Патенти з міткою «монокристалів»

Номер патенту: 115514

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Ніжанковський Сергій Вікторович, Романенко Андрій Олександрович, Гринь Леонід Олексійович, Баранов В'ячеслав Валерійович, Танько Аліна Вікторівна

МПК: C30B 11/14, C30B 11/02, C30B 29/20 ...

Мітки: кристалізації, тугоплавких, оксидів, горизонтально, методом, монокристалів, спрямовано, пристрій, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, який складається з вакуумної камери з тепловим вузлом, що містить систему багатошарових внутрішніх та зовнішніх екранів, які оточують нагрівальний елемент та утворюють приймальну і вихідну частини тунелю, волокуші з механізмом переміщення та контейнером для вихідної сировини, струмовводів і нагрівального елемента з петлеподібно...

Номер патенту: 119729

Опубліковано: 10.10.2017

Автори: Гуцу Ольга Сергіївна, Бурченя Андрій Віталійович, Івахненко Сергій Олексійович, Гордєєв Сергій Олексійович, Лисаковський Валентин Володимирович, Каленчук Віталій Анатолійович

МПК: B01J 3/06, C01B 32/25

Мітки: алмазу, області, монокристалів, стабільності, вирощування, спосіб, термодинамічно, затравці

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності, що включає використання металічного розчинника та джерела вуглецю, розміщення їх в ростовій комірці з системою електрорезистивного нагріву, оснащеній пристроєм для вимірювання електричного опору, який відрізняється тим, що фіксування перетворення кристалічний стан ® рідина при плавленні сплаву розчинника визначають мінімумом електричного опору...

Номер патенту: 119103

Опубліковано: 11.09.2017

Автори: Гордєєв Сергій Олексійович, Лисаковський Валентин Володимирович, Івахненко Сергій Олексійович, Каленчук Віталій Анатолійович, Гуцу Ольга Сергіївна, Бурченя Андрій Віталійович

МПК: C30B 7/00

Мітки: пристрій, монокристалів, термодинамічно, тиску, температури, стабільності, області, високого, затравці, вирощування, алмазу

Формула / Реферат:

Пристрій високого тиску та температури для вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності з використанням одного шару металу-розчинника та джерела вуглецю, що містить систему нагріву, оснащену композиційними нагрівальними елементами, який відрізняється тим, що містить декілька ростових шарів та резистивну систему нагріву, яка включає в себе по одному дисперсно-композиційному нагрівальному елементу для...

Номер патенту: 115000

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Герасимов Ярослав Віталійович, Галенін Евгеній Петрович, Сідлецький Олег Цезаревич, Архіпов Павло Васильович, Ткаченко Сергій Анатолійович

МПК: C30B 17/00, C30B 15/00

Мітки: вирощування, наплавлення, монокристалів, сировиною, спосіб, тиглів

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів, який включає завантаження сировини в тигель, розміщення тигля в ростовій камері, нагрівання та одержання розплаву, довантаження тигля сплавленням до бездефектної частини затравки сировини з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, закріпленої в затравкоутримувачі безпосередньо після розміщення тигля в ростовій камері, який відрізняється тим, що як сировину...

Номер патенту: 118819

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Павлюк Олексій Вікторович, Миськів Мар'ян Григорович, Лук'янов Михайло Юрійович, Сливка Юрій Іванович

МПК: C30B 7/12

Мітки: іонних, координаційних, сполук, спосіб, синтезу, купрум(і)-олефінових, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу іонних p-комплексів купруму(І), що включає проведення електрохімічного відновлення солей купруму(ΙΙ) на мідних електродах в присутності органічного ліганду в розчиннику з одночасним окисненням міді з мідних електродів до купруму(І), який відрізняється тим, що електрохімічне відновлення проводять у двофазній суміші, що містить водний або метанольний розчин солі купруму(ІІ) та ацетонітрильний або толуеновий розчин...

Номер патенту: 114804

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Козьмін Юрій Семенович, Тонкошкур Володимир Миколайович, Будаковський Сергій Валентинович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Суздаль Віктор Семенович

МПК: G05D 27/00, C30B 15/20

Мітки: монокристалів, вирощування, спосіб, розплаву, ампулі

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування органічних монокристалів з розплаву в ампулі, що включає кристалізацію речовини в ампулі при її безперервному опусканні униз у вертикальній площині двозонної печі, розділеної діафрагмою на дві камери, в якій нагрівання речовини здійснюють тепловим вузлом, що складається з верхнього та нижнього нагрівачів, причому в ампулі підтримують постійне положення фронту кристалізації шляхом корекції температури нагрівачів...

Номер патенту: 114692

Опубліковано: 10.07.2017

Автори: Воронов Олексій Петрович, Юрченко Антон Миколайович

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00, C30B 7/04 ...

Мітки: монокристалів, дигідрофосфату, орієнтованих, вирощування, літію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів літію дигідрофосфату, що включає приготування вихідного водного розчину літію дигідрофосфату з ортофосфорною кислотою, підготування та встановлення в ростовій камері затравки, заповнення кристалізатора вихідним розчином, доведення вихідного розчину до стану насичення, вирощування монокристала при постійному відносному пересиченні, який відрізняється тим, що у готовому вихідному водному розчині...

Номер патенту: 116899

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Горгут Галина Петрівна, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Влох Ростислав Орестович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, 0,200, agxgaxge1-xse2, x=0,333, отримання, 0,250, 0,167, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgxGaxGe1-xSe2 (x=0.333; 0.250; 0.200; 0.167) з розплаву, що включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Ga, Ge, Se відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних...

Номер патенту: 116036

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: tlhgcl3, отримання, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgCl3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей складових, вирощування у запаяних вакуумованих кварцових ампулах в печі шахтного типу монокристалів завданого складу за методом Бріджмена-Стокбаргера, відпал отриманого монокристалу та остаточне охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що перед операцією вирощування монокристалу спочатку одержують...

Номер патенту: 116022

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Федорчук Анатолій Олександрович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, спосіб, tl3pbі5, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbІ5 з розплаву, який включає компоновку стехіометричної шихти із бінарних йодидів ТlI і РbІ2, синтез Тl3РbІ5 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній ампулі, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтез і вирощування Тl3РbІ5 проводять в одній і тій же ростовій кварцовій ампулі з грушоподібним днищем, а...

Номер патенту: 116020

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Федорчук Анатолій Олександрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, тl3рbвr5, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbВr5 з розплаву, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених 30-кратно зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці Бріджмена-Стокбаргера бінарних бромідів ТlВr і РbВr2, синтез Tl3PbBr5 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом...

Номер патенту: 116019

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Федорчук Анатолій Олександрович, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, тlpbi3, отримання, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів ТlРbI3 з розплаву, який включає стехіометричну компоновку шихти із бінарних йодидів ТlI і РbI2, попередньо очищених зонною плавкою, синтез ТlРbI3 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, вирощування, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що процес синтезу ТlРbI3 і вирощування монокристалу...

Номер патенту: 115619

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Каніщев Василь Миколайович, Вовк Олена Олександрівна, Гринь Леонід Олексійович, Кривоногов Сергій Іванович, Будніков Олександр Тимофійович

МПК: B23B 41/00, B23B 51/04, B28D 5/00 ...

Мітки: свердління, зокрема, кристалічних, корунду, пристрій, монокристалів, заготовках, отворів

Формула / Реферат:

Пристрій для свердління кристалічних заготовок, зокрема корунду, який містить тримач і закріплений на ньому тонкостінний порожнистий робочий інструмент, який відрізняється тим, що робочий інструмент складається з фрагментів, вирізаних з алмазного відрізного круга вздовж його радіуса, причому алмазовмісна крайка фрагментів обернена в сторону деталі, що обробляється.

Номер патенту: 115603

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: tlhgbr3, монокристалів, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgBr3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей компонентів, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури, які здійснюють за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо очищені 30-кратним зонним плавленням бінарні броміди ТlВr і HgBr2, піддають синтезу для отримання TlHgBr3 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій...

Номер патенту: 114121

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Гринь Леонід Олексійович, Баранов В'ячеслав Валерійович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Танько Аліна Вікторівна, Романенко Андрій Олександрович

МПК: C30B 11/14, C30B 29/20, C30B 11/02 ...

Мітки: монокристалів, горизонтально, спосіб, тугоплавких, вирощування, кристалізації, методом, спрямовано, оксидів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, що включає створення у вакуумній камері з тепловим вузлом, за допомогою нагрівального елемента температурного поля, симетричного вздовж осі росту по ширині кристалу, розплавлення в цьому полі вихідного матеріалу, поміщеного в контейнер, формування кристалу шляхом переміщення контейнера з розплавленою шихтою в градієнтному температурному...

Номер патенту: 115226

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, отримання, tl10hg3cl16

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl10Hg3Cl16, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених бінарних сполук, взятих у потрібних співвідношеннях, синтез речовини потрібного складу у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі з конусним дном в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що шихту складають із сполук,...

Номер патенту: 115210

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: tl3pbbr2,5i2,5, спосіб, монокристалів, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl3PbBr2,5I2,5, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зоннимплавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та...

Номер патенту: 115209

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, tl4hgbr6, отримання, розчину-розплаву

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl4HgBr6 з розчину-розплаву, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням...

Номер патенту: 115208

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, рbвr1,2і0,8, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів РbВr1,2І0,8, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та відпалу...

Номер патенту: 115207

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: tlpb2bri4, отримання, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів ТlРb2ВrІ4, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та відпалу з...

Номер патенту: 114453

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Гриппа Олександр Юрійович, Чергінець Віктор Леонідович, Реброва Тетяна Павлівна, Тарасов Володимир Олексійович, Реброва Надія Василівна, Пономаренко Тамара Володимирівна

МПК: C30B 9/00, C09K 11/77

Мітки: отримання, спосіб, монокристалів, високої, чистоти, cssrcl3:eu2+

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування активованих монокристалів CsSrCl3:Eu2+, який включає синтез вихідної сировини, плавлення та очищення отриманого розплаву парою чотирихлористого вуглецю в потоці аргону, вакуумування та вирощування монокристалу, який відрізняється тим, що під час синтезу вихідну сировину активують.

Номер патенту: 114450

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Стрельніков Микола Іванович, Тавровський Ігор Ігорович, Суздаль Віктор Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович

МПК: G05D 27/00, C30B 15/20, G01F 23/24 ...

Мітки: пристрої, управління, ростом, рівня, розплаву, монокристалів, пристрій, положення, контролю

Формула / Реферат:

Пристрій контролю положення рівня розплаву в пристрої управління ростом монокристалів, що містить механічно зв'язані між собою щуп з енкодером і електродвигун із системою управління, яка містить блок обробки даних, контролер управління електродвигуном і логічну схему визначення контакту щуп-розплав з дискретними входами/виходами, при цьому логічна схема містить лічильник імпульсів для обробки двох імпульсних послідовностей

Номер патенту: 113816

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Шеховцов Олексій Миколайович, Космина Мирон Богданович, Радченко Ірина Олеговна, Гудзенко Людмила Василівна

МПК: C30B 29/22

Мітки: вирощування, спосіб, монокристалів, отримання, рідкісноземельно-кальцієвих, подвійних, шихти, ортоборатів, монофазної

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монофазної шихти для вирощування монокристалів подвійних рідкісноземельно-кальцієвих ортоборатів Ca3RE2(BO3)4, де RE - Υ або Gd, який включає послідовну термообробку в повітряному середовищі стехіометричної суміші карбонату кальцію, борної кислоти та рідкісноземельного оксиду 3CaCO3:4H3BO3:RE2O3, де RE - Y або Gd, який відрізняється тим, що термообробку проводять при послідовному нагріванні суміші реагентів до температур...

Номер патенту: 113185

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Демчина Любомир Андрійович, Колісник Михайло Георгійович, Будзуляк Сергій Іванович, Єрмаков Валерій Миколайович, Мисевич Ігор Захарович, Захарук Зінаїда Іванівна, Раренко Іларій Михайлович, Фочук Петро Михайлович, Корбутяк Дмитро Васильович, Дремлюженко Сергій Григорович, Вахняк Надія Дмитрівна

МПК: C30B 13/10, C30B 13/02, C30B 1/00 ...

Мітки: монокристалів, розчинів, cdxmn1-xte, спосіб, вирощування, твердих, cdxzn1-xte

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів CdTe та його твердих розчинів CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe через розчин-розплав в телурі методом зонного плавлення шихти відповідного складу з кристалу-затравки відповідної сполуки в кварцовій ампулі, яку рухають через зонний нагрівник з заданим градієнтом температури зверху вниз, причому на дні кварцової ампули розташовують графітову вкладинку, а розчин-розплав CdTe або його твердий розчин CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe в...

Номер патенту: 111911

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Когут Юрій Миколайович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, отримання, ag0,5pb1,75ges4, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Ag0,5Pb1,75GeS4 з розплаву, який включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Pb, Ge, S відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних параметрах:температура...

Номер патенту: 111910

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Парасюк Олег Васильович, Лавренюк Зоряна Володимирівна, Романюк Ярослав Євгенійович, Піскач Людмила Василівна, Марушко Лариса Петрівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: cuga, взаємній, одержання, спосіб, cuin, четверній, системі, розчинів, утворюються, гамма-твердих, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання з розплаву монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у четверній взаємній системі CuIn, CuGa, Cd || S, Se, який включає компонування шихти з простих речовин (міді, кадмію, галію, індію, сірки та селену), синтез, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням горизонтального варіанта методу Бріджмена, який відрізняється тим, що одержання монокристалів проводять у два етапи, при...

Номер патенту: 107650

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Романчук Вікторія Володимирівна, Архіпов Павло Васильович, Галенін Євгеній Петрович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: пристрій, розплаву, монокристалів, вирощування, ампулі

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі, що містить двозонну вертикальну піч, що має дві камери з нагрівачами, кільцеву діафрагму, ампулу з речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, механізм переміщення ампули у вертикальному напрямку, термопари, які встановлено на нагрівачах зазначених камер, регулятори зворотного зв'язку по температурі верхнього та нижнього нагрівачів, що підключені до...

Номер патенту: 106164

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Агарков Костянтин Володимирович, Поздєєв Володимир Григорович, Поздєєв Іван Володимирович

МПК: C30B 15/20, C30B 29/16, C30B 15/36 ...

Мітки: вирощування, монокристалів, спосіб, парателуриту

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів парателуриту, який ведеться витягуванням монокристалу на затравку зі швидкостями обертання, що відповідають діапазону чисел Рейнольдса Re=100-150, який відрізняється тим, що вирощування кристалів парателуриту здійснюють у кристалографічному напрямку [001] зі швидкістю 0,25-0,6 мм/год., та з обертанням затравки зі швидкістю 11-18 об/хв, без реверсу.

Номер патенту: 105367

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Колісник Михайло Георгієвич, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Дремлюженко Сергій Григорович, Галочкин Олександр Вікторович, Захарук Зінаїда Іванівна

МПК: C30B 13/10, C30B 1/00, C30B 13/12 ...

Мітки: процес, монокристалів, in2hg3te6, отримання

Формула / Реферат:

Процес отримання монокристалів In2Hg3Te6, що складається з етапів синтезу вихідних компонентів In, Hg, Те та зонної перекристалізації синтезованого злитку, який відрізняється тим, що на етапі синтезу вихідних компонентів спочатку синтезують злитки Іn2Те3 при температурі Т1=(690±2)°С та HgTe при температурі Т2=(740±2)°С та наступне їх сплавлення в стехіометричному складі у злиток In2Hg3Te6 при температурі Т3=(776±2)°С, при цьому час синтезу...

Номер патенту: 103465

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Коневський Павло Вячеславович, Литвинов Леонід Аркадійович, Кривоносов Євген Володимирович

МПК: C30B 17/00, C30B 15/20, C30B 15/00 ...

Мітки: монокристалів, спосіб, оптимізації, параметрів, кіропулоса, методом, росту, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб оптимізації параметрів росту для вирощування монокристалів методом Кіропулоса, який відрізняється тим, що для кожного кристалу, який вирощено на конкретній установці, яку оснащено системою автоматичного регулювання потужності на нагріванні та реєстрації набору ваги кристала, що росте, по геометричній формі кристала і динаміці набору його ваги створюють віртуальний образ (комп'ютерну модель) процесу кристалізації, припускаючи форму...

Номер патенту: 110209

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Поздєєв Володимир Григорович, Поздєєв Іван Володимирович, Агарков Костянтин Володимирович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30, C30B 29/22 ...

Мітки: вирощування, bіv0,92nb0,08o4, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів BiV0,92Nb0,08O4, який включає приготування шихти із суміші оксидів, двостадійного відпалу при температурах 1000 і 1100 К протягом 6 год., плавлення шихти при температурі 1250-1280 К, витримки розплаву протягом 1-3 годин та вирощування за методом Чохральського, який відрізняється тим, що у шихту додають 8 мол. % пентаоксиду ніобію, а кристали вирощують зі швидкістю витягування 0,1-0,6 мм/год., та...

Номер патенту: 102947

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Бояринцев Андрій Юрійович, Чергінець Віктор Леонідович, Дацько Юрій Миколайович, Реброва Тетяна Павлівна

МПК: C01G 15/00, C01G 9/00

Мітки: відходів, йодиду, таллію, спосіб, монокристалів, виробництва, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання йодиду Талію, що включає очистку відходів виробництва монокристалів від механічних включень і розчинних домішок, одержання розчину тетрайодоталату Натрію шляхом розчинення осаду йодиду Талію у водному розчині йоду та йодиду Натрію, осадження йодиду Талію розчином гідропероксиду Натрію, який відрізняється тим, що перед стадією осадження йодиду Талію в розчин тетрайодоталату Талію додають комплексоутворювач - натрієву соль...

Номер патенту: 109136

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Севрюков Дмитро Володимирович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/04

Мітки: монокристалів, cu7ps6, методом, купрум(і)гексатіофосфату, кристалізації, спосіб, розплаву, спрямовано, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що проводять нагрівання до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при цьому...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: йодиду, методом, розплаву, спрямовано, купрум(і)пентатіофосфату(v, монокристалів, вирощування, спосіб, cu6ps5i, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: купрум(і)пентатіофосфату(v, спрямовано, методом, розплаву, кристалізації, спосіб, броміду, вирощування, монокристалів, cu6ps5br

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Номер патенту: 108420

Опубліковано: 27.04.2015

Автор: Заславський Борис Григорович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/02

Мітки: пристрій, монокристалів, витягування, розплаву

Формула / Реферат:

Пристрій для витягування монокристалів з розплаву, що містить ростову камеру і розміщені в ній конічний тигель для розплаву і живильник у вигляді тора, розташований коаксіально тиглю, з'єднаний з ним через дозатор транспортною трубкою, введеною вертикально в дозатор через його дно, при цьому електроконтактний щуп введений через кришку ростової камери і електрично з'єднаний з входом блока управління підживленням, донний нагрівач, підключений...

Номер патенту: 98077

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Гектін Олександр Вульфович, Гриньов Борис Вікторович, Любинський Вадим Рувинович

МПК: C01D 3/12, C01B 9/00

Мітки: вирощування, йодиду, натрію, одержання, спосіб, цезію, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання йодиду цезію або йодиду натрію для вирощування монокристалів, що включає проведення хімічної взаємодії йоду з гідроксидом цезію або з гідроксидом натрію у присутності перекису водню, сушіння одержаної сировини, який відрізняється тим, що для поліпшення якості вихідного продукту за рахунок ліквідації остаточної вологи в сировині остаточне сушіння сировини проводять безпосередньо в бункерах для засипки в ростову установку при...

Номер патенту: 108015

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Данько Олександр Якович, Адонкін Георгій Тимофійович, Пузіков Андрій Вячеславович, Мірошников Юрій Петрович, Будніков Олександр Тимофійович

МПК: C30B 15/14, C30B 29/16

Мітки: тугоплавких, вирощування, спосіб, монокристалів, оксидів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів, що включає горизонтально спрямовану кристалізацію розплаву в захисній атмосфері, яка містить оксид вуглецю, при тиску 10-30 Па, який відрізняється тим, що концентрацію азоту в захисній атмосфері забезпечують не вище 2 об. %, а кристалізацію здійснюють при потужності нагрівача над вільною поверхнею розплаву збільшеною на 20-25 % у порівнянні і нижньою частиною розплаву.

Номер патенту: 95507

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Іващенко Інна Алімівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Панкевич Володимир Зіновійович, Данилюк Ірина Вікторівна, Галян Володимир Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: ga55, монокристалів, in45)2s300, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів (Ga55, Іn45)2S300, який передбачає складання шихти з простих речовин, Ga, In, S, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, до складу якого входять Ga, In, S, який відрізняється тим, що шихту складають з елементарних складових високого ступеню частоти (99,9999 %), синтезують їх сплав при температурі 1250 К, а ріст монокристалів здійснюють методом Бріджмена у...

Номер патенту: 95506

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Данилюк Ірина Вікторівна, Панкевич Володимир Зіновійович, Іващенко Інна Алімівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Галян Володимир Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: одержання, монокристалів, напівпровідникових, халькогінідних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів, що включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала...