Патенти з міткою «кристалу»

Спосіб стабілізації орієнтації рідкого кристалу на поверхні, обробленій пучком частинок

Завантаження...

Номер патенту: 120788

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Ярощук Олег Васильович, Кравчук Руслан Миколайович

МПК: B05B 5/00, G02F 1/13

Мітки: кристалу, оброблений, частинок, поверхні, рідкого, орієнтації, спосіб, стабілізації, пучком

Формула / Реферат:

1. Спосіб стабілізації орієнтації рідких кристалів на поверхнях, підданих орієнтуючій обробці пучком частинок, що полягає у нанесенні на цю поверхню додаткового шару органічного матеріалу, що є реактивним мезогеном, та наступного зашивання даного матеріалу, так що поверхню оброблену пучком частинок використовують для орієнтації зазначеного додаткового шару, в той час як орієнтований та зашитий додатковий шар використовують для орієнтації...

Спосіб підвищення електричної провідності нематичного рідкого кристалу 6снвт шляхом внесення в нього наночастинок суперіонного провідника cu6ps5i

Завантаження...

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Копчанський Петер, Тімко Мілан, Бендак Андрій Васильович, Ковальчук Олександр Васильович, Студеняк Віктор Ігорович

МПК: G01R 3/00, G02F 1/13

Мітки: провідника, підвищення, електричної, внесення, рідкого, нього, шляхом, провідності, cu6ps5i, наночастинок, кристалу, нематичного, суперіонного, 6снвт, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Спосіб підвищення електричної провідності нематичного рідкого кристалу шляхом внесення в нього наночастинок суперіонного провідника

Завантаження...

Номер патенту: 106745

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Копчанський Петер, Бендак Андрій Васильович, Тімко Мілан, Ковальчук Олександр Васильович, Пал Юрій Олександрович

МПК: G02F 1/13

Мітки: внесення, суперіонного, електричної, нього, наночастинок, шляхом, кристалу, провідності, нематичного, спосіб, провідника, підвищення, рідкого

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперінного провідника, внаслідок чого отриманий композит на основі рідкого кристалу має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність вихідного рідкого кристалу без наночастинок більш ніж на порядок.

Спосіб визначення середньої арифметичної висоти нерівностей поверхні кристалу методом повного зовнішнього відбивання х-променів

Завантаження...

Номер патенту: 104335

Опубліковано: 25.01.2016

Автори: Баловсяк Сергій Васильович, Фодчук Ігор Михайлович

МПК: G01T 1/16, G06T 17/30, G06F 17/17 ...

Мітки: повного, нерівностей, відбивання, поверхні, методом, х-променів, спосіб, середньої, кристалу, зовнішнього, визначення, арифметичної, висоті

Формула / Реферат:

Спосіб визначення середньої арифметичної висоти Ra нерівностей поверхні кристалу методом повного зовнішнього відбивання Х-променів на основі розподілів інтенсивності кривих гойдання (КГ) І(α), які обчислюють шляхом інтерполяції експериментальних КГ Η(α), отриманих в X-променевому дифрактометрі при фіксованих кутах θ повороту кристалу в Q базових точках з координатами (αр, Нр), який відрізняється тим, що точне...

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу

Завантаження...

Номер патенту: 99100

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Копчанський Петер, Тімко Мілан, Томашовічова Наталія, Студеняк Ігор Петрович, Ковальчук Олександр Васильович, Завісова Власта

МПК: G02F 1/13

Мітки: провідності, нематичного, композита, іонної, спосіб, основі, підвищення, рідкого, кристалу

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять домішки наночастинок магнетиту та вуглецевих нанотрубок, потім їх диспергують у ПВА, внаслідок чого отриманий композит має іонну провідність, яка перевищує іонну провідність композиту без наночастинок на 5 порядків.

Спосіб визначення оптимальної концентрації лізозиму для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу

Завантаження...

Номер патенту: 99099

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Тімко Мілан, Ковальчук Олександр Васильович, Копчанський Петер, Студеняк Ігор Петрович, Шіпошова Катаріна, Газова Зузана

МПК: G02F 1/13

Мітки: ліотропного, лізозиму, концентрації, спосіб, рідкого, кристалу, магнітного, створення, визначення, оптимальної

Формула / Реферат:

Спосіб визначення оптимальної концентрації лізозиму для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що по мінімуму зміни електричної провідності під дією магнітного поля від концентрації білка (лізозиму) визначають оптимальну концентрацію білка (лізозиму) для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу на основі водних розчинів лізозиму, магнетиту та магнітної рідини.

Спосіб розрощування зародкового кристалу для вирощування монокристалів групи дигідрофосфату калію

Завантаження...

Номер патенту: 102936

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Маковеєв Олександр Володимирович, Маковеєв Володимир Іванович

МПК: C30B 7/00, C30B 29/14

Мітки: вирощування, групи, спосіб, зародкового, дигідрофосфату, розрощування, калію, монокристалів, кристалу

Формула / Реферат:

1. Спосіб розрощування зародкового кристала для вирощування великогабаритних монокристалів групи дигідрофосфату калію, що включає виготовлення і підготовку зародкових кристалів орієнтації типу (101), заливку розчину стехіометричного складу (рН~4), процес розрощування паралельно кристалографічній площині (101), уздовж кристалографічної осі z, припинення процесу розрощування при формуванні загального приросту над зародковими кристалами, злив...

Пристрій для вирощування кристалу направленою кристалізацією

Завантаження...

Номер патенту: 100728

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Ткаченко Віктор Іванович, Гаврилко Петро Петрович, Кляп Михайло Петрович, Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 11/00

Мітки: пристрій, кристалізацією, кристалу, вирощування, направленою

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування кристалу направленою кристалізацією, який включає вертикально встановлену піч з нагрівачами опору і розміщену в ній ампулу із звуженим нижнім кінцем, який відрізняється тим, що він містить вставку у вигляді циліндра, розміщеного всередині печі з можливістю вертикального переміщення, механізм вертикального переміщення циліндра, ампула розміщена всередині циліндра і закріплена нерухомо щодо печі, а циліндр складається...

Спосіб вирощування кристалу з утриманням розплаву у тиглі

Завантаження...

Номер патенту: 85783

Опубліковано: 25.02.2009

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Ліщук Віталій Євгенович, Задніпрянний Денис Львович

МПК: C30B 15/20, C30B 15/00, C30B 15/10 ...

Мітки: тиглі, кристалу, вирощування, спосіб, утриманням, розплаву

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалу з утриманням розплаву у тиглі, що включає прикладання напруги між зовнішньою та внутрішньою поверхнею тигля, який відрізняється тим, що як тигель використовують кварцовий тигель, як розплав - розплав кремнію, причому до внутрішньої стінки тигля прикладають негативну полярність напруги.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що напругу прикладають між розплавом та зовнішньою поверхнею тигля, наприклад...

Спосіб контролю якості кристалу

Завантаження...

Номер патенту: 62553

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Лавріненко Валерій Іванович, Пуга Павло Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Проц Лариса Анатоліївна

МПК: G01N 23/20

Мітки: спосіб, контролю, якості, кристалу

Формула / Реферат:

1. Спосіб контролю якості кристалу, який включає опромінення поверхні досліджуваного та еталонного кристалів монохроматичним рентгенівським променем та зняття кривих качання шляхом вимірювання інтенсивності відбитого рентгенівського променя при різних кутах повороту пучка відносно кристала та порівняння кривих качання, який відрізняється тим, що еталонний та досліджуваний кристали зішліфовують з утворенням площин з ідентичною...

Спосіб одержання кристалу тіогалату кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 62154

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Риган Михайло Юрієвич, Богданова-Борець Олександра Василівна, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кадмію, кристалу, одержання, тіогалату, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристалу тіогалату кадмію, який включає виготовлення і термічну обробку подвійної ампули з плавленого кварцу, розміщення в порожнині внутрішньої ампули шихти тіогалату кадмію, вакуумування та герметизацію порожнини ампули, розплавлення шихти тіогалату кадмію та наступну направлену кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що термічну обробку подвійної ампули здійснюють при температурі 1000-1200°С протягом 1-3 годин в...

Спосіб вирощування кристалу борату стронцію sr4b14 o25 ,легованого лантаноїдами

Завантаження...

Номер патенту: 49341

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Оселедчик Юрій Семенович, Кудрявцев Дмитро Петрович, Світанько Микола Вікторович, Просвірнін Андрій Леонідович

МПК: C30B 17/00

Мітки: sr4b14, кристалу, стронцію, спосіб, лантаноїдами, легованого, вирощування, борату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалу борату стронцію Sr4B14O25, легованого лантаноїдами, який включає приготування шихти стехіометричного складу з SrO і В2О3, узятих в молярному відношенні 1:2, розплавлення її, наступне охолодження і вирощування монокристалів на орієнтовану затравку з обертанням і програмованим витягуванням, який відрізняється тим, що в шихту вводять легуючі домішки у вигляді окислу лантаноїду RЕ2О3 в кількості

Спосіб виготовлення кристалу кремнієвого напівпровідникового приладу з відокремлюючими областями

Завантаження...

Номер патенту: 45871

Опубліковано: 15.04.2002

Автори: Полухін Олексій Степанович, Солодовнік Анатолій Іванович, Рачинський Любомир Ярославович, Тетерьвова Наталія Олексіївна, Копаєва Ольга Вікторівна, Зуєва Тетяна Костянтинівна

МПК: H01L 21/22, H01L 21/383

Мітки: напівпровідникового, областями, спосіб, виготовлення, кремнієвого, кристалу, приладу, відокремлюючими

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кристала кремнієвого напівпровідникового приладу з периферійними відокремлюючими областями, який включає формування на плоскій поверхні підложки n-типу провідності маскувального покриття і зон металу – розчинника на основі алюмінію відповідно до конфігурації відокремлюючих областей, видалення маскувального покриття, занурення і термоміграцію зон крізь підложку у вакуумі, створення за допомогою дифузії і, в разі...

Пристрій для вирощування кристалу

Завантаження...

Номер патенту: 35135

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Проц Лариса Анатоліївна, Коложварі Марія Василівна, Богданова-Борець Олександра Василівна, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 15/00

Мітки: пристрій, кристалу, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування кристалу, який містить тигель із розплавом, підставку із штоком, нагрівач та механізм вертикального переміщення тигля, який відрізняється тим, що механізм вертикального переміщення тигля містить розміщену під тиглем ємність з рідиною, в яку занурений поплавок, поплавок жорстко з'єднаний з підставкою тигля за допомогою несучого штоку, причому площа горизонтального перерізу ємності S та площа горизонтального перерізу...

Спосіб вирощування кристалу направленою кристалізацією розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 32842

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Коложварі Марія Василівна, Шпирко Григорій Миколайович, Богданова-Борець Олександра Василівна, Проц Лариса Анатолієвна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, кристалу, вирощування, направленою, розплаву, кристалізацією

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалу направленою кристалізацією розплаву, який включає розміщення речовини, яку кристалізують, в порожнину вертикально установленого контейнеру зі звуженим нижнім кінцем, розплавлення речовини та направлене охолодження розплаву знизу, який відрізняється тим, що направлене охолодження розплаву здійснюють шляхом занурення контейнеру в рідину з температурою, яка нижча температури плавлення речовини, яка...

Спосіб підготовки кристалу до обточування

Завантаження...

Номер патенту: 26019

Опубліковано: 26.02.1999

Автори: Абрамов Володимир Миколайович, Алешкевич Олег Володимирович

МПК: B28D 5/00

Мітки: обточування, спосіб, підготовки, кристалу

Формула / Реферат:

Способ подготовки кристалла к обтачиванию, включающий операции установки кристалла в державках станка, при которой ось кристалла располагают параллельно оси вращения, дискретного вращения кристалла в станке, регистрации контуров профилей кристалла, по которым судят о форме и геометрических параметрах предполагаемого изделия, которое может быть изготовлено из кристалла, отличающийся тем, что предварительно формируют трехмерные изображения...

Спосіб керування процесом витягування кристалу із розплаву та спосіб для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 16667

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Гавриш Валентина Олексіївна, Васецький Сергій Іванович, Даниленко Едуард Васильович, Заславський Борис Григорович, Стаднік Петро Омел'янович, Соломаха Юрій Олексійович

МПК: C30B 15/00

Мітки: витягування, процесом, спосіб, керування, розплаву, здійснення, кристалу

Формула / Реферат:

1. Способ управления процессом вытягива­ния кристалла из расплава путем дозирования под­питки в зависимости от уровня расплава и регулирования диаметра кристалла в зависимости от температуры расплава, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности регулирова­ния диаметра растущего кристалла, задают интер­вал времени между подпитками, измеряют фактические интервалы времени между подпитка­ми , а температуру расплава изменяют по отклоне­нию...

Спосіб огранки деформованого кристалу алмазу

Завантаження...

Номер патенту: 2399

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Нагірна Ганна Нестерівна, Одесюк Іван Тимофійович, Петров Юрій Сергійович

МПК: B28D 5/00

Мітки: деформованого, спосіб, алмазу, огранки, кристалу

Формула / Реферат:

1. Способ огранки деформированного кристалла алмаза, преимущественно при изготов­лении бриллиантов, включающий установку кристалла алмаза в держатель, поворот кристалла алмаза по часовой стрелке вокруг оси держателя на угол 22 "З0', пробное шлифование в различных направлениях относительно кристалло­графических осей алмаза, выбор направления шлифования с наибольшей интенсивностью съема и последующее шлифование и полирование гра­ней,...