Патенти з міткою «легованого»
Спосіб виготовлення легованого розплаву металу і спосіб регулювання його складу
Номер патенту: 110318
Опубліковано: 25.12.2015
Автори: Соран Тімоті Ф., Арнолд Меттью Дж.
МПК: C22C 14/00, C22C 1/03
Мітки: легованого, регулювання, виготовлення, металу, спосіб, розплаву, складу
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення легованого розплаву металу, в якому:готують однорідну суміш, яка містить вихідний сировинний матеріал і множину формованих виробів, при цьому формовані вироби містять задану кількість лігатури, вибраної з групи, яка складається з титану, сполук титану, нікелю, сполук нікелю, молібдену, сполук молібдену, паладію, сполук паладію, алюмінію, сполук алюмінію, ванадію, сполук ванадію, олова, сполук олова, хрому, сполук...
Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому
Номер патенту: 102557
Опубліковано: 10.11.2015
Автори: Коваленко Назар Олегович, Капустник Олексій Костянтинович, Герасименко Андрій Спартакович
МПК: C30B 11/00
Мітки: матеріал, легованого, іонами, хрому, основі, селеніду, монокристалічний, кадмію
Формула / Реферат:
Монокристалічний матеріал на основі селеніду кадмію, легованого іонами хрому, який відрізняється тим, що додатково містить акцепторну домішку срібла у концентрації 1÷8×10-3 мас. %.
Спосіб покращення термоелектричних властивостей тонких плівок p-типу провідності на основі легованого бісмутом snte
Номер патенту: 97316
Опубліковано: 10.03.2015
Автори: Ткачук Андрій Іванович, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Матківський Остап Миколайович
МПК: B82B 3/00
Мітки: бісмутом, p-типу, плівок, провідності, термоелектричних, спосіб, властивостей, тонких, основі, покращення, легованого
Формула / Реферат:
1. Спосіб покращення термоелектричних властивостей тонких плівок р-типу провідності на основі легованого бісмутом SnTe, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на підкладки із свіжих відколів (0001) слюди-мусковіту при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnTe:Bi...
Спосіб термообробки маловуглецевого легованого наплавленого металу
Номер патенту: 104355
Опубліковано: 27.01.2014
Автори: Малінов Володимир Леонідович, Малінов Леонід Соломонович
Мітки: маловуглецевого, легованого, металу, термообробки, наплавленого, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб термообробки маловуглецевого легованого наплавленого металу, що включає нагрівання, витримку і охолоджування на повітрі, який відрізняється тим, що нагрівання наплавленого металу проводять в міжкритичному інтервалі температур Ас1 + (30-80 °С).
Спосіб одержання інструментальних твердих сплавів на основі легованого карбіду титану
Номер патенту: 85226
Опубліковано: 11.11.2013
Автори: Прокопів Микола Михайлович, Крамар Галина Михайлівна, Мариненко Сергій Юрійович, Бодрова Людмила Гордіївна
МПК: C22C 29/10
Мітки: легованого, одержання, інструментальних, спосіб, основі, сплавів, титану, твердих, карбіду
Формула / Реферат:
Спосіб одержання інструментальних твердих сплавів на основі легованого карбіду титану, що включає підготовку шихти карбідів, їх попередній синтез, очищення спеків від обезвуглецьованого шару, подрібнення та просіювання, змішування з металами зв'язки, пресування заготовок, спікання у вакуумі при температурах 1350-1450 °C протягом 40 хвилин, який відрізняється тим, що спечені вироби піддають термокомпресійній обробці при температурі...
Спосіб обробки легованого оловом чавуну
Номер патенту: 84866
Опубліковано: 11.11.2013
Автори: Свіргун Ольга Анатоліївна, Коломієць Володимир Володимирович, Любичева Ксенія Михайлівна, Тіщенко Леонід Миколайович
МПК: C21D 5/00
Мітки: спосіб, чавуну, оловом, легованого, обробки
Формула / Реферат:
Спосіб обробки легованого оловом чавуну, наприклад чавуну із наступним складом компонентів, мас. %: 3,5С; 2,4Si; 0,4Mn; 0,07Mq; 0,03P; 0,05S; 0,08 % Sn (олова), при одночасному охолодженню заготовки до негативних температур, який відрізняється тим, що з метою покращення оброблюваності перед обробкою різанням його піддають поверхневому охолодженню до негативної температури -20…-35 °C, наприклад, занурюванням в рідкий азот на 20…30...
Спосіб отримання легованого термоелектричного плюмбум телуриду
Номер патенту: 80799
Опубліковано: 10.06.2013
Автори: Люба тетяна Сергіївна, Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович, Криськов Цезарій Андрійович
МПК: C22C 43/00
Мітки: телуриду, спосіб, термоелектричного, плюмбум, отримання, легованого
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованого термоелектричного плюмбум телуриду, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється...
Спосіб виготовлення омічних контактів до високоомних монокристалічних зразків p-cdte, легованого хлором
Номер патенту: 76097
Опубліковано: 25.12.2012
Автори: Лоцько Олександр Павлович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Ворощенко Андрій Тарасович, Демчина Любомир Андрійович, Сукач Андрій Васильович, Корбутяк Дмитро Васильович
МПК: H01L 21/04
Мітки: виготовлення, p-cdte, зразків, високоомних, контактів, омічних, легованого, хлором, спосіб, монокристалічних
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення омічних контактів до високоомних монокристалічних зразків p-CdTe, легованих хлором, який включає різку монокристала CdTe на пластини, механічне шліфування та полірування, травлення зразків в поліруючому травнику та виготовлення електричних контактів методом термовакуумного напилення золота, який відрізняєтьсятим, що зразки додатково відпалюють в інертній атмосфері впродовж 60-65 хв. при температурі 175-178 °C.
Спосіб одержання гідриду титану губчастого, легованого киснем
Номер патенту: 70945
Опубліковано: 25.06.2012
Автори: Капустян Олексій Євгенович, Осипенко Олександр Вікторович, Биков Ігор Олегович, ДАВИДОВ СЕРГІЙ ІВАНОВИЧ, Шевченко Володимир Григорович, Овчинников Олександр Володимирович
МПК: C01B 6/00
Мітки: киснем, одержання, губчастого, спосіб, титану, гідриду, легованого
Формула / Реферат:
Спосіб отримання гідриду титану губчастого, легованого киснем, що включає розміщення титану губчаcтого в реакційній камері електроустановки, вакуумування робочого простору камери, подачу в реакційну камеру аргону до створення у ній надлишкового тиску 0,05-0,15 ат, наводнювання титану губчаcтого шляхом подачі водню в реакційну камеру електроустановки при надлишковому тиску в ній 0,2-0,7 ат при підвищенні температури і наступне охолодження...
Спосіб отримання легованого сплаву pbte:bi n-типу
Номер патенту: 63536
Опубліковано: 10.10.2011
Автори: Борик Віктор Васильович, Матеїк Галина Дмитрівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Карпаш Максим Олегович, Галущак Мар'ян Олексійович
МПК: C30B 11/02
Мітки: pbte:bi, отримання, легованого, спосіб, n-типу, сплаву
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання легованого сплаву РbТе:Ві n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...
Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза
Номер патенту: 95882
Опубліковано: 12.09.2011
Автори: Христьян Володимир Анатолійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Герасименко Андрій Спартакович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Коваленко Назар Олегович
МПК: C30B 29/10, C30B 11/00, C30B 29/46 ...
Мітки: іонами, цинку, елементів, частоти, легованого, заліза, кристалічний, перестроюванням, діапазону, матеріал, середнього, селеніду, активних, лазерів, основі
Формула / Реферат:
Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію, вміст якої складає 0,11<х<0,60 і створює твердий розчин заміщення Fe2+:Zn1-хMgxSe.
Спосіб виготовлення кускового легованого скрапу із сталевих порошкових відходів
Номер патенту: 61562
Опубліковано: 25.07.2011
Автори: Власова Оксана Василівна, Баглюк Геннадій Анатолійович, Сосновський Леонід Олександрович
МПК: C22C 33/02, B22F 3/16
Мітки: сталевих, порошкових, виготовлення, відходів, кускового, скрапу, спосіб, легованого
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення кускового легованого скрапу із сталевих порошкових відходів, що включає змішування порошкового шламу сталі ШХ-15 з порошком вуглецевого матеріалу, ущільнення отриманої суміші з подальшим спіканням до температури вище евтектичної, який відрізняється тим, що у суміш порошкових відходів вводять ініціатори плавлення у кількості 2-10 мас. %, які розташовують у верхньому та нижньому шарах та в центрі залежно від об'єму...
Формований виріб для введення легуючих добавок у вигляді лігатури в розплави металів і спосіб його виготовлення, спосіб виготовлення легованого розплаву і спосіб регулювання складу розплаву металу
Номер патенту: 95232
Опубліковано: 25.07.2011
Автори: Соран Тімоті Ф., Арнолд Меттью Дж.
МПК: C22C 1/03, C22C 14/00
Мітки: добавок, регулювання, легуючих, складу, лігатури, формований, металу, легованого, спосіб, виріб, металів, вигляді, розплаві, виготовлення, розплаву, введення
Формула / Реферат:
1. Формований виріб для введення легуючих добавок у вигляді лігатури у розплави металів, який містить:частинки щонайменше однієї лігатури, причому частинки щонайменше однієї лігатури містять діоксид титану, ізв'язувальний матеріал, який з'єднує частинки щонайменше однієї лігатури в формованому виробі і містить органічний полімер, при цьому зв'язувальний матеріал змінює свій вигляд і звільняє частинки лігатури при нагріванні...
Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього іч діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом
Номер патенту: 94142
Опубліковано: 11.04.2011
Автори: Комарь Віталій Корнійович, Герасименко Андрій Спартакович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Коваленко Назар Олегович, Федоренко Ольга Олександрівна
МПК: C30B 11/00, C30B 29/10, C30B 29/46 ...
Мітки: легованого, середнього, частоти, активних, основі, лазерів, елементів, селеніду, діапазону, цинку, кристалічний, матеріал, перестроюванням, хромом
Формула / Реферат:
Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом, який відрізняється тим, що матеріал додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Zn1-xMgxSe:Cr2+ при 0,22<х<0,6, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підрешітці.
Спосіб отримання легованого нікелем термоелектричного n-pbte:ni
Номер патенту: 57049
Опубліковано: 10.02.2011
Автори: Борик Віктор Васильович, Дикун Наталія Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович
МПК: C22C 37/00
Мітки: спосіб, отримання, легованого, n-pbte:ni, термоелектричного, нікелем
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання легованого нікелем термоелектричного n-PbTe: Ni, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який...
Спосіб отримання легованого сплаву pbte:ni n-типу
Номер патенту: 56812
Опубліковано: 25.01.2011
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Галущак Мар'ян Олексійович, Матеїк Галина Дмитрівна
МПК: C22C 11/00
Мітки: pbte:ni, n-типу, спосіб, отримання, сплаву, легованого
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання легованого сплаву PbTe:Ni n-типу, який полягає у тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...
Шихта для отримання компактованого легованого матеріалу
Номер патенту: 46564
Опубліковано: 25.12.2009
Автори: Ревун Михайло Павлович, Визер Алина Анатольевна, Чепрасов Олександр Іванович, Каюков Юрій Миколайович
МПК: C22C 35/00, C22B 1/18
Мітки: отримання, шихта, матеріалу, легованого, компактованого
Формула / Реферат:
Шихта для отримання компактованого легованого матеріалу, що містить металеві відходи і зв'язуюче, яка відрізняється тим, що як металеві відходи вона містить стружку високолегованих сталей і/або некондиційний порошок високолегованих сталей, а як зв'язуюче - циклонний металевий пил при наступному співвідношенні інгредієнтів, мас. %: стружка високолегованих сталей і/або некондиційний порошок високолегованих сталей ...
Спосіб отримання губчастого титану, легованого киснем
Номер патенту: 46526
Опубліковано: 25.12.2009
Автори: Щербань Руслан Анатольович, Яценко Олексій Павлович, ФЕОФАНОВ КОСТЯНТИН ЛЬВОВИЧ, ДАВИДОВ СЕРГІЙ ІВАНОВИЧ, Дрозденко Віктор Антонович, Шварцман Леонід Якович
МПК: C22B 34/12
Мітки: спосіб, отримання, киснем, легованого, губчастого, титану
Формула / Реферат:
Спосіб отримання губчастого титану, легованого киснем, що включає магнієтермічне відновлення тетрахлориду титану з введенням кисню і подальшою вакуумною сепарацією отриманої реакційної маси, який відрізняється тим, що одночасно з введенням в процес тетрахлориду титану вводиться газоподібна суміш кисню з аргоном в масовому співвідношенні, визначуваному заданим вмістом кисню в губчастому титані.
Спосіб одержання легованого киснем титану
Номер патенту: 87282
Опубліковано: 10.07.2009
Автор: Лисенко Іван Васильович
МПК: C22C 14/00, C22C 1/03, C22B 34/12 ...
Мітки: легованого, спосіб, киснем, титану, одержання
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання легованого киснем титану, зокрема губчастого, який передбачає заповнення герметично замкненого середовища титаном, нагрівання титану до температур його взаємодії з киснем, часову витримку титану з певною кількістю кисню, який додають до середовища у формі кисневмісної сполуки, який відрізняється тим, що кисневмісною сполукою середовища є вода.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що воду додають у суміші з...
Спосіб виготовлення без розплавлення металевого виробу, легованого легуючим елементом
Номер патенту: 86185
Опубліковано: 10.04.2009
Автори: Джильотті Майкл Френсіс Хав'єр, Шемблен Кліффорд Ерл, Вудфілд Ендрю Філіп
МПК: B22F 3/00, B22F 9/16, C22C 1/04 ...
Мітки: елементом, розплавлення, виготовлення, металевого, легованого, спосіб, легуючим, виробу
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення виробу (20) з основного металу, легованого легуючим елементом, який включає стадії:приготування хімічно відновлюваної неметалевої вихідної сполуки основного металу;наступне хімічне відновлення вихідної сполуки до металевого сплаву, без розплавлення металевого сплаву, в якому стадія приготування або стадія хімічного відновлення включає стадію додавання присадного та легувального компонента;наступне...
Попередньо легований порошок нержавіючої сталі, порошковий металургійний склад, спосіб одержання деталей та деталь з попередньо легованого порошку нержавіючої сталі
Номер патенту: 83145
Опубліковано: 10.06.2008
Автори: Бергман Ола, Морс Ове, Канто Лейтон Рікардо
МПК: B22F 1/00, C22C 33/02
Мітки: легованого, попередньо, порошковий, спосіб, нержавіючої, сталі, порошок, одержання, металургійний, деталей, порошку, деталь, легований, склад
Формула / Реферат:
1. Попередньо легований порошок нержавіючої сталі, що містить щонайменше 10 мас. % хрому, менше 0,10 мас. % вуглецю і менше 0,07 мас. % азоту, причому вказаний порошок додатково містить ванадій в кількості, яка щонайменше в 4 рази перевищує сумарну кількість вуглецю і азоту, причому кількість ванадію становить 0,10-1,0 мас. %.2. Порошок за п. 1, що містить 10-30 мас. % хрому і додатково 0,50-1,50 мас. % кремнію.3. Порошок за п....
Спосіб одержання легованого губчастого титану відновленням тетрахлориду титану магнієм
Номер патенту: 31857
Опубліковано: 25.04.2008
Автори: Пожуев Володимир Іванович, Листопад Дмитро Олександрович, Червоний Іван Федорович, Іващенко Владислав Іванович
МПК: C22B 34/00
Мітки: легованого, губчастого, титану, одержання, спосіб, тетрахлориду, відновленням, магнієм
Формула / Реферат:
Спосіб одержання легованого губчастого титану відновленням тетрахлориду титану магнієм методом Кроля, що включає монтаж апарата відновлення, завантаження магнію, подачу тетрахлориду титану і його відновлення до металевого титану з періодичним зливом розплавленого хлориду магнію з апарата, монтаж апарата вакуумної сепарації, вакуумну сепарацію, повернення реторти з конденсатом на процес відновлення, витягування блока губчастого титану з...
Спосіб одержання легованого полікристалічного тригліцинсульфату
Номер патенту: 80210
Опубліковано: 27.08.2007
Автори: Трапезнікова Людмила Віталіївна, Чундак Степан Юрійович, Кедик Ігор Васильович, Тюпа Олександр Іванович, Сливка Олександр Георгієвич
МПК: C30B 27/00, C30B 29/54, C30B 7/00 ...
Мітки: спосіб, легованого, тригліцинсульфату, полікристалічного, одержання
Формула / Реферат:
Спосіб одержання легованого полікристалічного тригліцинсульфату, який включає поступове додавання осаджувача в розчин, що містить осаджувані іони, як осаджувач використовують суміш твердих гліцину та альфа- або бета-аланіну у співвідношенні 2,85: 0,15 відповідно, а як розчин з осаджуваними іонами використовують водний розчин сульфатної кислоти в стехіометричному співвідношенні гліцин плюс альфа- або бета-аланін:сульфатна кислота, що дорівнює...
Спосіб отримання термоелектричного легованого телуриду свинцю
Номер патенту: 24647
Опубліковано: 10.07.2007
Автори: Дикун Наталія Іванівна, Запухляк Руслан Ігорович, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C22C 1/00
Мітки: спосіб, телуриду, термоелектричного, свинцю, легованого, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання термоелектричного легованого телуриду свинцю, який полягає в тому, що наперед синтезований сплав подрібнюють в ударно-вихровому млині з наступним просіюванням через сито, потім порошок брикетують під тиском, отримані брикети спікають при температурі і тиску протягом певного часу і здійснюють екструзію при заданих температурі та тиску і ступені витягування, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують сплав...
Спосіб виплавлення хромистого чавуну, легованого алюмінієвими відходами
Номер патенту: 79397
Опубліковано: 11.06.2007
Автори: Локтіонов-Ремізовський Валерій Андрійович, Гаврилюк Володимир Петрович, Іванченко Віктор Григорович
МПК: C21C 1/08
Мітки: хромистого, чавуну, виплавлення, алюмінієвими, спосіб, відходами, легованого
Формула / Реферат:
Спосіб виплавлення хромистого чавуну, легованого алюмінієвими відходами, що полягає в завантаженні всього карбюризатора і порціями металошихти у міру її розплавлення, перегріванні розплаву і його виливанні, який відрізняється тим, що на карбюризатор подають легкоплавкі брикетовані алюмінієві відходи, які привантажують низьковуглецевим ферохромом, а ферохром - сталевим брухтом.
Спосіб одержання губчатого титану, легованого киснем
Номер патенту: 22777
Опубліковано: 25.04.2007
Автори: ТЕЛІН ВЛАДИСЛАВ ВОЛОДИМИРОВИЧ, ТЕСЛЕВИЧ СЕРГІЙ МИХАЙЛОВИЧ, Шварцман Леонід Якович, ФЕОФАНОВ КОСТЯНТИН ЛЬВОВИЧ, ДАВИДОВ СЕРГІЙ ІВАНОВИЧ
МПК: C22B 34/00
Мітки: спосіб, титану, киснем, губчатого, легованого, одержання
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання губчатого титану, легованого киснем, який включає магнієтермічне відновлення тетрахлориду титану в герметичному реакторі і вакуумну сепарацію одержаної реакційної маси, який відрізняється тим, що перед вакуумною сепарацією реакційну масу витримують на повітрі не менше 10 годин.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що як реакційну масу використовують зчистки реакційної маси з кришки реактора.
Спосіб отримання легованого вісмутом pbte n- i p-типу
Номер патенту: 19994
Опубліковано: 15.01.2007
Автори: Матеїк Галина Дмитрівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович
МПК: C30B 11/02
Мітки: p-типу, отримання, спосіб, легованого, вісмутом
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання легованого вісмутом РbТе n- і р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини Рb і Те розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до...
Спосіб отримання легованого вісмутом кристалічного рbse n -типу
Номер патенту: 19990
Опубліковано: 15.01.2007
Автори: Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Ткачик Оксана Володимирівна
МПК: C30B 11/02
Мітки: легованого, вісмутом, типу, спосіб, отримання, рbse, кристалічного
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання легованого вісмутом кристалічного PbSe n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини Рb і Se розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу...
Спосіб отримання легованого cdte:mn n-i p-типу провідності
Номер патенту: 19930
Опубліковано: 15.01.2007
Автори: Михайльонка Руслан Ярославович, Межиловська Любов Йосипівна, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 11/02
Мітки: провідності, cdte:mn, отримання, легованого, спосіб, p-типу
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідні речовини кадмій і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони -1400К, температура другої зони - 1280К, який відрізняється тим, що концентрацію легуючої домішки змінюють в межах Ммn=1017-1021см-3.2. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і р-типу провідності за п. 1, який...
Спосіб вирощування сцинтиляційних монокристалів легованого вольфрамату кадмію
Номер патенту: 77543
Опубліковано: 15.12.2006
Автори: Вострецов Юрій Якович, Гриньов Борис Вікторович, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Нагорна Людмила Лаврентіївна
МПК: C30B 15/00
Мітки: спосіб, легованого, кадмію, монокристалів, вирощування, вольфрамату, сцинтиляційних
Формула / Реферат:
1. Спосіб вирощування сцинтиляційних монокристалів легованого вольфрамату кадмію, що включає наплавлення шихти стехіометричного складу і вирощування методом Чохральського, який відрізняється тим, що додатково використовують сполуки літію в кількості 5х10-4-1х10-1 мол. % як легуючу добавку. 2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що сполуками літію є вольфрамат літію та/або карбонат літію.
Спосіб одержання легованого полікристалічного тригліцинсульфату
Номер патенту: 16526
Опубліковано: 15.08.2006
Автори: Чундак Степан Юрійович, Трапезнікова Людмила Віталіївна, Сливка Олександр Георгієвич, Тюпа Олександр Іванович, Кедик Ігор Васильович
МПК: C30B 7/00, C30B 29/54
Мітки: спосіб, полікристалічного, тригліцинсульфату, одержання, легованого
Формула / Реферат:
Спосіб одержання легованого полікристалічного тригліцинсульфату, який включає поступове додавання осаджувача в розчин, що містить осаджувані іони, як осаджувач використовують суміш твердих гліцину та -аланіну у співвідношенні 2,85:0,15 відповідно, а як розчин з осаджуваними іонами використовують водний розчин сульфатної кислоти в стехіометричному співвідношенні гліцин та...
Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою
Номер патенту: 76387
Опубліковано: 17.07.2006
Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович, Лалаянц Олександр Іванович, Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович, Сілін Віталій Іванович, Воронкін Євгеній Федорович
МПК: C30B 33/02
Мітки: селеніду, сцинтиляційного, спосіб, основі, матеріалу, цинку, кристала, домішкою, ізовалентною, термообробки, легованого
Формула / Реферат:
Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...
Спосіб одержання порошку легованого кремнезему
Номер патенту: 62986
Опубліковано: 15.01.2004
Автори: Гончаренко Яна Миколаївна, Семченко Галина Дмитрівна, Скородумова Ольга Борисівна
МПК: C01B 33/155, C01B 33/14, C01B 33/12 ...
Мітки: спосіб, одержання, легованого, кремнезему, порошку
Формула / Реферат:
Спосіб одержання порошку легованого кремнезему, що включає гідроліз алкоксисилану в присутності кислотного каталізатора, змішування продукту гідролізу зі сполукою легуючого металу і термообробку гідролізату, який відрізняється тим, що гідроліз алкоксисилану проводять разом із легувальною сполукою алюмінію, забезпечуючи співвідношення Аl2O3 / SіO2 в межах 0,3-0,4, при молярному співвідношенні алкоксисилану і води 4:1, концентрації каталізатора...
Легований чавун для неоднорідно-гетерогенних валків з оболонками, комбінований неоднорідно-гетерогенний валок і спосіб виготовлення легованого чавуну для валків
Номер патенту: 61168
Опубліковано: 17.11.2003
Автори: Віндхагер Міхаель, Шрьодер Карл-Генріх, Файштрітцер Бернгард, Ціенбергер Карл-Гайнц
МПК: B21B 27/00, C21D 9/00, C22C 37/04 ...
Мітки: легованого, комбінований, чавун, виготовлення, чавуну, неоднорідно-гетерогенний, спосіб, оболонками, легований, валок, неоднорідно-гетерогенних, валків
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення та оброблення легованого чавуну для робочої частини неоднорідно-гетерогенних валків, що містить елементи вуглець, кремній, марганець, хром, нікель, молібден, ванадій, необов'язково - інші елементи 5-ї групи періодичної системи, алюміній, решта - залізо, супутні елементи та домішки, зумовлені процесом виготовлення, який відрізняється тим, щоA) виготовляють розплав такого хімічного складу, % (мас.):від 2,0...
Спосіб вирощування кристалу борату стронцію sr4b14 o25 ,легованого лантаноїдами
Номер патенту: 49341
Опубліковано: 16.09.2002
Автори: Кудрявцев Дмитро Петрович, Світанько Микола Вікторович, Оселедчик Юрій Семенович, Просвірнін Андрій Леонідович
МПК: C30B 17/00
Мітки: стронцію, кристалу, спосіб, sr4b14, лантаноїдами, борату, вирощування, легованого
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування кристалу борату стронцію Sr4B14O25, легованого лантаноїдами, який включає приготування шихти стехіометричного складу з SrO і В2О3, узятих в молярному відношенні 1:2, розплавлення її, наступне охолодження і вирощування монокристалів на орієнтовану затравку з обертанням і програмованим витягуванням, який відрізняється тим, що в шихту вводять легуючі домішки у вигляді окислу лантаноїду RЕ2О3 в кількості
Спосіб одержання легованого полікристалічного тригліцинсульфату
Номер патенту: 29130
Опубліковано: 16.10.2000
Автори: Тюпа Олександр Іванович, Трапєзнікова Людмила Віталіївна, Горват Андрій Андрійович
МПК: C30B 28/00
Мітки: полікристалічного, спосіб, тригліцинсульфату, одержання, легованого
Формула / Реферат:
Спосіб одержання легованого полікристалічного тригліцинсульфату, який включає поступову подачу осаджувача в розчин, що містить осаджувані іони, який відрізняється тим, що як осаджувач використовують суміш твердих гліцину та аланіну, а як розчин з осаджувальними іонами - сірчану кислоту густиною 1,65...1,68 г/см3 в стехіометричному співвідношенні
Спосіб одержання фоточутливого шару на основі сульфіда кадмія, легованого міддю
Номер патенту: 1295
Опубліковано: 25.03.1994
Автори: Буковський Вячеслав Євгенович, Рахлін Михайло Якович, Атдаєв Байрамгилич Сапаргилиджович, Родіонов Валерій Євгенович
МПК: H01L 21/34
Мітки: міддю, фоточутливого, спосіб, основі, одержання, сульфіда, кадмія, легованого, шару
Формула / Реферат:
Способ получения фоточувствительных слоев на основе сульфида кадмия, легированного медью, включающий испарение смеси диэтилдитиокарбаматов кадмия и меди, взятых в соотношении 200:1, и последующую термическую деструкцию их паров на нагретой подложке, отличающийся тем. что в испаряемую смесь дополнительно вводят диэтилдитиокарбамат индия при соотношении масс диэтилдитиокарбаматов кадмия, меди и индия 200:(0,5-1,5):(0,5-1,5). полученную смесь...




































