Патенти з міткою «наноструктур»

Спосіб синтезу наноструктур оксиду міді в наносекундному розряді з електролітичним електродом

Завантаження...

Номер патенту: 120072

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Міня Олександр Йосипович, Данило Владислав Валерійович, Гомокі Золтан Тиберійович, Шевера Ігор Васильович, Шуаібов Олександр Камілович

МПК: C01B 32/15, H01J 9/00, B01J 13/00 ...

Мітки: міді, синтезу, спосіб, наноструктур, оксиду, розряді, електролітичним, електродом, наносекундному

Формула / Реферат:

1. Спосіб синтезу наноструктур оксиду міді в наносекундному розряді з електролітичним електродом, що включає подання імпульсів високої напруги наносекундної тривалості на металевий та рідинний електроди, який відрізняється тим, що для синтезу наноструктур оксиду міді використовують біполярний сильнострумовий наносекундний розряд між системою металевих лез і поверхнею розчину мідного купоросу в дистильованій воді, що дозволяє одержувати з...

Спосіб отримання наноструктур ag2o на поверхні гетероепітаксійної плівки p-cdhgte

Завантаження...

Номер патенту: 112999

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Смірнов Олексій Борисович, Савкіна Рада Костянтинівна, Удовицька Руслана Сергіївна, Сизов Федір Федорович

МПК: B82B 3/00, H01L 21/20, C23C 14/48 ...

Мітки: гетероепітаксійної, наноструктур, поверхні, отримання, плівки, спосіб, p-cdhgte

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe (x ~ 0,222-0,223), який включає радіаційне опромінення іонним пучком поверхні плівки з енергіями (50 ч 150) кеВ і дозами імплантації (3 ч 7)*1013 см-2 відповідно та відрізня Спосіб отримання наноструктур Ag2O на поверхні гетероепітаксійної плівки р-CdxHg1-xTe, де x=0,222-0,223, який включає радіаційне опромінення іонним пучком Ag поверхні плівки з енергіями...

Спосіб синтезу одновимірних наноструктур стануму (iv) оксиду

Завантаження...

Номер патенту: 110032

Опубліковано: 26.09.2016

Автори: Нагірняк Світлана Валеріївна, Люц Вікторія Анатоліївна, Донцова Тетяна Анатоліївна

МПК: C01G 19/02

Мітки: спосіб, наноструктур, синтезу, одновимірних, стануму, оксиду

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу одновимірних наноструктур стануму (IV) оксиду, що включає отримання прекурсору стануму (II) оксалату шляхом змішування гарячих розчинів стануму (II) хлориду та амонію оксалату з подальшим відфільтровуванням осаду стануму (II) оксалату, відмиванням, висушуванням та нагріванням в трубчатій печі при температурі 850 °C впродовж 2 годин, який відрізняється тим, що нагрівання стануму (II) оксалату відбувається зі швидкістю...

Спосіб отримання наноструктур snte:sb на слюді із високою термо-ерс

Завантаження...

Номер патенту: 102229

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Яворський Ростислав Святославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00, C01G 30/00, C01B 19/00 ...

Мітки: високою, термо-е.р.с, наноструктур, спосіб, snte:sb, отримання, слюди

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур SnTe:Sb на слюді із високою термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі ТВ, осаджують на підкладку при температурі ТП та часі τ, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований станум телурид SnTe:Sb із вмістом 2,5 ат. % Sb, а товщина наноструктур становить...

Спосіб отримання наноструктур snte:sb на слюді із високою питомою термоелектричною потужністю

Завантаження...

Номер патенту: 102226

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Яворський Ярослав Святославович, Маковишин Володимир Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Костюк Оксана Богданівна

МПК: B82B 3/00

Мітки: snte:sb, наноструктур, термоелектричною, слюди, питомою, отримання, високою, спосіб, потужністю

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур SnTe:Sb на слюді із високою питомою термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі ТВ, осаджують на підкладку при температурі ТП та часі t, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований сурмою станум телурид SnTe:Sb із вмістом 2,5 ат. % Sb, а...

Спосіб отримання наноструктур snte:sb p-типу на ситалових підкладках із значною термо-ерс

Завантаження...

Номер патенту: 102175

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Маковишин Володимир Ігорович, Костюк Оксана Богданівна, Яворський Ярослав Святославович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: отримання, спосіб, термо-е.р.с, p-типу, ситалових, наноструктур, підкладках, snte:sb, значною

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур структур SnTer:Sb р-типу на ситалових підкладках із значною термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують при температурі випарника ΤВ і осаджують на підкладку при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат.% Sb, а як підкладки використовують пластини...

Спосіб отримання наноструктур snte:sb на слюді із високою питомою термоелектричною потужністю

Завантаження...

Номер патенту: 101359

Опубліковано: 10.09.2015

Автори: Яворський Ярослав Святославович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Костюк Оксана Богданівна, Маковишин Володимир Ігорович

МПК: B82B 3/00

Мітки: слюди, наноструктур, високою, snte:sb, термоелектричною, отримання, потужністю, питомою, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричних парофазних конденсатів SnTe:Sb р-типу на слюді, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі Тв, осаджують на підкладку при температурі Тп та часі t, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат. % Sb, а товщина конденсату...

Спосіб отримання наноструктур кремнію неелектролітичним травленням

Завантаження...

Номер патенту: 98703

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Павленко Микола Миколайович, Яцунський Ігор Ростиславович, Рімашевський Олександр Аркадійович, Сминтина Валентин Андрійович

МПК: B02B 3/00

Мітки: спосіб, отримання, неелектролітичним, кремнію, травленням, наноструктур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованого кремнію неелектролітичним травленням, який полягає в окисненні та розчиненні кремнію в розчині плавикової кислоти та окиснювача, який відрізняється тим, що в розчин додатково вводять наночастинки срібла в кількості 10-3-10-4 моль/л, а як окиснювач використовують перекис водню в кількості 0,5-3,5 моль/л.

Реактор для отримання наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 96541

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Борова Валентина Євгенівна, Остапін Іван Сергійович, Андрєєв Олександр Анатолійович, Берник Віталій Олегович, Боровий Ярослав Анатолійович, Замлинний Вячеслав Юрійович

МПК: C01B 31/00

Мітки: реактор, отримання, наноструктур

Формула / Реферат:

Реактор для отримання наноструктур, що містить корпус, заповнений робочою рідиною, позитивні і негативні електроди, які з'єднані з джерелом напруги, вузол переміщення, патрубки для підведення та відведення робочої рідини, який відрізняється тим, що між електродами розташовані електроізоляційні прокладки, які зв'язані з вузлом переміщення.

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки p-cdхнg1-хte

Завантаження...

Номер патенту: 87886

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Удовицька Руслана Сергіївна, Савкіна Рада Костянтинівна, Сизов Федір Федорович, Смірнов Олексій Борисович

МПК: B28B 23/00, B28B 1/00

Мітки: поверхні, p-cdхнg1-хte, гетероепітаксійної, отримання, наноструктур, плівки, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктур на поверхні гетероепітаксійної плівки p-CdxHg1-xTe (x ~ 0,222-0,223), який включає радіаційне опромінення поверхні плівки, який відрізняється тим, що поверхню опромінюють іонами срібла з енергіями 50-150 кеВ і дозами імплантації 3-7*1013 см-2 відповідно.

Реактор для одержання наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 84451

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Стасюк Андрій Романович, Остапін Іван Сергійович, Боровий Ярослав Анатолійович, Борова Валентина Євгенівна, Замлинний Вячеслав Юрійович, Андрєєв Олександр Анатолійович, Берник Віталій Олегович, Мірошніченко Іван Сергійович

МПК: C01B 31/00, B82B 1/00

Мітки: наноструктур, реактор, одержання

Формула / Реферат:

1. Реактор для одержання наноструктур, що містить корпус, заповнений робочою рідиною, позитивні і негативні електроди, які з'єднані з джерелом напруги, при цьому позитивні електроди із струмопровідним стрижнем встановлені з можливість переміщення, а негативні електроди виконані у вигляді змінних патрубкоподібних вставок з різною товщиною стінок, патрубки для підведення та відведення робочої рідини, який відрізняється тим, що в корпусі в...

Пристрій для одержання вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 82332

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: Андрєєв Олександр Анатолійович, Остапін Іван Сергійович, Боровий Ярослав Анатолійович, Берник Віталій Олегович

МПК: C01B 31/00

Мітки: пристрій, вуглецевих, наноструктур, одержання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання вуглецевих наноструктур, що містить корпус, заповнений робочою рідиною, позитивний електрод у вигляді ряду електродів і негативний електрод, які з'єднані з джерелом напруги, патрубки для підведення та відведення робочої рідини, при цьому позитивні електроди встановлені з можливістю переміщення, який відрізняється тим, що корпус має форму циліндричної поверхні, а негативний електрод, виконаний у вигляді змінних...

Реактор для одержання вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 81663

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Берник Віталій Олегович, Лісовий Оксен Васильович, Остапін Іван Сергійович, Боровий Ярослав Анатолійович, Андрєєв Олександр Анатолійович

МПК: C01B 31/00

Мітки: реактор, одержання, наноструктур, вуглецевих

Формула / Реферат:

1. Реактор для одержання вуглецевих наноструктур, що містить корпус, у вигляді поверхні зрізаного конуса, заповненого робочою рідиною, кришку, патрубки для підведення та відведення робочої рідини, позитивний електрод у вигляді диска і негативний, яким є корпус, електроди з'єднані з джерелом напруги, при цьому позитивний електрод встановлений з можливістю переміщення, який відрізняється тим, що позитивний електрод виконаний у вигляді ряду...

Спосіб створення наноструктур на поверхні германію

Завантаження...

Номер патенту: 101705

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Надточій Віктор Олексійович, Уколов Олексій Іванович

МПК: H01L 21/322

Мітки: наноструктур, створення, германію, поверхні, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб створення наноструктур на поверхні германію, що включає дифузію атомів речовини в полі локальних механічних напружень, який відрізняється тим, що пластину германію обробляють механічним та хіміко-динамічним поліруванням, після чого пластину за кімнатної температури деформують циклами стискання-розвантаження з одночасним ультразвуковим опромінюванням зі створенням наноструктур в області виходу на поверхню дислокаційної півпетлі.

Спосіб отримання наноструктур zno

Завантаження...

Номер патенту: 71235

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Капустяник Володимир Богданович, Турко Борис Ігорович, Лень Наталія Володимирівна

МПК: C01G 9/02, B82B 3/00, C01G 9/00 ...

Мітки: спосіб, отримання, наноструктур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктур ZnO, за яким готують суміш порошків ZnO і каталізатора у масовому співвідношенні 1:1 або 1:2, розміщують її поблизу запаяного кінця, а відповідну підкладку поблизу відкритого кінця кварцової трубки, яку поміщають горизонтально у нагрівник, де витримують 30-60 хв. і охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як каталізатор використовують активоване вугілля, при цьому кварцову трубку...

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-pbte:bi на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями

Завантаження...

Номер патенту: 70807

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович, Лисюк Юрій Васильович, Галущак Мар'ян Олексійович

МПК: B82B 3/00

Мітки: покращеними, наноструктур, підкладках, напівпровідникових, n-pbte:bi, термоелектричними, властивостями, отримання, ситалових, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-РbТе:Ві на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі ТВ, на підкладку ситалу при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника...

Пристрій для вакуумного синтезу вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 98909

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Хомінич Анастасія Іванівна, Свавільний Микола Євгенович, Панарін Валентин Євгенович

МПК: B82B 3/00, B01J 19/08, B01J 3/03 ...

Мітки: наноструктур, вуглецевих, пристрій, вакуумного, синтезу

Формула / Реферат:

Пристрій для вакуумного синтезу вуглецевих наноструктур, який містить джерело вуглецевмісної плазми, плазмовід у вигляді вакуумної труби, що під'єднана до джерела плазми, магнітний сепаратор потоку плазми, який складається з котушок, що розміщені повздовж плазмоводу з забезпеченням можливості повороту потоку плазми на 90°, підкладку, закріплену на підігрівному столику, який встановлений на виході плазмоводу перпендикулярно потоку плазми і...

Інструмент для отримання поверхневих наноструктур різнонаправленою термопластичною деформацією

Завантаження...

Номер патенту: 70431

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Кирилів Володимир Іванович, Гурей Ігор Володимирович, Курнат Іван Миколайович, Никифорчин Григорій Миколайович, Максимів Ольга Володимирівна

МПК: B24B 39/00

Мітки: деформацією, інструмент, різнонаправленою, термопластичною, наноструктур, поверхневих, отримання

Формула / Реферат:

Інструмент для отримання поверхневих наноструктур різнонаправленою термопластичною деформацією, який складається із корпусу і робочого диска, виконаного із титанового сплаву або нержавіючої сталі, причому для підвищення продуктивності процесу та покращення шорсткості оброблюваної поверхні робоча поверхня інструмента виконана криволінійною у вигляді шевронного зигзагоподібного профілю з кутом нахилу шеврона 12-30°, а кількість зигзагів...

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-рbте:ві з покращеними термоелектричними властивостями

Завантаження...

Номер патенту: 69952

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Лисюк Юрій Васильович, Галущак Мар'ян Олексійович, Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: B82B 3/00

Мітки: покращеними, властивостями, термоелектричними, основі, спосіб, n-рbте:ві, наноструктур, напівпровідникових, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-РbТе:Ві з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв, на підкладку слюди-мусковіт при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника складає...

Установка для одержання вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 66524

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Цолін Павло Леонідович, Малюшевська Антоніна Павлівна, Зубенко Олександр Олександрович, Хайнацький Сергій Олександрович, Петриченко Сергій Вікторович, Кускова Наталя Іванівна

МПК: C01B 31/00, B82B 3/00

Мітки: наноструктур, одержання, установка, вуглецевих

Формула / Реферат:

Установка для одержання вуглецевих наноструктур, що містить електророзрядний реактор, заповнений робочою органічною рідиною, генератор імпульсних струмів, бак-накопичувач, який встановлений вище рівня електророзрядного реактора і з'єднаний з його підвідним патрубком, фільтрувальний пристрій, який з'єднаний з відвідним патрубком електророзрядного реактора, насос, що перекачує робочу рідину з фільтрувального пристрою до бака-накопичувача, яка...

Пристрій зондового анодного окислення наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 62412

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Золот Анатолій Іванович, Ходаковський Микола Іванович, Галстян Георгій Георгійович, Новіков Євген Іванович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: наноструктур, зондового, пристрій, окислення, анодного

Формула / Реферат:

Пристрій зондового анодного окислення наноструктур, який містить блок вибору режимів роботи атомно-силового мікроскопа (АСМ), блок сканування зонда з робочим полем підкладки, блок контролю вологості, блок прив'язки зонда, виходи АСМ з'єднані з входом блока сканування зонда, з входом блока прив’язки зонда і входом блока контролю вологості, вихід якого з'єднаний з робочим полем підкладки, вихід блока сканування з'єднаний з робочим полем...

Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 62086

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Потяк Володимир Юрійович, Дзундза Богдан Степанович, Яворський Ярослав Святославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Соколов Олександр Леонідович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, спосіб, отримання, багатошарових, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованих сполук РbТе та SnTe при температурі випаровування наважки Тв, шари n-РbТе, p-SnTe, n-РbТе осаджують послідовно на підкладку із сколів (001) КСl при температурі Тп, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп =...

Спосіб отримання термоелектричних наноструктур pbs

Завантаження...

Номер патенту: 60221

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Ткачук Андрій Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Карпаш Максим Олегович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, спосіб, термоелектричних, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних наноструктур PbS, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки PbS при температурі випаровування наважки , осаджують на підкладку із свіжих сколів (001) кристалів КСl при температурі  який...

Спосіб отримання гібридних наноструктур полімер-напівпровідник

Завантаження...

Номер патенту: 55629

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Аксіментьєва Олена Ігорівна, Оленич Ігор Богданович, Монастирський Любомир Степанович, Євчук Оксана Миколаївна, Павлик Михайло Романович

МПК: C08G 61/00, C08K 7/00, C08K 3/36 ...

Мітки: наноструктур, отримання, спосіб, полімер-напівпровідник, гібридних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання гібридних наноструктур полімер-напівпровідник, що базується на електролізі кислого водного розчину аміноарену на електроді з поруватого кремнію, який відрізняється тим, що електроліз проводять в умовах циклічної розгортки потенціалу у межах -0,2 ÷ +1,5 В (х. с. е.) протягом 4-20 циклів, а контроль кількості утвореного полімеру здійснюють за лінійною залежністю струму анодного максимуму в інтервалі Е=0,75-0,90 В від...

Установка для одержання вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 55578

Опубліковано: 10.12.2010

Автори: Петриченко Сергій Вікторович, Цолін Павло Леонідович, Кускова Наталя Іванівна, Баклар Віктор Юрійович, Малюшевська Антоніна Павлівна, Зубенко Олександр Олександрович

МПК: C01B 31/00

Мітки: вуглецевих, установка, наноструктур, одержання

Формула / Реферат:

Установка для одержання вуглецевих наноструктур, що містить електророзрядний реактор, який має заповнений робочою органічною рідиною циліндричний корпус з днищем, кришкою, підвідним та відвідним патрубками і розміщеним в корпусі співвісно його осі позитивним електродом, робоча частина якого виконана у вигляді диска, та генератор імпульсних струмів, з'єднаний з позитивним та негативним, яким є циліндричний корпус, електродами, яка...

Спосіб покращення термоелектричних характеристик наноструктур телуриду свинцю

Завантаження...

Номер патенту: 54833

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Чав'як Іван Ігорович, Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Ткачук Андрій Іванович

МПК: B82B 3/00

Мітки: покращення, спосіб, характеристик, наноструктур, свинцю, термоелектричних, телуриду

Формула / Реферат:

1. Спосіб покращення термоелектричних характеристик наноструктур телуриду свинцю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на поліамідну підкладку при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що отримані наноструктурні матеріали витримують на повітрі протягом певного часу t.2....

Спосіб одержання провідних наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 51900

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Поспєлов Олександр Петрович, Александров Юрій Леонідович, Фісун Василь Васильович, Камарчук Геннадій Васильович, Пилипенко Олексій Іванович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, спосіб, провідних, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення двох струмопідводів до виникнення між ними електричного контакту, причому принаймні один із цих струмопідводів у місці контакту загострений; після виникнення контакту його механічно переривають, область контакту заповнюють електролітом, що містить іони металу, з якого виготовлений незагострений струмопідвід, і реєструють опір, який відрізняється тим, що різке падіння...

Процес створення об’ємних мікро-та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи аiiвv

Завантаження...

Номер патенту: 50923

Опубліковано: 25.06.2010

Автори: Маник Орест Миколайович, Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: напівпровідникових, групи, аiiвv, низькосиметричних, кристалів, об'ємних, основі, сполук, створення, процес, мікро-та, наноструктур

Формула / Реферат:

1. Процес створення об'ємних мікро- та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи АIIВV, що складається з етапів завантаження наважки, її синтезу, зонної перекристалізації, температурного відпалу отриманого злитка та контролю його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі зонної перекристалізації температура розплаву зони при першому проходженні нагрівача підтримується постійною на рівні Т (t) =...

Спосіб одержання провідних наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 49385

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Камарчук Геннадій Васильович, Александров Юрій Леонідович, Поспєлов Олександр Петрович, Фісун Василь Васильович, Пилипенко Олексій Іванович

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, провідних, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення струмопідводів, один з яких загострений у вигляді голки, до виникнення між ними електричного контакту, причому після виникнення контакту його механічно переривають, а в область контакту вводять електроліт, що містить іони того ж металу, з якого виготовлені струмопідводи, пропускають струм силою 1-500 мкА, реєструють опір системи в процесі автоколивань і в момент...

Реактор для одержання вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 49039

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Зубенко Олександр Олександрович, Малюшевська Антоніна Павлівна, Цолін Павло Леонідович, Кускова Наталя Іванівна

МПК: C01B 31/00

Мітки: вуглецевих, наноструктур, одержання, реактор

Формула / Реферат:

Реактор для одержання вуглецевих наноструктур, що містить корпус, заповнений робочою рідиною, розміщений в корпусі співвісно його осі позитивний електрод, робоча частина якого виконана у вигляді диска, розташовані на бічній поверхні корпусу патрубки підведення й зливу робочої рідини, позитивний і негативний, яким є корпус, електроди з'єднані з джерелом високої напруги, який відрізняється тим, що внутрішня поверхня корпусу виконана у вигляді...

Спосіб одержання провідних наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 45130

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Пилипенко Олексій Іванович, Камарчук Геннадій Васильович, Поспєлов Олександр Петрович, Александров Юрій Леонідович

МПК: B82B 3/00

Мітки: провідних, спосіб, одержання, наноструктур

Формула / Реферат:

Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення електродів, один з яких загострений у вигляді голки, до виникнення між ними електричного контакту, причому після появи контакту його механічно переривають, а в область контакту вводять електроліт, що містить іони того ж металу, з якого виготовлені електроди, з добавкою іммобілізуючого агента, після витримки електроліту впродовж 20-30 хв. з моменту внесення...

Спосіб одержання провідних наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 43859

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Камарчук Геннадій Васильович, Александров Юрій Леонідович, Поспєлов Олександр Петрович, Лебедь Олена Костянтинівна

МПК: B82B 3/00

Мітки: наноструктур, спосіб, одержання, провідних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення двох струмопідводів до виникнення між ними електричного контакту, причому принаймні один із цих струмопідводів у місці контакту загострений, після виникнення контакту між струмопідводами пропускають струм 1-500 мкА і реєструють опір та після декількох циклів різкого падіння й різного зростання опору, які відбуваються автоматично, струм відключають, який відрізняється...

Реактор для одержання вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 43714

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Зубенко Олександр Олександрович, Смалько Анатолій Олександрович, Баклар Віктор Юрійович, Кускова Наталя Іванівна, Богуславський Леонід Зиновійович

МПК: C01B 31/00

Мітки: одержання, реактор, вуглецевих, наноструктур

Формула / Реферат:

Реактор для одержання вуглецевих наноструктур, що містить циліндричний корпус з днищем та кришкою, заповнений робочою органічною рідиною, розміщені в корпусі позитивний та негативний електроди, які з'єднані з джерелом високої напруги, патрубок підводу робочої рідини та патрубок відводу газу, що розміщений на кришці, який відрізняється тим, що робоча частина позитивного електрода виконана у вигляді диска, що розміщений коаксіально...

Спосіб одержання провідних наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 41750

Опубліковано: 10.06.2009

Автори: Александров Юрій Леонідович, Камарчук Геннадій Васильович, Пилипенко Олексій Іванович, Поспєлов Олександр Петрович

МПК: B82B 3/00

Мітки: провідних, наноструктур, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення електродів до виникнення між ними електричного контакту, один з яких загострений у вигляді голки, причому після виникнення контакту його механічно переривають, а в область контакту вводять електроліт, що містить іони того ж металу, з якого виготовлені електроди, який відрізняється тим, що до електроліту попередньо додають іммобілізуючий іони агент; після витримки...

Спосіб керування ефектом самоорганізації фрактальних наноструктур при електроімпульсній абляції електропровідних матеріалів “нанотехнологія фракталів”

Завантаження...

Номер патенту: 38109

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Каплуненко Володимир Георгійович, Косінов Микола Васильович

МПК: B01J 2/02, B22F 9/02, A61K 9/50 ...

Мітки: абляції, наноструктур, електроімпульсний, фракталів, керування, матеріалів, фрактальних, ефектом, спосіб, нанотехнологія, електропровідних, самоорганізації

Формула / Реферат:

Спосіб керування ефектом самоорганізації фрактальних наноструктур при електроімпульсній абляції електропровідних матеріалів, який заснований на руйнуванні поверхні електропровідних матеріалів шляхом швидкого випаровування речовини з поверхні під дією імпульсів електричного струму, утворенні плазми шляхом електричних розрядів в проміжках між гранулами електропровідних матеріалів, дії на речовину, що аблює, плазмою для її розпаду і іонізації,...

Спосіб одержання провідних наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 35732

Опубліковано: 10.10.2008

Автори: Поспєлов Олександр Петрович, Пилипенко Олексій Іванович, Комарчук Геннадій Васильович, Александров Юрій Леонідович, Фісун Василь Васильович

МПК: B82B 3/00

Мітки: одержання, спосіб, наноструктур, провідних

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення двох струмопідводів до виникнення між ними електричного контакту, причому принаймні один із цих струмопідводів у місці контакту загострений, який відрізняється тим, що після виникнення контакту його механічно переривають, область контакту заповнюють електролітом, що містить іони металу, з якого виготовлений незагострений струмопідвід, між струмопідводами пропускають...

Спосіб одержання наноструктур на основі нанотемплати з діоксиду кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 83773

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Семиноженко Володимир Петрович, Єрмолаєва Юлія Володимирівна, Толмачов Олександр Володимирович, Матвеєвська Неонила Анатоліївна

МПК: C30B 28/00, B82B 3/00

Мітки: основі, наноструктур, кремнію, спосіб, нанотемплати, діоксиду, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання наноструктур на основі нанотемплат з діоксиду кремнію, який включає одержання нанотемплат з діоксиду кремнію в розчині, функціоналізацію поверхні нанотемплат біфункціональними молекулами триамінопропілтриетоксисилану, одержання нанокристалів в розчині і їх осадження шляхом перемішування одержаних розчинів з формуванням оболонки на нанотемплатах, який відрізняється тим, що функціоналізацію ведуть додаванням до розчину...

Спосіб одержання провідних наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 32638

Опубліковано: 26.05.2008

Автори: Камарчук Геннадій Васильович, Александров Юрій Леонідович, Фісун Василь Васильович, Поспєлов Олександр Петрович, Пилипенко Олексій Іванович

МПК: B82B 3/00

Мітки: одержання, спосіб, провідних, наноструктур

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання провідних наноструктур, що включає зустрічне переміщення двох струмопідводів до виникнення між ними електричного контакту, причому принаймні один із цих струмопідводів у місці контакту загострений, який відрізняється тим, що після виникнення контакту його механічно переривають, в область контакту поміщають електроліт, що містить іони металу, з якого виготовлений незагострений струмопідвід, між струмопідводами пропускають...

Пристрій для виготовлення наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 80154

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Коржинський Федір Йосипович, Ходаковський Микола Іванович, Мержвинський Павло Анатолійович, Золот Анатолій Іванович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: B82B 3/00, H01L 21/67

Мітки: пристрій, виготовлення, наноструктур

Формула / Реферат:

1. Пристрій для виготовлення наноструктур, який містить блок керування параметрами, вхід якого є входом пристрою, а вихід якого зв'язаний з входом блока подачі вістревої структури, вихід блока подачі вістревої структури з'єднаний з входом блока керування тунельним струмом, вхід-вихід блока керування тунельним струмом зв'язаний з входом-виходом блока керування параметрами, який відрізняється тим, що додатково містить блок технологічного...

Спосіб одержання вуглецевих наноструктур

Завантаження...

Номер патенту: 6747

Опубліковано: 16.05.2005

Автори: Перекос Анатолій Омелянович, Мельниченко Володимир Петрович, Огенко Володимир Михайлович, Уваров Віктор Миколайович, Шпак Анатолій Петрович, Рудь Олександр Дмитрович

МПК: C01B 31/00

Мітки: спосіб, одержання, наноструктур, вуглецевих

Формула / Реферат:

Спосіб одержання вуглецевих наноструктур, який полягає у тому, що електроди, встановлені на відстані один від одного, розміщують у неполярному розчиннику, у міжелектродний проміжок подають стрижні, замикаючи електроди, а випаровування стрижнів, утворення високотемпературної плазми і одержання розчину, що містить фулерени, здійснюють, подаючи на електроди імпульси високої напруги, який відрізняється тим, що попередньо електроди виготовляють із...