Патенти з міткою «критичних»

Суміш суха для ентерального харчування хворих в критичних станах

Завантаження...

Номер патенту: 108993

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Маслєнін Євгеній Іллїч, Заруцький Ярослав Леонідович, Притульська Наталія Володимирівна, Казмірчук Анатолій Петрович, Фомін Олександр Олександрович, Гуліч Марія Павлівна, Асланян Сергій Арменакович, Верба Андрій В'ячеславович, Лакша Артем Андрійович, Мотузка Юлія Миколаївна

МПК: A61K 31/375, A23C 21/00, A61K 31/00 ...

Мітки: критичних, станах, суха, суміш, хворих, харчування, ентерального

Формула / Реферат:

1. Суміш суха для ентерального харчування хворих в критичних станах, що містить глюкозу, білок молочної сироватки, екстракт омега-3 жирних кислот, L-глютамін, L-орнітин, аскорбінову кислоту (вітамін С), тіамін (вітамін В1), рибофлавін (вітамін В2), піридоксин (вітамін В6) і цинк (у формі оксиду цинку), який відрізняється тим, що додатково містить: мальтодекстрини, лецитин соєвий, нуклеотиди (інозин), L-карнітин, токоферол (вітамін Е),...

Спосіб визначення критичних точок у сипучих металевих тілах

Завантаження...

Номер патенту: 94237

Опубліковано: 10.11.2014

Автори: Георгіаду Марія Вікторівна, Дзюба Тетяна Валеріївна, Пушкіна Оксана Вікторівна, Штихно Алла Петрівна, Алімов Валерій Іванович, Паршикова Валерія Андріївна

МПК: B22D 7/00

Мітки: критичних, визначення, сипучих, тілах, металевих, точок, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення критичних точок у сипучих металевих тілах включає підготовку зразка, монтаж в нього датчика температури, нагрівання та охолодження, який відрізняється тим, що сукупність сипучих металевих тіл компонують у формі циліндричного тіла з заповненням проміжків між тілами розчином вогнетривкого порошкового матеріалу з наступним затвердінням.

Спосіб лікування кавернозних та комбінованих гемангіом критичних локалізацій у дітей

Завантаження...

Номер патенту: 106672

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Пащенко Юрій Володимирович, Піонтковська Оксана Володимирівна, Вівчарук Вікторія Петрівна

МПК: A61B 17/00

Мітки: дітей, кавернозних, лікування, гемангіом, критичних, комбінованих, спосіб, локалізацій

Формула / Реферат:

Спосіб лікування комбінованих та кавернозних гемангіом критичних локалізацій у дітей, який включає хірургічні заходи, який відрізняється тим, що виконують з урахуванням подальших оперативних заходів розтин шкіри та підшкірної клітковини до власної фасції, пухлину відсепаровують тупим шляхом, проводять гемостаз, між фасцією та тканиною пухлини імплантують силіконовий експандер, розмір якого визначають перед операцією, рану ушивають,...

Збірка для визначення критичних точок у сталевому дроті

Завантаження...

Номер патенту: 89789

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Жук Олександр Миколайович, Пушкіна Оксана Вікторівна, Алімов Валерій Іванович, Зозуля Анастасія Петрівна, Георгіаду Марія Вікторівна

МПК: B22D 7/00

Мітки: сталевому, збірка, точок, критичних, визначення, дроті

Формула / Реферат:

Збірка для визначення критичних точок у сталевому дроті, що містить відрізки дроту, з′єднані між собою, яка відрізняється тим, що відрізки нероз'ємно з′єднані між собою в радіальному напрямі, а проміжки між відрізками заповнені сипким металевим порошком, що не зазнає фазово-структурних перетворень у досліджуваному інтервалі температур.

Спосіб експресного контролю критичних дефектів у світлодіодних структурах на основі gаn

Завантаження...

Номер патенту: 89047

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Власенко Зоя Костянтинівна, Велещук Віталій Петрович, Власенко Олександр Іванович, Киселюк Максим Павлович

МПК: G01R 31/26

Мітки: світлодіодних, контролю, основі, дефектів, експресного, спосіб, критичних, структурах

Формула / Реферат:

Спосіб експресного контролю критичних дефектів світлодіодних GaN структур, в якому до світлодіодної структури прикладають максимально можливу неруйнуючу постійну зворотну напругу і фіксують свічення мікроплазм, який відрізняється тим, що вимірюють кількість точок свічення мікроплазм NМП при даній напрузі, і по значенню NМП контролюють критичні дефекти у світлодіодних GaN структурах та оцінюють їх надійність.

Спосіб нівелювання стрес- індукованої гіперглікемії при гострих критичних станах

Завантаження...

Номер патенту: 85573

Опубліковано: 25.11.2013

Автори: Мосенцев Микола Федорович, Усенко Людмила Василівна, Мосенцев Микола Миколайович, Клигуненко Олена Миколаївна, Муслін Віктор Петрович, Сорокіна Олена Юріївна, Лимар Володимир Іванович, Слінченков Василь Васильович

МПК: A61K 9/08

Мітки: гострих, гіперглікемії, критичних, індукованої, нівелювання, спосіб, стрес, станах

Формула / Реферат:

Спосіб нівелювання стрес-індукованої гіперглікемії при критичних станах (зокрема при гострій патології серця, що супроводжує розвиток інфаркту міокарда; при постопераційних кардіохірургічних станах; при гострих ушкодженнях центральної нервової системи та ураженнях головного мозку; при септичних процесах, при сепсисі та септичному шоку), який відрізняється тим, що при лікуванні та критичних станах застосовують препарат із вмістом фруктози, із...

Спосіб контролю критичних технологічних дефектів у світлодіодних структурах на основі gan

Завантаження...

Номер патенту: 76641

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Ляшенко Олег Всеволодович, Власенко Олександр Іванович, Киселюк Максим Павлович, Бойко Микола Іванович, Велещук Віталій Петрович

МПК: G01R 31/26

Мітки: дефектів, критичних, світлодіодних, спосіб, структурах, контролю, основі, технологічних

Формула / Реферат:

Спосіб контролю критичних технологічних дефектів у світлодіодних структурах на основі GaN, в якому до світлодіодної структури прикладають напругу, який відрізняється тим, що прикладають постійну зворотну напругу і її величину збільшують до моменту свічення першої мікроплазми та фіксують величину напруги, струму та її місцезнаходження і відповідно до цього визначають критичні етапи технології, що призводять до утворення структурних дефектів,...

Спосіб ранньої діагностики паренхіматозного ушкодження у новонароджених з дихальним дистресом при критичних станах за показниками напруженості антиоксидантної системи

Завантаження...

Номер патенту: 72243

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Буряк Олександр Григорович, Ященко Юрій Борисович

МПК: A61B 5/00

Мітки: напруженості, дистресом, діагностики, антиоксидантної, критичних, ушкодження, ранньої, показниками, системі, паренхіматозного, новонароджених, спосіб, станах, дихальним

Формула / Реферат:

Спосіб ранньої діагностики паренхіматозного ушкодження у новонароджених із дихальним дистресом при критичних станах, які перебувають на керованій штучній вентиляції легень, шляхом визначення інтенсивності ферментів антиоксидантної системи, який відрізняється тим, що показники антиоксидантного захисту визначають у конденсаті повітря, що видихається дитиною.

Спосіб неінвазивної діагностики дихальної недостатності легеневого типу у новонароджених при критичних станах за показниками напруженості прооксидантної системи

Завантаження...

Номер патенту: 51298

Опубліковано: 12.07.2010

Автори: Ященко Юрій Борисович, Буряк Олександр Григорович

МПК: A61B 5/00

Мітки: дихальної, спосіб, прооксидантної, діагностики, системі, новонароджених, напруженості, недостатності, легеневого, типу, станах, критичних, показниками, неінвазивної

Формула / Реферат:

Спосіб діагностики дихальної недостатності легеневого типу у новонароджених при критичних станах, які перебувають на керованій штучній вентиляції легень, що включає визначення інтенсивності пероксидного окиснення білків та ліпідів, який відрізняється тим, що показники прооксидантної системи визначають у конденсаті повітря, що видихається дитиною.

Комплексний стенд для повірки критичних сопел вентурі

Завантаження...

Номер патенту: 88267

Опубліковано: 12.10.2009

Автори: Кузьмін Сергій Вікторович, Борущак Богдан Онуфрійович

МПК: G01F 25/00

Мітки: повірки, стенд, критичних, комплексний, вентурі, сопел

Формула / Реферат:

Комплексний стенд для повірки критичних сопел Вентурі, що складається з вхідної системи контролю та регулювання параметрів природного газу, вставки з повірюваним критичним соплом Вентурі, відсікаючих клапанів та стальної посудини з системою трубопроводів, занурених в басейн з водою, який відрізняється тим, що посудина виготовлена циліндричної форми та встановлена в басейн з водою на двох розташованих на днищі басейну та рухомих у...

Спосіб контролю стану критичних вузлів машин, що генерують при деградації ударні імпульси

Завантаження...

Номер патенту: 26927

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Чердинцев Олег Олексійович, Петренко Віктор Євгенович, Олійник Павло Борисович

МПК: G01M 13/02, G01M 15/00

Мітки: стану, критичних, імпульсі, машин, контролю, вузлів, деградації, спосіб, генерують, ударні

Формула / Реферат:

Спосіб контролю стану критичних вузлів машин, що генерують при деградації ударні імпульси, зокрема підшипників кочення, що включає вимірювання сигналу вібрації, підсилювання та автонормування вказаного сигналу, після чого виділяють з сигналу вібрації амплітуди у смузі інформаційних частот та визначають стан вузлів за величиною амплітуд на різних у часі частотах, який відрізняється тим, що після автонормування сигналу вібрації визначають та...

Спосіб діагностики порушення детоксикуючої функції легень при критичних станах і сепсисі

Завантаження...

Номер патенту: 14703

Опубліковано: 15.05.2006

Автор: Нестеренко Олексій Миколайович

МПК: G01N 33/48

Мітки: функції, порушення, станах, критичних, детоксикуючої, спосіб, діагностики, сепсисі, легень

Формула / Реферат:

Спосіб діагностики порушення детоксикуючої функції легень при критичних станах і сепсисі, що включає дослідження крові пацієнта з кількісною оцінкою змін показників у крові, що припливає до легень, й у крові, що відпливає від легень, який відрізняється тим, що одночасно обчислюють і порівнюють лейкоцитарні індекси інтоксикації у капілярній і венозній крові, причому за нормальні приймають значення індексів від 0,5 до 1,5, і при значеннях...

Спосіб керування процесом графітації у критичних ділянках

Завантаження...

Номер патенту: 11636

Опубліковано: 16.01.2006

Автор: Поповкін Юрій Матвійович

МПК: G05D 27/02, G01R 21/06

Мітки: керування, критичних, спосіб, ділянках, графітації, процесом

Формула / Реферат:

Спосіб керування процесом графітації в критичних ділянках, що включає обпалення вуглеграфітових заготовок у багатотоннажних електропечах за заданим графіком при максимально можливій початковій потужності для даної печі, який відрізняється тим, що закінчення підтримки максимальної потужності в керні печі в початковий період графітації визначають за кількістю електроенергії, витраченої для досягнення температури, при якій процес випалювання був...

Спосіб оптимальної експлуатації свердловин в умовах критичних параметрів

Завантаження...

Номер патенту: 9720

Опубліковано: 17.10.2005

Автори: Шендрик Олексій Михайлович, Фик Ілля Михайлович, Синюк Борис Борисович, Фесенко Юрій Леонідович, Жмурков Віктор Іванович, Волосник Євген Олександрович

МПК: E21B 43/00

Мітки: умовах, спосіб, свердловин, експлуатації, оптимальної, параметрів, критичних

Формула / Реферат:

1. Спосіб оптимальної експлуатації свердловин в умовах критичних параметрів, за яким регулювання режимів роботи свердловини здійснюють за допомогою пристрою регулювання тиску газу, який відрізняється тим, що за результатами експлуатаційних досліджень роботи свердловини визначають оптимальний діапазон безаварійного режиму експлуатації свердловини, а регулювання тиску в межах визначеного діапазону здійснюють встановленим на усті свердловини або...

Пристрій для градуювання критичних витратомірів газу

Завантаження...

Номер патенту: 30411

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Петришин Ігор Степанович, Середюк Орест Євгенович

МПК: G01F 25/00

Мітки: градуювання, критичних, газу, пристрій, витратомірів

Формула / Реферат:

Пристрій для градуювання критичних витратомірів газу, що включає систему подачі газу, дзвоновий вимірник і випробувальну ділянку, який відрізняється тим, що додатково містить джерело робочого газу, а випробувальна ділянка містить витратомір критичного витікання газу та систему забезпечення критичного режиму потоку, що включає газоструминний інжектор, джерело витрати стисненого повітря та блок керування цим джерелом витрати.

Пристрій для градуювання критичних витратомірів газу

Завантаження...

Номер патенту: 23832

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: Петришин Ігор Степанович, Дмитрусь Мирон Михайлович, Середюк Орест Євгенович, Бестелесний Андрій Григорович

МПК: G01F 25/00, G01F 15/00

Мітки: газу, критичних, градуювання, пристрій, витратомірів

Формула / Реферат:

Пристрій для градуювання критичних витратомірів газу, що включає систему подачі газу на вході, дзвоновий вимірник, випробовувальну ділянку, який відрізняється тим, що додатково містить систему забезпечення температурного режиму градуювання та джерело робочого газу, а випробовувальна ділянка містить витратомір критичного витікання газу та систему забезпечення критичного режиму потоку, що включає засіб компримування газу, гаситель пульсацій...

Пристрій для калібрування критичних витратомірів газу

Завантаження...

Номер патенту: 43249

Опубліковано: 15.11.2001

Автор: Вощинський Віктор Станіславович

МПК: G01F 25/00

Мітки: газу, критичних, калібрування, пристрій, витратомірів

Формула / Реферат:

Пристрій для калібрування критичних витратомірів газу, який має систему подачі газу на вході, дзвоновий мірник, випробувальну ділянку, який відрізняється тим, що після критичного витратоміра розмішені пристрій розрідження повітря і пристрій збору і обробки інформації.

Спосіб аутоімунокорекції при критичних станах

Завантаження...

Номер патенту: 20034

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Новікова Раіса Іванівна, Зоркова Олена Вікторівна, Шано Валентина Петрівна, Джоджуа Тетяна Валентинівна, Нестеренко Олексій Миколайович

МПК: A61K 35/28

Мітки: аутоімунокорекції, критичних, станах, спосіб

Формула / Реферат:

Способ аутоиммунокоррекции при критических состояниях, включающий введение перфузата иммуномодулирующего средства, отличающийся тем, что предварительно у больного определяют соотношение Т-хелперов к Т-супрессорам, циркулирующие иммунные комплексы и индекс токсичности, и при величине соотношения Т-хелперов к Т-супрессорам равным от 4 до 4,5 условных единицы, циркулирующих иммунных комплексов больше 160 мкг/мл, индекса токсичности от 2 до 3...