Патенти з міткою «монокристала»

Спосіб одержання монокристала сплаву вольфрам-тантал

Завантаження...

Номер патенту: 106179

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Засімчук Ігор Костянтинович, Матвієнко Леонід Федорович, Дехтяр Олександр Ілліч

МПК: C22C 27/00, C30B 29/10, C30B 13/34 ...

Мітки: вольфрам-тантал, одержання, сплаву, спосіб, монокристала

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристала сплаву вольфрам-тантал, що включає виготовлення штабиків гідростатичним пресуванням попередньо змішаних порошків вольфраму і танталу впродовж 200-300 секунд, наступну термічну обробку штабиків у вакуумі з залишковим тиском Р≤8,10-3 Па, спікання штабиків у вакуумі при температурі Т≥1500 °C впродовж не менше двох годин з наступним охолодженням зі швидкістю 300 °C/годину, переплавлення...

Спосіб одержання монокристала сплаву вольфрам-тантал

Завантаження...

Номер патенту: 87727

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Засімчук Ігор Костянтинович, Дехтяр Олександр Ілліч, Матвієнко Леонід Федорович

МПК: C30B 13/00, C22C 27/00, C30B 28/00 ...

Мітки: спосіб, монокристала, одержання, сплаву, вольфрам-тантал

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристала сплаву вольфрам-тантал, що включає виготовлення штабиків гідростатичним пресуванням попередньо змішаних порошків вольфраму і танталу впродовж 200-300 секунд, наступну термічну обробку штабиків у вакуумі з залишковим тиском Р£8.10-3Па, спікання штабиків у вакуумі при температурі Т³1500 °C впродовж не менше двох годин з наступним охолодженням зі швидкістю 300 °C/годину, переплавлення...

Спосіб візуалізації орієнтаційної неоднорідності та морфології поверхні монокристала або окремих зерен полікристала

Завантаження...

Номер патенту: 104249

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Шеховцов Олег Валерійович, Зєтова Тетяна Расімовна, Казачкова Катерина Станіславівна, Шурінов Роман Володимирович, Тонкопряд Алла Григорівна, Бадіян Євген Юхимович

МПК: G01N 33/20, G01N 21/00

Мітки: орієнтаційної, поверхні, окремих, неоднорідності, візуалізації, спосіб, морфології, монокристала, зерен, полікристала

Формула / Реферат:

Спосіб візуалізації орієнтаційної неоднорідності та морфології поверхні монокристала або окремих зерен полікристала, який включає виявлення, шляхом хімічного травлення, квазіперіодичної структури поверхні досліджуваного зразка, характеристики якої визначені його кристалографічною орієнтацією, освітлювання досліджуваної поверхні зразка білим світлом та реєстрацію за допомогою цифрової фотокамери та комп'ютера колірних орієнтаційних карт в...

Спосіб визначення розподілу домішок в об’ємі монокристала

Завантаження...

Номер патенту: 78213

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Молодкін Вадим Борисович, Богданов Євген Іванович, Мазанко Володимир Федорович, Храновська Катерина Миколаївна, Низкова Ганна Іванівна, Богданов Сергій Євгенович

МПК: G01N 23/00, G01N 13/00, G01N 23/20 ...

Мітки: розподілу, визначення, монокристала, домішок, об'ємі, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення розподілу домішок в об'ємі монокристала, що включає опромінення монокристала випромінюванням, реєстрацію випромінювання, розрахунок концентрації домішок в монокристалі, який відрізняється тим, що опромінювання монокристала здійснюють рентгенівським випромінюванням, послідовно видаляють шари монокристала товщиною порядку 3-5 довжин абсорбції, вимірюють інтенсивність дифракційних рентгенівських ліній у кожному шарі, визначають...

Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату калію та детектор на його основі

Завантаження...

Номер патенту: 96896

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Бабенко Галина Миколаївна, Сало Віталій Іванович, Воронов Олексій Петрович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: G01T 1/202

Мітки: основі, детектор, матеріал, сцинтиляційний, калію, монокристала, дигідрофосфату

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату калію, який відрізняється тим, що додатково активований церієорганічним комплексом з коефіцієнтом когерентної спряженості від  до , причому концентрація церію (Се) в монокристалі складає від 0,01 до 0,001 мас. %.2. Сцинтиляційний...

Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату амонію та детектор на його основі

Завантаження...

Номер патенту: 96894

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Сало Віталій Іванович, Воронов Олексій Петрович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: G01T 1/202

Мітки: матеріал, амонію, дигідрофосфату, сцинтиляційний, основі, монокристала, детектор

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату амонію, який відрізняється тим, що монокристал дигідрофосфату амонію додатково активований талієм, причому концентрація активатора в монокристалі складає від 0,1 до 1,0 мас. %.2. Сцинтиляційний детектор, який містить сцинтиляційний елемент, оптично з'єднаний з фотоприймачем, який відрізняється тим, що сцинтиляційний елемент виготовлений з монокристала дигідрофосфату...

Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату калію та детектор на його основі

Завантаження...

Номер патенту: 96893

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Сало Віталій Іванович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Воронов Олексій Петрович

МПК: G01T 1/20

Мітки: матеріал, сцинтиляційний, детектор, монокристала, дигідрофосфату, основі, калію

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату калію, який відрізняється тим, що монокристал дигідрофосфату калію додатково активований талієм (Тl), причому концентрація активатора Тl в монокристалі складає від 0,01 до 0,1 мас. %.2. Сцинтиляційний детектор, який містить сцинтиляційний елемент, оптично з'єднаний з фотоприймачем, який відрізняється тим, що сцинтиляційний елемент виготовлений з монокристала...

Спосіб одержання монокристала вольфрамату магнію, зокрема сцинтиляційного, і детектор на його основі

Завантаження...

Номер патенту: 90642

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Даневич Федір Анатолійович, Гриньов Борис Вікторович, Вострецов Юрій Якович, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Дубовік Олександр Михайлович

МПК: C30B 15/00, G01T 1/15

Мітки: зокрема, детектор, спосіб, основі, вольфрамату, монокристала, сцинтиляційного, магнію, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристала вольфрамату магнію, зокрема сцинтиляційного, що включає приготування розчину-розплаву шляхом змішування еквімолярної кількості порошків Na2WO4, WO3 і MgO, розплавлення суміші при температурі 1100-1350 °С з подальшим охолоджуванням, який відрізняється тим, що охолоджування проводять до температури 950-1050 °С, після чого здійснюють витягування монокристала на затравку, що обертається, із швидкістю 0,05-1...

Спосіб визначення кристалографічної орієнтації монокристала

Завантаження...

Номер патенту: 88419

Опубліковано: 12.10.2009

Автори: Кондратьєв Сергій Павлович, Данільченко Віталій Юхимович, Бондар Володимир Йосипович

МПК: G01N 23/20

Мітки: монокристала, визначення, орієнтації, спосіб, кристалографічно

Формула / Реферат:

Спосіб визначення кристалографічної орієнтації монокристала, який включає нерухоме закріплення монокристала в гоніометричній головці рентгенівської камери обертання, опромінення монокристала пучком немонохроматизованих характеристичних рентгенівських променів, реєстрацію дифракційної картини монокристала, що обертається, побудову його полюсної фігури і визначення кутового положення кристалографічних площин, який відрізняється тим, що...

Спосіб виготовлення підкладок із монокристала сапфіра

Завантаження...

Номер патенту: 86156

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: C30B 33/00, B28D 5/00, C01F 7/00 ...

Мітки: сапфіра, монокристала, підкладок, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення підкладок із монокристала сапфіра, який включає визначення кристалографічних площин монокристала, виготовлення з нього циліндричної заготовки, основа якої є площиною епітаксії, виготовлення базової площини шляхом плоского шліфування, розділення циліндричної заготовки на пластини та подальше доведення їх до заданих товщини, діаметра і чистоти поверхні механічним шліфуванням та поліруванням, який відрізняється тим, що після...

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,3in0,7)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Завантаження...

Номер патенту: 34945

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/08

Мітки: монокристала, оптоелектроніки, галію-індію, розчину, застосування, селеніду, пристроїв, матеріалу, функціональних, твердого, напівпровідникового, ga0.3in0.7)2se3

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,3Іn0,7)2Sе3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,2in0,8)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Завантаження...

Номер патенту: 30108

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/00

Мітки: монокристала, галію-індію, матеріалу, застосування, селеніду, твердого, напівпровідникового, оптоелектроніки, розчину, ga0,2in0,8)2se3, пристроїв, функціональних

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію  як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga 0,1 in 0,9)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Завантаження...

Номер патенту: 26301

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен

МПК: G01K 17/08

Мітки: функціональних, матеріалу, оптоелектроніки, застосування, напівпровідникового, твердого, 0,9)2se3, селеніду, монокристала, пристроїв, розчину, галію-індію

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію - індію (Ga0.1In0.9)2Se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,4in0,6)2se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 25754

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Феделеш Василь Іванович

МПК: G01K 17/08

Мітки: лазерного, акустооптичного, ga0,4in0,6)2se3, застосування, галію-індію, монокристала, модулятора, твердого, напівпровідникового, випромінювання, розчину, матеріалу, селеніду

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,4Іn0,6)2Se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання.

Процес та апарат для одержання об’ємного монокристала нітриду, що містить галій

Завантаження...

Номер патенту: 78705

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Гарчінскі Єжи, Канбара Ясуо, Двілінскі Роберт Томаш, Дорадзінскі Роман Марек, Сєжпутовскі Лєшек Пьотр

МПК: C30B 7/00, C30B 29/40, C30B 9/00 ...

Мітки: нітриду, монокристала, апарат, містить, одержання, галій, процес, об`ємного

Формула / Реферат:

1. Процес одержання кристала галієвмісного нітриду, який включає наступні стадії:1) подають галієвмісний вихідний матеріал, компонент, що містить лужний метал, принаймні один зародок кристалізації та азотовмісний розчинник у щонайменше один контейнер;2) переводять азотовмісний розчинник у надкритичний стан;3) принаймні частково розчиняють галієвмісний вихідний матеріал при першій температурі і при першому тиску...

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0.3in0.7)2se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 77305

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Краньчец Младен, Феделеш Василь Іванович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01S 3/10, G02F 1/01

Мітки: галію-індію, акустооптичного, твердого, випромінювання, матеріалу, монокристала, лазерного, розчину, напівпровідникового, застосування, ga0.3in0.7)2se3, селеніду, модулятора

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.3In0.7)2Sе3 як матеріалу для акустооптичного модулятора оптичного випромінювання.

Спосіб обробки поверхні пластин монокристала кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 3412

Опубліковано: 15.11.2004

Автор: Крапивко Геннадій Іванович

МПК: H01L 21/26, H01L 31/036

Мітки: спосіб, пластин, обробки, поверхні, монокристала, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні пластин монокристала кремнію шляхом лазерного текстурування, який відрізняється тим, що процес лазерного текстурування проводять одночасно з ростом кристала, причому процес проходить у вакуумі 10-2Па при температурі близько 1300°С.

Спосіб вирощування монокристала кремнію з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 70313

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Шульга Юрій Григорович, Руденко Сергій Васильович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/02

Мітки: вирощування, монокристала, спосіб, розплаву, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристала кремнію з розплаву, що включає формування газового потоку над розплавом у присутності екрана, розташованого над площиною розплаву співвісно вирощуваному монокристалу кремнію, який відрізняється тим, що використовують циліндричний екран, нижній кінець якого розміщують над площиною розплаву на висоті, що розрахована за формулою:h = (А - D) / В, де h - висота розміщення нижнього кінця екрана над...

Спосіб визначення швидкості росту монокристала тригліцинсульфату з розчину

Завантаження...

Номер патенту: 32073

Опубліковано: 16.02.2004

Автори: Трапезнікова Людмила Віталієвна, Тюпа Олександр Іванович, Лукша Олег Васильович

МПК: C30B 7/00, C30B 29/10, G01B 3/00 ...

Мітки: росту, визначення, розчину, швидкості, монокристала, спосіб, тригліцинсульфату

Формула / Реферат:

Спосіб визначення швидкості росту монокристала тригліцинсульфату з розчину, який включає вимір розмірів монокристалу по осях а, b, с, обчислення його об'єму і ваги та зміну їх значень за одиницю часу, проведення визначення розмірів монокристалу вздовж осей а, b, с безпосередньо під час технологічного процесу вирощування монокристала, обчислення його об'єму і ваги в кожний даний момент часу з використанням при цьому експериментально знайдених...

Спосіб вирощування монокристала та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 49479

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Третьяков Олег Вальтерович, Падалко Віктор Григорович, Аніщенко Сергій Євгенович, Оксанич Анатолій Петрович, Притчин Сергій Емільович, Немчин Олександр Федорович, Ларкін Сергій Юрійович, Слюсаренко Оксана Олександрівна

МПК: C30B 15/20

Мітки: здійснення, спосіб, монокристала, пристрій, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристала шляхом керування параметрами зростаючого кристала, що включає відбір відеокамерою зображення ділянки росту монокристала та аналіз зазначеного відеозображення з одержанням даних про параметри розплаву, який відрізняється тим, що з аналізу зазначеного відеозображення додатково одержують дані про діаметр злитка і параметри меніска, визначають дані про зміни температури розплаву, що обумовлюють зміни швидкості...

Спосіб виділення частини зливка вирощеного монокристала кремнію з заданою концентрацією домішки вуглецю

Завантаження...

Номер патенту: 49103

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Бакалець Ігор Павлович

МПК: C30B 33/00, B28D 5/00

Мітки: зливка, частини, вуглецю, концентрацією, заданою, кремнію, виділення, спосіб, монокристала, домішки, вирощеного

Формула / Реферат:

1. Спосіб виділення частини зливка вирощеного монокристала кремнію з заданою концентрацією домішки вуглецю, який включає відділення нижньої конусної частини зливка, визначення концентрації вуглецю на нижньому торці зливка, що утворився, і наступне відділення нижньої частини зливка з концентрацією вуглецю, що перевищує задану, який відрізняється тим, що попередньо визначають масу завантаження шихти для вирощування зливка монокристала,...

Спосіб контролю діаметра монокристала кремнію, вирощуваного з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 49104

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Самохвалов Володимир Олександрович, Куликовський Едуард Володимирович

МПК: C30B 15/20

Мітки: контролю, кремнію, вирощуваного, діаметра, розплаву, спосіб, монокристала

Формула / Реферат:

1. Спосіб контролю діаметра монокристала кремнію, вирощуваного з розплаву, що включає регулювання температурних і швидкісних параметрів процесу вирощування за допомогою системи автоматичного регулювання діаметра, що має у своєму складі оптичний датчик з чутливим елементом, за допомогою якого реєструють зміну напрямку випромінювання від меніска стовпчика розплаву в підкристальній області під час вирощування монокристала, і визначення моменту...

Спосіб вирощування монокристала та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 47988

Опубліковано: 15.07.2002

Автори: Слюсаренко Оксана Олександрівна, Петренко Василь Радиславович, Оксанич Анатолій Петрович, Третьяков Олег Вальтерович, Притчин Сергій Емільович

МПК: C30B 15/20

Мітки: вирощування, монокристала, пристрій, здійснення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристала шляхом керування параметрами зростаючого кристала, у тому числі параметрами його меніска, що включає відбір відеокамерою відеозображення ділянки росту монокристала та аналіз зазначеного відеозображення з одержанням даних про параметри розплаву, який відрізняється тим, що сформовані відеокамерою відеосигнали перетворюють у цифрову форму з прив'язкою до показника яскравості, розподіляють по кольорах і...

Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 26952

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Шульга Юрій Григорович, Ушанкін Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 33/00

Мітки: монокристала, кремнію, обробки, вирощених, спосіб, злитків

Формула / Реферат:

Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію, що включає калібрування злитка, визначення кристалографічних площин злитка з наступним псевдоквадратуванням злитка, який відрізняється тим, що калібрування злитка здійснюють після його псевдоквадратування, а визначення кристалографічних площин здійснюють по морфологічних ознаках вихідного злитка.

Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 26951

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Шульга Юрій Григорович, Ушанкін Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 33/00

Мітки: визначення, зони, бездефектної, монокристала, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію шляхом визначення параметра вирощеного кристала з порушеними гранями росту монокристала, який відрізняється тим, що вимірюють довжину циліндричної частини вирощеного монокристала від її початку до площини зникнення або переривання грані росту монокристала, а довжину бездефектної зони розраховують по формулі:L = kL1,де L - довжина бездефектної зони монокристала;L1 -...

Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала lіf

Завантаження...

Номер патенту: 21026

Опубліковано: 07.10.1997

Автори: Шляхтуров Валерій Вікторович, Мітічкін Анатолій Іванович, Віноград Едуард Львович, Красовицька Іна Моні-Мордківна, Пшуков Адам Музаріфович, Ейдельман Лев Георгійович, Чаркіна Тамара Олександрівна, Гаврін Володимир Миколайович, Горелецькій Валентин Іванович, Угланова Валентина Володимирівна, Кудін Олександр Михайлович, Тарасов Володимир Олексійович

МПК: G01T 1/202

Мітки: матеріал, сцинтиляційний, основі, монокристала

Формула / Реферат:

1. Сцинтилляционный материал на основе монокристалла LiF, содержащий активирующую добавку, отличающийся тем, что в качестве активирующей добавки содержит оксиды поливалентных металлов при следующем соотношении компонентов, мол.%:2. сцинтилляционный материал на основе монокристалла LіF по п. 1, отличающийся тем, что в качестве активирующей добавки содержит оксид титана, при следующем соотношении компонентов,...