Патенти з міткою «монокристалів»

Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації

Завантаження...

Номер патенту: 115514

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Гринь Леонід Олексійович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Романенко Андрій Олександрович, Танько Аліна Вікторівна, Баранов В'ячеслав Валерійович

МПК: C30B 11/02, C30B 11/14, C30B 29/20 ...

Мітки: вирощування, методом, кристалізації, горизонтально, оксидів, тугоплавких, монокристалів, пристрій, спрямовано

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, який складається з вакуумної камери з тепловим вузлом, що містить систему багатошарових внутрішніх та зовнішніх екранів, які оточують нагрівальний елемент та утворюють приймальну і вихідну частини тунелю, волокуші з механізмом переміщення та контейнером для вихідної сировини, струмовводів і нагрівального елемента з петлеподібно...

Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності

Завантаження...

Номер патенту: 119729

Опубліковано: 10.10.2017

Автори: Бурченя Андрій Віталійович, Каленчук Віталій Анатолійович, Лисаковський Валентин Володимирович, Гуцу Ольга Сергіївна, Івахненко Сергій Олексійович, Гордєєв Сергій Олексійович

МПК: C01B 32/25, B01J 3/06

Мітки: спосіб, стабільності, алмазу, затравці, монокристалів, вирощування, термодинамічно, області

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності, що включає використання металічного розчинника та джерела вуглецю, розміщення їх в ростовій комірці з системою електрорезистивного нагріву, оснащеній пристроєм для вимірювання електричного опору, який відрізняється тим, що фіксування перетворення кристалічний стан ® рідина при плавленні сплаву розчинника визначають мінімумом електричного опору...

Пристрій високого тиску та температури для вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності

Завантаження...

Номер патенту: 119103

Опубліковано: 11.09.2017

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Гуцу Ольга Сергіївна, Бурченя Андрій Віталійович, Каленчук Віталій Анатолійович, Гордєєв Сергій Олексійович, Лисаковський Валентин Володимирович

МПК: C30B 7/00

Мітки: високого, тиску, монокристалів, температури, вирощування, термодинамічно, стабільності, затравці, алмазу, області, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій високого тиску та температури для вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності з використанням одного шару металу-розчинника та джерела вуглецю, що містить систему нагріву, оснащену композиційними нагрівальними елементами, який відрізняється тим, що містить декілька ростових шарів та резистивну систему нагріву, яка включає в себе по одному дисперсно-композиційному нагрівальному елементу для...

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 115000

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Архіпов Павло Васильович, Галенін Евгеній Петрович, Сідлецький Олег Цезаревич, Ткаченко Сергій Анатолійович, Герасимов Ярослав Віталійович

МПК: C30B 15/00, C30B 17/00

Мітки: монокристалів, сировиною, вирощування, наплавлення, тиглів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів, який включає завантаження сировини в тигель, розміщення тигля в ростовій камері, нагрівання та одержання розплаву, довантаження тигля сплавленням до бездефектної частини затравки сировини з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, закріпленої в затравкоутримувачі безпосередньо після розміщення тигля в ростовій камері, який відрізняється тим, що як сировину...

Спосіб синтезу монокристалів іонних купрум(і)-олефінових координаційних сполук

Завантаження...

Номер патенту: 118819

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Сливка Юрій Іванович, Павлюк Олексій Вікторович, Лук'янов Михайло Юрійович, Миськів Мар'ян Григорович

МПК: C30B 7/12

Мітки: спосіб, синтезу, сполук, монокристалів, координаційних, купрум(і)-олефінових, іонних

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу іонних p-комплексів купруму(І), що включає проведення електрохімічного відновлення солей купруму(ΙΙ) на мідних електродах в присутності органічного ліганду в розчиннику з одночасним окисненням міді з мідних електродів до купруму(І), який відрізняється тим, що електрохімічне відновлення проводять у двофазній суміші, що містить водний або метанольний розчин солі купруму(ІІ) та ацетонітрильний або толуеновий розчин...

Спосіб вирощування монокристалів з розплаву в ампулі

Завантаження...

Номер патенту: 114804

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Суздаль Віктор Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Будаковський Сергій Валентинович, Тонкошкур Володимир Миколайович, Козьмін Юрій Семенович

МПК: C30B 15/20, G05D 27/00

Мітки: розплаву, ампулі, вирощування, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування органічних монокристалів з розплаву в ампулі, що включає кристалізацію речовини в ампулі при її безперервному опусканні униз у вертикальній площині двозонної печі, розділеної діафрагмою на дві камери, в якій нагрівання речовини здійснюють тепловим вузлом, що складається з верхнього та нижнього нагрівачів, причому в ампулі підтримують постійне положення фронту кристалізації шляхом корекції температури нагрівачів...

Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів літію дигідрофосфату

Завантаження...

Номер патенту: 114692

Опубліковано: 10.07.2017

Автори: Воронов Олексій Петрович, Юрченко Антон Миколайович

МПК: C30B 7/00, C30B 7/04, C30B 29/14 ...

Мітки: спосіб, літію, вирощування, орієнтованих, монокристалів, дигідрофосфату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів літію дигідрофосфату, що включає приготування вихідного водного розчину літію дигідрофосфату з ортофосфорною кислотою, підготування та встановлення в ростовій камері затравки, заповнення кристалізатора вихідним розчином, доведення вихідного розчину до стану насичення, вирощування монокристала при постійному відносному пересиченні, який відрізняється тим, що у готовому вихідному водному розчині...

Спосіб отримання монокристалів agxgaxge1-xse2 (x=0,333; 0,250; 0,200; 0,167)

Завантаження...

Номер патенту: 116899

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Горгут Галина Петрівна, Юрченко Оксана Миколаївна, Влох Ростислав Орестович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: 0,200, 0,167, спосіб, 0,250, x=0,333, отримання, agxgaxge1-xse2, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgxGaxGe1-xSe2 (x=0.333; 0.250; 0.200; 0.167) з розплаву, що включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Ga, Ge, Se відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних...

Спосіб отримання монокристалів tlhgcl3

Завантаження...

Номер патенту: 116036

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, монокристалів, tlhgcl3, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgCl3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей складових, вирощування у запаяних вакуумованих кварцових ампулах в печі шахтного типу монокристалів завданого складу за методом Бріджмена-Стокбаргера, відпал отриманого монокристалу та остаточне охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що перед операцією вирощування монокристалу спочатку одержують...

Спосіб отримання монокристалів tl3pbі5

Завантаження...

Номер патенту: 116022

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна, Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, tl3pbі5, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbІ5 з розплаву, який включає компоновку стехіометричної шихти із бінарних йодидів ТlI і РbІ2, синтез Тl3РbІ5 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній ампулі, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтез і вирощування Тl3РbІ5 проводять в одній і тій же ростовій кварцовій ампулі з грушоподібним днищем, а...

Спосіб отримання монокристалів тl3рbвr5

Завантаження...

Номер патенту: 116020

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, отримання, тl3рbвr5, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbВr5 з розплаву, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених 30-кратно зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці Бріджмена-Стокбаргера бінарних бромідів ТlВr і РbВr2, синтез Tl3PbBr5 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом...

Спосіб отримання монокристалів тlpbi3

Завантаження...

Номер патенту: 116019

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Федорчук Анатолій Олександрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, тlpbi3, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів ТlРbI3 з розплаву, який включає стехіометричну компоновку шихти із бінарних йодидів ТlI і РbI2, попередньо очищених зонною плавкою, синтез ТlРbI3 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, вирощування, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що процес синтезу ТlРbI3 і вирощування монокристалу...

Пристрій для свердління отворів в кристалічних заготовках, зокрема монокристалів корунду

Завантаження...

Номер патенту: 115619

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Гринь Леонід Олексійович, Кривоногов Сергій Іванович, Каніщев Василь Миколайович, Будніков Олександр Тимофійович, Вовк Олена Олександрівна

МПК: B28D 5/00, B23B 51/04, B23B 41/00 ...

Мітки: зокрема, кристалічних, корунду, свердління, отворів, монокристалів, пристрій, заготовках

Формула / Реферат:

Пристрій для свердління кристалічних заготовок, зокрема корунду, який містить тримач і закріплений на ньому тонкостінний порожнистий робочий інструмент, який відрізняється тим, що робочий інструмент складається з фрагментів, вирізаних з алмазного відрізного круга вздовж його радіуса, причому алмазовмісна крайка фрагментів обернена в сторону деталі, що обробляється.

Спосіб отримання монокристалів tlhgbr3

Завантаження...

Номер патенту: 115603

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, отримання, tlhgbr3

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgBr3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей компонентів, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури, які здійснюють за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо очищені 30-кратним зонним плавленням бінарні броміди ТlВr і HgBr2, піддають синтезу для отримання TlHgBr3 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій...

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації

Завантаження...

Номер патенту: 114121

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Романенко Андрій Олександрович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Баранов В'ячеслав Валерійович, Танько Аліна Вікторівна, Гринь Леонід Олексійович

МПК: C30B 29/20, C30B 11/14, C30B 11/02 ...

Мітки: оксидів, тугоплавких, спрямовано, монокристалів, спосіб, методом, кристалізації, вирощування, горизонтально

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, що включає створення у вакуумній камері з тепловим вузлом, за допомогою нагрівального елемента температурного поля, симетричного вздовж осі росту по ширині кристалу, розплавлення в цьому полі вихідного матеріалу, поміщеного в контейнер, формування кристалу шляхом переміщення контейнера з розплавленою шихтою в градієнтному температурному...

Спосіб отримання монокристалів tl10hg3cl16

Завантаження...

Номер патенту: 115226

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: tl10hg3cl16, спосіб, отримання, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl10Hg3Cl16, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених бінарних сполук, взятих у потрібних співвідношеннях, синтез речовини потрібного складу у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі з конусним дном в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що шихту складають із сполук,...

Спосіб отримання монокристалів tl3pbbr2,5i2,5

Завантаження...

Номер патенту: 115210

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, монокристалів, спосіб, tl3pbbr2,5i2,5

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl3PbBr2,5I2,5, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зоннимплавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та...

Спосіб отримання монокристалів tl4hgbr6 з розчину-розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 115209

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: tl4hgbr6, розчину-розплаву, монокристалів, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl4HgBr6 з розчину-розплаву, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням...

Спосіб отримання монокристалів рbвr1,2і0,8

Завантаження...

Номер патенту: 115208

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, рbвr1,2і0,8, монокристалів, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів РbВr1,2І0,8, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та відпалу...

Спосіб отримання монокристалів tlpb2bri4

Завантаження...

Номер патенту: 115207

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, отримання, tlpb2bri4

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів ТlРb2ВrІ4, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та відпалу з...

Спосіб отримання монокристалів cssrcl3:eu2+ високої чистоти

Завантаження...

Номер патенту: 114453

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Пономаренко Тамара Володимирівна, Тарасов Володимир Олексійович, Реброва Тетяна Павлівна, Гриппа Олександр Юрійович, Реброва Надія Василівна, Чергінець Віктор Леонідович

МПК: C09K 11/77, C30B 9/00

Мітки: отримання, спосіб, високої, чистоти, cssrcl3:eu2+, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування активованих монокристалів CsSrCl3:Eu2+, який включає синтез вихідної сировини, плавлення та очищення отриманого розплаву парою чотирихлористого вуглецю в потоці аргону, вакуумування та вирощування монокристалу, який відрізняється тим, що під час синтезу вихідну сировину активують.

Пристрій контролю положення рівня розплаву в пристрої управління ростом монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 114450

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Тавровський Ігор Ігорович, Стрельніков Микола Іванович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Суздаль Віктор Семенович

МПК: G01F 23/24, C30B 15/20, G05D 27/00 ...

Мітки: контролю, управління, пристрій, пристрої, монокристалів, розплаву, ростом, положення, рівня

Формула / Реферат:

Пристрій контролю положення рівня розплаву в пристрої управління ростом монокристалів, що містить механічно зв'язані між собою щуп з енкодером і електродвигун із системою управління, яка містить блок обробки даних, контролер управління електродвигуном і логічну схему визначення контакту щуп-розплав з дискретними входами/виходами, при цьому логічна схема містить лічильник імпульсів для обробки двох імпульсних послідовностей

Спосіб отримання монофазної шихти для вирощування монокристалів подвійних рідкісноземельно-кальцієвих ортоборатів

Завантаження...

Номер патенту: 113816

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Космина Мирон Богданович, Шеховцов Олексій Миколайович, Гудзенко Людмила Василівна, Радченко Ірина Олеговна

МПК: C30B 29/22

Мітки: вирощування, отримання, спосіб, подвійних, рідкісноземельно-кальцієвих, ортоборатів, монокристалів, шихти, монофазної

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монофазної шихти для вирощування монокристалів подвійних рідкісноземельно-кальцієвих ортоборатів Ca3RE2(BO3)4, де RE - Υ або Gd, який включає послідовну термообробку в повітряному середовищі стехіометричної суміші карбонату кальцію, борної кислоти та рідкісноземельного оксиду 3CaCO3:4H3BO3:RE2O3, де RE - Y або Gd, який відрізняється тим, що термообробку проводять при послідовному нагріванні суміші реагентів до температур...

Спосіб вирощування монокристалів cdte та його твердих розчинів cdxzn1-xte, cdxmn1-xte

Завантаження...

Номер патенту: 113185

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Захарук Зінаїда Іванівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Раренко Іларій Михайлович, Корбутяк Дмитро Васильович, Вахняк Надія Дмитрівна, Колісник Михайло Георгійович, Фочук Петро Михайлович, Мисевич Ігор Захарович, Дремлюженко Сергій Григорович, Будзуляк Сергій Іванович

МПК: C30B 13/10, C30B 13/02, C30B 1/00 ...

Мітки: твердих, розчинів, вирощування, cdxmn1-xte, cdxzn1-xte, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів CdTe та його твердих розчинів CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe через розчин-розплав в телурі методом зонного плавлення шихти відповідного складу з кристалу-затравки відповідної сполуки в кварцовій ампулі, яку рухають через зонний нагрівник з заданим градієнтом температури зверху вниз, причому на дні кварцової ампули розташовують графітову вкладинку, а розчин-розплав CdTe або його твердий розчин CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe в...

Спосіб отримання монокристалів ag0,5pb1,75ges4

Завантаження...

Номер патенту: 111911

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Парасюк Олег Васильович, Когут Юрій Миколайович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: ag0,5pb1,75ges4, спосіб, отримання, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Ag0,5Pb1,75GeS4 з розплаву, який включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Pb, Ge, S відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних параметрах:температура...

Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у четверній взаємній системі cuin, cuga, cd ii s, se

Завантаження...

Номер патенту: 111910

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Романюк Ярослав Євгенійович, Лавренюк Зоряна Володимирівна, Піскач Людмила Василівна, Марушко Лариса Петрівна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: одержання, системі, гамма-твердих, монокристалів, cuga, взаємній, четверній, cuin, утворюються, спосіб, розчинів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання з розплаву монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у четверній взаємній системі CuIn, CuGa, Cd || S, Se, який включає компонування шихти з простих речовин (міді, кадмію, галію, індію, сірки та селену), синтез, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням горизонтального варіанта методу Бріджмена, який відрізняється тим, що одержання монокристалів проводять у два етапи, при...

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі

Завантаження...

Номер патенту: 107650

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Романчук Вікторія Володимирівна, Архіпов Павло Васильович, Колесніков Олександр Володимирович, Галенін Євгеній Петрович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: пристрій, монокристалів, вирощування, розплаву, ампулі

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі, що містить двозонну вертикальну піч, що має дві камери з нагрівачами, кільцеву діафрагму, ампулу з речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, механізм переміщення ампули у вертикальному напрямку, термопари, які встановлено на нагрівачах зазначених камер, регулятори зворотного зв'язку по температурі верхнього та нижнього нагрівачів, що підключені до...

Спосіб вирощування монокристалів парателуриту

Завантаження...

Номер патенту: 106164

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Поздєєв Володимир Григорович, Поздєєв Іван Володимирович, Агарков Костянтин Володимирович

МПК: C30B 15/20, C30B 29/16, C30B 15/36 ...

Мітки: монокристалів, вирощування, спосіб, парателуриту

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів парателуриту, який ведеться витягуванням монокристалу на затравку зі швидкостями обертання, що відповідають діапазону чисел Рейнольдса Re=100-150, який відрізняється тим, що вирощування кристалів парателуриту здійснюють у кристалографічному напрямку [001] зі швидкістю 0,25-0,6 мм/год., та з обертанням затравки зі швидкістю 11-18 об/хв, без реверсу.

Процес отримання монокристалів in2hg3te6

Завантаження...

Номер патенту: 105367

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Галочкин Олександр Вікторович, Захарук Зінаїда Іванівна, Колісник Михайло Георгієвич, Дремлюженко Сергій Григорович

МПК: C30B 13/12, C30B 1/00, C30B 13/10 ...

Мітки: отримання, in2hg3te6, процес, монокристалів

Формула / Реферат:

Процес отримання монокристалів In2Hg3Te6, що складається з етапів синтезу вихідних компонентів In, Hg, Те та зонної перекристалізації синтезованого злитку, який відрізняється тим, що на етапі синтезу вихідних компонентів спочатку синтезують злитки Іn2Те3 при температурі Т1=(690±2)°С та HgTe при температурі Т2=(740±2)°С та наступне їх сплавлення в стехіометричному складі у злиток In2Hg3Te6 при температурі Т3=(776±2)°С, при цьому час синтезу...

Спосіб оптимізації параметрів росту для вирощування монокристалів методом кіропулоса

Завантаження...

Номер патенту: 103465

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Коневський Павло Вячеславович, Кривоносов Євген Володимирович

МПК: C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 15/20 ...

Мітки: вирощування, монокристалів, росту, методом, спосіб, кіропулоса, параметрів, оптимізації

Формула / Реферат:

Спосіб оптимізації параметрів росту для вирощування монокристалів методом Кіропулоса, який відрізняється тим, що для кожного кристалу, який вирощено на конкретній установці, яку оснащено системою автоматичного регулювання потужності на нагріванні та реєстрації набору ваги кристала, що росте, по геометричній формі кристала і динаміці набору його ваги створюють віртуальний образ (комп'ютерну модель) процесу кристалізації, припускаючи форму...

Спосіб вирощування монокристалів biv0,92nb0,08o4

Завантаження...

Номер патенту: 110209

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Поздєєв Володимир Григорович, Агарков Костянтин Володимирович, Поздєєв Іван Володимирович

МПК: C30B 29/22, C30B 29/30, C30B 15/00 ...

Мітки: bіv0,92nb0,08o4, вирощування, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів BiV0,92Nb0,08O4, який включає приготування шихти із суміші оксидів, двостадійного відпалу при температурах 1000 і 1100 К протягом 6 год., плавлення шихти при температурі 1250-1280 К, витримки розплаву протягом 1-3 годин та вирощування за методом Чохральського, який відрізняється тим, що у шихту додають 8 мол. % пентаоксиду ніобію, а кристали вирощують зі швидкістю витягування 0,1-0,6 мм/год., та...

Спосіб одержання йодиду таллію з відходів виробництва монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 102947

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Бояринцев Андрій Юрійович, Чергінець Віктор Леонідович, Дацько Юрій Миколайович, Реброва Тетяна Павлівна

МПК: C01G 15/00, C01G 9/00

Мітки: відходів, спосіб, йодиду, одержання, монокристалів, виробництва, таллію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання йодиду Талію, що включає очистку відходів виробництва монокристалів від механічних включень і розчинних домішок, одержання розчину тетрайодоталату Натрію шляхом розчинення осаду йодиду Талію у водному розчині йоду та йодиду Натрію, осадження йодиду Талію розчином гідропероксиду Натрію, який відрізняється тим, що перед стадією осадження йодиду Талію в розчин тетрайодоталату Талію додають комплексоутворювач - натрієву соль...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 109136

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Севрюков Дмитро Володимирович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/04

Мітки: спрямовано, методом, спосіб, купрум(і)гексатіофосфату, cu7ps6, кристалізації, вирощування, монокристалів, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що проводять нагрівання до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при цьому...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: монокристалів, розплаву, спрямовано, йодиду, вирощування, методом, cu6ps5i, кристалізації, спосіб, купрум(і)пентатіофосфату(v

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: методом, купрум(і)пентатіофосфату(v, спрямовано, cu6ps5br, монокристалів, броміду, кристалізації, розплаву, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Пристрій для витягування монокристалів з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108420

Опубліковано: 27.04.2015

Автор: Заславський Борис Григорович

МПК: C30B 15/02, C30B 35/00

Мітки: монокристалів, розплаву, пристрій, витягування

Формула / Реферат:

Пристрій для витягування монокристалів з розплаву, що містить ростову камеру і розміщені в ній конічний тигель для розплаву і живильник у вигляді тора, розташований коаксіально тиглю, з'єднаний з ним через дозатор транспортною трубкою, введеною вертикально в дозатор через його дно, при цьому електроконтактний щуп введений через кришку ростової камери і електрично з'єднаний з входом блока управління підживленням, донний нагрівач, підключений...

Спосіб одержання йодиду цезію або йодиду натрію для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 98077

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Любинський Вадим Рувинович, Гриньов Борис Вікторович, Гектін Олександр Вульфович

МПК: C01D 3/12, C01B 9/00

Мітки: монокристалів, йодиду, вирощування, спосіб, натрію, одержання, цезію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання йодиду цезію або йодиду натрію для вирощування монокристалів, що включає проведення хімічної взаємодії йоду з гідроксидом цезію або з гідроксидом натрію у присутності перекису водню, сушіння одержаної сировини, який відрізняється тим, що для поліпшення якості вихідного продукту за рахунок ліквідації остаточної вологи в сировині остаточне сушіння сировини проводять безпосередньо в бункерах для засипки в ростову установку при...

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів

Завантаження...

Номер патенту: 108015

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Данько Олександр Якович, Адонкін Георгій Тимофійович, Мірошников Юрій Петрович, Будніков Олександр Тимофійович, Пузіков Андрій Вячеславович

МПК: C30B 29/16, C30B 15/14

Мітки: спосіб, вирощування, монокристалів, оксидів, тугоплавких

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів, що включає горизонтально спрямовану кристалізацію розплаву в захисній атмосфері, яка містить оксид вуглецю, при тиску 10-30 Па, який відрізняється тим, що концентрацію азоту в захисній атмосфері забезпечують не вище 2 об. %, а кристалізацію здійснюють при потужності нагрівача над вільною поверхнею розплаву збільшеною на 20-25 % у порівнянні і нижньою частиною розплаву.

Спосіб одержання монокристалів (ga55, in45)2s300

Завантаження...

Номер патенту: 95507

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Олексеюк Іван Дмитрович, Іващенко Інна Алімівна, Данилюк Ірина Вікторівна, Галян Володимир Володимирович, Панкевич Володимир Зіновійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, ga55, in45)2s300, одержання, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів (Ga55, Іn45)2S300, який передбачає складання шихти з простих речовин, Ga, In, S, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, до складу якого входять Ga, In, S, який відрізняється тим, що шихту складають з елементарних складових високого ступеню частоти (99,9999 %), синтезують їх сплав при температурі 1250 К, а ріст монокристалів здійснюють методом Бріджмена у...

Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 95506

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Панкевич Володимир Зіновійович, Данилюк Ірина Вікторівна, Галян Володимир Володимирович, Іващенко Інна Алімівна, Олексеюк Іван Дмитрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, напівпровідникових, монокристалів, халькогінідних, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів, що включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала...