного розчину аміноарену на електроді з поруватого кремнію, який відрізняється тим, що електроліз проводять в умовах циклічної розгортки потенціалу у межах -0,2 ÷ +1,5 В (х. с. е.) протягом 4-20 циклів, а контроль кількості утвореного полімеру здійснюють за лінійною залежністю струму анодного максимуму в інтервалі Е=0,75-0,90 В від...

Установка для одержання вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 55578

Опубліковано: 10.12.2010

Автори: Цолін Павло Леонідович, Петриченко Сергій Вікторович, Кускова Наталя Іванівна, Малюшевська Антоніна Павлівна, Зубенко Олександр Олександрович, Баклар Віктор Юрійович

МПК: C01B 31/00

Мітки: наноструктур, одержання, вуглецевих, установка

Формула / Реферат:

Установка для одержання вуглецевих наноструктур, що містить електророзрядний реактор, який має заповнений робочою органічною рідиною циліндричний корпус з днищем, кришкою, підвідним та відвідним патрубками і розміщеним в корпусі співвісно його осі позитивним електродом, робоча частина якого виконана у вигляді диска, та генератор імпульсних струмів, з'єднаний з позитивним та негативним, яким є циліндричний корпус, електродами, яка...

Спосіб покращення термоелектричних характеристик наноструктур телуриду свинцю

Завантаження...

Номер патенту: 54833

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Ткачук Андрій Іванович, Чав'як Іван Ігорович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, покращення, свинцю, спосіб, телуриду, термоелектричних, характеристик

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних характеристик наноструктур телуриду свинцю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на поліамідну підкладку при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що отримані наноструктурні матеріали витримують на повітрі протягом певного часу t.2....

Спосіб одержання провідних наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 51900

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Александров Юрій Леонідович, Поспєлов Олександр Петрович, Пилипенко Олексій Іванович, Камарчук Геннадій Васильович, Фісун Василь Васильович

МПК: B82B 3/00

Мітки: одержання, наноструктур, провідних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення двох струмопідводів до виникнення між ними електричного контакту, причому принаймні один із цих струмопідводів у місці контакту загострений; після виникнення контакту його механічно переривають, область контакту заповнюють електролітом, що містить іони металу, з якого виготовлений незагострений струмопідвід, і реєструють опір, який відрізняється тим, що різке падіння...

Процес створення об’ємних мікро-та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи аiiвv

Завантаження...

Номер патенту: 50923

Опубліковано: 25.06.2010

Автори: Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: процес, об'ємних, кристалів, основі, групи, аiiвv, низькосиметричних, сполук, мікро-та, напівпровідникових, наноструктур, створення

Формула / Реферат:

1. Процес створення об'ємних мікро- та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи АIIВV, що складається з етапів завантаження наважки, її синтезу, зонної перекристалізації, температурного відпалу отриманого злитка та контролю його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі зонної перекристалізації температура розплаву зони при першому проходженні нагрівача підтримується постійною на рівні Т (t) =...

Спосіб одержання провідних наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 49385

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Поспєлов Олександр Петрович, Камарчук Геннадій Васильович, Фісун Василь Васильович, Пилипенко Олексій Іванович, Александров Юрій Леонідович

МПК: B82B 3/00

Мітки: спосіб, одержання, наноструктур, провідних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення струмопідводів, один з яких загострений у вигляді голки, до виникнення між ними електричного контакту, причому після виникнення контакту його механічно переривають, а в область контакту вводять електроліт, що містить іони того ж металу, з якого виготовлені струмопідводи, пропускають струм силою 1-500 мкА, реєструють опір системи в процесі автоколивань і в момент...

Реактор для одержання вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 49039

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Зубенко Олександр Олександрович, Цолін Павло Леонідович, Малюшевська Антоніна Павлівна, Кускова Наталя Іванівна

МПК: C01B 31/00

Мітки: одержання, реактор, вуглецевих, наноструктур

Формула / Реферат:

Реактор для одержання вуглецевих наноструктур, що містить корпус, заповнений робочою рідиною, розміщений в корпусі співвісно його осі позитивний електрод, робоча частина якого виконана у вигляді диска, розташовані на бічній поверхні корпусу патрубки підведення й зливу робочої рідини, позитивний і негативний, яким є корпус, електроди з'єднані з джерелом високої напруги, який відрізняється тим, що внутрішня поверхня корпусу виконана у вигляді...

Спосіб одержання провідних наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 45130

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Камарчук Геннадій Васильович, Пилипенко Олексій Іванович, Поспєлов Олександр Петрович, Александров Юрій Леонідович

МПК: B82B 3/00

Мітки: провідних, спосіб, наноструктур, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення електродів, один з яких загострений у вигляді голки, до виникнення між ними електричного контакту, причому після появи контакту його механічно переривають, а в область контакту вводять електроліт, що містить іони того ж металу, з якого виготовлені електроди, з добавкою іммобілізуючого агента, після витримки електроліту впродовж 20-30 хв. з моменту внесення...

Спосіб одержання провідних наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 43859

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Камарчук Геннадій Васильович, Лебедь Олена Костянтинівна, Поспєлов Олександр Петрович, Александров Юрій Леонідович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, спосіб, одержання, провідних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення двох струмопідводів до виникнення між ними електричного контакту, причому принаймні один із цих струмопідводів у місці контакту загострений, після виникнення контакту між струмопідводами пропускають струм 1-500 мкА і реєструють опір та після декількох циклів різкого падіння й різного зростання опору, які відбуваються автоматично, струм відключають, який відрізняється...

Реактор для одержання вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 43714

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Баклар Віктор Юрійович, Богуславський Леонід Зиновійович, Смалько Анатолій Олександрович, Зубенко Олександр Олександрович, Кускова Наталя Іванівна

МПК: C01B 31/00

Мітки: вуглецевих, реактор, наноструктур, одержання

Формула / Реферат:

Реактор для одержання вуглецевих наноструктур, що містить циліндричний корпус з днищем та кришкою, заповнений робочою органічною рідиною, розміщені в корпусі позитивний та негативний електроди, які з'єднані з джерелом високої напруги, патрубок підводу робочої рідини та патрубок відводу газу, що розміщений на кришці, який відрізняється тим, що робоча частина позитивного електрода виконана у вигляді диска, що розміщений коаксіально...

Спосіб одержання провідних наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 41750

Опубліковано: 10.06.2009

Автори: Пилипенко Олексій Іванович, Александров Юрій Леонідович, Поспєлов Олександр Петрович, Камарчук Геннадій Васильович

МПК: B82B 3/00

Мітки: одержання, наноструктур, провідних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення електродів до виникнення між ними електричного контакту, один з яких загострений у вигляді голки, причому після виникнення контакту його механічно переривають, а в область контакту вводять електроліт, що містить іони того ж металу, з якого виготовлені електроди, який відрізняється тим, що до електроліту попередньо додають іммобілізуючий іони агент; після витримки...

Спосіб керування ефектом самоорганізації фрактальних наноструктур при електроімпульсній абляції електропровідних матеріалів “нанотехнологія фракталів”

Завантаження...

Номер патенту: 38109

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Косінов Микола Васильович, Каплуненко Володимир Георгійович

МПК: A61K 9/50, B22F 9/02, B01J 2/02 ...

Мітки: ефектом, матеріалів, наноструктур, абляції, нанотехнологія, електропровідних, керування, фракталів, фрактальних, електроімпульсний, спосіб, самоорганізації

Формула / Реферат:

Спосіб керування ефектом самоорганізації фрактальних наноструктур при електроімпульсній абляції електропровідних матеріалів, який заснований на руйнуванні поверхні електропровідних матеріалів шляхом швидкого випаровування речовини з поверхні під дією імпульсів електричного струму, утворенні плазми шляхом електричних розрядів в проміжках між гранулами електропровідних матеріалів, дії на речовину, що аблює, плазмою для її розпаду і іонізації,...

Спосіб одержання провідних наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 35732

Опубліковано: 10.10.2008

Автори: Пилипенко Олексій Іванович, Поспєлов Олександр Петрович, Александров Юрій Леонідович, Фісун Василь Васильович, Комарчук Геннадій Васильович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, провідних, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення двох струмопідводів до виникнення між ними електричного контакту, причому принаймні один із цих струмопідводів у місці контакту загострений, який відрізняється тим, що після виникнення контакту його механічно переривають, область контакту заповнюють електролітом, що містить іони металу, з якого виготовлений незагострений струмопідвід, між струмопідводами пропускають...

Спосіб одержання наноструктур на основі нанотемплати з діоксиду кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 83773

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Толмачов Олександр Володимирович, Семиноженко Володимир Петрович, Єрмолаєва Юлія Володимирівна, Матвеєвська Неонила Анатоліївна

МПК: C30B 28/00, B82B 3/00

Мітки: нанотемплати, діоксиду, кремнію, спосіб, наноструктур, основі, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання наноструктур на основі нанотемплат з діоксиду кремнію, який включає одержання нанотемплат з діоксиду кремнію в розчині, функціоналізацію поверхні нанотемплат біфункціональними молекулами триамінопропілтриетоксисилану, одержання нанокристалів в розчині і їх осадження шляхом перемішування одержаних розчинів з формуванням оболонки на нанотемплатах, який відрізняється тим, що функціоналізацію ведуть додаванням до розчину...

Спосіб одержання провідних наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 32638

Опубліковано: 26.05.2008

Автори: Пилипенко Олексій Іванович, Камарчук Геннадій Васильович, Поспєлов Олександр Петрович, Александров Юрій Леонідович, Фісун Василь Васильович

МПК: B82B 3/00

Мітки: провідних, одержання, спосіб, наноструктур

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення двох струмопідводів до виникнення між ними електричного контакту, причому принаймні один із цих струмопідводів у місці контакту загострений, який відрізняється тим, що після виникнення контакту його механічно переривають, в область контакту поміщають електроліт, що містить іони металу, з якого виготовлений незагострений струмопідвід, між струмопідводами пропускають...

Пристрій для виготовлення наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 80154

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Золот Анатолій Іванович, Ходаковський Микола Іванович, Ларкін Сергій Юрійович, Мержвинський Павло Анатолійович, Коржинський Федір Йосипович

МПК: H01L 21/67, B82B 3/00

Мітки: пристрій, виготовлення, наноструктур

Формула / Реферат:

1. Пристрій для виготовлення наноструктур, який містить блок керування параметрами, вхід якого є входом пристрою, а вихід якого зв'язаний з входом блока подачі вістревої структури, вихід блока подачі вістревої структури з'єднаний з входом блока керування тунельним струмом, вхід-вихід блока керування тунельним струмом зв'язаний з входом-виходом блока керування параметрами, який відрізняється тим, що додатково містить блок технологічного...

Спосіб одержання вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 6747

Опубліковано: 16.05.2005

Автори: Перекос Анатолій Омелянович, Уваров Віктор Миколайович, Мельниченко Володимир Петрович, Шпак Анатолій Петрович, Рудь Олександр Дмитрович, Огенко Володимир Михайлович

МПК: C01B 31/00

Мітки: наноструктур, вуглецевих, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання вуглецевих наноструктур, який полягає у тому, що електроди, встановлені на відстані один від одного, розміщують у неполярному розчиннику, у міжелектродний проміжок подають стрижні, замикаючи електроди, а випаровування стрижнів, утворення високотемпературної плазми і одержання розчину, що містить фулерени, здійснюють, подаючи на електроди імпульси високої напруги, який відрізняється тим, що попередньо електроди виготовляють із...