Патенти з міткою «монокристалів»

Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації

Завантаження...

Номер патенту: 115514

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Танько Аліна Вікторівна, Ніжанковський Сергій Вікторович, Баранов В'ячеслав Валерійович, Романенко Андрій Олександрович, Гринь Леонід Олексійович

МПК: C30B 29/20, C30B 11/02, C30B 11/14 ...

Мітки: методом, пристрій, вирощування, горизонтально, тугоплавких, спрямовано, кристалізації, оксидів, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, який складається з вакуумної камери з тепловим вузлом, що містить систему багатошарових внутрішніх та зовнішніх екранів, які оточують нагрівальний елемент та утворюють приймальну і вихідну частини тунелю, волокуші з механізмом переміщення та контейнером для вихідної сировини, струмовводів і нагрівального елемента з петлеподібно...

Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності

Завантаження...

Номер патенту: 119729

Опубліковано: 10.10.2017

Автори: Гуцу Ольга Сергіївна, Лисаковський Валентин Володимирович, Гордєєв Сергій Олексійович, Каленчук Віталій Анатолійович, Бурченя Андрій Віталійович, Івахненко Сергій Олексійович

МПК: C01B 32/25, B01J 3/06

Мітки: алмазу, затравці, спосіб, стабільності, термодинамічно, вирощування, монокристалів, області

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності, що включає використання металічного розчинника та джерела вуглецю, розміщення їх в ростовій комірці з системою електрорезистивного нагріву, оснащеній пристроєм для вимірювання електричного опору, який відрізняється тим, що фіксування перетворення кристалічний стан ® рідина при плавленні сплаву розчинника визначають мінімумом електричного опору...

Пристрій високого тиску та температури для вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності

Завантаження...

Номер патенту: 119103

Опубліковано: 11.09.2017

Автори: Бурченя Андрій Віталійович, Гордєєв Сергій Олексійович, Гуцу Ольга Сергіївна, Івахненко Сергій Олексійович, Каленчук Віталій Анатолійович, Лисаковський Валентин Володимирович

МПК: C30B 7/00

Мітки: стабільності, області, високого, пристрій, термодинамічно, алмазу, затравці, температури, монокристалів, вирощування, тиску

Формула / Реферат:

Пристрій високого тиску та температури для вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності з використанням одного шару металу-розчинника та джерела вуглецю, що містить систему нагріву, оснащену композиційними нагрівальними елементами, який відрізняється тим, що містить декілька ростових шарів та резистивну систему нагріву, яка включає в себе по одному дисперсно-композиційному нагрівальному елементу для...

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 115000

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Герасимов Ярослав Віталійович, Архіпов Павло Васильович, Сідлецький Олег Цезаревич, Галенін Евгеній Петрович

МПК: C30B 17/00, C30B 15/00

Мітки: спосіб, тиглів, наплавлення, монокристалів, вирощування, сировиною

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів, який включає завантаження сировини в тигель, розміщення тигля в ростовій камері, нагрівання та одержання розплаву, довантаження тигля сплавленням до бездефектної частини затравки сировини з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, закріпленої в затравкоутримувачі безпосередньо після розміщення тигля в ростовій камері, який відрізняється тим, що як сировину...

Спосіб синтезу монокристалів іонних купрум(і)-олефінових координаційних сполук

Завантаження...

Номер патенту: 118819

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Павлюк Олексій Вікторович, Миськів Мар'ян Григорович, Лук'янов Михайло Юрійович, Сливка Юрій Іванович

МПК: C30B 7/12

Мітки: синтезу, координаційних, іонних, монокристалів, спосіб, купрум(і)-олефінових, сполук

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу іонних p-комплексів купруму(І), що включає проведення електрохімічного відновлення солей купруму(ΙΙ) на мідних електродах в присутності органічного ліганду в розчиннику з одночасним окисненням міді з мідних електродів до купруму(І), який відрізняється тим, що електрохімічне відновлення проводять у двофазній суміші, що містить водний або метанольний розчин солі купруму(ІІ) та ацетонітрильний або толуеновий розчин...

Спосіб вирощування монокристалів з розплаву в ампулі

Завантаження...

Номер патенту: 114804

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Єпіфанов Юрій Михайлович, Козьмін Юрій Семенович, Суздаль Віктор Семенович, Будаковський Сергій Валентинович, Тонкошкур Володимир Миколайович

МПК: C30B 15/20, G05D 27/00

Мітки: розплаву, спосіб, монокристалів, вирощування, ампулі

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування органічних монокристалів з розплаву в ампулі, що включає кристалізацію речовини в ампулі при її безперервному опусканні униз у вертикальній площині двозонної печі, розділеної діафрагмою на дві камери, в якій нагрівання речовини здійснюють тепловим вузлом, що складається з верхнього та нижнього нагрівачів, причому в ампулі підтримують постійне положення фронту кристалізації шляхом корекції температури нагрівачів...

Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів літію дигідрофосфату

Завантаження...

Номер патенту: 114692

Опубліковано: 10.07.2017

Автори: Юрченко Антон Миколайович, Воронов Олексій Петрович

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00, C30B 7/04 ...

Мітки: дигідрофосфату, вирощування, спосіб, монокристалів, орієнтованих, літію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів літію дигідрофосфату, що включає приготування вихідного водного розчину літію дигідрофосфату з ортофосфорною кислотою, підготування та встановлення в ростовій камері затравки, заповнення кристалізатора вихідним розчином, доведення вихідного розчину до стану насичення, вирощування монокристала при постійному відносному пересиченні, який відрізняється тим, що у готовому вихідному водному розчині...

Спосіб отримання монокристалів agxgaxge1-xse2 (x=0,333; 0,250; 0,200; 0,167)

Завантаження...

Номер патенту: 116899

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Влох Ростислав Орестович, Горгут Галина Петрівна, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, спосіб, 0,167, 0,200, монокристалів, 0,250, x=0,333, agxgaxge1-xse2

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgxGaxGe1-xSe2 (x=0.333; 0.250; 0.200; 0.167) з розплаву, що включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Ga, Ge, Se відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних...

Спосіб отримання монокристалів tlhgcl3

Завантаження...

Номер патенту: 116036

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: tlhgcl3, спосіб, отримання, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgCl3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей складових, вирощування у запаяних вакуумованих кварцових ампулах в печі шахтного типу монокристалів завданого складу за методом Бріджмена-Стокбаргера, відпал отриманого монокристалу та остаточне охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що перед операцією вирощування монокристалу спочатку одержують...

Спосіб отримання монокристалів tl3pbі5

Завантаження...

Номер патенту: 116022

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Федорчук Анатолій Олександрович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, отримання, монокристалів, tl3pbі5

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbІ5 з розплаву, який включає компоновку стехіометричної шихти із бінарних йодидів ТlI і РbІ2, синтез Тl3РbІ5 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній ампулі, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтез і вирощування Тl3РbІ5 проводять в одній і тій же ростовій кварцовій ампулі з грушоподібним днищем, а...

Спосіб отримання монокристалів тl3рbвr5

Завантаження...

Номер патенту: 116020

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна, Левковець Сергій Іванович, Федорчук Анатолій Олександрович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, тl3рbвr5, монокристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbВr5 з розплаву, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених 30-кратно зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці Бріджмена-Стокбаргера бінарних бромідів ТlВr і РbВr2, синтез Tl3PbBr5 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом...

Спосіб отримання монокристалів тlpbi3

Завантаження...

Номер патенту: 116019

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, отримання, тlpbi3, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів ТlРbI3 з розплаву, який включає стехіометричну компоновку шихти із бінарних йодидів ТlI і РbI2, попередньо очищених зонною плавкою, синтез ТlРbI3 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, вирощування, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що процес синтезу ТlРbI3 і вирощування монокристалу...

Пристрій для свердління отворів в кристалічних заготовках, зокрема монокристалів корунду

Завантаження...

Номер патенту: 115619

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Будніков Олександр Тимофійович, Вовк Олена Олександрівна, Кривоногов Сергій Іванович, Гринь Леонід Олексійович, Каніщев Василь Миколайович

МПК: B23B 41/00, B28D 5/00, B23B 51/04 ...

Мітки: зокрема, монокристалів, заготовках, пристрій, кристалічних, корунду, отворів, свердління

Формула / Реферат:

Пристрій для свердління кристалічних заготовок, зокрема корунду, який містить тримач і закріплений на ньому тонкостінний порожнистий робочий інструмент, який відрізняється тим, що робочий інструмент складається з фрагментів, вирізаних з алмазного відрізного круга вздовж його радіуса, причому алмазовмісна крайка фрагментів обернена в сторону деталі, що обробляється.

Спосіб отримання монокристалів tlhgbr3

Завантаження...

Номер патенту: 115603

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, tlhgbr3, отримання, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgBr3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей компонентів, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури, які здійснюють за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо очищені 30-кратним зонним плавленням бінарні броміди ТlВr і HgBr2, піддають синтезу для отримання TlHgBr3 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій...

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації

Завантаження...

Номер патенту: 114121

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Баранов В'ячеслав Валерійович, Гринь Леонід Олексійович, Романенко Андрій Олександрович, Танько Аліна Вікторівна, Ніжанковський Сергій Вікторович

МПК: C30B 29/20, C30B 11/14, C30B 11/02 ...

Мітки: кристалізації, горизонтально, спрямовано, вирощування, спосіб, тугоплавких, монокристалів, оксидів, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, що включає створення у вакуумній камері з тепловим вузлом, за допомогою нагрівального елемента температурного поля, симетричного вздовж осі росту по ширині кристалу, розплавлення в цьому полі вихідного матеріалу, поміщеного в контейнер, формування кристалу шляхом переміщення контейнера з розплавленою шихтою в градієнтному температурному...

Спосіб отримання монокристалів tl10hg3cl16

Завантаження...

Номер патенту: 115226

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: tl10hg3cl16, спосіб, отримання, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl10Hg3Cl16, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених бінарних сполук, взятих у потрібних співвідношеннях, синтез речовини потрібного складу у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі з конусним дном в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що шихту складають із сполук,...

Спосіб отримання монокристалів tl3pbbr2,5i2,5

Завантаження...

Номер патенту: 115210

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, отримання, tl3pbbr2,5i2,5

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl3PbBr2,5I2,5, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зоннимплавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та...

Спосіб отримання монокристалів tl4hgbr6 з розчину-розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 115209

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, отримання, розчину-розплаву, tl4hgbr6

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl4HgBr6 з розчину-розплаву, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням...

Спосіб отримання монокристалів рbвr1,2і0,8

Завантаження...

Номер патенту: 115208

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, рbвr1,2і0,8, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів РbВr1,2І0,8, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та відпалу...

Спосіб отримання монокристалів tlpb2bri4

Завантаження...

Номер патенту: 115207

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, отримання, монокристалів, tlpb2bri4

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів ТlРb2ВrІ4, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та відпалу з...

Спосіб отримання монокристалів cssrcl3:eu2+ високої чистоти

Завантаження...

Номер патенту: 114453

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Тарасов Володимир Олексійович, Чергінець Віктор Леонідович, Пономаренко Тамара Володимирівна, Реброва Тетяна Павлівна, Реброва Надія Василівна, Гриппа Олександр Юрійович

МПК: C09K 11/77, C30B 9/00

Мітки: cssrcl3:eu2+, чистоти, високої, отримання, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування активованих монокристалів CsSrCl3:Eu2+, який включає синтез вихідної сировини, плавлення та очищення отриманого розплаву парою чотирихлористого вуглецю в потоці аргону, вакуумування та вирощування монокристалу, який відрізняється тим, що під час синтезу вихідну сировину активують.

Пристрій контролю положення рівня розплаву в пристрої управління ростом монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 114450

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Стрельніков Микола Іванович, Тавровський Ігор Ігорович, Суздаль Віктор Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович

МПК: C30B 15/20, G05D 27/00, G01F 23/24 ...

Мітки: пристрої, рівня, розплаву, пристрій, положення, контролю, ростом, управління, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій контролю положення рівня розплаву в пристрої управління ростом монокристалів, що містить механічно зв'язані між собою щуп з енкодером і електродвигун із системою управління, яка містить блок обробки даних, контролер управління електродвигуном і логічну схему визначення контакту щуп-розплав з дискретними входами/виходами, при цьому логічна схема містить лічильник імпульсів для обробки двох імпульсних послідовностей

Спосіб отримання монофазної шихти для вирощування монокристалів подвійних рідкісноземельно-кальцієвих ортоборатів

Завантаження...

Номер патенту: 113816

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Гудзенко Людмила Василівна, Радченко Ірина Олеговна, Шеховцов Олексій Миколайович, Космина Мирон Богданович

МПК: C30B 29/22

Мітки: шихти, вирощування, рідкісноземельно-кальцієвих, монофазної, ортоборатів, отримання, монокристалів, подвійних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монофазної шихти для вирощування монокристалів подвійних рідкісноземельно-кальцієвих ортоборатів Ca3RE2(BO3)4, де RE - Υ або Gd, який включає послідовну термообробку в повітряному середовищі стехіометричної суміші карбонату кальцію, борної кислоти та рідкісноземельного оксиду 3CaCO3:4H3BO3:RE2O3, де RE - Y або Gd, який відрізняється тим, що термообробку проводять при послідовному нагріванні суміші реагентів до температур...

Спосіб вирощування монокристалів cdte та його твердих розчинів cdxzn1-xte, cdxmn1-xte

Завантаження...

Номер патенту: 113185

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Раренко Іларій Михайлович, Мисевич Ігор Захарович, Вахняк Надія Дмитрівна, Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Захарук Зінаїда Іванівна, Корбутяк Дмитро Васильович, Колісник Михайло Георгійович, Дремлюженко Сергій Григорович, Єрмаков Валерій Миколайович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 13/10, C30B 1/00, C30B 13/02 ...

Мітки: твердих, cdxzn1-xte, cdxmn1-xte, вирощування, спосіб, монокристалів, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів CdTe та його твердих розчинів CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe через розчин-розплав в телурі методом зонного плавлення шихти відповідного складу з кристалу-затравки відповідної сполуки в кварцовій ампулі, яку рухають через зонний нагрівник з заданим градієнтом температури зверху вниз, причому на дні кварцової ампули розташовують графітову вкладинку, а розчин-розплав CdTe або його твердий розчин CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe в...

Спосіб отримання монокристалів ag0,5pb1,75ges4

Завантаження...

Номер патенту: 111911

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Когут Юрій Миколайович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, спосіб, монокристалів, ag0,5pb1,75ges4

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Ag0,5Pb1,75GeS4 з розплаву, який включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Pb, Ge, S відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних параметрах:температура...

Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у четверній взаємній системі cuin, cuga, cd ii s, se

Завантаження...

Номер патенту: 111910

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Піскач Людмила Василівна, Марушко Лариса Петрівна, Романюк Ярослав Євгенійович, Лавренюк Зоряна Володимирівна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, одержання, системі, взаємній, гамма-твердих, cuin, розчинів, четверній, cuga, спосіб, утворюються

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання з розплаву монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у четверній взаємній системі CuIn, CuGa, Cd || S, Se, який включає компонування шихти з простих речовин (міді, кадмію, галію, індію, сірки та селену), синтез, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням горизонтального варіанта методу Бріджмена, який відрізняється тим, що одержання монокристалів проводять у два етапи, при...

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі

Завантаження...

Номер патенту: 107650

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Галенін Євгеній Петрович, Колесніков Олександр Володимирович, Романчук Вікторія Володимирівна, Архіпов Павло Васильович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: вирощування, пристрій, ампулі, розплаву, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі, що містить двозонну вертикальну піч, що має дві камери з нагрівачами, кільцеву діафрагму, ампулу з речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, механізм переміщення ампули у вертикальному напрямку, термопари, які встановлено на нагрівачах зазначених камер, регулятори зворотного зв'язку по температурі верхнього та нижнього нагрівачів, що підключені до...

Спосіб вирощування монокристалів парателуриту

Завантаження...

Номер патенту: 106164

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Поздєєв Володимир Григорович, Агарков Костянтин Володимирович, Поздєєв Іван Володимирович

МПК: C30B 15/36, C30B 29/16, C30B 15/20 ...

Мітки: монокристалів, спосіб, парателуриту, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів парателуриту, який ведеться витягуванням монокристалу на затравку зі швидкостями обертання, що відповідають діапазону чисел Рейнольдса Re=100-150, який відрізняється тим, що вирощування кристалів парателуриту здійснюють у кристалографічному напрямку [001] зі швидкістю 0,25-0,6 мм/год., та з обертанням затравки зі швидкістю 11-18 об/хв, без реверсу.

Процес отримання монокристалів in2hg3te6

Завантаження...

Номер патенту: 105367

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Галочкин Олександр Вікторович, Дремлюженко Сергій Григорович, Колісник Михайло Георгієвич, Захарук Зінаїда Іванівна

МПК: C30B 13/10, C30B 1/00, C30B 13/12 ...

Мітки: монокристалів, in2hg3te6, отримання, процес

Формула / Реферат:

Процес отримання монокристалів In2Hg3Te6, що складається з етапів синтезу вихідних компонентів In, Hg, Те та зонної перекристалізації синтезованого злитку, який відрізняється тим, що на етапі синтезу вихідних компонентів спочатку синтезують злитки Іn2Те3 при температурі Т1=(690±2)°С та HgTe при температурі Т2=(740±2)°С та наступне їх сплавлення в стехіометричному складі у злиток In2Hg3Te6 при температурі Т3=(776±2)°С, при цьому час синтезу...

Спосіб оптимізації параметрів росту для вирощування монокристалів методом кіропулоса

Завантаження...

Номер патенту: 103465

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Коневський Павло Вячеславович, Кривоносов Євген Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 15/20, C30B 15/00, C30B 17/00 ...

Мітки: кіропулоса, оптимізації, вирощування, спосіб, методом, росту, параметрів, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб оптимізації параметрів росту для вирощування монокристалів методом Кіропулоса, який відрізняється тим, що для кожного кристалу, який вирощено на конкретній установці, яку оснащено системою автоматичного регулювання потужності на нагріванні та реєстрації набору ваги кристала, що росте, по геометричній формі кристала і динаміці набору його ваги створюють віртуальний образ (комп'ютерну модель) процесу кристалізації, припускаючи форму...

Спосіб вирощування монокристалів biv0,92nb0,08o4

Завантаження...

Номер патенту: 110209

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Агарков Костянтин Володимирович, Поздєєв Володимир Григорович, Поздєєв Іван Володимирович

МПК: C30B 29/30, C30B 15/00, C30B 29/22 ...

Мітки: bіv0,92nb0,08o4, монокристалів, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів BiV0,92Nb0,08O4, який включає приготування шихти із суміші оксидів, двостадійного відпалу при температурах 1000 і 1100 К протягом 6 год., плавлення шихти при температурі 1250-1280 К, витримки розплаву протягом 1-3 годин та вирощування за методом Чохральського, який відрізняється тим, що у шихту додають 8 мол. % пентаоксиду ніобію, а кристали вирощують зі швидкістю витягування 0,1-0,6 мм/год., та...

Спосіб одержання йодиду таллію з відходів виробництва монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 102947

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Реброва Тетяна Павлівна, Бояринцев Андрій Юрійович, Чергінець Віктор Леонідович, Дацько Юрій Миколайович

МПК: C01G 9/00, C01G 15/00

Мітки: йодиду, одержання, монокристалів, спосіб, таллію, відходів, виробництва

Формула / Реферат:

Спосіб одержання йодиду Талію, що включає очистку відходів виробництва монокристалів від механічних включень і розчинних домішок, одержання розчину тетрайодоталату Натрію шляхом розчинення осаду йодиду Талію у водному розчині йоду та йодиду Натрію, осадження йодиду Талію розчином гідропероксиду Натрію, який відрізняється тим, що перед стадією осадження йодиду Талію в розчин тетрайодоталату Талію додають комплексоутворювач - натрієву соль...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 109136

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Севрюков Дмитро Володимирович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/04

Мітки: купрум(і)гексатіофосфату, вирощування, методом, кристалізації, спрямовано, cu7ps6, спосіб, монокристалів, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що проводять нагрівання до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при цьому...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: йодиду, спосіб, методом, монокристалів, cu6ps5i, спрямовано, розплаву, купрум(і)пентатіофосфату(v, вирощування, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: вирощування, спрямовано, броміду, cu6ps5br, спосіб, купрум(і)пентатіофосфату(v, розплаву, кристалізації, монокристалів, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Пристрій для витягування монокристалів з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108420

Опубліковано: 27.04.2015

Автор: Заславський Борис Григорович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/02

Мітки: монокристалів, розплаву, витягування, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для витягування монокристалів з розплаву, що містить ростову камеру і розміщені в ній конічний тигель для розплаву і живильник у вигляді тора, розташований коаксіально тиглю, з'єднаний з ним через дозатор транспортною трубкою, введеною вертикально в дозатор через його дно, при цьому електроконтактний щуп введений через кришку ростової камери і електрично з'єднаний з входом блока управління підживленням, донний нагрівач, підключений...

Спосіб одержання йодиду цезію або йодиду натрію для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 98077

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Любинський Вадим Рувинович, Гриньов Борис Вікторович, Гектін Олександр Вульфович

МПК: C01B 9/00, C01D 3/12

Мітки: монокристалів, йодиду, натрію, спосіб, вирощування, одержання, цезію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання йодиду цезію або йодиду натрію для вирощування монокристалів, що включає проведення хімічної взаємодії йоду з гідроксидом цезію або з гідроксидом натрію у присутності перекису водню, сушіння одержаної сировини, який відрізняється тим, що для поліпшення якості вихідного продукту за рахунок ліквідації остаточної вологи в сировині остаточне сушіння сировини проводять безпосередньо в бункерах для засипки в ростову установку при...

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів

Завантаження...

Номер патенту: 108015

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Адонкін Георгій Тимофійович, Пузіков Андрій Вячеславович, Данько Олександр Якович, Будніков Олександр Тимофійович, Мірошников Юрій Петрович

МПК: C30B 15/14, C30B 29/16

Мітки: оксидів, спосіб, тугоплавких, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів, що включає горизонтально спрямовану кристалізацію розплаву в захисній атмосфері, яка містить оксид вуглецю, при тиску 10-30 Па, який відрізняється тим, що концентрацію азоту в захисній атмосфері забезпечують не вище 2 об. %, а кристалізацію здійснюють при потужності нагрівача над вільною поверхнею розплаву збільшеною на 20-25 % у порівнянні і нижньою частиною розплаву.

Спосіб одержання монокристалів (ga55, in45)2s300

Завантаження...

Номер патенту: 95507

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Данилюк Ірина Вікторівна, Іващенко Інна Алімівна, Панкевич Володимир Зіновійович, Галян Володимир Володимирович, Олексеюк Іван Дмитрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, одержання, in45)2s300, спосіб, ga55

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів (Ga55, Іn45)2S300, який передбачає складання шихти з простих речовин, Ga, In, S, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, до складу якого входять Ga, In, S, який відрізняється тим, що шихту складають з елементарних складових високого ступеню частоти (99,9999 %), синтезують їх сплав при температурі 1250 К, а ріст монокристалів здійснюють методом Бріджмена у...

Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 95506

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Іващенко Інна Алімівна, Галян Володимир Володимирович, Панкевич Володимир Зіновійович, Данилюк Ірина Вікторівна, Олексеюк Іван Дмитрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, одержання, напівпровідникових, халькогінідних, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів, що включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала...