Патенти з міткою «n-типу»

Термоелектричні гілки з нанопорошків bi2te3 n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 90765

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Горський Петро Володимирович, Вихор Людмила Миколаївна

МПК: H01L 35/00

Мітки: bi2te3, термоелектричні, провідності, гілки, n-типу, нанопорошків

Формула / Реферат:

Термоелектричні гілки для охолоджувальних та генераторних термоелементів на основі оптимізованих наноструктурованих матеріалів з порошків Ві2Те3 n-типу провідності, які відрізняються тим, що крупність порошку змінюється вздовж висоти гілки таким чином, щоб найбільш імовірний радіус r0 (в нанометрах) наночастинок порошку змінювався з температурою вздовж гілки за законом:

Послідовний комутатор на с-негатроні n-типу

Завантаження...

Номер патенту: 81627

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Лазарєв Олександр Олександрович, Азарова Олена Валеріївна, Філинюк Микола Антонович

МПК: H03K 17/00

Мітки: n-типу, послідовний, с-негатроні, комутатор

Формула / Реферат:

Послідовний комутатор на С-негатроні N-типу, який містить дві котушки індуктивності, загальну шину, три конденсатори, вхідну клему, вихідну клему, клему керування, перший вивід першої котушки індуктивності через другий вивід першого конденсатора підключено до загальної шини, та через другий вивід першого конденсатора до клеми керування, другий вивід першої котушки індуктивності через другий вивід другого конденсатора під'єднано до вхідної...

Спосіб отримання легованих кристалів pbte:co n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 65673

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Борик Віктор Васильович, Бойчук Володимира Михайлівна, Туровська Лілія Вадимівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: легованих, провідності, pbte:co, спосіб, кристалів, отримання, n-типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Со n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...

Спосіб отримання легованого сплаву pbte:bi n-типу

Завантаження...

Номер патенту: 63536

Опубліковано: 10.10.2011

Автори: Борик Віктор Васильович, Карпаш Максим Олегович, Фреїк Дмитро Михайлович, Матеїк Галина Дмитрівна, Галущак Мар'ян Олексійович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, n-типу, pbte:bi, спосіб, сплаву, легованого

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого сплаву РbТе:Ві n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...

Склад поліруючого травника для фосфіду індію n-типу

Завантаження...

Номер патенту: 62226

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Сичікова Яна Олександрівна, Кідалов Валерій Вітальович

МПК: C03C 15/00

Мітки: травника, n-типу, індію, поліруючого, склад, фосфіду

Формула / Реферат:

Склад поліруючого травника для фосфіду індію n-типу, що включає плавикову кислоту (HF), який відрізняється тим, що додатково містить бромоводневу кислоту (HBr) та воду (H2O) при наступному співвідношенні компонентів: H2O:HF:HBr=5:5:l.

Спосіб отримання поруватого шару znse n-типу методом електрохімічного травлення при освітленні зразків лазером

Завантаження...

Номер патенту: 57476

Опубліковано: 25.02.2011

Автори: Сичікова Яна Олександрівна, Мараховський Олександр Вікторович, Кідалов Валерій Віталійович

МПК: H01L 21/3063

Мітки: методом, поруватого, шару, освітленні, зразків, травлення, спосіб, n-типу, електрохімічного, отримання, лазером

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання поруватого шару ZnSe, який характеризується тим, що включає обробку поверхні монокристалічного селеніду цинку шляхом електрохімічного травлення.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала ZnSe у водному розчині НВr (концентрація кислоти 40 %), час травлення 15 хв при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 150 мА/см2.3. Спосіб за п....

Спосіб отримання легованого сплаву pbte:ni n-типу

Завантаження...

Номер патенту: 56812

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Борик Віктор Васильович, Матеїк Галина Дмитрівна, Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C22C 11/00

Мітки: спосіб, pbte:ni, n-типу, легованого, сплаву, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого сплаву PbTe:Ni n-типу, який полягає у тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...

Спосіб отримання термоелектричного самолегованого pbte n-типу

Завантаження...

Номер патенту: 54902

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Карпаш Максим Олегович, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: термоелектричного, отримання, самолегованого, n-типу, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного самолегованого РbТе n-типу, який включає розташування вихідних речовин, свинцю і телуру, у кварцовій вакуумованій ампулі, яку поміщають у піч і витримують при певній температурі, потім ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять на фракції та здійснюють пресування порошку, який відрізняється тим, що вихідні речовини, свинець класу чистоти С-000 і телур Т-ВЧ, використовують у...

Спосіб отримання легованих монокристалів cdte:i n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 46915

Опубліковано: 11.01.2010

Автор: Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/02

Мітки: cdte:i, отримання, спосіб, монокристалів, n-типу, легованих, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:I n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу легуючої домішки з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що як легуючу домішку  вибирають CdI2 при концентрації йоду .

Спосіб отримання телуриду свинцю n-типу

Завантаження...

Номер патенту: 40443

Опубліковано: 10.04.2009

Автор: Борик Віктор Васильович

МПК: C22C 11/00

Мітки: спосіб, телуриду, свинцю, отримання, n-типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як вихідні...

Спосіб отримання телуриду свинцю n-типу із покращеними термоелектричними параметрами

Завантаження...

Номер патенту: 39123

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дикун Наталія Іванівна, Борик Віктор Васильович, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, термоелектричними, параметрами, n-типу, покращеними, спосіб, свинцю, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання телуриду свинцю n-типу із покращеними термоелектричними параметрами, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що завантаження вихідних речовин в...

Спосіб отримання термоелектричного телуриду свинцю n-типу

Завантаження...

Номер патенту: 36475

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дикун Наталія Іванівна, Борик Віктор Васильович

МПК: C01B 19/00, H01L 21/00

Мітки: свинцю, термоелектричного, телуриду, n-типу, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець, двойодистий свинець, нікель і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та...

Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 30706

Опубліковано: 11.03.2008

Автор: Борик Віктор Васильович

МПК: C21D 1/00

Мітки: провідності, свинцю, термоелектричних, сплавів, спосіб, отримання, n-типу, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють гаряче пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини...

Спосіб отримання оптимізованих термоелектричних сплавів на основі телуриду свинцю n-типу

Завантаження...

Номер патенту: 30390

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Дикун Наталія Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович

МПК: H01L 21/00, C01B 19/00

Мітки: отримання, термоелектричних, n-типу, сплавів, свинцю, телуриду, спосіб, основі, оптимізованих

Формула / Реферат:

Спосіб отримання оптимізованих термоелектричних сплавів на основі телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють...

Спосіб отримання напівпровідникових кристалів zns n-типу

Завантаження...

Номер патенту: 26752

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Бабущак Галина Ярославівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: отримання, n-типу, спосіб, напівпровідникових, кристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS n-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т = (1170±3) К при...

Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 18230

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Ткачик Оксана Володимирівна, Лисюк Юрій Васильович

МПК: C30B 11/02

Мітки: телуриду, отримання, монокристалів, n-типу, спосіб, меркурію, провідності

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...

Спосіб отримання монокристалів cdte:cl n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 65337

Опубліковано: 15.03.2004

Автор: Писклинець Уляна Михайлівна

МПК: C30B 33/00, C30B 31/00

Мітки: отримання, cdte:cl, провідності, n-типу, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NСl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 1-1,6.102 Па, час...

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n-типу на основі селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 51767

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Сілін Віталій Іванович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/48

Мітки: цинку, n-типу, спосіб, основі, селеніду, матеріалу, одержання, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n - типу на основі селеніду цинку, що включає вирощування кристалів із розплаву під тиском інертного газу з наступною термообробкою зразків у насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину для вирощування використовують частки розміром 0,1 - 2,0 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощених кристалів селеніду цинку.

Спосіб одержання монокристалічних пластин hg1-xcdxte, де х=0,2…0,22 n-типу провідності в герметичній ампулі

Завантаження...

Номер патенту: 28553

Опубліковано: 16.10.2000

Автор: Курбанов Курбан Рамазанович

МПК: C30B 1/00

Мітки: спосіб, ампулі, монокристалічних, провідності, герметичний, hg1-xcdxte, n-типу, одержання, х=0,2...0,22, пластин

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллических пластин, , при х=0,20-0,22, n-типа проводимости в герметичной ампуле, включающий загрузку шихты в стехеометрическом соотношении компонентов, синтез и гомогенизацию раствора--расплава, выращивание слитка с монокристаллическими блоками из поликристаллической заготовки, полученной в результате синтеза, разрезания слитка на пластины и отжиг...