Патенти з міткою «монокристалів»

Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації

Завантаження...

Номер патенту: 115514

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Гринь Леонід Олексійович, Танько Аліна Вікторівна, Баранов В'ячеслав Валерійович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Романенко Андрій Олександрович

МПК: C30B 29/20, C30B 11/02, C30B 11/14 ...

Мітки: вирощування, спрямовано, кристалізації, методом, пристрій, оксидів, горизонтально, тугоплавких, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, який складається з вакуумної камери з тепловим вузлом, що містить систему багатошарових внутрішніх та зовнішніх екранів, які оточують нагрівальний елемент та утворюють приймальну і вихідну частини тунелю, волокуші з механізмом переміщення та контейнером для вихідної сировини, струмовводів і нагрівального елемента з петлеподібно...

Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності

Завантаження...

Номер патенту: 119729

Опубліковано: 10.10.2017

Автори: Гордєєв Сергій Олексійович, Лисаковський Валентин Володимирович, Івахненко Сергій Олексійович, Каленчук Віталій Анатолійович, Бурченя Андрій Віталійович, Гуцу Ольга Сергіївна

МПК: C01B 32/25, B01J 3/06

Мітки: стабільності, вирощування, спосіб, затравці, алмазу, області, монокристалів, термодинамічно

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності, що включає використання металічного розчинника та джерела вуглецю, розміщення їх в ростовій комірці з системою електрорезистивного нагріву, оснащеній пристроєм для вимірювання електричного опору, який відрізняється тим, що фіксування перетворення кристалічний стан ® рідина при плавленні сплаву розчинника визначають мінімумом електричного опору...

Пристрій високого тиску та температури для вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності

Завантаження...

Номер патенту: 119103

Опубліковано: 11.09.2017

Автори: Івахненко Сергій Олексійович, Каленчук Віталій Анатолійович, Гуцу Ольга Сергіївна, Бурченя Андрій Віталійович, Гордєєв Сергій Олексійович, Лисаковський Валентин Володимирович

МПК: C30B 7/00

Мітки: монокристалів, області, алмазу, термодинамічно, вирощування, пристрій, стабільності, тиску, затравці, температури, високого

Формула / Реферат:

Пристрій високого тиску та температури для вирощування монокристалів алмазу на затравці в області термодинамічної стабільності з використанням одного шару металу-розчинника та джерела вуглецю, що містить систему нагріву, оснащену композиційними нагрівальними елементами, який відрізняється тим, що містить декілька ростових шарів та резистивну систему нагріву, яка включає в себе по одному дисперсно-композиційному нагрівальному елементу для...

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 115000

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Герасимов Ярослав Віталійович, Архіпов Павло Васильович, Галенін Евгеній Петрович, Сідлецький Олег Цезаревич

МПК: C30B 17/00, C30B 15/00

Мітки: монокристалів, тиглів, сировиною, спосіб, наплавлення, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів, який включає завантаження сировини в тигель, розміщення тигля в ростовій камері, нагрівання та одержання розплаву, довантаження тигля сплавленням до бездефектної частини затравки сировини з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, закріпленої в затравкоутримувачі безпосередньо після розміщення тигля в ростовій камері, який відрізняється тим, що як сировину...

Спосіб синтезу монокристалів іонних купрум(і)-олефінових координаційних сполук

Завантаження...

Номер патенту: 118819

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Миськів Мар'ян Григорович, Павлюк Олексій Вікторович, Сливка Юрій Іванович, Лук'янов Михайло Юрійович

МПК: C30B 7/12

Мітки: сполук, монокристалів, купрум(і)-олефінових, спосіб, координаційних, іонних, синтезу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу іонних p-комплексів купруму(І), що включає проведення електрохімічного відновлення солей купруму(ΙΙ) на мідних електродах в присутності органічного ліганду в розчиннику з одночасним окисненням міді з мідних електродів до купруму(І), який відрізняється тим, що електрохімічне відновлення проводять у двофазній суміші, що містить водний або метанольний розчин солі купруму(ІІ) та ацетонітрильний або толуеновий розчин...

Спосіб вирощування монокристалів з розплаву в ампулі

Завантаження...

Номер патенту: 114804

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Суздаль Віктор Семенович, Будаковський Сергій Валентинович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Тонкошкур Володимир Миколайович, Козьмін Юрій Семенович

МПК: G05D 27/00, C30B 15/20

Мітки: вирощування, монокристалів, ампулі, розплаву, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування органічних монокристалів з розплаву в ампулі, що включає кристалізацію речовини в ампулі при її безперервному опусканні униз у вертикальній площині двозонної печі, розділеної діафрагмою на дві камери, в якій нагрівання речовини здійснюють тепловим вузлом, що складається з верхнього та нижнього нагрівачів, причому в ампулі підтримують постійне положення фронту кристалізації шляхом корекції температури нагрівачів...

Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів літію дигідрофосфату

Завантаження...

Номер патенту: 114692

Опубліковано: 10.07.2017

Автори: Юрченко Антон Миколайович, Воронов Олексій Петрович

МПК: C30B 7/00, C30B 7/04, C30B 29/14 ...

Мітки: монокристалів, вирощування, дигідрофосфату, літію, спосіб, орієнтованих

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів літію дигідрофосфату, що включає приготування вихідного водного розчину літію дигідрофосфату з ортофосфорною кислотою, підготування та встановлення в ростовій камері затравки, заповнення кристалізатора вихідним розчином, доведення вихідного розчину до стану насичення, вирощування монокристала при постійному відносному пересиченні, який відрізняється тим, що у готовому вихідному водному розчині...

Спосіб отримання монокристалів agxgaxge1-xse2 (x=0,333; 0,250; 0,200; 0,167)

Завантаження...

Номер патенту: 116899

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Влох Ростислав Орестович, Юрченко Оксана Миколаївна, Горгут Галина Петрівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: agxgaxge1-xse2, x=0,333, отримання, 0,167, монокристалів, спосіб, 0,200, 0,250

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgxGaxGe1-xSe2 (x=0.333; 0.250; 0.200; 0.167) з розплаву, що включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Ga, Ge, Se відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних...

Спосіб отримання монокристалів tlhgcl3

Завантаження...

Номер патенту: 116036

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: tlhgcl3, монокристалів, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgCl3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей складових, вирощування у запаяних вакуумованих кварцових ампулах в печі шахтного типу монокристалів завданого складу за методом Бріджмена-Стокбаргера, відпал отриманого монокристалу та остаточне охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що перед операцією вирощування монокристалу спочатку одержують...

Спосіб отримання монокристалів tl3pbі5

Завантаження...

Номер патенту: 116022

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Федорчук Анатолій Олександрович, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: tl3pbі5, монокристалів, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbІ5 з розплаву, який включає компоновку стехіометричної шихти із бінарних йодидів ТlI і РbІ2, синтез Тl3РbІ5 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній ампулі, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтез і вирощування Тl3РbІ5 проводять в одній і тій же ростовій кварцовій ампулі з грушоподібним днищем, а...

Спосіб отримання монокристалів тl3рbвr5

Завантаження...

Номер патенту: 116020

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Федорчук Анатолій Олександрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, отримання, спосіб, тl3рbвr5

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbВr5 з розплаву, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених 30-кратно зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці Бріджмена-Стокбаргера бінарних бромідів ТlВr і РbВr2, синтез Tl3PbBr5 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом...

Спосіб отримання монокристалів тlpbi3

Завантаження...

Номер патенту: 116019

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Федорчук Анатолій Олександрович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: тlpbi3, спосіб, отримання, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів ТlРbI3 з розплаву, який включає стехіометричну компоновку шихти із бінарних йодидів ТlI і РbI2, попередньо очищених зонною плавкою, синтез ТlРbI3 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, вирощування, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що процес синтезу ТlРbI3 і вирощування монокристалу...

Пристрій для свердління отворів в кристалічних заготовках, зокрема монокристалів корунду

Завантаження...

Номер патенту: 115619

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Будніков Олександр Тимофійович, Гринь Леонід Олексійович, Кривоногов Сергій Іванович, Каніщев Василь Миколайович, Вовк Олена Олександрівна

МПК: B23B 51/04, B28D 5/00, B23B 41/00 ...

Мітки: монокристалів, кристалічних, заготовках, отворів, свердління, зокрема, корунду, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для свердління кристалічних заготовок, зокрема корунду, який містить тримач і закріплений на ньому тонкостінний порожнистий робочий інструмент, який відрізняється тим, що робочий інструмент складається з фрагментів, вирізаних з алмазного відрізного круга вздовж його радіуса, причому алмазовмісна крайка фрагментів обернена в сторону деталі, що обробляється.

Спосіб отримання монокристалів tlhgbr3

Завантаження...

Номер патенту: 115603

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, монокристалів, tlhgbr3, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgBr3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей компонентів, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури, які здійснюють за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо очищені 30-кратним зонним плавленням бінарні броміди ТlВr і HgBr2, піддають синтезу для отримання TlHgBr3 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій...

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації

Завантаження...

Номер патенту: 114121

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Танько Аліна Вікторівна, Ніжанковський Сергій Вікторович, Гринь Леонід Олексійович, Баранов В'ячеслав Валерійович, Романенко Андрій Олександрович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/20, C30B 11/14 ...

Мітки: методом, вирощування, горизонтально, спосіб, оксидів, тугоплавких, кристалізації, спрямовано, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, що включає створення у вакуумній камері з тепловим вузлом, за допомогою нагрівального елемента температурного поля, симетричного вздовж осі росту по ширині кристалу, розплавлення в цьому полі вихідного матеріалу, поміщеного в контейнер, формування кристалу шляхом переміщення контейнера з розплавленою шихтою в градієнтному температурному...

Спосіб отримання монокристалів tl10hg3cl16

Завантаження...

Номер патенту: 115226

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, tl10hg3cl16, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl10Hg3Cl16, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених бінарних сполук, взятих у потрібних співвідношеннях, синтез речовини потрібного складу у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі з конусним дном в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що шихту складають із сполук,...

Спосіб отримання монокристалів tl3pbbr2,5i2,5

Завантаження...

Номер патенту: 115210

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, tl3pbbr2,5i2,5, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl3PbBr2,5I2,5, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зоннимплавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та...

Спосіб отримання монокристалів tl4hgbr6 з розчину-розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 115209

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, розчину-розплаву, tl4hgbr6, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl4HgBr6 з розчину-розплаву, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням...

Спосіб отримання монокристалів рbвr1,2і0,8

Завантаження...

Номер патенту: 115208

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, рbвr1,2і0,8, отримання, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів РbВr1,2І0,8, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та відпалу...

Спосіб отримання монокристалів tlpb2bri4

Завантаження...

Номер патенту: 115207

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, монокристалів, спосіб, tlpb2bri4

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів ТlРb2ВrІ4, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та відпалу з...

Спосіб отримання монокристалів cssrcl3:eu2+ високої чистоти

Завантаження...

Номер патенту: 114453

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Реброва Надія Василівна, Пономаренко Тамара Володимирівна, Чергінець Віктор Леонідович, Гриппа Олександр Юрійович, Тарасов Володимир Олексійович, Реброва Тетяна Павлівна

МПК: C30B 9/00, C09K 11/77

Мітки: високої, монокристалів, спосіб, чистоти, отримання, cssrcl3:eu2+

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування активованих монокристалів CsSrCl3:Eu2+, який включає синтез вихідної сировини, плавлення та очищення отриманого розплаву парою чотирихлористого вуглецю в потоці аргону, вакуумування та вирощування монокристалу, який відрізняється тим, що під час синтезу вихідну сировину активують.

Пристрій контролю положення рівня розплаву в пристрої управління ростом монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 114450

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Суздаль Віктор Семенович, Стрельніков Микола Іванович, Тавровський Ігор Ігорович, Єпіфанов Юрій Михайлович

МПК: C30B 15/20, G05D 27/00, G01F 23/24 ...

Мітки: управління, пристрій, ростом, рівня, положення, монокристалів, розплаву, пристрої, контролю

Формула / Реферат:

Пристрій контролю положення рівня розплаву в пристрої управління ростом монокристалів, що містить механічно зв'язані між собою щуп з енкодером і електродвигун із системою управління, яка містить блок обробки даних, контролер управління електродвигуном і логічну схему визначення контакту щуп-розплав з дискретними входами/виходами, при цьому логічна схема містить лічильник імпульсів для обробки двох імпульсних послідовностей

Спосіб отримання монофазної шихти для вирощування монокристалів подвійних рідкісноземельно-кальцієвих ортоборатів

Завантаження...

Номер патенту: 113816

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Гудзенко Людмила Василівна, Радченко Ірина Олеговна, Шеховцов Олексій Миколайович, Космина Мирон Богданович

МПК: C30B 29/22

Мітки: монофазної, монокристалів, отримання, спосіб, шихти, подвійних, вирощування, рідкісноземельно-кальцієвих, ортоборатів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монофазної шихти для вирощування монокристалів подвійних рідкісноземельно-кальцієвих ортоборатів Ca3RE2(BO3)4, де RE - Υ або Gd, який включає послідовну термообробку в повітряному середовищі стехіометричної суміші карбонату кальцію, борної кислоти та рідкісноземельного оксиду 3CaCO3:4H3BO3:RE2O3, де RE - Y або Gd, який відрізняється тим, що термообробку проводять при послідовному нагріванні суміші реагентів до температур...

Спосіб вирощування монокристалів cdte та його твердих розчинів cdxzn1-xte, cdxmn1-xte

Завантаження...

Номер патенту: 113185

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Раренко Іларій Михайлович, Будзуляк Сергій Іванович, Колісник Михайло Георгійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Вахняк Надія Дмитрівна, Мисевич Ігор Захарович, Фочук Петро Михайлович, Демчина Любомир Андрійович, Захарук Зінаїда Іванівна, Дремлюженко Сергій Григорович

МПК: C30B 1/00, C30B 13/10, C30B 13/02 ...

Мітки: спосіб, cdxmn1-xte, розчинів, вирощування, монокристалів, cdxzn1-xte, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів CdTe та його твердих розчинів CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe через розчин-розплав в телурі методом зонного плавлення шихти відповідного складу з кристалу-затравки відповідної сполуки в кварцовій ампулі, яку рухають через зонний нагрівник з заданим градієнтом температури зверху вниз, причому на дні кварцової ампули розташовують графітову вкладинку, а розчин-розплав CdTe або його твердий розчин CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe в...

Спосіб отримання монокристалів ag0,5pb1,75ges4

Завантаження...

Номер патенту: 111911

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Парасюк Олег Васильович, Когут Юрій Миколайович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, отримання, ag0,5pb1,75ges4

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Ag0,5Pb1,75GeS4 з розплаву, який включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Pb, Ge, S відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних параметрах:температура...

Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у четверній взаємній системі cuin, cuga, cd ii s, se

Завантаження...

Номер патенту: 111910

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Марушко Лариса Петрівна, Піскач Людмила Василівна, Романюк Ярослав Євгенійович, Парасюк Олег Васильович, Лавренюк Зоряна Володимирівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: cuin, утворюються, cuga, гамма-твердих, системі, розчинів, монокристалів, взаємній, одержання, спосіб, четверній

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання з розплаву монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у четверній взаємній системі CuIn, CuGa, Cd || S, Se, який включає компонування шихти з простих речовин (міді, кадмію, галію, індію, сірки та селену), синтез, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням горизонтального варіанта методу Бріджмена, який відрізняється тим, що одержання монокристалів проводять у два етапи, при...

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі

Завантаження...

Номер патенту: 107650

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Галенін Євгеній Петрович, Романчук Вікторія Володимирівна, Архіпов Павло Васильович

МПК: C30B 29/00, C30B 11/00

Мітки: розплаву, вирощування, ампулі, монокристалів, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву в ампулі, що містить двозонну вертикальну піч, що має дві камери з нагрівачами, кільцеву діафрагму, ампулу з речовиною, що кристалізується, у вигляді циліндра з конічним дном, механізм переміщення ампули у вертикальному напрямку, термопари, які встановлено на нагрівачах зазначених камер, регулятори зворотного зв'язку по температурі верхнього та нижнього нагрівачів, що підключені до...

Спосіб вирощування монокристалів парателуриту

Завантаження...

Номер патенту: 106164

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Поздєєв Володимир Григорович, Агарков Костянтин Володимирович, Поздєєв Іван Володимирович

МПК: C30B 15/36, C30B 15/20, C30B 29/16 ...

Мітки: монокристалів, спосіб, вирощування, парателуриту

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів парателуриту, який ведеться витягуванням монокристалу на затравку зі швидкостями обертання, що відповідають діапазону чисел Рейнольдса Re=100-150, який відрізняється тим, що вирощування кристалів парателуриту здійснюють у кристалографічному напрямку [001] зі швидкістю 0,25-0,6 мм/год., та з обертанням затравки зі швидкістю 11-18 об/хв, без реверсу.

Процес отримання монокристалів in2hg3te6

Завантаження...

Номер патенту: 105367

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Галочкин Олександр Вікторович, Дремлюженко Сергій Григорович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Колісник Михайло Георгієвич, Захарук Зінаїда Іванівна

МПК: C30B 13/10, C30B 13/12, C30B 1/00 ...

Мітки: процес, отримання, in2hg3te6, монокристалів

Формула / Реферат:

Процес отримання монокристалів In2Hg3Te6, що складається з етапів синтезу вихідних компонентів In, Hg, Те та зонної перекристалізації синтезованого злитку, який відрізняється тим, що на етапі синтезу вихідних компонентів спочатку синтезують злитки Іn2Те3 при температурі Т1=(690±2)°С та HgTe при температурі Т2=(740±2)°С та наступне їх сплавлення в стехіометричному складі у злиток In2Hg3Te6 при температурі Т3=(776±2)°С, при цьому час синтезу...

Спосіб оптимізації параметрів росту для вирощування монокристалів методом кіропулоса

Завантаження...

Номер патенту: 103465

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Кривоносов Євген Володимирович, Коневський Павло Вячеславович

МПК: C30B 15/20, C30B 17/00, C30B 15/00 ...

Мітки: оптимізації, методом, росту, кіропулоса, параметрів, вирощування, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб оптимізації параметрів росту для вирощування монокристалів методом Кіропулоса, який відрізняється тим, що для кожного кристалу, який вирощено на конкретній установці, яку оснащено системою автоматичного регулювання потужності на нагріванні та реєстрації набору ваги кристала, що росте, по геометричній формі кристала і динаміці набору його ваги створюють віртуальний образ (комп'ютерну модель) процесу кристалізації, припускаючи форму...

Спосіб вирощування монокристалів biv0,92nb0,08o4

Завантаження...

Номер патенту: 110209

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Поздєєв Іван Володимирович, Агарков Костянтин Володимирович, Поздєєв Володимир Григорович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/22, C30B 29/30 ...

Мітки: монокристалів, вирощування, спосіб, bіv0,92nb0,08o4

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів BiV0,92Nb0,08O4, який включає приготування шихти із суміші оксидів, двостадійного відпалу при температурах 1000 і 1100 К протягом 6 год., плавлення шихти при температурі 1250-1280 К, витримки розплаву протягом 1-3 годин та вирощування за методом Чохральського, який відрізняється тим, що у шихту додають 8 мол. % пентаоксиду ніобію, а кристали вирощують зі швидкістю витягування 0,1-0,6 мм/год., та...

Спосіб одержання йодиду таллію з відходів виробництва монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 102947

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Дацько Юрій Миколайович, Чергінець Віктор Леонідович, Бояринцев Андрій Юрійович, Реброва Тетяна Павлівна

МПК: C01G 9/00, C01G 15/00

Мітки: виробництва, одержання, відходів, таллію, монокристалів, спосіб, йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання йодиду Талію, що включає очистку відходів виробництва монокристалів від механічних включень і розчинних домішок, одержання розчину тетрайодоталату Натрію шляхом розчинення осаду йодиду Талію у водному розчині йоду та йодиду Натрію, осадження йодиду Талію розчином гідропероксиду Натрію, який відрізняється тим, що перед стадією осадження йодиду Талію в розчин тетрайодоталату Талію додають комплексоутворювач - натрієву соль...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 109136

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Севрюков Дмитро Володимирович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/04

Мітки: купрум(і)гексатіофосфату, спосіб, кристалізації, cu7ps6, монокристалів, спрямовано, розплаву, методом, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що проводять нагрівання до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при цьому...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: йодиду, спосіб, спрямовано, методом, монокристалів, кристалізації, вирощування, розплаву, купрум(і)пентатіофосфату(v, cu6ps5i

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: розплаву, вирощування, кристалізації, монокристалів, купрум(і)пентатіофосфату(v, броміду, спосіб, cu6ps5br, спрямовано, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Пристрій для витягування монокристалів з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108420

Опубліковано: 27.04.2015

Автор: Заславський Борис Григорович

МПК: C30B 15/02, C30B 35/00

Мітки: пристрій, розплаву, монокристалів, витягування

Формула / Реферат:

Пристрій для витягування монокристалів з розплаву, що містить ростову камеру і розміщені в ній конічний тигель для розплаву і живильник у вигляді тора, розташований коаксіально тиглю, з'єднаний з ним через дозатор транспортною трубкою, введеною вертикально в дозатор через його дно, при цьому електроконтактний щуп введений через кришку ростової камери і електрично з'єднаний з входом блока управління підживленням, донний нагрівач, підключений...

Спосіб одержання йодиду цезію або йодиду натрію для вирощування монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 98077

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Гектін Олександр Вульфович, Любинський Вадим Рувинович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C01B 9/00, C01D 3/12

Мітки: одержання, натрію, вирощування, цезію, спосіб, монокристалів, йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання йодиду цезію або йодиду натрію для вирощування монокристалів, що включає проведення хімічної взаємодії йоду з гідроксидом цезію або з гідроксидом натрію у присутності перекису водню, сушіння одержаної сировини, який відрізняється тим, що для поліпшення якості вихідного продукту за рахунок ліквідації остаточної вологи в сировині остаточне сушіння сировини проводять безпосередньо в бункерах для засипки в ростову установку при...

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів

Завантаження...

Номер патенту: 108015

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Пузіков Андрій Вячеславович, Будніков Олександр Тимофійович, Адонкін Георгій Тимофійович, Данько Олександр Якович, Мірошников Юрій Петрович

МПК: C30B 15/14, C30B 29/16

Мітки: монокристалів, тугоплавких, оксидів, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів, що включає горизонтально спрямовану кристалізацію розплаву в захисній атмосфері, яка містить оксид вуглецю, при тиску 10-30 Па, який відрізняється тим, що концентрацію азоту в захисній атмосфері забезпечують не вище 2 об. %, а кристалізацію здійснюють при потужності нагрівача над вільною поверхнею розплаву збільшеною на 20-25 % у порівнянні і нижньою частиною розплаву.

Спосіб одержання монокристалів (ga55, in45)2s300

Завантаження...

Номер патенту: 95507

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Галян Володимир Володимирович, Олексеюк Іван Дмитрович, Данилюк Ірина Вікторівна, Панкевич Володимир Зіновійович, Іващенко Інна Алімівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: одержання, ga55, монокристалів, in45)2s300, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів (Ga55, Іn45)2S300, який передбачає складання шихти з простих речовин, Ga, In, S, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, до складу якого входять Ga, In, S, який відрізняється тим, що шихту складають з елементарних складових високого ступеню частоти (99,9999 %), синтезують їх сплав при температурі 1250 К, а ріст монокристалів здійснюють методом Бріджмена у...

Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів

Завантаження...

Номер патенту: 95506

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Панкевич Володимир Зіновійович, Данилюк Ірина Вікторівна, Іващенко Інна Алімівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Галян Володимир Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: одержання, халькогінідних, монокристалів, спосіб, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів, що включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала...