Патенти з міткою «монокристалічного»

Окулярні лінзи із оптичного (монокристалічного) лейкосапфіру

Завантаження...

Номер патенту: 109236

Опубліковано: 25.08.2016

Автор: Варцаба Ігор Володимирович

МПК: G02C 7/00

Мітки: оптичного, монокристалічного, лінзи, окулярні, лейкосапфіру

Формула / Реферат:

Окулярні лінзи із оптичного (монокристалічного) лейкосапфіру (a-А12О3), які відрізняються тим, що за своїми оптичними (втрати на відбивання складають лише 14 %, показник заломлення - 1,75, число Аббе - 74, у стандартних стекол, що використовують для виготовлення лінз, 70-75 Гпа) та механічними (твердість по шкалі Мооса 9, модуль Юнга 335 - ГПа) характеристиками переважають традицій неорганічні та органічні матеріали, що використовують...

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка великого діаметра за методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 103707

Опубліковано: 11.11.2013

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C23C 4/04, C30B 29/06, C30B 15/10 ...

Мітки: методом, підготовки, вирощування, злитка, великого, монокристалічного, спосіб, чохральського, діаметра, тигля

Формула / Реферат:

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка великого діаметра за методом Чохральського, що включає формування барійвмісного покриття напилюванням суспензії з гідроксиду барію у атмосфері повітря на внутрішній і зовнішній поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 130-150 °C, який відрізняється тим, що на внутрішній поверхні тигля формують барійвмісне покриття з розрахунку 1,5-2,0 mМ гідроксиду барію на 1000 см2,...

Способи кристалографічної переорієнтації монокристалічного тіла

Завантаження...

Номер патенту: 98967

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Джонс Крістофер Д., Джіндхарт Девід І., Сімпсон Метью А., Аркона Крістофер, Танікелла Брахманандам В.

МПК: B24B 49/00, B28D 5/00, B24B 7/00 ...

Мітки: тіла, кристалографічно, монокристалічного, способи, переорієнтації

Формула / Реферат:

1. Спосіб зміни кристалографічної орієнтації монокристалічного тіла, який включає: вивчення кристалографічної орієнтації монокристалічного тіла;обрахування кута неузгодженої орієнтації між вибраним кристалографічним напрямком монокристалічного тіла і проекцією цього кристалографічного напрямку на площину першої зовнішньої основної поверхні монокристалічного тіла;фіксацію монокристалічного тіла в положенні, що є нахиленим...

Спосіб підвищення ккд монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача

Завантаження...

Номер патенту: 60406

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Кіріченко Михайло Валерійович, Зайцев Роман Валентинович, Лісачук Георгій Вікторович, Хрипунов Геннадій Семенович, Копач Володимир Романович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: монокристалічного, фотоелектричного, ккд, підвищення, перетворювача, кремнієвого, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення ККД монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача, який включає обробку фотоелектричного перетворювача у стаціонарному магнітному полі індукцією більше 0,1 Тл, який відрізняється тим, що після обробки у стаціонарному магнітному полі на тильну поверхню монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача наносять магнітний вініл.

Спосіб одержання високочистого монокристалічного кремнію методом безтигельного зонного плавлення та установка для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 94343

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Севастьянов Володимир Валентинович, Ракитянський Віктор Сергійович, Бакай Едуард Аполінарійович, Крапивко Микола Олександрович, Богомаз Валерій Ігоревич, Осауленко Микола Федорович

МПК: H05B 6/00, C30B 13/00, C01B 33/00 ...

Мітки: безтигельного, методом, плавлення, спосіб, зонного, кремнію, високочистого, здійснення, установка, монокристалічного, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високочистого монокристалічного кремнію методом безтигельного зонного плавлення, який відрізняється тим, що технологічний процес рафінування металургійного кремнію здійснюють, використовуючи для цього щонайменше два аналогічних пристрої, при цьому після закінчення підготовки першого пристрою до процесу рафінування та початку технологічного процесу рафінування металургійного кремнію, автоматично включають другий...

Нелінійно-оптичний матеріал на основі монокристалічного kdp

Завантаження...

Номер патенту: 49798

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Колибаєва Марія Іванівна, Притула Ігор Михайлович, Копиловський Максим Андрійович, Косінова Анна Володимирівна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Гайворонський Володимир Ярославович

МПК: G02F 1/35, C30B 7/00

Мітки: монокристалічного, матеріал, основі, нелінійно-оптичний

Формула / Реферат:

Нелінійно-оптичний матеріал на основі монокристалічного KDP, що містить домішку, який відрізняється тим, що як домішки матеріал містить нанокристали ТіO2 (у модифікації анатазу) розміром 5-25 нм у концентрації 10-4-10-5 мас. %.

Спосіб розділення бруса монокристалічного зливка на пластини методом лазерного терморозколювання

Завантаження...

Номер патенту: 38483

Опубліковано: 12.01.2009

Автор: Волосянко Валентин Дмитрович

МПК: C30B 33/00, C03B 29/00

Мітки: методом, лазерного, монокристалічного, пластини, терморозколювання, розділення, зливка, спосіб, бруса

Формула / Реферат:

Спосіб розділення бруса монокристалічного зливка на пластини методом лазерного терморозколювання, який відрізняється тим, що включає вирізання з монокристалічного зливка бруса довжиною, кратною товщині пластин, попередньо перед розділенням проведення термічних процесів, нагрівання та швидкого охолодження бруса монокристалічного зливка (режим нагрівання та охолодження підбираються в залежності від матеріалу та розміру бруса), застосування...

Спосіб пасивації поверхні монокристалічного германію

Завантаження...

Номер патенту: 30404

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Манойлов Едуард Геннадійович, Свєчніков Сергій Васильович, Бєгун Євгенія Валеріївна, Каганович Елла Борисівна, Болгов Сергій Семенович

МПК: H01L 21/02

Мітки: пасивації, спосіб, поверхні, монокристалічного, германію

Формула / Реферат:

Спосіб пасивації поверхні монокристалічного германію, що включає вилучення природного оксиду германію з його поверхні та формування пасивуючого шару, який відрізняється тим, що наносять пасивуючий шар у вигляді легованої золотом плівки оксиду германію, що містить напівпровідникові наночастинки германію товщиною 50-500 нм методом імпульсного лазерного осадження із зворотного потоку частинок ерозійного факела шляхом розташування Ge підкладки в...

Спосіб пасивації поверхні монокристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 25457

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Коганович Елла Борисівна, Чирчик Сергій Васильович, Кізяк Ірина Миронівна, Бєгун Євгенія Валеріївна, Малютенко Володимир Костянтинович, Манойлов Едуард Геннадійович

МПК: H01L 21/02

Мітки: спосіб, пасивації, кремнію, монокристалічного, поверхні

Формула / Реферат:

Спосіб пасивації поверхні монокристалічного кремнію, що включає вилучення природного оксиду кремнію з його поверхні, нанесення оксидної плівки та активацію межі її розподілу з кремнієм, який відрізняється тим, що природний оксид кремнію видаляють травленням поверхні кремнію в 25-50 % HF розчині протягом 3-10 хвилин при кімнатній температурі, нанесення оксидної плівки та активацію межі її розподілу з кремнієм проводять одностадійно...

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 77594

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Коломоєць Сергій Дмитрович, Шульга Юрій Григорович, Куликовський Едуард Володимирович, Шифрук Олександр Сергійович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/10

Мітки: спосіб, монокристалічного, чохральського, тигля, методом, злитка, вирощування, підготовки

Формула / Реферат:

1. Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом Чохральського, який включає формування барієвмісного покриття з гідроксиду барію на внутрішній і/або зовнішній поверхні нагрітого кварцового тигля, який відрізняється тим, що зазначене формування барієвмісного покриття здійснюють на поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 100-150 °С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що формування...

Спосіб виготовлення підкладок із монокристалічного корунду

Завантаження...

Номер патенту: 68069

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Блецкан Олександр Дмитрович, Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: G03C 7/04, C30B 33/00, C01F 7/02 ...

Мітки: монокристалічного, спосіб, підкладок, корунду, виготовлення

Формула / Реферат:

The invention relates to a method for collecting and evacuating run-off water from the inner arc of the strand guide (8) of a beam blank casting machine, according to which the cast strand (2) is solidified and the required dissipation of heat is achieved, among other things, by sprayed water, whereby run-off water can also collect on the inner arc of-the strand (2). The run-off water is collected using a suction head (1). The run-off water...

Спосіб виготовлення монокристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 39567

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Немчин Олександр Федорович, Мокеєв Юрій Генадійович

МПК: C30B 15/20, C30B 29/06

Мітки: кремнію, виготовлення, монокристалічного, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення монокристалічного кремнію, що включає розплавлення вихідного матеріалу, обертання розплаву i витягування кристала з розплаву, який відрізняється тим, що визначають відстань від початкового рівня розплаву до верхнього краю тигля, процес ведуть із зміною зазначеної відстані при початковій частоті обертання тигля, меншій за таку для кристала, з поступовим збільшенням частоти обертання тигля відносно кристала i відповідною...

Спосіб виготовлення підкладок із монокристалічного корунду (a-al2o3)

Завантаження...

Номер патенту: 68069

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Блецкан Олександр Дмитрович, Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: G03C 7/04, C01F 7/02, C30B 33/00 ...

Мітки: підкладок, виготовлення, корунду, спосіб, монокристалічного, a-al2o3

Формула / Реферат:

The invention relates to a method for collecting and evacuating run-off water from the inner arc of the strand guide (8) of a beam blank casting machine, according to which the cast strand (2) is solidified and the required dissipation of heat is achieved, among other things, by sprayed water, whereby run-off water can also collect on the inner arc of-the strand (2). The run-off water is collected using a suction head (1). The run-off water...

Оптичний матеріал на основі монокристалічного твердого розчину zn1-xmgxse

Завантаження...

Номер патенту: 46429

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Федоренко Ольга Олександрівна

МПК: C30B 11/08, C30B 11/00

Мітки: оптичний, твердого, основі, розчину, матеріал, монокристалічного, zn1-xmgxse

Формула / Реферат:

Оптичний матеріал на основі монокристалічного твердого розчину Zn1-XMgХSe, який відрізняється тим, що концентрація Mg у кристалі становить 0,10х0,13.

Спосіб виготовлення підкладок із монокристалічного корунда (a-al2o3 )

Завантаження...

Номер патенту: 44675

Опубліковано: 15.02.2002

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Машков Андрій Іванович, Краус Володимир Антонович, Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Олександр Дмитрович

МПК: G03C 7/04, C01F 7/00

Мітки: a-al2o3, виготовлення, монокристалічного, підкладок, корунда, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення підкладок із монокристалічного корунду (), що включає розкрій монокристалічного злитка, калібрування циліндричної поверхні, підготовки торцевих поверхонь заданої кристалографічної орієнтації, шліфування базового зрізу та розділення злитка, на пластини, який відрізняється тим, що з монокристалічного злитка, вирізають пряму призму, основа якої є площиною...

Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту

Завантаження...

Номер патенту: 26948

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 15/02

Мітки: кремнію, росту, монокристалічного, монокристалів, одержання, спосіб, порушенні

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту, що включає витягування злитка з розплаву на затравку, відрив його розплаву, відділення злитка від затравки, підживлення розплаву і витягування наступного злитка, який відрізняється тим, що при витягуванні злитка контролюють морфологію його поверхні і при фіксуванні зникнення або переривання росту граней монокристалу здійснюють зазначений відрив від розплаву.