Патенти з міткою «мікроелектронний»

Мікроелектронний пристрій для вимірювання магнітної індукції

Завантаження...

Номер патенту: 108576

Опубліковано: 25.07.2016

Автори: Полуденко Ольга Сергіївна, Антонюк Ганна Леонідівна, Осадчук Олександр Володимирович, Притула Максим Олександрович, Коваль Костянтин Олегович, Семенов Андрій Олександрович

МПК: H01L 29/82

Мітки: мікроелектронний, пристрій, магнітної, вимірювання, індукції

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання магнітної індукції, який містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, п'ять резисторів, два джерела живлення, біполярний транзистор та індуктивність, вивід якої підключений до виводу ємності та другого джерела живлення, причому перший полюс першого джерела живлення з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першим виводом бази...

Двокаскадний мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 100436

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Осадчук Ярослав Олександрович, Осадчук Олександр Володимирович, Нікешин Юрій Ігорович, Червак Оксана Петрівна

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: опору, частотним, вимірювання, виходом, шестизондовий, двокаскадний, мікроелектронний, напівпровідникового, пристрій

Формула / Реферат:

Двокаскадний мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом включає ємність, котушку індуктивності, вимірювач різниці частот, джерело живлення, а також рамку - тримач, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді двох каскадів, при цьому в перший каскад введено чотири зонди, друге джерело живлення, чотири резистори, ємність та два біполярних транзистори, причому третій та...

Двокаскадний мікроелектронний чотирьохзондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 98569

Опубліковано: 27.04.2015

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Нікешин Юрій Ігорович, Червак Оксана Петрівна, Осадчук Ярослав Олександрович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: вимірювання, частотним, мікроелектронний, напівпровідникового, чотирьохзондовий, опору, пристрій, виходом, двокаскадний

Формула / Реферат:

Двокаскадний мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору з частотним виходом включає ємність, котушку індуктивності, вимірювач різниці частот, джерело живлення, а також рамку-тримач, який відрізняється тим, що пристрій виконаний у вигляді двох каскадів, при цьому перший каскад містить два зонди, чотири резистори, ємність та два біполярних транзистори, третій та четвертий зонди з'єднані з першим та...

Мікроелектронний сенсор температури з активним індуктивним елементом

Завантаження...

Номер патенту: 97960

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Осадчук Ярослав Олександрович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Білилівська Ольга Петрівна

МПК: G01K 7/34, G01K 7/01

Мітки: мікроелектронний, елементом, індуктивним, сенсор, температури, активним

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор температури з активним індуктивним елементом, який містить два джерела постійної напруги, генератор електричних коливань на основі польового транзистора, який є термочутливим елементом, обмежувальний резистор, конденсатор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому затвор польового транзистора через обмежувальний резистор з'єднаний із першим полюсом першого джерела постійної напруги, підкладка польового транзистора...

Мікроелектронний пристрій для вимірювання витрат рідини

Завантаження...

Номер патенту: 94443

Опубліковано: 10.11.2014

Автори: Осадчук Ярослав Олександрович, Ющенко Юрій Андрійович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Яремішена Наталія Андріївна

МПК: G01F 1/66

Мітки: пристрій, мікроелектронний, вимірювання, витрат, рідини

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання витрат рідини, що складається з частотного перетворювача, загальної шини, ємності, резистора, біполярного транзистора і двох джерел постійної напруги, причому другий вивід першого резистора з'єднаний з базою біполярного транзистора, колектор якого підключено до виходу пристрою, а перший вивід першого резистора підключено до першого виводу першого джерела постійної напруги, другий вивід якого з'єднано...

Мікроелектронний вимірювач витрат рідини

Завантаження...

Номер патенту: 94441

Опубліковано: 10.11.2014

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Яремішена Наталія Андріївна, Осадчук Ярослав Олександрович

МПК: G01F 1/00

Мітки: рідини, вимірювач, мікроелектронний, витрат

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач витрат рідини, що складається з частотного перетворювача, загальної шини, двох ємностей, трьох резисторів, трьох біполярних транзисторів і джерела постійної напруги, причому колектор першого біполярного транзистора з'єднаний з першим виводом першого резистора, першим виводом першої ємності та емітером третього біполярного транзистора, база якого підключена до другого виводу першої ємності і першого вивода третього...

Мікроелектронний витратомір рідини

Завантаження...

Номер патенту: 92880

Опубліковано: 10.09.2014

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Яремішена Наталія Андріївна, Осадчук Ярослав Олександрович

МПК: G01F 1/66

Мітки: мікроелектронний, витратомір, рідини

Формула / Реферат:

Мікроелектронний витратомір рідини в трубопроводі, що складається з частотного перетворювача, загальної шини, двох ємностей, одного резистора і двох джерел постійної напруги, причому другий вивід першої ємності з'єднаний з першим виводом другого резистора, а другий вивід першого резистора підключено до першого виводу другої ємності та першого виводу другого джерела постійної напруги, другий вивід якої підключено до другого виводу другої...

Мікроелектронний пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 91868

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Дуда Роман Валерійович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01N 27/12

Мітки: товщини, пристрій, мікроелектронний, визначення, шарів, напівпровідниках, епітаксіальних

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках, що містить джерело світла та епітаксіальну структуру, що послідовно з'єднані між собою, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить фоторезистор, резистор, перший та другий польові транзистори, індуктивність, обмежувальний конденсатор, дві вихідні клеми та джерело...

Мікроелектронний пристрій для визначення дрейфової рухливості неосновних носіїв заряду

Завантаження...

Номер патенту: 91866

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Дуда Роман Валерійович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01N 27/12

Мітки: визначення, заряду, дрейфової, мікроелектронний, рухливості, пристрій, носіїв, неосновних

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для визначення дрейфової рухливості неосновних носіїв заряду, що містить зразок, генератор прямокутних імпульсів напруги та генератор струму, що паралельно з'єднані між собою, та батарейку, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить перший та другий резистори, перший та другий польові транзистори, індуктивність, обмежувальний...

Мікроелектронний пристрій для вимірювання ерс холла при постійному струмі та магнітному полі

Завантаження...

Номер патенту: 91016

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Дуда Роман Валерійович, Осадчук Олександр Володимирович, Крилик Людмила Вікторівна

МПК: G01N 27/12

Мітки: магнітному, постійному, полі, е.р.с, пристрій, струмі, холла, мікроелектронний, вимірювання

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання ЕРС Холла при постійному струмі та магнітному полі, що містить джерело постійної напруги та міліамперметр, які паралельно з'єднані зі зразком прямокутної форми, який знаходиться між полюсами постійного магніту, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить перший та другий резистори, перший та другий польові...

Мікроелектронний пристрій для вимірювання струму холла

Завантаження...

Номер патенту: 89922

Опубліковано: 12.05.2014

Автори: Дуда Роман Валерійович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Крилик Людмила Вікторівна

МПК: G01N 27/00

Мітки: холла, струму, пристрій, мікроелектронний, вимірювання

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання струму Холла, що містить послідовно з'єднані зразок, джерело напруги та амперметр, а також перший та другий резистори паралельно з'єднані між собою, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить третій та четвертий резистори, перший та другий польові транзистори, індуктивність, обмежувальний конденсатор та друге...

Мікроелектронний пристрій для визначення рухливості неосновних носіїв заряду

Завантаження...

Номер патенту: 89905

Опубліковано: 12.05.2014

Автори: Дуда Роман Валерійович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01N 27/12

Мітки: рухливості, пристрій, неосновних, носіїв, заряду, визначення, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для визначення рухливості неосновних носіїв заряду, що містить імпульсну лампу, зразок, амперметр та батарейку, що послідовно з'єднані між собою, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить перший та другий резистори, перший та другий польові транзистори, індуктивність, обмежувальний конденсатор та джерело постійної напруги,...

Мікроелектронний пристрій для вимірювання магнітної індукції з активним індуктивним елементом

Завантаження...

Номер патенту: 105402

Опубліковано: 12.05.2014

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Білилівська Ольга Петрівна

МПК: G01R 33/06, H01L 29/82, H01L 43/00 ...

Мітки: пристрій, активним, мікроелектронний, індуктивним, вимірювання, магнітної, індукції, елементом

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання магнітної індукції з активним індуктивним елементом, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший та другий стоки двостокового магніточутливого МОН-транзистора підключені до перших виводів першого та другого резисторів відповідно, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора з'єднана із його витоком,...

Мікроелектронний пристрій для вимірювання магнітної індукції

Завантаження...

Номер патенту: 105401

Опубліковано: 12.05.2014

Автори: Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 43/00, H01L 29/82, G01R 33/06 ...

Мітки: мікроелектронний, індукції, пристрій, вимірювання, магнітної

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання магнітної індукції, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший та другий стоки двостокового магніточутливого МОН-транзистора підключені до перших виводів першого та другого резисторів відповідно, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора з'єднана із його витоком, другий полюс...

Мікроелектронний пристрій для вимірювання магнітної індукції з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 105400

Опубліковано: 12.05.2014

Автори: Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 29/82, G01R 33/06, H01L 43/00 ...

Мітки: частотним, індукції, магнітної, вимірювання, мікроелектронний, пристрій, виходом

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання магнітної індукції з частотним виходом, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший та другий стоки двостокового магніточутливого МОН-транзистора підключені до перших виводів першого та другого резисторів відповідно, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора з'єднана із його витоком, другий полюс...

Мікроелектронний пристрій для вимірювання вологості

Завантаження...

Номер патенту: 89379

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Крилик Людмила Вікторівна, Дуда Роман Валерійович

МПК: G01N 27/12

Мітки: вимірювання, пристрій, вологості, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання вологості, який містить джерело постійної напруги, два польових транзистора, витоки яких з'єднані між собою, який відрізняється тим, що в нього введено перший, другий та третій резистори, біполярний транзистор, перший, другий, третій та четвертий конденсатори, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом четвертого конденсатора, другим виводом третього резистора та колектором біполярного...

Мікроелектронний пристрій для визначення дифузійної довжини неосновних носіїв заряду

Завантаження...

Номер патенту: 89376

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Дуда Роман Валерійович

МПК: G01N 27/12

Мітки: заряду, пристрій, дифузійної, мікроелектронний, довжини, неосновних, носіїв, визначення

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для визначення дифузійної довжини неосновних носіїв заряду, що містить джерело світла, оптичну систему, барабан з щілинами, світлофільтр, щілинну діафрагму, що послідовно з'єднані між собою, та зразок, блок реєстрації якого складається з металевого зонда-колектора, послідовно з'єднаного з резистором навантаження, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний...

Мікроелектронний вимірювач тиску

Завантаження...

Номер патенту: 87763

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Ярослав Олександрович

МПК: H04R 19/00

Мітки: мікроелектронний, вимірювач, тиску

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач тиску, який містить джерело постійної напруги, конденсатор, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, який відрізняється тим, що в нього введені двостоковий тензочутливий польовий транзистор, двозатворний польовий транзистор, друге джерело постійної напруги, індуктивність, причому перший стік двостокового тензочутливого польового транзистора утворює першу вихідну клему, а другий стік двостокового...

Мікроелектронний сенсор тиску

Завантаження...

Номер патенту: 87762

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Ярослав Олександрович

МПК: H04R 19/00

Мітки: мікроелектронний, сенсор, тиску

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор тиску, який містить джерело постійної напруги, два резистори, конденсатор, загальну шину та дві вихідні клеми, який відрізняється тим, що в нього введені двостоковий тензочутливий польовий транзистор, двозатворний польовий транзистор, індуктивність, причому перший стік двостокового тензочутливого польового транзистора утворює першу вихідну клему, другий вивід першого резистора з'єднаний із першим полюсом джерела...

Мікроелектронний сенсор температури

Завантаження...

Номер патенту: 86603

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Ярослав Олександрович

МПК: G01K 7/00

Мітки: мікроелектронний, сенсор, температури

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор температури, який містить два джерела постійної напруги, обмежувальний резистор, конденсатор, індуктивність, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший вивід обмежувального резистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела постійної напруги, другий вивід індуктивності з'єднаний із першим виводом конденсатора і першим полюсом другого джерела постійної напруги, другий вивід конденсатора з'єднаний з другими...

Мікроелектронний пристрій для визначення часу життя носіїв заряду в напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 84424

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Крилик Людмила Вікторівна, Дуда Роман Валерійович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01N 27/00

Мітки: мікроелектронний, життя, напівпровідниках, визначення, заряду, пристрій, часу, носіїв

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для визначення часу життя носіїв заряду в напівпровідниках, який містить генератор спарених імпульсів, що складається з двох генераторів прямокутних імпульсів та лінії затримки, а також обмежувача імпульсів, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить перший та другий резистори, перший та другий польові транзистори, індуктивність,...

Мікроелектронний перетворювач магнітної індукції

Завантаження...

Номер патенту: 76463

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01R 33/06, H01L 43/00, H01L 29/82 ...

Мітки: перетворювач, магнітної, індукції, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний перетворювач магнітної індукції, що містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, два джерела постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора утворює першу вихідну клему, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора з'єднана із його витоком, другі полюси першого та другого джерел постійної напруги об'єднані у загальну...

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникого опору

Завантаження...

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: пристрій, чотиризондовий, мікроелектронний, вимірювання, напівпровідникого, опору

Формула / Реферат:

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності, яка підключена до джерела живлення, який відрізняється тим, що в нього введено чотири зонди, причому другий та третій з'єднані з біполярним транзистором, перший та четвертий з'єднані з першим джерелом живлення, друге джерело живлення з'єднано з другою ємністю та третім резистором, перший і другий резистори з'єднанні з...

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору

Завантаження...

Номер патенту: 74631

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: шестизондовий, напівпровідникового, опору, вимірювання, пристрій, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності, яка підключена до джерела живлення, який  відрізняється тим, що в нього введено шість зондів, активний індуктивний елемент, друге та третє джерело живлення, три резистори, два біполярних транзистори, до яких підключена перша та друга ємність, кожна з яких з'єднані з активним індуктивним елементом та другим джерелом живлення,...

Мікроелектронний частотний сенсор магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 71878

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 29/82, H01L 43/00, G01R 33/06 ...

Мітки: магнітного, сенсор, поля, частотний, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний частотний сенсор магнітного поля, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора утворює першу вихідну клему, другий вивід першого резистора з'єднаний із першим полюсом джерела постійної напруги, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора з'єднана із його...

Мікроелектронний оптичний пристрій для реєстрації процесу переміщення

Завантаження...

Номер патенту: 71738

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ, Осадчук Володимир Степанович, Радчук Альона Сергіївна

МПК: G01B 11/00, G01C 22/00

Мітки: пристрій, переміщення, реєстрації, оптичний, процесу, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний оптичний пристрій для реєстрації процесу переміщення, який містить рухому поверхню, джерело світла, оптично зв'язане з фокусуючою системою, яка складається з фокусуючої лінзи та оптичного фільтра, оптично з'єднаних з двома фотоперетворювачами, крім того, містить два частотних перетворювачі, кожен з яких містить перший, другий та третій резистори, індуктивність, ємність, джерело живлення, який відрізняється тим, що до складу...

Мікроелектронний сенсор магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 70968

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Білилівська Ольга Петрівна, Ющенко Юрій Андрійович

МПК: H01L 29/82, H01L 43/00, G01R 33/06 ...

Мітки: поля, мікроелектронний, магнітного, сенсор

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор магнітного поля, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора утворює першу вихідну клему, другий вивід першого резистора з'єднаний із першим полюсом джерела постійної напруги, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора з'єднана із його витоком, другий...

Мікроелектронний вимірювач магнітної індукції

Завантаження...

Номер патенту: 70192

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Білилівська Ольга Петрівна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 29/82, H01L 43/00, G01R 33/06 ...

Мітки: магнітної, мікроелектронний, вимірювач, індукції

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач магнітної індукції, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, два джерела постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора утворює першу вихідну клему, а другий стік двостокового магніточутливого МОН-транзистора підключений до першого виводу другого резистора, підкладка двостокового магніточутливого МОН-транзистора...

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору

Завантаження...

Номер патенту: 68937

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: мікроелектронний, пристрій, вимірювання, шестизондовий, опору, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Мікроелектронний шестизондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності і ємність, яка підключена до джерела живлення, який відрізняється тим, що в нього введено шість зондів, друге та третє джерело живлення, два резистори, біполярний транзистор, який з'єднаний з котушкою індуктивності та другим джерелом живлення, та польовий транзистор, до якого підключені третій та четвертий зонди, крім того...

Мікроелектронний оптичний пристрій для реєстрації процесу переміщення

Завантаження...

Номер патенту: 68897

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Осадчук Володимир Степанович, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ, Радчук Альона Сергіївна, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01C 22/00, G01B 11/00

Мітки: оптичний, пристрій, процесу, переміщення, мікроелектронний, реєстрації

Формула / Реферат:

Мікроелектронний оптичний пристрій для реєстрації процесу переміщення, який містить рухому поверхню, джерело світла, оптично зв'язане з фокусуючою системою, яка складається з фокусуючої лінзи та оптичного фільтра, оптично з'єднаних з двома фотоперетворювачами, кожен з яких містить перший, другий та третій резистори, ємність, джерело живлення, який відрізняється тим, що до складу частотного фотоперетворювача додатково введено фоторезистор,...

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору

Завантаження...

Номер патенту: 66947

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Нікешин Юрій Ігорович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: вимірювання, мікроелектронний, опору, напівпровідникового, чотиризондовий, пристрій

Формула / Реферат:

Мікроелектронний чотиризондовий пристрій для вимірювання напівпровідникового опору, який містить котушку індуктивності і ємність, яка підключена до джерела живлення, який  відрізняється тим, що в нього введено чотири зонди, друге джерело живлення, два резистори, біполярний транзистор, який з'єднаний з котушкою індуктивності та другим джерелом живлення, та польовий транзистор, до якого підключені другий та третій зонди, крім того ємність...

Мікроелектронний вимірювач магнітного поля з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 66286

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Процюк Тетяна Володимирівна

МПК: H01L 43/00, G01R 33/06

Мітки: вимірювач, магнітного, виходом, мікроелектронний, поля, частотним

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач магнітної індукції з частотним виходом, що містить три резистори, елемент Холла, другий вихід якого з'єднаний з першим виходом другого резистора, та джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введено два біполярних транзистори, п'ять резисторів, дві ємності та котушку індуктивності, причому перший вихід першого резистора з'єднаний з першим виходом елемента Холла, другий його вихід з'єднаний з...

Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 62316

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Барабан Сергій Володимирович

МПК: G01K 7/00

Мітки: мікроелектронний, частотним, виходом, пристрій, температури, вимірювання

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з частотним виходом, який містить термочутливий сегнетоелектричний конденсатор, який відрізняється тим, що введено біполярний транзистор, МДН-транзистор, перший та другий резистори, пасивну індуктивність, конденсатор, джерело постійної напруги, причому база біполярного транзистора з'єднана з першими виводами першого і другого резисторів, а другий вивід другого резистора з'єднаний зі...

Мікроелектронний сенсор водню

Завантаження...

Номер патенту: 95527

Опубліковано: 10.08.2011

Автор: ОДЕСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМ. І.І. МЕЧНИКОВА

МПК: H03H 9/00, G01N 27/12

Мітки: мікроелектронний, сенсор, водню

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор водню, що містить п'єзоелектричний звукопровід та вхідний і вихідний зустрічно-штирьові перетворювачі (ЗШП), а на поверхню звукопроводу між ЗШП нанесений чутливий до водню шар матеріалу, який відрізняється тим, що на зазначений чутливий до водню шар матеріалу додатково нанесений другий шар чутливого до водню матеріалу, причому верхній з шарів виконаний із тетраетиленглікольдиметанкрилату, а нижній - із...

Мікроелектронний оптичний пристрій для реєстрації процесу переміщення

Завантаження...

Номер патенту: 61145

Опубліковано: 11.07.2011

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ, Радчук Альона Сергіївна

МПК: G01B 11/00

Мітки: реєстрації, оптичний, процесу, переміщення, мікроелектронний, пристрій

Формула / Реферат:

Мікроелектронний оптичний пристрій для реєстрації процесу переміщення, який містить рухому поверхню, джерело світла, оптично зв'язане з фокусуючою системою, яка складається з фокусуючої лінзи та оптичного фільтра, оптично з'єднаних з фотоперетворювачем, який відрізняється тим, що в пристрій введено два частотних перетворювачі, кожен з яких містить фотобіполярний транзистор, перший, другий та третій резистори, польовий транзистор,...

Мікроелектронний пристрій для виміру магнітної індукції

Завантаження...

Номер патенту: 59007

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Стовбчата Ольга Петрівна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 29/82, H01L 43/00, G01R 33/06 ...

Мітки: магнітної, виміру, пристрій, індукції, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для виміру магнітної індукції, який містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, два резистори, два джерела постійної напруги, двозатворний польовий транзистор, індуктивність і ємність, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, другий вивід якого з'єднаний із першою базою біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора, друга база...

Мікроелектронний координатно-чутливий детектор мас-спектрометра

Завантаження...

Номер патенту: 94103

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Єременко Віктор Митрофанович, Шелехов Андрій Володимирович, Хоменко Сергій Миколаєвич, Вербицький Володимир Григорович, Сидоренко Володимир Павлович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Забродіна Ольга Миколаївна, Сторижко Володимир Юхимович, Прокоф'єв Юрій Володимирович, Сидорчук Володимир Миколайович, Борискін Олександр Іванович

МПК: G01T 1/28, H01J 49/00

Мітки: координатно-чутливий, мікроелектронний, детектор, мас-спектрометра

Формула / Реферат:

Мікроелектронний координатно-чутливий детектор мас-спектрометра, який має в своєму складі одну або кілька мікроканальних пластин і одну або кілька великих інтегральних схем (ВІС), кожна з яких має лінійку з n провідних електродів для приймання зарядів, двійкові лічильники імпульсів, n+1-розрядний послідовно-паралельний регістр зсуву, входи "Читання", "Такт", "Стоп", "Початок читання", "Включення...

Мікроелектронний сенсор рівня рідини з частотним виходом

Завантаження...

Номер патенту: 55475

Опубліковано: 10.12.2010

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна

МПК: H01L 27/00, G01J 1/44

Мітки: сенсор, частотним, виходом, мікроелектронний, рівня, рідини

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор рівня рідини з частотним виходом, який містить оптоволоконний розгалужувач, що має першу та другу оптоволоконну лінію та вихідні оптоволокна, джерело світла, фотодіод, причому джерело світла підключене до оптоволоконного розгалужувача через першу оптоволоконну лінію, а фотодіод підключений до оптоволоконного розгалужувача через другу оптоволоконну лінію, який відрізняється тим, що введено вимірювальне коло, яке...

Мікроелектронний частотний сенсор оптичної потужності

Завантаження...

Номер патенту: 55474

Опубліковано: 10.12.2010

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01J 1/44, H01L 27/00

Мітки: частотний, потужності, мікроелектронний, сенсор, оптично

Формула / Реферат:

Мікроелектронний частотний сенсор оптичної потужності, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-транзистор, резистор, конденсатор, загальну шину, причому затвор першого МДН-транзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що введено другий МДН-транзистор, пасивну індуктивність, друге джерело...

Мікроелектронний витратомір газу

Завантаження...

Номер патенту: 54121

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Насадюк Руслан Миколайович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01F 1/34

Мітки: витратомір, мікроелектронний, газу

Формула / Реферат:

Мікроелектронний витратомір газу, який містить вимірювальну камеру, три резистори, два джерела постійної напруги, два термочутливі біполярні транзистори і три ємності, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першим виводом першої ємності і першим виводом другого резистора, а другий вивід другого резистора з'єднаний із базою першого...