Патенти з міткою «кристалу»

Спосіб стабілізації орієнтації рідкого кристалу на поверхні, обробленій пучком частинок

Завантаження...

Номер патенту: 120788

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Кравчук Руслан Миколайович, Ярощук Олег Васильович

МПК: G02F 1/13, B05B 5/00

Мітки: оброблений, пучком, кристалу, стабілізації, спосіб, рідкого, орієнтації, частинок, поверхні

Формула / Реферат:

1. Спосіб стабілізації орієнтації рідких кристалів на поверхнях, підданих орієнтуючій обробці пучком частинок, що полягає у нанесенні на цю поверхню додаткового шару органічного матеріалу, що є реактивним мезогеном, та наступного зашивання даного матеріалу, так що поверхню оброблену пучком частинок використовують для орієнтації зазначеного додаткового шару, в той час як орієнтований та зашитий додатковий шар використовують для орієнтації...

Спосіб підвищення електричної провідності нематичного рідкого кристалу 6снвт шляхом внесення в нього наночастинок суперіонного провідника cu6ps5i

Завантаження...

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Бендак Андрій Васильович, Ковальчук Олександр Васильович, Тімко Мілан, Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Копчанський Петер

МПК: G02F 1/13, G01R 3/00

Мітки: спосіб, шляхом, нього, рідкого, внесення, провідника, нематичного, провідності, суперіонного, 6снвт, підвищення, електричної, кристалу, наночастинок, cu6ps5i

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Спосіб підвищення електричної провідності нематичного рідкого кристалу шляхом внесення в нього наночастинок суперіонного провідника

Завантаження...

Номер патенту: 106745

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Ковальчук Олександр Васильович, Копчанський Петер, Пал Юрій Олександрович, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович, Тімко Мілан

МПК: G02F 1/13

Мітки: спосіб, суперіонного, рідкого, шляхом, кристалу, нього, підвищення, провідності, наночастинок, нематичного, внесення, електричної, провідника

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперінного провідника, внаслідок чого отриманий композит на основі рідкого кристалу має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність вихідного рідкого кристалу без наночастинок більш ніж на порядок.

Спосіб визначення середньої арифметичної висоти нерівностей поверхні кристалу методом повного зовнішнього відбивання х-променів

Завантаження...

Номер патенту: 104335

Опубліковано: 25.01.2016

Автори: Баловсяк Сергій Васильович, Фодчук Ігор Михайлович

МПК: G06F 17/17, G06T 17/30, G01T 1/16 ...

Мітки: визначення, кристалу, х-променів, поверхні, зовнішнього, середньої, нерівностей, спосіб, методом, повного, відбивання, арифметичної, висоті

Формула / Реферат:

Спосіб визначення середньої арифметичної висоти Ra нерівностей поверхні кристалу методом повного зовнішнього відбивання Х-променів на основі розподілів інтенсивності кривих гойдання (КГ) І(α), які обчислюють шляхом інтерполяції експериментальних КГ Η(α), отриманих в X-променевому дифрактометрі при фіксованих кутах θ повороту кристалу в Q базових точках з координатами (αр, Нр), який відрізняється тим, що точне...

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу

Завантаження...

Номер патенту: 99100

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Томашовічова Наталія, Тімко Мілан, Ковальчук Олександр Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Копчанський Петер, Завісова Власта

МПК: G02F 1/13

Мітки: провідності, підвищення, рідкого, композита, спосіб, кристалу, нематичного, основі, іонної

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять домішки наночастинок магнетиту та вуглецевих нанотрубок, потім їх диспергують у ПВА, внаслідок чого отриманий композит має іонну провідність, яка перевищує іонну провідність композиту без наночастинок на 5 порядків.

Спосіб визначення оптимальної концентрації лізозиму для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу

Завантаження...

Номер патенту: 99099

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Шіпошова Катаріна, Студеняк Ігор Петрович, Газова Зузана, Тімко Мілан, Ковальчук Олександр Васильович, Копчанський Петер

МПК: G02F 1/13

Мітки: визначення, оптимальної, рідкого, спосіб, концентрації, кристалу, створення, ліотропного, магнітного, лізозиму

Формула / Реферат:

Спосіб визначення оптимальної концентрації лізозиму для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що по мінімуму зміни електричної провідності під дією магнітного поля від концентрації білка (лізозиму) визначають оптимальну концентрацію білка (лізозиму) для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу на основі водних розчинів лізозиму, магнетиту та магнітної рідини.

Спосіб розрощування зародкового кристалу для вирощування монокристалів групи дигідрофосфату калію

Завантаження...

Номер патенту: 102936

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Маковеєв Олександр Володимирович, Маковеєв Володимир Іванович

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Мітки: зародкового, дигідрофосфату, калію, розрощування, спосіб, вирощування, кристалу, групи, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб розрощування зародкового кристала для вирощування великогабаритних монокристалів групи дигідрофосфату калію, що включає виготовлення і підготовку зародкових кристалів орієнтації типу (101), заливку розчину стехіометричного складу (рН~4), процес розрощування паралельно кристалографічній площині (101), уздовж кристалографічної осі z, припинення процесу розрощування при формуванні загального приросту над зародковими кристалами, злив...

Пристрій для вирощування кристалу направленою кристалізацією

Завантаження...

Номер патенту: 100728

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Ткаченко Віктор Іванович, Шпирко Григорій Миколайович, Кляп Михайло Петрович, Риган Михайло Юрійович, Гаврилко Петро Петрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалу, пристрій, кристалізацією, направленою, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування кристалу направленою кристалізацією, який включає вертикально встановлену піч з нагрівачами опору і розміщену в ній ампулу із звуженим нижнім кінцем, який відрізняється тим, що він містить вставку у вигляді циліндра, розміщеного всередині печі з можливістю вертикального переміщення, механізм вертикального переміщення циліндра, ампула розміщена всередині циліндра і закріплена нерухомо щодо печі, а циліндр складається...

Спосіб вирощування кристалу з утриманням розплаву у тиглі

Завантаження...

Номер патенту: 85783

Опубліковано: 25.02.2009

Автори: Ліщук Віталій Євгенович, Задніпрянний Денис Львович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/00, C30B 15/10, C30B 15/20 ...

Мітки: спосіб, тиглі, розплаву, вирощування, утриманням, кристалу

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалу з утриманням розплаву у тиглі, що включає прикладання напруги між зовнішньою та внутрішньою поверхнею тигля, який відрізняється тим, що як тигель використовують кварцовий тигель, як розплав - розплав кремнію, причому до внутрішньої стінки тигля прикладають негативну полярність напруги.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що напругу прикладають між розплавом та зовнішньою поверхнею тигля, наприклад...

Спосіб контролю якості кристалу

Завантаження...

Номер патенту: 62553

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Проц Лариса Анатоліївна, Соломон Андрій Михайлович, Лавріненко Валерій Іванович, Пуга Павло Павлович

МПК: G01N 23/20

Мітки: спосіб, якості, кристалу, контролю

Формула / Реферат:

1. Спосіб контролю якості кристалу, який включає опромінення поверхні досліджуваного та еталонного кристалів монохроматичним рентгенівським променем та зняття кривих качання шляхом вимірювання інтенсивності відбитого рентгенівського променя при різних кутах повороту пучка відносно кристала та порівняння кривих качання, який відрізняється тим, що еталонний та досліджуваний кристали зішліфовують з утворенням площин з ідентичною...

Спосіб одержання кристалу тіогалату кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 62154

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Богданова-Борець Олександра Василівна, Риган Михайло Юрієвич, Шпирко Григорій Миколайович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалу, кадмію, одержання, спосіб, тіогалату

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристалу тіогалату кадмію, який включає виготовлення і термічну обробку подвійної ампули з плавленого кварцу, розміщення в порожнині внутрішньої ампули шихти тіогалату кадмію, вакуумування та герметизацію порожнини ампули, розплавлення шихти тіогалату кадмію та наступну направлену кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що термічну обробку подвійної ампули здійснюють при температурі 1000-1200°С протягом 1-3 годин в...

Спосіб вирощування кристалу борату стронцію sr4b14 o25 ,легованого лантаноїдами

Завантаження...

Номер патенту: 49341

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Оселедчик Юрій Семенович, Світанько Микола Вікторович, Просвірнін Андрій Леонідович, Кудрявцев Дмитро Петрович

МПК: C30B 17/00

Мітки: спосіб, стронцію, sr4b14, борату, лантаноїдами, вирощування, кристалу, легованого

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалу борату стронцію Sr4B14O25, легованого лантаноїдами, який включає приготування шихти стехіометричного складу з SrO і В2О3, узятих в молярному відношенні 1:2, розплавлення її, наступне охолодження і вирощування монокристалів на орієнтовану затравку з обертанням і програмованим витягуванням, який відрізняється тим, що в шихту вводять легуючі домішки у вигляді окислу лантаноїду RЕ2О3 в кількості

Спосіб виготовлення кристалу кремнієвого напівпровідникового приладу з відокремлюючими областями

Завантаження...

Номер патенту: 45871

Опубліковано: 15.04.2002

Автори: Копаєва Ольга Вікторівна, Рачинський Любомир Ярославович, Тетерьвова Наталія Олексіївна, Зуєва Тетяна Костянтинівна, Солодовнік Анатолій Іванович, Полухін Олексій Степанович

МПК: H01L 21/383, H01L 21/22

Мітки: відокремлюючими, приладу, кремнієвого, напівпровідникового, кристалу, спосіб, областями, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кристала кремнієвого напівпровідникового приладу з периферійними відокремлюючими областями, який включає формування на плоскій поверхні підложки n-типу провідності маскувального покриття і зон металу – розчинника на основі алюмінію відповідно до конфігурації відокремлюючих областей, видалення маскувального покриття, занурення і термоміграцію зон крізь підложку у вакуумі, створення за допомогою дифузії і, в разі...

Пристрій для вирощування кристалу

Завантаження...

Номер патенту: 35135

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Богданова-Борець Олександра Василівна, Коложварі Марія Василівна, Шпирко Григорій Миколайович, Проц Лариса Анатоліївна

МПК: C30B 15/00

Мітки: вирощування, пристрій, кристалу

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування кристалу, який містить тигель із розплавом, підставку із штоком, нагрівач та механізм вертикального переміщення тигля, який відрізняється тим, що механізм вертикального переміщення тигля містить розміщену під тиглем ємність з рідиною, в яку занурений поплавок, поплавок жорстко з'єднаний з підставкою тигля за допомогою несучого штоку, причому площа горизонтального перерізу ємності S та площа горизонтального перерізу...

Спосіб вирощування кристалу направленою кристалізацією розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 32842

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Проц Лариса Анатолієвна, Шпирко Григорій Миколайович, Богданова-Борець Олександра Василівна, Коложварі Марія Василівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалу, спосіб, розплаву, кристалізацією, вирощування, направленою

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалу направленою кристалізацією розплаву, який включає розміщення речовини, яку кристалізують, в порожнину вертикально установленого контейнеру зі звуженим нижнім кінцем, розплавлення речовини та направлене охолодження розплаву знизу, який відрізняється тим, що направлене охолодження розплаву здійснюють шляхом занурення контейнеру в рідину з температурою, яка нижча температури плавлення речовини, яка...

Спосіб підготовки кристалу до обточування

Завантаження...

Номер патенту: 26019

Опубліковано: 26.02.1999

Автори: Абрамов Володимир Миколайович, Алешкевич Олег Володимирович

МПК: B28D 5/00

Мітки: спосіб, обточування, підготовки, кристалу

Формула / Реферат:

Способ подготовки кристалла к обтачиванию, включающий операции установки кристалла в державках станка, при которой ось кристалла располагают параллельно оси вращения, дискретного вращения кристалла в станке, регистрации контуров профилей кристалла, по которым судят о форме и геометрических параметрах предполагаемого изделия, которое может быть изготовлено из кристалла, отличающийся тем, что предварительно формируют трехмерные изображения...

Спосіб керування процесом витягування кристалу із розплаву та спосіб для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 16667

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Заславський Борис Григорович, Васецький Сергій Іванович, Соломаха Юрій Олексійович, Стаднік Петро Омел'янович, Гавриш Валентина Олексіївна, Даниленко Едуард Васильович

МПК: C30B 15/00

Мітки: здійснення, кристалу, витягування, процесом, керування, спосіб, розплаву

Формула / Реферат:

1. Способ управления процессом вытягива­ния кристалла из расплава путем дозирования под­питки в зависимости от уровня расплава и регулирования диаметра кристалла в зависимости от температуры расплава, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности регулирова­ния диаметра растущего кристалла, задают интер­вал времени между подпитками, измеряют фактические интервалы времени между подпитка­ми , а температуру расплава изменяют по отклоне­нию...

Спосіб огранки деформованого кристалу алмазу

Завантаження...

Номер патенту: 2399

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Нагірна Ганна Нестерівна, Петров Юрій Сергійович, Одесюк Іван Тимофійович

МПК: B28D 5/00

Мітки: деформованого, огранки, кристалу, алмазу, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ огранки деформированного кристалла алмаза, преимущественно при изготов­лении бриллиантов, включающий установку кристалла алмаза в держатель, поворот кристалла алмаза по часовой стрелке вокруг оси держателя на угол 22 "З0', пробное шлифование в различных направлениях относительно кристалло­графических осей алмаза, выбор направления шлифования с наибольшей интенсивностью съема и последующее шлифование и полирование гра­ней,...