Патенти з міткою «монокристалічного»

Окулярні лінзи із оптичного (монокристалічного) лейкосапфіру

Завантаження...

Номер патенту: 109236

Опубліковано: 25.08.2016

Автор: Варцаба Ігор Володимирович

МПК: G02C 7/00

Мітки: монокристалічного, лейкосапфіру, оптичного, лінзи, окулярні

Формула / Реферат:

Окулярні лінзи із оптичного (монокристалічного) лейкосапфіру (a-А12О3), які відрізняються тим, що за своїми оптичними (втрати на відбивання складають лише 14 %, показник заломлення - 1,75, число Аббе - 74, у стандартних стекол, що використовують для виготовлення лінз, 70-75 Гпа) та механічними (твердість по шкалі Мооса 9, модуль Юнга 335 - ГПа) характеристиками переважають традицій неорганічні та органічні матеріали, що використовують...

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка великого діаметра за методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 103707

Опубліковано: 11.11.2013

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, C23C 4/04, C30B 15/10 ...

Мітки: методом, діаметра, монокристалічного, вирощування, чохральського, злитка, великого, спосіб, тигля, підготовки

Формула / Реферат:

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка великого діаметра за методом Чохральського, що включає формування барійвмісного покриття напилюванням суспензії з гідроксиду барію у атмосфері повітря на внутрішній і зовнішній поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 130-150 °C, який відрізняється тим, що на внутрішній поверхні тигля формують барійвмісне покриття з розрахунку 1,5-2,0 mМ гідроксиду барію на 1000 см2,...

Способи кристалографічної переорієнтації монокристалічного тіла

Завантаження...

Номер патенту: 98967

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Аркона Крістофер, Танікелла Брахманандам В., Джіндхарт Девід І., Джонс Крістофер Д., Сімпсон Метью А.

МПК: B24B 7/00, B28D 5/00, B24B 49/00 ...

Мітки: монокристалічного, переорієнтації, способи, кристалографічно, тіла

Формула / Реферат:

1. Спосіб зміни кристалографічної орієнтації монокристалічного тіла, який включає: вивчення кристалографічної орієнтації монокристалічного тіла;обрахування кута неузгодженої орієнтації між вибраним кристалографічним напрямком монокристалічного тіла і проекцією цього кристалографічного напрямку на площину першої зовнішньої основної поверхні монокристалічного тіла;фіксацію монокристалічного тіла в положенні, що є нахиленим...

Спосіб підвищення ккд монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача

Завантаження...

Номер патенту: 60406

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Кіріченко Михайло Валерійович, Хрипунов Геннадій Семенович, Копач Володимир Романович, Зайцев Роман Валентинович, Лісачук Георгій Вікторович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: спосіб, монокристалічного, кремнієвого, підвищення, фотоелектричного, ккд, перетворювача

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення ККД монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача, який включає обробку фотоелектричного перетворювача у стаціонарному магнітному полі індукцією більше 0,1 Тл, який відрізняється тим, що після обробки у стаціонарному магнітному полі на тильну поверхню монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача наносять магнітний вініл.

Спосіб одержання високочистого монокристалічного кремнію методом безтигельного зонного плавлення та установка для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 94343

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Осауленко Микола Федорович, Бакай Едуард Аполінарійович, Крапивко Микола Олександрович, Ракитянський Віктор Сергійович, Богомаз Валерій Ігоревич, Севастьянов Володимир Валентинович

МПК: H05B 6/00, C30B 13/00, C01B 33/00 ...

Мітки: здійснення, безтигельного, установка, плавлення, методом, монокристалічного, високочистого, зонного, кремнію, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високочистого монокристалічного кремнію методом безтигельного зонного плавлення, який відрізняється тим, що технологічний процес рафінування металургійного кремнію здійснюють, використовуючи для цього щонайменше два аналогічних пристрої, при цьому після закінчення підготовки першого пристрою до процесу рафінування та початку технологічного процесу рафінування металургійного кремнію, автоматично включають другий...

Нелінійно-оптичний матеріал на основі монокристалічного kdp

Завантаження...

Номер патенту: 49798

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Притула Ігор Михайлович, Гайворонський Володимир Ярославович, Колибаєва Марія Іванівна, Косінова Анна Володимирівна, Копиловський Максим Андрійович

МПК: G02F 1/35, C30B 7/00

Мітки: матеріал, монокристалічного, основі, нелінійно-оптичний

Формула / Реферат:

Нелінійно-оптичний матеріал на основі монокристалічного KDP, що містить домішку, який відрізняється тим, що як домішки матеріал містить нанокристали ТіO2 (у модифікації анатазу) розміром 5-25 нм у концентрації 10-4-10-5 мас. %.

Спосіб розділення бруса монокристалічного зливка на пластини методом лазерного терморозколювання

Завантаження...

Номер патенту: 38483

Опубліковано: 12.01.2009

Автор: Волосянко Валентин Дмитрович

МПК: C03B 29/00, C30B 33/00

Мітки: терморозколювання, бруса, монокристалічного, лазерного, методом, розділення, зливка, пластини, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб розділення бруса монокристалічного зливка на пластини методом лазерного терморозколювання, який відрізняється тим, що включає вирізання з монокристалічного зливка бруса довжиною, кратною товщині пластин, попередньо перед розділенням проведення термічних процесів, нагрівання та швидкого охолодження бруса монокристалічного зливка (режим нагрівання та охолодження підбираються в залежності від матеріалу та розміру бруса), застосування...

Спосіб пасивації поверхні монокристалічного германію

Завантаження...

Номер патенту: 30404

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Бєгун Євгенія Валеріївна, Каганович Елла Борисівна, Болгов Сергій Семенович, Манойлов Едуард Геннадійович, Свєчніков Сергій Васильович

МПК: H01L 21/02

Мітки: спосіб, монокристалічного, германію, поверхні, пасивації

Формула / Реферат:

Спосіб пасивації поверхні монокристалічного германію, що включає вилучення природного оксиду германію з його поверхні та формування пасивуючого шару, який відрізняється тим, що наносять пасивуючий шар у вигляді легованої золотом плівки оксиду германію, що містить напівпровідникові наночастинки германію товщиною 50-500 нм методом імпульсного лазерного осадження із зворотного потоку частинок ерозійного факела шляхом розташування Ge підкладки в...

Спосіб пасивації поверхні монокристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 25457

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Коганович Елла Борисівна, Малютенко Володимир Костянтинович, Манойлов Едуард Геннадійович, Бєгун Євгенія Валеріївна, Чирчик Сергій Васильович, Кізяк Ірина Миронівна

МПК: H01L 21/02

Мітки: поверхні, монокристалічного, спосіб, кремнію, пасивації

Формула / Реферат:

Спосіб пасивації поверхні монокристалічного кремнію, що включає вилучення природного оксиду кремнію з його поверхні, нанесення оксидної плівки та активацію межі її розподілу з кремнієм, який відрізняється тим, що природний оксид кремнію видаляють травленням поверхні кремнію в 25-50 % HF розчині протягом 3-10 хвилин при кімнатній температурі, нанесення оксидної плівки та активацію межі її розподілу з кремнієм проводять одностадійно...

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом чохральського

Завантаження...

Номер патенту: 77594

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Куликовський Едуард Володимирович, Коломоєць Сергій Дмитрович, Шульга Юрій Григорович, Шифрук Олександр Сергійович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/10, C30B 29/06

Мітки: чохральського, спосіб, методом, монокристалічного, вирощування, злитка, підготовки, тигля

Формула / Реферат:

1. Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом Чохральського, який включає формування барієвмісного покриття з гідроксиду барію на внутрішній і/або зовнішній поверхні нагрітого кварцового тигля, який відрізняється тим, що зазначене формування барієвмісного покриття здійснюють на поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 100-150 °С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що формування...

Спосіб виготовлення підкладок із монокристалічного корунду

Завантаження...

Номер патенту: 68069

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Блецкан Олександр Дмитрович, Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C01F 7/02, G03C 7/04, C30B 33/00 ...

Мітки: монокристалічного, корунду, спосіб, виготовлення, підкладок

Формула / Реферат:

The invention relates to a method for collecting and evacuating run-off water from the inner arc of the strand guide (8) of a beam blank casting machine, according to which the cast strand (2) is solidified and the required dissipation of heat is achieved, among other things, by sprayed water, whereby run-off water can also collect on the inner arc of-the strand (2). The run-off water is collected using a suction head (1). The run-off water...

Спосіб виготовлення монокристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 39567

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Немчин Олександр Федорович, Мокеєв Юрій Генадійович

МПК: C30B 15/20, C30B 29/06

Мітки: кремнію, виготовлення, монокристалічного, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення монокристалічного кремнію, що включає розплавлення вихідного матеріалу, обертання розплаву i витягування кристала з розплаву, який відрізняється тим, що визначають відстань від початкового рівня розплаву до верхнього краю тигля, процес ведуть із зміною зазначеної відстані при початковій частоті обертання тигля, меншій за таку для кристала, з поступовим збільшенням частоти обертання тигля відносно кристала i відповідною...

Спосіб виготовлення підкладок із монокристалічного корунду (a-al2o3)

Завантаження...

Номер патенту: 68069

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович, Блецкан Олександр Дмитрович

МПК: C01F 7/02, G03C 7/04, C30B 33/00 ...

Мітки: спосіб, підкладок, корунду, монокристалічного, виготовлення, a-al2o3

Формула / Реферат:

The invention relates to a method for collecting and evacuating run-off water from the inner arc of the strand guide (8) of a beam blank casting machine, according to which the cast strand (2) is solidified and the required dissipation of heat is achieved, among other things, by sprayed water, whereby run-off water can also collect on the inner arc of-the strand (2). The run-off water is collected using a suction head (1). The run-off water...

Оптичний матеріал на основі монокристалічного твердого розчину zn1-xmgxse

Завантаження...

Номер патенту: 46429

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Федоренко Ольга Олександрівна

МПК: C30B 11/08, C30B 11/00

Мітки: монокристалічного, zn1-xmgxse, розчину, матеріал, твердого, основі, оптичний

Формула / Реферат:

Оптичний матеріал на основі монокристалічного твердого розчину Zn1-XMgХSe, який відрізняється тим, що концентрація Mg у кристалі становить 0,10х0,13.

Спосіб виготовлення підкладок із монокристалічного корунда (a-al2o3 )

Завантаження...

Номер патенту: 44675

Опубліковано: 15.02.2002

Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Олександр Дмитрович, Краус Володимир Антонович, Машков Андрій Іванович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: C01F 7/00, G03C 7/04

Мітки: спосіб, корунда, монокристалічного, виготовлення, підкладок, a-al2o3

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення підкладок із монокристалічного корунду (), що включає розкрій монокристалічного злитка, калібрування циліндричної поверхні, підготовки торцевих поверхонь заданої кристалографічної орієнтації, шліфування базового зрізу та розділення злитка, на пластини, який відрізняється тим, що з монокристалічного злитка, вирізають пряму призму, основа якої є площиною...

Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту

Завантаження...

Номер патенту: 26948

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 15/02

Мітки: росту, монокристалів, одержання, порушенні, монокристалічного, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів кремнію при порушенні монокристалічного росту, що включає витягування злитка з розплаву на затравку, відрив його розплаву, відділення злитка від затравки, підживлення розплаву і витягування наступного злитка, який відрізняється тим, що при витягуванні злитка контролюють морфологію його поверхні і при фіксуванні зникнення або переривання росту граней монокристалу здійснюють зазначений відрив від розплаву.