Патенти з міткою «монокристала»

Спосіб одержання монокристала сплаву вольфрам-тантал

Завантаження...

Номер патенту: 106179

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Дехтяр Олександр Ілліч, Засімчук Ігор Костянтинович, Матвієнко Леонід Федорович

МПК: C30B 29/10, C30B 13/34, C22C 27/00 ...

Мітки: сплаву, спосіб, одержання, вольфрам-тантал, монокристала

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристала сплаву вольфрам-тантал, що включає виготовлення штабиків гідростатичним пресуванням попередньо змішаних порошків вольфраму і танталу впродовж 200-300 секунд, наступну термічну обробку штабиків у вакуумі з залишковим тиском Р≤8,10-3 Па, спікання штабиків у вакуумі при температурі Т≥1500 °C впродовж не менше двох годин з наступним охолодженням зі швидкістю 300 °C/годину, переплавлення...

Спосіб одержання монокристала сплаву вольфрам-тантал

Завантаження...

Номер патенту: 87727

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Матвієнко Леонід Федорович, Дехтяр Олександр Ілліч, Засімчук Ігор Костянтинович

МПК: C30B 28/00, C22C 27/00, C30B 13/00 ...

Мітки: вольфрам-тантал, одержання, монокристала, сплаву, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристала сплаву вольфрам-тантал, що включає виготовлення штабиків гідростатичним пресуванням попередньо змішаних порошків вольфраму і танталу впродовж 200-300 секунд, наступну термічну обробку штабиків у вакуумі з залишковим тиском Р£8.10-3Па, спікання штабиків у вакуумі при температурі Т³1500 °C впродовж не менше двох годин з наступним охолодженням зі швидкістю 300 °C/годину, переплавлення...

Спосіб візуалізації орієнтаційної неоднорідності та морфології поверхні монокристала або окремих зерен полікристала

Завантаження...

Номер патенту: 104249

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Шурінов Роман Володимирович, Тонкопряд Алла Григорівна, Казачкова Катерина Станіславівна, Бадіян Євген Юхимович, Зєтова Тетяна Расімовна, Шеховцов Олег Валерійович

МПК: G01N 21/00, G01N 33/20

Мітки: неоднорідності, орієнтаційної, морфології, окремих, монокристала, спосіб, полікристала, поверхні, візуалізації, зерен

Формула / Реферат:

Спосіб візуалізації орієнтаційної неоднорідності та морфології поверхні монокристала або окремих зерен полікристала, який включає виявлення, шляхом хімічного травлення, квазіперіодичної структури поверхні досліджуваного зразка, характеристики якої визначені його кристалографічною орієнтацією, освітлювання досліджуваної поверхні зразка білим світлом та реєстрацію за допомогою цифрової фотокамери та комп'ютера колірних орієнтаційних карт в...

Спосіб визначення розподілу домішок в об’ємі монокристала

Завантаження...

Номер патенту: 78213

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Молодкін Вадим Борисович, Мазанко Володимир Федорович, Низкова Ганна Іванівна, Богданов Євген Іванович, Богданов Сергій Євгенович, Храновська Катерина Миколаївна

МПК: G01N 23/20, G01N 23/00, G01N 13/00 ...

Мітки: домішок, монокристала, визначення, спосіб, розподілу, об'ємі

Формула / Реферат:

Спосіб визначення розподілу домішок в об'ємі монокристала, що включає опромінення монокристала випромінюванням, реєстрацію випромінювання, розрахунок концентрації домішок в монокристалі, який відрізняється тим, що опромінювання монокристала здійснюють рентгенівським випромінюванням, послідовно видаляють шари монокристала товщиною порядку 3-5 довжин абсорбції, вимірюють інтенсивність дифракційних рентгенівських ліній у кожному шарі, визначають...

Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату калію та детектор на його основі

Завантаження...

Номер патенту: 96896

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Сало Віталій Іванович, Воронов Олексій Петрович, Бабенко Галина Миколаївна, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: G01T 1/202

Мітки: сцинтиляційний, монокристала, дигідрофосфату, калію, детектор, основі, матеріал

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату калію, який відрізняється тим, що додатково активований церієорганічним комплексом з коефіцієнтом когерентної спряженості від  до , причому концентрація церію (Се) в монокристалі складає від 0,01 до 0,001 мас. %.2. Сцинтиляційний...

Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату амонію та детектор на його основі

Завантаження...

Номер патенту: 96894

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Сало Віталій Іванович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Воронов Олексій Петрович

МПК: G01T 1/202

Мітки: сцинтиляційний, основі, детектор, дигідрофосфату, монокристала, амонію, матеріал

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату амонію, який відрізняється тим, що монокристал дигідрофосфату амонію додатково активований талієм, причому концентрація активатора в монокристалі складає від 0,1 до 1,0 мас. %.2. Сцинтиляційний детектор, який містить сцинтиляційний елемент, оптично з'єднаний з фотоприймачем, який відрізняється тим, що сцинтиляційний елемент виготовлений з монокристала дигідрофосфату...

Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату калію та детектор на його основі

Завантаження...

Номер патенту: 96893

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Сало Віталій Іванович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Воронов Олексій Петрович

МПК: G01T 1/20

Мітки: основі, сцинтиляційний, детектор, монокристала, матеріал, калію, дигідрофосфату

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату калію, який відрізняється тим, що монокристал дигідрофосфату калію додатково активований талієм (Тl), причому концентрація активатора Тl в монокристалі складає від 0,01 до 0,1 мас. %.2. Сцинтиляційний детектор, який містить сцинтиляційний елемент, оптично з'єднаний з фотоприймачем, який відрізняється тим, що сцинтиляційний елемент виготовлений з монокристала...

Спосіб одержання монокристала вольфрамату магнію, зокрема сцинтиляційного, і детектор на його основі

Завантаження...

Номер патенту: 90642

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Даневич Федір Анатолійович, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Вострецов Юрій Якович, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Дубовік Олександр Михайлович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 15/00, G01T 1/15

Мітки: сцинтиляційного, вольфрамату, зокрема, монокристала, магнію, детектор, одержання, основі, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристала вольфрамату магнію, зокрема сцинтиляційного, що включає приготування розчину-розплаву шляхом змішування еквімолярної кількості порошків Na2WO4, WO3 і MgO, розплавлення суміші при температурі 1100-1350 °С з подальшим охолоджуванням, який відрізняється тим, що охолоджування проводять до температури 950-1050 °С, після чого здійснюють витягування монокристала на затравку, що обертається, із швидкістю 0,05-1...

Спосіб визначення кристалографічної орієнтації монокристала

Завантаження...

Номер патенту: 88419

Опубліковано: 12.10.2009

Автори: Данільченко Віталій Юхимович, Кондратьєв Сергій Павлович, Бондар Володимир Йосипович

МПК: G01N 23/20

Мітки: кристалографічно, орієнтації, спосіб, монокристала, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення кристалографічної орієнтації монокристала, який включає нерухоме закріплення монокристала в гоніометричній головці рентгенівської камери обертання, опромінення монокристала пучком немонохроматизованих характеристичних рентгенівських променів, реєстрацію дифракційної картини монокристала, що обертається, побудову його полюсної фігури і визначення кутового положення кристалографічних площин, який відрізняється тим, що...

Спосіб виготовлення підкладок із монокристала сапфіра

Завантаження...

Номер патенту: 86156

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: C01F 7/00, B28D 5/00, C30B 33/00 ...

Мітки: виготовлення, сапфіра, монокристала, спосіб, підкладок

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення підкладок із монокристала сапфіра, який включає визначення кристалографічних площин монокристала, виготовлення з нього циліндричної заготовки, основа якої є площиною епітаксії, виготовлення базової площини шляхом плоского шліфування, розділення циліндричної заготовки на пластини та подальше доведення їх до заданих товщини, діаметра і чистоти поверхні механічним шліфуванням та поліруванням, який відрізняється тим, що після...

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,3in0,7)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Завантаження...

Номер патенту: 34945

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен

МПК: G01K 17/08

Мітки: напівпровідникового, функціональних, оптоелектроніки, галію-індію, пристроїв, застосування, розчину, ga0.3in0.7)2se3, селеніду, монокристала, матеріалу, твердого

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,3Іn0,7)2Sе3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,2in0,8)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Завантаження...

Номер патенту: 30108

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G01K 17/00

Мітки: монокристала, функціональних, селеніду, напівпровідникового, пристроїв, галію-індію, ga0,2in0,8)2se3, застосування, матеріалу, оптоелектроніки, розчину, твердого

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію  як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga 0,1 in 0,9)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Завантаження...

Номер патенту: 26301

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G01K 17/08

Мітки: застосування, напівпровідникового, оптоелектроніки, розчину, матеріалу, твердого, галію-індію, пристроїв, 0,9)2se3, селеніду, монокристала, функціональних

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію - індію (Ga0.1In0.9)2Se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,4in0,6)2se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 25754

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Феделеш Василь Іванович, Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/08

Мітки: випромінювання, селеніду, застосування, напівпровідникового, модулятора, розчину, лазерного, галію-індію, твердого, ga0,4in0,6)2se3, матеріалу, монокристала, акустооптичного

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,4Іn0,6)2Se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання.

Процес та апарат для одержання об’ємного монокристала нітриду, що містить галій

Завантаження...

Номер патенту: 78705

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Канбара Ясуо, Сєжпутовскі Лєшек Пьотр, Гарчінскі Єжи, Двілінскі Роберт Томаш, Дорадзінскі Роман Марек

МПК: C30B 9/00, C30B 7/00, C30B 29/40 ...

Мітки: одержання, апарат, об`ємного, галій, містить, нітриду, процес, монокристала

Формула / Реферат:

1. Процес одержання кристала галієвмісного нітриду, який включає наступні стадії:1) подають галієвмісний вихідний матеріал, компонент, що містить лужний метал, принаймні один зародок кристалізації та азотовмісний розчинник у щонайменше один контейнер;2) переводять азотовмісний розчинник у надкритичний стан;3) принаймні частково розчиняють галієвмісний вихідний матеріал при першій температурі і при першому тиску...

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0.3in0.7)2se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 77305

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Феделеш Василь Іванович, Краньчец Младен

МПК: G02F 1/01, H01S 3/10

Мітки: напівпровідникового, твердого, ga0.3in0.7)2se3, розчину, галію-індію, модулятора, селеніду, випромінювання, акустооптичного, лазерного, монокристала, застосування, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.3In0.7)2Sе3 як матеріалу для акустооптичного модулятора оптичного випромінювання.

Спосіб обробки поверхні пластин монокристала кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 3412

Опубліковано: 15.11.2004

Автор: Крапивко Геннадій Іванович

МПК: H01L 31/036, H01L 21/26

Мітки: кремнію, поверхні, спосіб, пластин, обробки, монокристала

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні пластин монокристала кремнію шляхом лазерного текстурування, який відрізняється тим, що процес лазерного текстурування проводять одночасно з ростом кристала, причому процес проходить у вакуумі 10-2Па при температурі близько 1300°С.

Спосіб вирощування монокристала кремнію з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 70313

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Руденко Сергій Васильович

МПК: C30B 15/02

Мітки: спосіб, монокристала, вирощування, розплаву, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристала кремнію з розплаву, що включає формування газового потоку над розплавом у присутності екрана, розташованого над площиною розплаву співвісно вирощуваному монокристалу кремнію, який відрізняється тим, що використовують циліндричний екран, нижній кінець якого розміщують над площиною розплаву на висоті, що розрахована за формулою:h = (А - D) / В, де h - висота розміщення нижнього кінця екрана над...

Спосіб визначення швидкості росту монокристала тригліцинсульфату з розчину

Завантаження...

Номер патенту: 32073

Опубліковано: 16.02.2004

Автори: Лукша Олег Васильович, Тюпа Олександр Іванович, Трапезнікова Людмила Віталієвна

МПК: G01B 3/00, C30B 7/00, C30B 29/10 ...

Мітки: розчину, росту, швидкості, тригліцинсульфату, монокристала, визначення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення швидкості росту монокристала тригліцинсульфату з розчину, який включає вимір розмірів монокристалу по осях а, b, с, обчислення його об'єму і ваги та зміну їх значень за одиницю часу, проведення визначення розмірів монокристалу вздовж осей а, b, с безпосередньо під час технологічного процесу вирощування монокристала, обчислення його об'єму і ваги в кожний даний момент часу з використанням при цьому експериментально знайдених...

Спосіб вирощування монокристала та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 49479

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Третьяков Олег Вальтерович, Слюсаренко Оксана Олександрівна, Оксанич Анатолій Петрович, Аніщенко Сергій Євгенович, Ларкін Сергій Юрійович, Немчин Олександр Федорович, Падалко Віктор Григорович, Притчин Сергій Емільович

МПК: C30B 15/20

Мітки: спосіб, пристрій, вирощування, монокристала, здійснення

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристала шляхом керування параметрами зростаючого кристала, що включає відбір відеокамерою зображення ділянки росту монокристала та аналіз зазначеного відеозображення з одержанням даних про параметри розплаву, який відрізняється тим, що з аналізу зазначеного відеозображення додатково одержують дані про діаметр злитка і параметри меніска, визначають дані про зміни температури розплаву, що обумовлюють зміни швидкості...

Спосіб виділення частини зливка вирощеного монокристала кремнію з заданою концентрацією домішки вуглецю

Завантаження...

Номер патенту: 49103

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Бакалець Ігор Павлович

МПК: C30B 33/00, B28D 5/00

Мітки: спосіб, частини, заданою, вуглецю, монокристала, зливка, вирощеного, виділення, концентрацією, домішки, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб виділення частини зливка вирощеного монокристала кремнію з заданою концентрацією домішки вуглецю, який включає відділення нижньої конусної частини зливка, визначення концентрації вуглецю на нижньому торці зливка, що утворився, і наступне відділення нижньої частини зливка з концентрацією вуглецю, що перевищує задану, який відрізняється тим, що попередньо визначають масу завантаження шихти для вирощування зливка монокристала,...

Спосіб контролю діаметра монокристала кремнію, вирощуваного з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 49104

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Куликовський Едуард Володимирович, Самохвалов Володимир Олександрович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/20

Мітки: вирощуваного, контролю, монокристала, розплаву, діаметра, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб контролю діаметра монокристала кремнію, вирощуваного з розплаву, що включає регулювання температурних і швидкісних параметрів процесу вирощування за допомогою системи автоматичного регулювання діаметра, що має у своєму складі оптичний датчик з чутливим елементом, за допомогою якого реєструють зміну напрямку випромінювання від меніска стовпчика розплаву в підкристальній області під час вирощування монокристала, і визначення моменту...

Спосіб вирощування монокристала та пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 47988

Опубліковано: 15.07.2002

Автори: Притчин Сергій Емільович, Петренко Василь Радиславович, Оксанич Анатолій Петрович, Третьяков Олег Вальтерович, Слюсаренко Оксана Олександрівна

МПК: C30B 15/20

Мітки: спосіб, здійснення, монокристала, пристрій, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристала шляхом керування параметрами зростаючого кристала, у тому числі параметрами його меніска, що включає відбір відеокамерою відеозображення ділянки росту монокристала та аналіз зазначеного відеозображення з одержанням даних про параметри розплаву, який відрізняється тим, що сформовані відеокамерою відеосигнали перетворюють у цифрову форму з прив'язкою до показника яскравості, розподіляють по кольорах і...

Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 26952

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Ушанкін Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович

МПК: C30B 33/00

Мітки: кремнію, вирощених, монокристала, злитків, спосіб, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію, що включає калібрування злитка, визначення кристалографічних площин злитка з наступним псевдоквадратуванням злитка, який відрізняється тим, що калібрування злитка здійснюють після його псевдоквадратування, а визначення кристалографічних площин здійснюють по морфологічних ознаках вихідного злитка.

Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 26951

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Шульга Юрій Григорович, Ушанкін Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 33/00

Мітки: визначення, зони, бездефектної, спосіб, монокристала, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію шляхом визначення параметра вирощеного кристала з порушеними гранями росту монокристала, який відрізняється тим, що вимірюють довжину циліндричної частини вирощеного монокристала від її початку до площини зникнення або переривання грані росту монокристала, а довжину бездефектної зони розраховують по формулі:L = kL1,де L - довжина бездефектної зони монокристала;L1 -...

Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала lіf

Завантаження...

Номер патенту: 21026

Опубліковано: 07.10.1997

Автори: Шляхтуров Валерій Вікторович, Пшуков Адам Музаріфович, Віноград Едуард Львович, Угланова Валентина Володимирівна, Горелецькій Валентин Іванович, Ейдельман Лев Георгійович, Тарасов Володимир Олексійович, Мітічкін Анатолій Іванович, Кудін Олександр Михайлович, Чаркіна Тамара Олександрівна, Красовицька Іна Моні-Мордківна, Гаврін Володимир Миколайович

МПК: G01T 1/202

Мітки: монокристала, сцинтиляційний, основі, матеріал

Формула / Реферат:

1. Сцинтилляционный материал на основе монокристалла LiF, содержащий активирующую добавку, отличающийся тем, что в качестве активирующей добавки содержит оксиды поливалентных металлов при следующем соотношении компонентов, мол.%:2. сцинтилляционный материал на основе монокристалла LіF по п. 1, отличающийся тем, что в качестве активирующей добавки содержит оксид титана, при следующем соотношении компонентов,...