Патенти з міткою «кристалів»

Установка для розділення кристалів лазерним променем

Завантаження...

Номер патенту: 109745

Опубліковано: 12.09.2016

Автори: Рогульський Дмитро Миколайович, Котляров Валерій Павлович

МПК: B23K 26/04

Мітки: розділення, променем, установка, лазерним, кристалів

Формула / Реферат:

Установка для кристалів лазерним променем, який утримує лазер, оптичну систему із двох перетворюючих лінз - сферичної та циліндричної, розташованих одна за одною на осі променя з можливістю переміщення сферичної лінзи вздовж нього, та стіл для розташування заготівки, який відрізняється тим, що в оптичній системі додатково використовується друга циліндрична лінза, яка розташована під першою таким чином, що їх осі перехрещуються під нормальним...

Спосіб підвищення фотопровідності кристалів халькогеніду індинату талію (tiinse2)

Завантаження...

Номер патенту: 109140

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Замуруєва Оксана Валеріївна, Кітик Іван Васильович, Пясецький Міхал, Мирончук Галина Леонідівна

МПК: C22C 45/00, C30B 31/00, H01L 31/00 ...

Мітки: фотопровідності, талію, tiinse2, кристалів, підвищення, індинату, халькогеніду, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб підвищення фотопровідності кристалів халькогеніду індинату талію (TlInSe2), що включає завантаження його у ростовий контейнер, відкачку останнього, вміщення його у піч, виведення її на температурний режим та введення легуючих елементів, який відрізняється тим, що у ростовий контейнер з халькогенідом індинату талію одночасно завантажують лігатуру, до складу якої вводять елементи IV групи кремній (Si) та германій (Ge).2....

Спосіб легування кристалів znse<te> рідкісноземельними елементами

Завантаження...

Номер патенту: 107292

Опубліковано: 25.05.2016

Автори: Махній Віктор Петрович, Сенко Ілля Михайлович, Кінзерська Оксана Володимирівна

МПК: C30B 25/00, C30B 31/00

Мітки: елементами, легування, znse<te&#62, спосіб, кристалів, рідкісноземельними

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів ZnSe<Te> рідкісноземельними елементами, що включає відпал напівпровідникових пластин у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі при температурі 1400±10 К, який відрізняється тим, що відпал пластин ZnSe<Te> товщиною d проводять у присутності елементарного селену та подрібненого рідкісноземельного металу (ітербію або гадолінію) протягом часу ta, який розраховується за формулою ta³4.106.d2, с, де d...

Пристрій для вільного вирощування кристалів методом сублімації

Завантаження...

Номер патенту: 111560

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Сингаївський Олександр Федорович, Пекар Григорій Соломонович, Локшин Михайло Маркович

МПК: C30B 23/00, C30B 25/00, C30B 35/00 ...

Мітки: вільного, пристрій, сублімації, кристалів, вирощування, методом

Формула / Реферат:

Пристрій для вільного вирощування кристалів методом сублімації, який відрізняється тим, що з метою його багаторазового використання при температурах до 1800 - 2000 °С пристрій є розбірним і включає сапфіровий ростовий тигель у формі відкритої з обох сторін труби, нижній торець якої виконаний шорсткуватим і встановлений на сапфіровій пластині, на поверхні пластини всередині ростового тигля розташована кругла зародкова пластина з вирощуваного...

Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів з феромагнітними властивостями на основі шаруватих кристалів inse, in2se3, inte

Завантаження...

Номер патенту: 106400

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Боледзюк Володимир Богданович, Цибуленко Юрій Михайлович

МПК: C30B 29/68

Мітки: отримання, нанокомпозитних, спосіб, шаруватих, основі, матеріалів, inse, властивостями, in2se3, феромагнітними, напівпровідникових, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, ґрунтується на методі електрохімічного впровадження (інтеркалювання) іонів кобальту у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників InSeб In2Se3, InTe, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в градієнтному магнітному полі, направленому...

Спосіб отримання сферичних кристалів ізогідричним методом

Завантаження...

Номер патенту: 106155

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Проценко Олександр Миколайович, Банішевський Віктор Васильович, Комаров В'ячеслав Володимирович, Закусило Роман Васильович

МПК: C30B 7/00

Мітки: ізогідричним, сферичних, отримання, спосіб, методом, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання сферичних кристалів ізогідричним методом полягає у розчиненні вхідної сировини та кристалізації сферичних кристалів ізогідричним методом із розчину з використанням трьох зон кристалізації, що доповнюють одна одну і мають різні закони переміщення маси водної суспензії під дією декількох фізичних сил за рахунок керованого зазору між мішалкою і днищем апарату кристалізатора-модифікатора, що надає можливість отримувати округлі...

Спосіб одержання кристалів адипінової кислоти

Завантаження...

Номер патенту: 111318

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Карвен Філіпп, Фуше Стефані

МПК: C07C 51/43, C07C 55/14

Мітки: адіпінової, спосіб, кислоти, одержання, кристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кристалів адипінової кислоти з розчину адипінової кислоти, що включає принаймні одну стадію очищення кристалізацією та одну стадію відділення й відновлення кристалів адипінової кислоти, який відрізняється тим, що кристали адипінової кислоти піддають стадії подрібнення перед стадією відділення та відновлення, який включає наступні стадії:- фазу кристалізації в кристалізаторі, - фазу репульпації кристалів у...

Спосіб дезактивації високосолевих радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів у режимі змішування

Завантаження...

Номер патенту: 105888

Опубліковано: 11.04.2016

Автори: Гайдін Олександр Володимирович, Корякін Володимир Михайлович, Іванець Валерій Григорович

МПК: G21F 9/00, G21F 9/04, G21F 9/06 ...

Мітки: відмиванням, змішування, кристалів, спосіб, радіоактивних, дезактивації, високосолевих, режимі, розчинів

Формула / Реферат:

1. Спосіб дезактивації високосолевих радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів в режимі змішування, що включає попереднє очищення високосольових радіоактивних розчинів на механічному фільтрі та кристалізацію з отриманням кристалічного продукту і радіоактивного розчину з заданим рівнем питомої радіоактивності, який відрізняється тим, що кристалізацію очищеного високосольового радіоактивного розчину здійснюють спочатку упарюванням з...

Спосіб дезактивації високосольових радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів у режимі витіснення

Завантаження...

Номер патенту: 105563

Опубліковано: 25.03.2016

Автори: Гайдін Олександр Володимирович, Корякін Володимир Михайлович, Іванець Валерій Григорович

МПК: G21F 9/00, G21F 9/06, G21F 9/04 ...

Мітки: режимі, кристалів, високосольових, дезактивації, відмиванням, радіоактивних, витиснення, спосіб, розчинів

Формула / Реферат:

1. Спосіб дезактивації високосольових радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів у режимі витіснення, що включає попереднє очищення високосольових радіоактивних розчинів на механічному фільтрі, кристалізацію з отриманням: кристалічного продукту і радіоактивного розчину з заданим рівнем питомої радіоактивності, який відрізняється тим, що кристалізацію очищеного високосольового радіоактивного розчину здійснюють спочатку упарюванням з...

Спосіб електростимуляції регенерації нервових тканин з використанням нитковидних кристалів кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 104557

Опубліковано: 10.02.2016

Автори: Чайковський Юрій Богданович, Висоцька Наталія Андріївна, Корсак Аліна Вадимівна, Клімовська Алла Іванівна, Ліходієвський Володимир Володимирович

МПК: A61K 50/00, A61P 25/02, A61B 17/00 ...

Мітки: тканин, нитковидних, кристалів, електростимуляції, кремнію, регенерації, спосіб, нервових, використанням

Формула / Реферат:

1. Спосіб стимуляції регенерації нервових тканин, який включає формування на травмованій частині нерва локальної області з біосумісного матеріалу, яка містить кристали кремнію, який відрізняється тим, що локальну область формують у вигляді трубки, в якій розміщують паралельно осі трубки між проксимальним і дистальним кінцями травмованого нерва нитковидні кристали кремнію, величина поперечного перетину яких перевищує або порядку величини...

Спосіб визначення відносної зміни поверхневої енергії голчастих кристалів внаслідок появи тонкого металевого шару покриття

Завантаження...

Номер патенту: 103599

Опубліковано: 25.12.2015

Автор: Левандовський Борис Іванович

МПК: B82B 1/00

Мітки: покриття, голчастих, кристалів, тонкого, поверхневої, зміни, спосіб, шару, внаслідок, металевого, енергії, визначення, відносної, появи

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення відносної зміни поверхневої енергії голчастих кристалів внаслідок появи тонкого шару металевого покриття, який відрізняється тим, що чисельне значення величини знаходять завдяки вимірюванню параметрів діючого електричного поля на зразок в польовому іонному мікроскопі (ПІМ), причому шукану величину розраховують за формулою:γ2/γ1=(U02/U01),2 (1)де U01 та U02 - напруги електричного поля під час...

Пристрій і спосіб одержання кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 110017

Опубліковано: 10.11.2015

Автор: Мізрахі Йозеф

МПК: C30B 29/00, B01D 9/00

Мітки: одержання, спосіб, пристрій, кристалів

Формула / Реферат:

1. Реакційно-кристалізаційний пристрій для проведення реакції і (або) екстрагування розчинником і (або) кристалізації розчинних солей, при цьому пристрій включає:• верхню секцію, яка має верхню частину і декантор, при цьому декантор включає:§  вертикальну ємність, оснащену горизонтальним зливом у верхній частині верхньої секції;§  випускний отвір у верхній частині верхньої секції для відведення легкої фази у...

Спосіб визначення локальних деформацій кристалів на основі профілів розподілу інтенсивності зворотно відбивних електронів

Завантаження...

Номер патенту: 100924

Опубліковано: 10.08.2015

Автори: Ткач Василь Миколайович, Баловсяк Сергій Васильович, Фодчук Ігор Михайлович

МПК: G01T 1/16, G06T 17/30, G06F 17/17 ...

Мітки: зворотної, локальних, інтенсивності, відбивних, кристалів, визначення, спосіб, деформацій, розподілу, основі, профілів, електронів

Формула / Реферат:

Спосіб визначення локальних деформацій кристалів на основі профілів розподілу інтенсивності зворотно відбитих електронів, що отримані за методом Кікучі в множині областей кристалу, який полягає в тому, що для кожної області кристалу значення локальної деформації обчислюють через площу під інтерпольованим профілем z(х) смуги Кікучі, отриманої в скануючому електронному мікроскопі від відповідної області досліджуваного кристалу, а значення...

Спосіб одержання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі

Завантаження...

Номер патенту: 108798

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Таранюк Володимир Іванович, Гектін Олександр Вульфович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: зокрема, спосіб, кристалів, одержання, площі, великої, пластин, кристалічних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, який забезпечує гарнісажний шар біля його стінок завтовшки 5-10...

Спосіб вилучення металічного германію з відходів обробки кристалів германію ріжучим інструментом

Завантаження...

Номер патенту: 108412

Опубліковано: 27.04.2015

Автори: Касинський Євген Ігорович, Сингаївський Олександр Федорович, Пекар Григорій Соломонович

МПК: C22B 41/00, C30B 33/04, C30B 29/08 ...

Мітки: вилучення, обробки, металічного, германію, ріжучим, відходів, інструментом, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вилучення металічного германію з відходів обробки кристалів германію ріжучим інструментом, який відрізняється тим, що охолоджуючу ріжучий інструмент воду разом з відходами германію, які в ній знаходяться, відстоюють приблизно протягом доби для осадження суспензії порошку великої фракції, рідину зливають у окремі ємності, осаджений порошок виймають з накопичувальної ємності і осушують в інертній атмосфері (перший етап вилучення), до...

Пристрій для витягування профільованих кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 107982

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Андрєєв Олександр Євгенійович, Андрєєв Євген Петрович, Сафронов Роман Ігоревич, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 15/32, C30B 15/36, C30B 15/34 ...

Мітки: кристалів, пристрій, витягування, профільованих

Формула / Реферат:

Пристрій для витягування профільованих кристалів, що включає шток витягаючого механізму, який розташовано співвісно або має зсув у горизонтальній площині щодо осі тигля, на якому закріплено затравкоутримувач у вигляді диска з затравками, який відрізняється тим, що затравкоутримувач з затравкою кріпиться до штоку витягаючого механізму, через перехідну муфту, в якій за допомогою гвинтів для фіксування, закріплено шток горизонтальної втулки, що...

Спосіб отримання напівізолюючих кристалів cd1-xmnxte

Завантаження...

Номер патенту: 95790

Опубліковано: 12.01.2015

Автори: Ульяницький Констянтин Сергійович, Махній Віктор Петрович, Склярчук Валерій Михайлович

МПК: C30B 31/06

Мітки: кристалів, отримання, спосіб, cd1-xmnxte, напівізолюючих

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівізолюючих кристалів Cd1-xMnxTe, що включає легування домішкою Sn, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом відпалу підкладинок Cd1-xMnxTe у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі в насиченій парі Sn при температурі 850±50 °C.

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розинів pb1-xsnxte

Завантаження...

Номер патенту: 95348

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Томашик Зінаїда Федорівна, Литвин Петро Мар'янович, Стратійчук Ірина Борисівна, Копил Олександр Іванович, Маланич Галина Петрівна, Томашик Василь Миколайович, Литвин Оксана Степанівна

МПК: H01L 21/00

Мітки: розинів, поверхні, pb1-xsnxte, телуриду, полірованої, плюмбум, кристалів, формування, твердих, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розчинів Pb1-xSnxTe, що включає механічне шліфування поверхні пластин, хіміко-механічне полірування рідкофазним травильним розчином, який містить бром, бромідну кислоту та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластини кристалів полірують бромвиділяючим рідкофазним травильним розчином, до складу якого входить гідроген пероксид та бромідна кислота, а як...

Спосіб термообробки сцинтиляційних кристалів сульфіду цинку, активованих селеном

Завантаження...

Номер патенту: 104701

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Зеня Ігор Михайлович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Гриньов Борис Вікторович, Жуков Олександр Вікторович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Мітки: сцинтиляційних, сульфіду, кристалів, термообробки, цинку, активованих, спосіб, селеном

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки кристалів сульфіду цинку, активованих селеном, що включає їх відпал в насичених парах цинку при температурі 950-1300 °C протягом 30-50 годин, який відрізняється тим, що здійснюють попередній відпал кристалів у змішаному середовищі водню і парів селену при Т=600-950 °C протягом 8-10 годин.

Верстат для обточування кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 86224

Опубліковано: 25.12.2013

Автори: Кузнєцов Юрій Миколайович, Савицький Сергій Олександрович, Гумінов Валентин Валерійович

МПК: B28D 5/00, B23B 3/00

Мітки: кристалів, обточування, верстат

Формула / Реферат:

Верстат для обточування кристалів, що містить передню і задню бабки зі шпинделями і приводами синхронного обертання кристала-виробу від проміжного вала, супортну систему з окремими приводами радіального переміщення з передачею гвинт-гайка від крокових електродвигунів і осьового переміщення від ексцентрикового кулачка супорта з розташованими на ньому інструментами, який відрізняється тим, що додатково оснащений декількома парами передніх і...

Спосіб розплавного синтезу цирконій- або гафнійвмісних кристалів kтіоро4

Завантаження...

Номер патенту: 84343

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Затовський Ігор Вікторович, Слободяник Микола Семенович, Іваненко Володимир Ігорович

МПК: C30B 13/00, C01G 23/00, C30B 11/04 ...

Мітки: розплавного, спосіб, кристалів, синтезу, kтіоро4, гафнійвмісних, цирконій

Формула / Реферат:

1. Спосіб розплавного синтезу цирконій- або гафнійвмісних кристалів КТiОРО4 шляхом взаємодії порошку фторидів цирконію (гафнію) з розплавом фосфатів калію та оксиду титану.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що більшу розчинність цирконію або гафнію досягають за рахунок внесення МIV F4 (МIV-Zr чи Hf) у розчин-розплав.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що більшу розчинність цирконію або гафнію досягають за рахунок...

Індуктор для вирощування кристалів методом безтигельної зонної плавки

Завантаження...

Номер патенту: 83683

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Червоний Іван Федорович, Реков Юрій Васильович

МПК: C30B 13/20

Мітки: плавки, зонної, вирощування, методом, безтигельної, кристалів, індуктор

Формула / Реферат:

1. Індуктор для вирощування кристалів методом безтигельної зонної плавки у вигляді тарілчастої котушки з каналом для пропускання охолоджуючого середовища по периферії, центральним круговим отвором і наскрізним радіальним прорізом, по краях якого розташовані патрубки для підключення до джерела електричного живлення і для підведення охолоджуючого середовища, при цьому концентрично центральному отвору виконані периферичні отвори, з'єднані...

Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі cdte

Завантаження...

Номер патенту: 79780

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Наконечний Ігор Йосипович, Копач Олег Вадимович, Фочук Петро Михайлович, Панчук Олег Ельпідефорович, Вержак Євгенія Васлівна

МПК: C30B 11/00, C30B 11/04, C30B 11/12 ...

Мітки: включень, спосіб, основі, усунення, фазі, другої, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі CdTe, що включає термообробку зразка в парі кадмію в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять при температурі зразка 1100 К і джерела пари кадмію 1070 К протягом 2 годин з наступним програмованим охолодженням зі швидкістю 5 К/хвилина.

Пристрій зі змінним градієнтом температури в області кристалізації для вирощування кристалів з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 78465

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Криськов Цезарій Андрійович, Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович, Люба тетяна Сергіївна, Рачковський Олег Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалізації, області, кристалів, пристрій, розплаву, змінним, температури, градієнтом, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій зі змінним градієнтом температури в області кристалізації для вирощування кристалів з розплаву, що складається з двох термоізольованих нагрівників опору, системи контрольованого нагріву ВРТ-3 з термопарами, пристрою руху герметизованого контейнера з речовинами, який відрізняється тим, що в області кристалізації між нагрівниками розміщена труба, рухаючись по якій теплоносій відводить частину тепла, змінюючи величину температурного...

Спосіб виготовлення монокристалічних плівок селеніду кадмію гексагональної структури на підкладинках шаруватих кристалів gаsе

Завантаження...

Номер патенту: 76617

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Кудринський Захар Русланович

МПК: H01G 4/06

Мітки: виготовлення, підкладинках, монокристалічних, плівок, гексагональної, кристалів, спосіб, кадмію, шаруватих, структури, gаsе, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення монокристалічних плівок селеніду кадмію гексагональної структури на підкладинках шаруватих кристалів GaSe, що включає їх відпал у парі кадмію, який відрізняється тим, що як підкладинки використовуються шаруваті кристали моноселеніду галію.

Спосіб легування кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 76470

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: кристалів, спосіб, легування, цинку, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб легування селеніду цинку, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у присутності наважки олова Sn та подрібненої шихти ZnSe при температурі 850±50 °C.

Пристрій для вирощування великогабаритних кристалів германію методом заглибного обертового формоутворювача

Завантаження...

Номер патенту: 74738

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Крітська Тетяна Володимірівна, Карпенко Ганна Володимировна, Богомаз Анатолій Володимирович

МПК: B01J 19/00, B01J 16/00

Мітки: германію, вирощування, заглибного, великогабаритних, кристалів, пристрій, обертового, методом, формоутворювача

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування великогабаритних кристалів германію методом заглибного обертового формоутворювача, що включає водоохолоджувальну камеру, тигель із вуглець-вуглецевого композиційного матеріалу, ущільненого піролітичним вуглецем, підставку під тигель, встановлений на штоку обертання, циліндричний нагрівач, коаксіально розташовані зовнішній й внутрішній теплові екрани, формоутворювач, жорстко закріплений на штоку обертання затравки,...

Спосіб вирощування кристалів binbo4

Завантаження...

Номер патенту: 99900

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Крузіна Тетяна Володимирівна, Агарков Костянтин Володимирович, Поздєєв Володимир Григорович, Бочкова Тетяна Михайлівна

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30, C30B 29/22 ...

Мітки: binbo4, кристалів, вирощування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів BiNbO4, який включає приготування шихти із стехіометричної суміші оксидів, її плавлення при температурі ~1300 °С протягом 1-2 годин, який відрізняється тим, що вирощування кристалів здійснюють шляхом витягування з розплаву на затравку за методом Чохральського зі швидкістю 0,5-6 мм/год.

Пристрій “сапфір” контролю якості кристалів, прозорих в оптичному діапазоні вимірювання

Завантаження...

Номер патенту: 73734

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Маслов Володимир Петрович, Венгер Євген Федорович, Кущовий Сергій Миколайович, Матяш Ігор Євгенійович, Порєв Володимир Андрійович, Сердега Борис Кирилович

МПК: G01N 23/20

Мітки: пристрій, якості, сапфір, кристалів, вимірювання, діапазоні, контролю, оптичному, прозорих

Формула / Реферат:

Пристрій контролю якості кристалів, прозорих в оптичному діапазоні вимірювання, що містить напівпровідниковий лазер, фазові пластини, утримувач зразка, модулятор поляризації та фотоелектронний приймач, який відрізняється тим, що одна фазова пластина розташована безпосередньо перед зразком, який контролюється, а друга - після нього.

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду

Завантаження...

Номер патенту: 71056

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Сосницька Ольга Олександрівна, Томашик Василь Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Кравцова Анна Сергіївна, Будзуляк Сергій Іванович, Томашик Зінаїда Федорівна, Калитчук Сергій Михайлович, Галкін Сергій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Стратійчук Ірина Борисівна

МПК: H01L 21/465, H01L 21/02

Мітки: полірованої, селеніду, формування, кристалів, поверхні, цинк, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду, який включає механічне шліфування пластини кристала ZnSe, полірування рідкофазним травником, який містить бром та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластину кристала полірують травниками, які містять бромвиділяючу суміш гідроген пероксиду та бромідної кислоти в дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 4-6 хв. хіміко-механічне полірування напівпровідникової...

Спосіб отримання легованих кристалів pbte:co n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 65673

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Туровська Лілія Вадимівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Бойчук Володимира Михайлівна, Борик Віктор Васильович, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: спосіб, кристалів, n-типу, легованих, провідності, отримання, pbte:co

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Со n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...

Спосіб легування кристалів телуриду кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 62626

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Махній Віктор Петрович, Сльотов Михайло Михайлович, Косоловський Василь Васильович

МПК: C30B 31/06

Мітки: телуриду, легування, спосіб, кристалів, кадмію

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів телуриду кадмію, що включає їх відпал у парі домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі легуючої домішки Mg при температурі 820-900 °С.

Пристрій для вирощування профільованих кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 95515

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Андрєєв Євген Петрович, Коневський Павло Вячеславович

МПК: C30B 15/36, C30B 15/34, C30B 35/00 ...

Мітки: вирощування, кристалів, пристрій, профільованих

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування профільованих кристалів, що включає засіб захвата затравки, який виконано у вигляді тяг, нижня частина яких оснащена полками для розміщення затравки, а верхня частина закріплена на штоку витягувального механізму, при цьому центри ваги тяг зміщені до місця розташування осі тигля, який відрізняється тим, що тяги у верхній частині мають призматичні упори і установлені в пазах опорного диска, який закріплено на штоку...

Спосіб отримання кристалів znse:in n- i p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 59326

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Фреїк Наталія Дмитрівна, Потяк Володимир Юрійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Гургула Галина Ярославівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: кристалів, p-типу, провідності, znse:in, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів ZnSe:In n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину, за яку використовують ZnSe, поміщають в ампулу із затравкою, а як легуючий матеріал використовують In2Se3, ампулу поміщають у піч з вертикальним градієнтом, парофазне легування здійснюють у процесі вільного росту, при якому контролюють дозування вихідного матеріалу домішкового індію, який відрізняється тим, що при дозі індію до 0,5·1020 м-3...

Способи одержання кристалів гідроксиду алюмінію та композиція модифікатора кристалізації для їх здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 94232

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Каунтер Джеймз А., Маліто Джон Т.

МПК: C01F 7/14, C01F 7/02

Мітки: алюмінію, модифікатора, здійснення, кристалізації, гідроксиду, одержання, композиція, способи, кристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кристалів гідроксиду алюмінію з насиченого технологічного розчину Байєра, який включає додавання модифікатора кристалізації до розчину, де модифікатор кристалізації містить С8-С10 жирну кислоту або її попередник, або сіль, або їх суміші, причому карбоновий ланцюг вказаної жирної кислоти не має функціональних груп.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що модифікатор додатково містить оливу, яка має температуру...

Спосіб дослідження композиційної неоднорідності структури кристалів фосфіду індію

Завантаження...

Номер патенту: 93456

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Кідалов Валерій Вітальович, Сукач Георгій Олексійович, Сичікова Яна Олександрівна

МПК: G01N 1/32, G01N 27/00

Мітки: фосфіду, структури, індію, неоднорідності, кристалів, композиційної, дослідження, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб дослідження композиційної неоднорідності структури кристалів фосфіду індію, який відрізняється тим, що включає обробку поверхні монокристалічного фосфіду індію шляхом селективного електрохімічного травлення, яке проводять шляхом обробки монокристала фосфіду індію у розчині етилового спирту, води та HF у співвідношенні 2:1:1 відповідно при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 50 мА/см2.2. Спосіб за п. 1,...

Спосіб одержання розплаву для вирощування кристалів оксіортосилікатів лютецію та гадолінію

Завантаження...

Номер патенту: 92705

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Бондар Валерій Григорійович, Сідлецький Олег Цезаревич, Волошина Олеся Василівна, Гриньов Борис Вікторович, Курцев Данііл Олександрович, Жуков Леонід Семенович

МПК: C30B 15/02, G01T 1/202

Мітки: вирощування, кристалів, спосіб, лютецію, розплаву, оксіортосилікатів, одержання, гадолінію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання розплаву для вирощування кристалів оксіортосилікатів лютецію та гадолінію, допованих церієм, що включає змішування вихідних компонентів шихти: оксидів гадолінію, лютецію, кремнію та церію в стехіометричному співвідношенні, з наступним розплавленням шихти в іридієвому тиглі в інертному середовищі, який відрізняється тим, що після змішування вихідні компоненти шихти попередньо відпалюють на повітрі при 1650±10 °С, витримують...

Верстат для обточування кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 51386

Опубліковано: 12.07.2010

Автори: Дмитрієв Дмитро Олексійович, Кузнєцов Юрій Миколайович, Якушко Ігор Сергійович, Грабовець Ігор Володимирович, Гумінов Валентин Валерійович

МПК: B28D 5/00, B23B 3/00

Мітки: верстат, кристалів, обточування

Формула / Реферат:

1. Верстат для обточування кристалів, що містить розташовані на його нерухомій основі бабки з приводом обертання кристала-виробу, супорт, розташований на платформі і оснащений окремими приводами переміщення кристала-різця, підключеними до розподільника частот струму, який відрізняється тим, що платформа розташована на двох і більше штангах з можливістю її коливання з різними амплітудами в різних напрямках, причому кінці штанг оснащені...

Процес створення об’ємних мікро-та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи аiiвv

Завантаження...

Номер патенту: 50923

Опубліковано: 25.06.2010

Автори: Маник Орест Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Тетяна Орестівна

МПК: C30B 11/00, C30B 29/30

Мітки: наноструктур, аiiвv, створення, напівпровідникових, мікро-та, основі, об'ємних, низькосиметричних, сполук, групи, кристалів, процес

Формула / Реферат:

1. Процес створення об'ємних мікро- та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи АIIВV, що складається з етапів завантаження наважки, її синтезу, зонної перекристалізації, температурного відпалу отриманого злитка та контролю його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі зонної перекристалізації температура розплаву зони при першому проходженні нагрівача підтримується постійною на рівні Т (t) =...