Патенти з міткою «кристалів»

Тигель для вирощування кристалів із речовин з від’ємним температурним коефіцієнтом об’ємного розширення

Завантаження...

Номер патенту: 119994

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Коптєв Михайло Михайлович, Агарков Костянтин Володимирович

МПК: C30B 15/10

Мітки: розширення, тигель, вирощування, коефіцієнтом, від'ємним, кристалів, об`ємного, речовин, температурним

Формула / Реферат:

Тигель для вирощування кристалів із речовин з від'ємним температурним коефіцієнтом об'ємного розширення, виконаний у вигляді циліндра, пласке дно якого з'єднане з циліндричною боковою поверхнею по сферичній поверхні, який відрізняється тим, що бокова поверхня тигля виконана у вигляді хвилястого профілю.

Спосіб дезактивації високосольових радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів у режимі витіснення

Завантаження...

Номер патенту: 114956

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Корякін Володимир Михайлович, Іванець Валерій Григорович, Гайдін Олександр Володимирович

МПК: G21F 9/06, G21F 9/04, G21F 9/00 ...

Мітки: кристалів, спосіб, режимі, витиснення, відмиванням, високосольових, розчинів, радіоактивних, дезактивації

Формула / Реферат:

1. Спосіб дезактивації високосольових радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів у режимі витіснення, що включає попереднє очищення високосольових радіоактивних розчинів на механічному фільтрі, кристалізацію з отриманням: кристалічного продукту і радіоактивного розчину з заданим рівнем питомої радіоактивності, який відрізняється тим, що кристалізацію очищеного високосольового радіоактивного розчину здійснюють спочатку упарюванням з...

Спосіб дезактивації високосольових радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів у режимі змішування

Завантаження...

Номер патенту: 114954

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Гайдін Олександр Володимирович, Корякін Володимир Михайлович, Іванець Валерій Григорович

МПК: G21F 9/04, G21F 9/00, G21F 9/06 ...

Мітки: радіоактивних, високосольових, режимі, кристалів, розчинів, змішування, дезактивації, відмиванням, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб дезактивації високосольових радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів в режимі змішування, що включає попереднє очищення високосольових радіоактивних розчинів на механічному фільтрі та кристалізацію з отриманням кристалічного продукту і радіоактивного розчину з заданим рівнем питомої радіоактивності, який відрізняється тим, що кристалізацію очищеного високосольового радіоактивного розчину здійснюють спочатку упарюванням з...

Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів з феромагнітними властивостями при кімнатній температурі на основі шаруватих кристалів bi2se3, bi2te3

Завантаження...

Номер патенту: 118064

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Боледзюк Володимир Богданович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: C30B 29/68

Мітки: основі, напівпровідникових, шаруватих, спосіб, одержання, властивостями, кімнатний, феромагнітними, bi2se3, bi2te3, температури, кристалів, матеріалів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, що базується на методі електрохімічного інтеркалювання іонів кобальту Со2+ у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників Bi2Se3, Ві2Те3, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому паралельно базовій площині кристалу та...

Склад для хіміко-механічного полірування поверхні кристалів аiiibiicvii (tl4hgi6, tl4pbi6, tl4cdi6)

Завантаження...

Номер патенту: 117363

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович, Дремлюженко Сергій Григорович

МПК: C09G 1/02, H01L 21/302

Мітки: склад, tl4cdi6, tl4pbi6, аiiibiicvii, хіміко-механічного, кристалів, поверхні, tl4hgi6, полірування

Формула / Реферат:

Склад для хіміко-механічного полірування кристалів AIIIBIICVII (Tl4HgI6, Tl4PbI6, Tl4CdI6), що містить аеросил (марок А-175, A-300), луг, окисник, гліцерин, воду, який відрізняється тим, що заявлений склад додатково містить моноетаноламін, а як окисник застосовують гексаціаноферат (III) калію (K3[Fe(CN)6]), при наступному співвідношенні компонентів: аеросил (марок А-175, А-300) 0,17 моль/л, ...

Спосіб отримання фоторезисторів на основі кристалів tlinse2

Завантаження...

Номер патенту: 116902

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Махновець Ганна Володимирівна, Коровицький Андрій Михайлович, Замуруєва Оксана Валеріївна, Мирончук Галина Леонідівна, Кітик Іван Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: основі, фоторезисторів, отримання, кристалів, спосіб, tlinse2

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоторезисторів на основі TlInSe2, що включає вирощування шаруватого монокристалу за модифікованим методом Бріджмена, складання фоторезистора та вибір фоточутливості при освітленні монохроматичним світлом, який відрізняється тим, що в процесі вирощування монокристалу його легують селенідом цинку, а як монохроматичне освітлення використовують інфрачервоний діапазон світла.

Спосіб обробки поверхні кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 115977

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Махній Віктор Петрович, Бодюл Георгій Ілліч

МПК: H01L 21/477

Мітки: поверхні, цинку, кристалів, селеніду, обробки, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні кристалів селеніду цинку, що включає механічне полірування, хімічну обробку, відмивання у киплячій дистильованій воді та сушіння підкладинок селеніду цинку, який відрізняється тим, що підкладинку послідовно за 6-8 циклів обробляють в суміші H2SO4:H2O2=3:1 при 60-70 °С і дистильованій воді при 20 °С протягом 30-60 с.

Спосіб вирощування допованих кристалів дигідрофосфату калію

Завантаження...

Номер патенту: 115640

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Долженкова Олена Федорівна, Безкровна Ольга Миколаївна, Притула Ігор Михайлович, Коваленко Назар Олегович, Костенюкова Олена Ігоревна

МПК: C30B 7/00

Мітки: вирощування, допованих, дигідрофосфату, калію, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування допованих кристалів дигідрофосфату калію, який включає приготування розчину солі дигідрофосфату калію, додавання домішки амінокислоти L-аргінін у розчин, виготовлення та встановлення затравки, заливку розчину у кристалізатор, вирощування кристала при реверсивному перемішуванні розчину 60-80 об./хв, який відрізняється тим, що домішку додають у розчин в концентрації 0,3-1,4 мас. %, а вирощування кристала ведуть методом...

Спосіб обробки поверхонь високогігроскопічних галоїдних кристалів для виготовлення сцинтиляторів

Завантаження...

Номер патенту: 113591

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Горбачова Тетяна Євгенівна, Галенін Євгеній Петрович, Тарасов Володимир Олексійович, Реброва Надія Василівна, Бобовніков Олександр Анатолійович, Андрющенко Любов Андріївна

МПК: G01T 1/202

Мітки: обробки, високогігроскопічних, поверхонь, спосіб, галоїдних, кристалів, сцинтиляторів, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхонь високогігроскопічних галоїдних кристалів для виготовлення сцинтиляторів, що включає обробку торцевих поверхонь кристалів композиціями, які містять абразивний порошок з гексаметилдисилазаном в складі, промивку поверхонь гексаметилдисилазаном, полірування поверхні сцинтилятора з боку вихідного вікна абразивом з розміром зерна 3-5 мкм та обробку поверхні сцинтилятора з боку вхідного вікна, який відрізняється тим, що...

Установка для розділення кристалів лазерним променем

Завантаження...

Номер патенту: 109745

Опубліковано: 12.09.2016

Автори: Рогульський Дмитро Миколайович, Котляров Валерій Павлович

МПК: B23K 26/04

Мітки: розділення, променем, установка, кристалів, лазерним

Формула / Реферат:

Установка для кристалів лазерним променем, який утримує лазер, оптичну систему із двох перетворюючих лінз - сферичної та циліндричної, розташованих одна за одною на осі променя з можливістю переміщення сферичної лінзи вздовж нього, та стіл для розташування заготівки, який відрізняється тим, що в оптичній системі додатково використовується друга циліндрична лінза, яка розташована під першою таким чином, що їх осі перехрещуються під нормальним...

Спосіб підвищення фотопровідності кристалів халькогеніду індинату талію (tiinse2)

Завантаження...

Номер патенту: 109140

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Замуруєва Оксана Валеріївна, Кітик Іван Васильович, Мирончук Галина Леонідівна, Пясецький Міхал

МПК: C22C 45/00, C30B 31/00, H01L 31/00 ...

Мітки: tiinse2, халькогеніду, спосіб, індинату, талію, фотопровідності, підвищення, кристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб підвищення фотопровідності кристалів халькогеніду індинату талію (TlInSe2), що включає завантаження його у ростовий контейнер, відкачку останнього, вміщення його у піч, виведення її на температурний режим та введення легуючих елементів, який відрізняється тим, що у ростовий контейнер з халькогенідом індинату талію одночасно завантажують лігатуру, до складу якої вводять елементи IV групи кремній (Si) та германій (Ge).2....

Спосіб легування кристалів znse<te> рідкісноземельними елементами

Завантаження...

Номер патенту: 107292

Опубліковано: 25.05.2016

Автори: Махній Віктор Петрович, Кінзерська Оксана Володимирівна, Сенко Ілля Михайлович

МПК: C30B 25/00, C30B 31/00

Мітки: znse<te&#62, рідкісноземельними, спосіб, легування, кристалів, елементами

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів ZnSe<Te> рідкісноземельними елементами, що включає відпал напівпровідникових пластин у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі при температурі 1400±10 К, який відрізняється тим, що відпал пластин ZnSe<Te> товщиною d проводять у присутності елементарного селену та подрібненого рідкісноземельного металу (ітербію або гадолінію) протягом часу ta, який розраховується за формулою ta³4.106.d2, с, де d...

Пристрій для вільного вирощування кристалів методом сублімації

Завантаження...

Номер патенту: 111560

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Пекар Григорій Соломонович, Локшин Михайло Маркович, Сингаївський Олександр Федорович

МПК: C30B 25/00, C30B 35/00, C30B 23/00 ...

Мітки: вільного, пристрій, кристалів, сублімації, методом, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вільного вирощування кристалів методом сублімації, який відрізняється тим, що з метою його багаторазового використання при температурах до 1800 - 2000 °С пристрій є розбірним і включає сапфіровий ростовий тигель у формі відкритої з обох сторін труби, нижній торець якої виконаний шорсткуватим і встановлений на сапфіровій пластині, на поверхні пластини всередині ростового тигля розташована кругла зародкова пластина з вирощуваного...

Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів з феромагнітними властивостями на основі шаруватих кристалів inse, in2se3, inte

Завантаження...

Номер патенту: 106400

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Боледзюк Володимир Богданович, Цибуленко Юрій Михайлович

МПК: C30B 29/68

Мітки: основі, властивостями, нанокомпозитних, кристалів, in2se3, спосіб, inse, матеріалів, напівпровідникових, феромагнітними, шаруватих, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, ґрунтується на методі електрохімічного впровадження (інтеркалювання) іонів кобальту у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників InSeб In2Se3, InTe, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в градієнтному магнітному полі, направленому...

Спосіб отримання сферичних кристалів ізогідричним методом

Завантаження...

Номер патенту: 106155

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Банішевський Віктор Васильович, Комаров В'ячеслав Володимирович, Проценко Олександр Миколайович, Закусило Роман Васильович

МПК: C30B 7/00

Мітки: сферичних, спосіб, методом, ізогідричним, отримання, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання сферичних кристалів ізогідричним методом полягає у розчиненні вхідної сировини та кристалізації сферичних кристалів ізогідричним методом із розчину з використанням трьох зон кристалізації, що доповнюють одна одну і мають різні закони переміщення маси водної суспензії під дією декількох фізичних сил за рахунок керованого зазору між мішалкою і днищем апарату кристалізатора-модифікатора, що надає можливість отримувати округлі...

Спосіб одержання кристалів адипінової кислоти

Завантаження...

Номер патенту: 111318

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Карвен Філіпп, Фуше Стефані

МПК: C07C 51/43, C07C 55/14

Мітки: кристалів, спосіб, адіпінової, одержання, кислоти

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кристалів адипінової кислоти з розчину адипінової кислоти, що включає принаймні одну стадію очищення кристалізацією та одну стадію відділення й відновлення кристалів адипінової кислоти, який відрізняється тим, що кристали адипінової кислоти піддають стадії подрібнення перед стадією відділення та відновлення, який включає наступні стадії:- фазу кристалізації в кристалізаторі, - фазу репульпації кристалів у...

Спосіб дезактивації високосолевих радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів у режимі змішування

Завантаження...

Номер патенту: 105888

Опубліковано: 11.04.2016

Автори: Корякін Володимир Михайлович, Іванець Валерій Григорович, Гайдін Олександр Володимирович

МПК: G21F 9/04, G21F 9/06, G21F 9/00 ...

Мітки: розчинів, кристалів, високосолевих, змішування, спосіб, режимі, відмиванням, радіоактивних, дезактивації

Формула / Реферат:

1. Спосіб дезактивації високосолевих радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів в режимі змішування, що включає попереднє очищення високосольових радіоактивних розчинів на механічному фільтрі та кристалізацію з отриманням кристалічного продукту і радіоактивного розчину з заданим рівнем питомої радіоактивності, який відрізняється тим, що кристалізацію очищеного високосольового радіоактивного розчину здійснюють спочатку упарюванням з...

Спосіб дезактивації високосольових радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів у режимі витіснення

Завантаження...

Номер патенту: 105563

Опубліковано: 25.03.2016

Автори: Корякін Володимир Михайлович, Гайдін Олександр Володимирович, Іванець Валерій Григорович

МПК: G21F 9/00, G21F 9/06, G21F 9/04 ...

Мітки: витиснення, режимі, кристалів, спосіб, радіоактивних, високосольових, розчинів, відмиванням, дезактивації

Формула / Реферат:

1. Спосіб дезактивації високосольових радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів у режимі витіснення, що включає попереднє очищення високосольових радіоактивних розчинів на механічному фільтрі, кристалізацію з отриманням: кристалічного продукту і радіоактивного розчину з заданим рівнем питомої радіоактивності, який відрізняється тим, що кристалізацію очищеного високосольового радіоактивного розчину здійснюють спочатку упарюванням з...

Спосіб електростимуляції регенерації нервових тканин з використанням нитковидних кристалів кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 104557

Опубліковано: 10.02.2016

Автори: Клімовська Алла Іванівна, Корсак Аліна Вадимівна, Ліходієвський Володимир Володимирович, Висоцька Наталія Андріївна, Чайковський Юрій Богданович

МПК: A61K 50/00, A61P 25/02, A61B 17/00 ...

Мітки: нитковидних, регенерації, кремнію, кристалів, використанням, електростимуляції, спосіб, нервових, тканин

Формула / Реферат:

1. Спосіб стимуляції регенерації нервових тканин, який включає формування на травмованій частині нерва локальної області з біосумісного матеріалу, яка містить кристали кремнію, який відрізняється тим, що локальну область формують у вигляді трубки, в якій розміщують паралельно осі трубки між проксимальним і дистальним кінцями травмованого нерва нитковидні кристали кремнію, величина поперечного перетину яких перевищує або порядку величини...

Спосіб визначення відносної зміни поверхневої енергії голчастих кристалів внаслідок появи тонкого металевого шару покриття

Завантаження...

Номер патенту: 103599

Опубліковано: 25.12.2015

Автор: Левандовський Борис Іванович

МПК: B82B 1/00

Мітки: визначення, відносної, покриття, тонкого, енергії, металевого, спосіб, голчастих, поверхневої, внаслідок, кристалів, появи, зміни, шару

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення відносної зміни поверхневої енергії голчастих кристалів внаслідок появи тонкого шару металевого покриття, який відрізняється тим, що чисельне значення величини знаходять завдяки вимірюванню параметрів діючого електричного поля на зразок в польовому іонному мікроскопі (ПІМ), причому шукану величину розраховують за формулою:γ2/γ1=(U02/U01),2 (1)де U01 та U02 - напруги електричного поля під час...

Пристрій і спосіб одержання кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 110017

Опубліковано: 10.11.2015

Автор: Мізрахі Йозеф

МПК: C30B 29/00, B01D 9/00

Мітки: кристалів, спосіб, одержання, пристрій

Формула / Реферат:

1. Реакційно-кристалізаційний пристрій для проведення реакції і (або) екстрагування розчинником і (або) кристалізації розчинних солей, при цьому пристрій включає:• верхню секцію, яка має верхню частину і декантор, при цьому декантор включає:§  вертикальну ємність, оснащену горизонтальним зливом у верхній частині верхньої секції;§  випускний отвір у верхній частині верхньої секції для відведення легкої фази у...

Спосіб визначення локальних деформацій кристалів на основі профілів розподілу інтенсивності зворотно відбивних електронів

Завантаження...

Номер патенту: 100924

Опубліковано: 10.08.2015

Автори: Баловсяк Сергій Васильович, Фодчук Ігор Михайлович, Ткач Василь Миколайович

МПК: G01T 1/16, G06F 17/17, G06T 17/30 ...

Мітки: кристалів, профілів, відбивних, електронів, спосіб, визначення, розподілу, зворотної, деформацій, локальних, інтенсивності, основі

Формула / Реферат:

Спосіб визначення локальних деформацій кристалів на основі профілів розподілу інтенсивності зворотно відбитих електронів, що отримані за методом Кікучі в множині областей кристалу, який полягає в тому, що для кожної області кристалу значення локальної деформації обчислюють через площу під інтерпольованим профілем z(х) смуги Кікучі, отриманої в скануючому електронному мікроскопі від відповідної області досліджуваного кристалу, а значення...

Спосіб одержання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі

Завантаження...

Номер патенту: 108798

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Таранюк Володимир Іванович, Гектін Олександр Вульфович, Колесніков Олександр Володимирович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: кристалічних, кристалів, пластин, великої, площі, зокрема, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, який забезпечує гарнісажний шар біля його стінок завтовшки 5-10...

Спосіб вилучення металічного германію з відходів обробки кристалів германію ріжучим інструментом

Завантаження...

Номер патенту: 108412

Опубліковано: 27.04.2015

Автори: Пекар Григорій Соломонович, Касинський Євген Ігорович, Сингаївський Олександр Федорович

МПК: C22B 41/00, C30B 33/04, C30B 29/08 ...

Мітки: вилучення, германію, обробки, ріжучим, інструментом, спосіб, кристалів, металічного, відходів

Формула / Реферат:

Спосіб вилучення металічного германію з відходів обробки кристалів германію ріжучим інструментом, який відрізняється тим, що охолоджуючу ріжучий інструмент воду разом з відходами германію, які в ній знаходяться, відстоюють приблизно протягом доби для осадження суспензії порошку великої фракції, рідину зливають у окремі ємності, осаджений порошок виймають з накопичувальної ємності і осушують в інертній атмосфері (перший етап вилучення), до...

Пристрій для витягування профільованих кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 107982

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Сафронов Роман Ігоревич, Литвинов Леонід Аркадійович, Андрєєв Олександр Євгенійович, Андрєєв Євген Петрович

МПК: C30B 15/36, C30B 15/32, C30B 15/34 ...

Мітки: пристрій, профільованих, витягування, кристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для витягування профільованих кристалів, що включає шток витягаючого механізму, який розташовано співвісно або має зсув у горизонтальній площині щодо осі тигля, на якому закріплено затравкоутримувач у вигляді диска з затравками, який відрізняється тим, що затравкоутримувач з затравкою кріпиться до штоку витягаючого механізму, через перехідну муфту, в якій за допомогою гвинтів для фіксування, закріплено шток горизонтальної втулки, що...

Спосіб отримання напівізолюючих кристалів cd1-xmnxte

Завантаження...

Номер патенту: 95790

Опубліковано: 12.01.2015

Автори: Ульяницький Констянтин Сергійович, Склярчук Валерій Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/06

Мітки: напівізолюючих, кристалів, отримання, cd1-xmnxte, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівізолюючих кристалів Cd1-xMnxTe, що включає легування домішкою Sn, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом відпалу підкладинок Cd1-xMnxTe у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі в насиченій парі Sn при температурі 850±50 °C.

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розинів pb1-xsnxte

Завантаження...

Номер патенту: 95348

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Копил Олександр Іванович, Томашик Василь Миколайович, Литвин Петро Мар'янович, Стратійчук Ірина Борисівна, Маланич Галина Петрівна, Томашик Зінаїда Федорівна, Литвин Оксана Степанівна

МПК: H01L 21/00

Мітки: pb1-xsnxte, полірованої, спосіб, плюмбум, телуриду, твердих, формування, розинів, кристалів, поверхні

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розчинів Pb1-xSnxTe, що включає механічне шліфування поверхні пластин, хіміко-механічне полірування рідкофазним травильним розчином, який містить бром, бромідну кислоту та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластини кристалів полірують бромвиділяючим рідкофазним травильним розчином, до складу якого входить гідроген пероксид та бромідна кислота, а як...

Спосіб термообробки сцинтиляційних кристалів сульфіду цинку, активованих селеном

Завантаження...

Номер патенту: 104701

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Старжинський Микола Григорович, Жуков Олександр Вікторович, Лалаянц Олександр Іванович, Зеня Ігор Михайлович, Трубаєва Ольга Геннадіївна

МПК: C30B 33/02, C30B 29/48

Мітки: сцинтиляційних, кристалів, цинку, активованих, сульфіду, селеном, термообробки, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки кристалів сульфіду цинку, активованих селеном, що включає їх відпал в насичених парах цинку при температурі 950-1300 °C протягом 30-50 годин, який відрізняється тим, що здійснюють попередній відпал кристалів у змішаному середовищі водню і парів селену при Т=600-950 °C протягом 8-10 годин.

Верстат для обточування кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 86224

Опубліковано: 25.12.2013

Автори: Кузнєцов Юрій Миколайович, Савицький Сергій Олександрович, Гумінов Валентин Валерійович

МПК: B28D 5/00, B23B 3/00

Мітки: обточування, верстат, кристалів

Формула / Реферат:

Верстат для обточування кристалів, що містить передню і задню бабки зі шпинделями і приводами синхронного обертання кристала-виробу від проміжного вала, супортну систему з окремими приводами радіального переміщення з передачею гвинт-гайка від крокових електродвигунів і осьового переміщення від ексцентрикового кулачка супорта з розташованими на ньому інструментами, який відрізняється тим, що додатково оснащений декількома парами передніх і...

Спосіб розплавного синтезу цирконій- або гафнійвмісних кристалів kтіоро4

Завантаження...

Номер патенту: 84343

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Затовський Ігор Вікторович, Слободяник Микола Семенович, Іваненко Володимир Ігорович

МПК: C30B 13/00, C30B 11/04, C01G 23/00 ...

Мітки: розплавного, цирконій, гафнійвмісних, kтіоро4, спосіб, кристалів, синтезу

Формула / Реферат:

1. Спосіб розплавного синтезу цирконій- або гафнійвмісних кристалів КТiОРО4 шляхом взаємодії порошку фторидів цирконію (гафнію) з розплавом фосфатів калію та оксиду титану.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що більшу розчинність цирконію або гафнію досягають за рахунок внесення МIV F4 (МIV-Zr чи Hf) у розчин-розплав.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що більшу розчинність цирконію або гафнію досягають за рахунок...

Індуктор для вирощування кристалів методом безтигельної зонної плавки

Завантаження...

Номер патенту: 83683

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Реков Юрій Васильович, Червоний Іван Федорович

МПК: C30B 13/20

Мітки: плавки, індуктор, безтигельної, кристалів, методом, зонної, вирощування

Формула / Реферат:

1. Індуктор для вирощування кристалів методом безтигельної зонної плавки у вигляді тарілчастої котушки з каналом для пропускання охолоджуючого середовища по периферії, центральним круговим отвором і наскрізним радіальним прорізом, по краях якого розташовані патрубки для підключення до джерела електричного живлення і для підведення охолоджуючого середовища, при цьому концентрично центральному отвору виконані периферичні отвори, з'єднані...

Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі cdte

Завантаження...

Номер патенту: 79780

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Фочук Петро Михайлович, Вержак Євгенія Васлівна, Копач Олег Вадимович, Панчук Олег Ельпідефорович, Наконечний Ігор Йосипович

МПК: C30B 11/04, C30B 11/12, C30B 11/00 ...

Мітки: включень, фазі, спосіб, кристалів, усунення, другої, основі

Формула / Реферат:

Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі CdTe, що включає термообробку зразка в парі кадмію в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять при температурі зразка 1100 К і джерела пари кадмію 1070 К протягом 2 годин з наступним програмованим охолодженням зі швидкістю 5 К/хвилина.

Пристрій зі змінним градієнтом температури в області кристалізації для вирощування кристалів з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 78465

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Криськов Цезарій Андрійович, Рачковський Олег Михайлович, Люба тетяна Сергіївна, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалізації, змінним, температури, вирощування, градієнтом, області, розплаву, пристрій, кристалів

Формула / Реферат:

Пристрій зі змінним градієнтом температури в області кристалізації для вирощування кристалів з розплаву, що складається з двох термоізольованих нагрівників опору, системи контрольованого нагріву ВРТ-3 з термопарами, пристрою руху герметизованого контейнера з речовинами, який відрізняється тим, що в області кристалізації між нагрівниками розміщена труба, рухаючись по якій теплоносій відводить частину тепла, змінюючи величину температурного...

Спосіб виготовлення монокристалічних плівок селеніду кадмію гексагональної структури на підкладинках шаруватих кристалів gаsе

Завантаження...

Номер патенту: 76617

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Кудринський Захар Русланович

МПК: H01G 4/06

Мітки: виготовлення, гексагональної, селеніду, gаsе, кристалів, підкладинках, плівок, кадмію, шаруватих, спосіб, монокристалічних, структури

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення монокристалічних плівок селеніду кадмію гексагональної структури на підкладинках шаруватих кристалів GaSe, що включає їх відпал у парі кадмію, який відрізняється тим, що як підкладинки використовуються шаруваті кристали моноселеніду галію.

Спосіб легування кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 76470

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: кристалів, цинку, спосіб, легування, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб легування селеніду цинку, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у присутності наважки олова Sn та подрібненої шихти ZnSe при температурі 850±50 °C.

Пристрій для вирощування великогабаритних кристалів германію методом заглибного обертового формоутворювача

Завантаження...

Номер патенту: 74738

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Крітська Тетяна Володимірівна, Богомаз Анатолій Володимирович, Карпенко Ганна Володимировна

МПК: B01J 19/00, B01J 16/00

Мітки: методом, вирощування, формоутворювача, кристалів, обертового, великогабаритних, пристрій, заглибного, германію

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування великогабаритних кристалів германію методом заглибного обертового формоутворювача, що включає водоохолоджувальну камеру, тигель із вуглець-вуглецевого композиційного матеріалу, ущільненого піролітичним вуглецем, підставку під тигель, встановлений на штоку обертання, циліндричний нагрівач, коаксіально розташовані зовнішній й внутрішній теплові екрани, формоутворювач, жорстко закріплений на штоку обертання затравки,...

Спосіб вирощування кристалів binbo4

Завантаження...

Номер патенту: 99900

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Поздєєв Володимир Григорович, Бочкова Тетяна Михайлівна, Агарков Костянтин Володимирович, Крузіна Тетяна Володимирівна

МПК: C30B 15/00, C30B 29/22, C30B 29/30 ...

Мітки: спосіб, binbo4, вирощування, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів BiNbO4, який включає приготування шихти із стехіометричної суміші оксидів, її плавлення при температурі ~1300 °С протягом 1-2 годин, який відрізняється тим, що вирощування кристалів здійснюють шляхом витягування з розплаву на затравку за методом Чохральського зі швидкістю 0,5-6 мм/год.

Пристрій “сапфір” контролю якості кристалів, прозорих в оптичному діапазоні вимірювання

Завантаження...

Номер патенту: 73734

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Венгер Євген Федорович, Сердега Борис Кирилович, Маслов Володимир Петрович, Матяш Ігор Євгенійович, Порєв Володимир Андрійович, Кущовий Сергій Миколайович

МПК: G01N 23/20

Мітки: пристрій, контролю, вимірювання, прозорих, якості, кристалів, оптичному, сапфір, діапазоні

Формула / Реферат:

Пристрій контролю якості кристалів, прозорих в оптичному діапазоні вимірювання, що містить напівпровідниковий лазер, фазові пластини, утримувач зразка, модулятор поляризації та фотоелектронний приймач, який відрізняється тим, що одна фазова пластина розташована безпосередньо перед зразком, який контролюється, а друга - після нього.

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду

Завантаження...

Номер патенту: 71056

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Томашик Василь Миколайович, Калитчук Сергій Михайлович, Корбутяк Дмитро Васильович, Стратійчук Ірина Борисівна, Будзуляк Сергій Іванович, Сосницька Ольга Олександрівна, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Кравцова Анна Сергіївна

МПК: H01L 21/465, H01L 21/02

Мітки: формування, поверхні, цинк, полірованої, кристалів, селеніду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду, який включає механічне шліфування пластини кристала ZnSe, полірування рідкофазним травником, який містить бром та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластину кристала полірують травниками, які містять бромвиділяючу суміш гідроген пероксиду та бромідної кислоти в дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 4-6 хв. хіміко-механічне полірування напівпровідникової...