Патенти з міткою «n-типу»

Термоелектричні гілки з нанопорошків bi2te3 n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 90765

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Вихор Людмила Миколаївна, Горський Петро Володимирович

МПК: H01L 35/00

Мітки: гілки, n-типу, bi2te3, термоелектричні, провідності, нанопорошків

Формула / Реферат:

Термоелектричні гілки для охолоджувальних та генераторних термоелементів на основі оптимізованих наноструктурованих матеріалів з порошків Ві2Те3 n-типу провідності, які відрізняються тим, що крупність порошку змінюється вздовж висоти гілки таким чином, щоб найбільш імовірний радіус r0 (в нанометрах) наночастинок порошку змінювався з температурою вздовж гілки за законом:

Послідовний комутатор на с-негатроні n-типу

Завантаження...

Номер патенту: 81627

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Лазарєв Олександр Олександрович, Філинюк Микола Антонович, Азарова Олена Валеріївна

МПК: H03K 17/00

Мітки: комутатор, n-типу, с-негатроні, послідовний

Формула / Реферат:

Послідовний комутатор на С-негатроні N-типу, який містить дві котушки індуктивності, загальну шину, три конденсатори, вхідну клему, вихідну клему, клему керування, перший вивід першої котушки індуктивності через другий вивід першого конденсатора підключено до загальної шини, та через другий вивід першого конденсатора до клеми керування, другий вивід першої котушки індуктивності через другий вивід другого конденсатора під'єднано до вхідної...

Спосіб отримання легованих кристалів pbte:co n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 65673

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Туровська Лілія Вадимівна, Бойчук Володимира Михайлівна, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: провідності, отримання, спосіб, легованих, pbte:co, n-типу, кристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Со n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...

Спосіб отримання легованого сплаву pbte:bi n-типу

Завантаження...

Номер патенту: 63536

Опубліковано: 10.10.2011

Автори: Матеїк Галина Дмитрівна, Карпаш Максим Олегович, Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: легованого, pbte:bi, спосіб, отримання, n-типу, сплаву

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого сплаву РbТе:Ві n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...

Склад поліруючого травника для фосфіду індію n-типу

Завантаження...

Номер патенту: 62226

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Кідалов Валерій Вітальович, Сичікова Яна Олександрівна

МПК: C03C 15/00

Мітки: індію, фосфіду, склад, поліруючого, n-типу, травника

Формула / Реферат:

Склад поліруючого травника для фосфіду індію n-типу, що включає плавикову кислоту (HF), який відрізняється тим, що додатково містить бромоводневу кислоту (HBr) та воду (H2O) при наступному співвідношенні компонентів: H2O:HF:HBr=5:5:l.

Спосіб отримання поруватого шару znse n-типу методом електрохімічного травлення при освітленні зразків лазером

Завантаження...

Номер патенту: 57476

Опубліковано: 25.02.2011

Автори: Кідалов Валерій Віталійович, Сичікова Яна Олександрівна, Мараховський Олександр Вікторович

МПК: H01L 21/3063

Мітки: електрохімічного, зразків, n-типу, спосіб, методом, поруватого, лазером, освітленні, шару, травлення, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання поруватого шару ZnSe, який характеризується тим, що включає обробку поверхні монокристалічного селеніду цинку шляхом електрохімічного травлення.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала ZnSe у водному розчині НВr (концентрація кислоти 40 %), час травлення 15 хв при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 150 мА/см2.3. Спосіб за п....

Спосіб отримання легованого сплаву pbte:ni n-типу

Завантаження...

Номер патенту: 56812

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Матеїк Галина Дмитрівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Галущак Мар'ян Олексійович

МПК: C22C 11/00

Мітки: отримання, легованого, сплаву, n-типу, спосіб, pbte:ni

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого сплаву PbTe:Ni n-типу, який полягає у тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...

Спосіб отримання термоелектричного самолегованого pbte n-типу

Завантаження...

Номер патенту: 54902

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Борик Віктор Васильович, Галущак Мар'ян Олексійович, Карпаш Максим Олегович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: самолегованого, спосіб, термоелектричного, отримання, n-типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного самолегованого РbТе n-типу, який включає розташування вихідних речовин, свинцю і телуру, у кварцовій вакуумованій ампулі, яку поміщають у піч і витримують при певній температурі, потім ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять на фракції та здійснюють пресування порошку, який відрізняється тим, що вихідні речовини, свинець класу чистоти С-000 і телур Т-ВЧ, використовують у...

Спосіб отримання легованих монокристалів cdte:i n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 46915

Опубліковано: 11.01.2010

Автор: Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, n-типу, cdte:i, провідності, монокристалів, отримання, легованих

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:I n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу легуючої домішки з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що як легуючу домішку  вибирають CdI2 при концентрації йоду .

Спосіб отримання телуриду свинцю n-типу

Завантаження...

Номер патенту: 40443

Опубліковано: 10.04.2009

Автор: Борик Віктор Васильович

МПК: C22C 11/00

Мітки: телуриду, свинцю, n-типу, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як вихідні...

Спосіб отримання телуриду свинцю n-типу із покращеними термоелектричними параметрами

Завантаження...

Номер патенту: 39123

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Борик Віктор Васильович, Дикун Наталія Іванівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, отримання, свинцю, термоелектричними, телуриду, n-типу, покращеними, параметрами

Формула / Реферат:

Спосіб отримання телуриду свинцю n-типу із покращеними термоелектричними параметрами, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що завантаження вихідних речовин в...

Спосіб отримання термоелектричного телуриду свинцю n-типу

Завантаження...

Номер патенту: 36475

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Дикун Наталія Іванівна, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C01B 19/00, H01L 21/00

Мітки: спосіб, телуриду, свинцю, n-типу, отримання, термоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець, двойодистий свинець, нікель і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та...

Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 30706

Опубліковано: 11.03.2008

Автор: Борик Віктор Васильович

МПК: C21D 1/00

Мітки: свинцю, n-типу, термоелектричних, отримання, сплавів, телуриду, спосіб, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють гаряче пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини...

Спосіб отримання оптимізованих термоелектричних сплавів на основі телуриду свинцю n-типу

Завантаження...

Номер патенту: 30390

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Дикун Наталія Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович

МПК: H01L 21/00, C01B 19/00

Мітки: свинцю, телуриду, n-типу, сплавів, оптимізованих, спосіб, термоелектричних, основі, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання оптимізованих термоелектричних сплавів на основі телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють...

Спосіб отримання напівпровідникових кристалів zns n-типу

Завантаження...

Номер патенту: 26752

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Бабущак Галина Ярославівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: n-типу, напівпровідникових, спосіб, кристалів, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS n-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т = (1170±3) К при...

Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 18230

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Лисюк Юрій Васильович, Ткачик Оксана Володимирівна, Никируй Любомир Іванович

МПК: C30B 11/02

Мітки: n-типу, отримання, провідності, спосіб, телуриду, меркурію, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...

Спосіб отримання монокристалів cdte:cl n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 65337

Опубліковано: 15.03.2004

Автор: Писклинець Уляна Михайлівна

МПК: C30B 33/00, C30B 31/00

Мітки: cdte:cl, отримання, n-типу, монокристалів, спосіб, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NСl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 1-1,6.102 Па, час...

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n-типу на основі селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 51767

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/48, C30B 29/46

Мітки: одержання, основі, спосіб, n-типу, матеріалу, селеніду, напівпровідникового, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n - типу на основі селеніду цинку, що включає вирощування кристалів із розплаву під тиском інертного газу з наступною термообробкою зразків у насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину для вирощування використовують частки розміром 0,1 - 2,0 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощених кристалів селеніду цинку.

Спосіб одержання монокристалічних пластин hg1-xcdxte, де х=0,2…0,22 n-типу провідності в герметичній ампулі

Завантаження...

Номер патенту: 28553

Опубліковано: 16.10.2000

Автор: Курбанов Курбан Рамазанович

МПК: C30B 1/00

Мітки: одержання, монокристалічних, n-типу, спосіб, герметичний, ампулі, провідності, hg1-xcdxte, х=0,2...0,22, пластин

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллических пластин, , при х=0,20-0,22, n-типа проводимости в герметичной ампуле, включающий загрузку шихты в стехеометрическом соотношении компонентов, синтез и гомогенизацию раствора--расплава, выращивание слитка с монокристаллическими блоками из поликристаллической заготовки, полученной в результате синтеза, разрезания слитка на пластины и отжиг...