Патенти з міткою «кристалів»

Установка для розділення кристалів лазерним променем

Завантаження...

Номер патенту: 109745

Опубліковано: 12.09.2016

Автори: Котляров Валерій Павлович, Рогульський Дмитро Миколайович

МПК: B23K 26/04

Мітки: установка, розділення, лазерним, променем, кристалів

Формула / Реферат:

Установка для кристалів лазерним променем, який утримує лазер, оптичну систему із двох перетворюючих лінз - сферичної та циліндричної, розташованих одна за одною на осі променя з можливістю переміщення сферичної лінзи вздовж нього, та стіл для розташування заготівки, який відрізняється тим, що в оптичній системі додатково використовується друга циліндрична лінза, яка розташована під першою таким чином, що їх осі перехрещуються під нормальним...

Спосіб підвищення фотопровідності кристалів халькогеніду індинату талію (tiinse2)

Завантаження...

Номер патенту: 109140

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Замуруєва Оксана Валеріївна, Мирончук Галина Леонідівна, Пясецький Міхал, Кітик Іван Васильович

МПК: C22C 45/00, H01L 31/00, C30B 31/00 ...

Мітки: фотопровідності, кристалів, індинату, tiinse2, халькогеніду, спосіб, підвищення, талію

Формула / Реферат:

1. Спосіб підвищення фотопровідності кристалів халькогеніду індинату талію (TlInSe2), що включає завантаження його у ростовий контейнер, відкачку останнього, вміщення його у піч, виведення її на температурний режим та введення легуючих елементів, який відрізняється тим, що у ростовий контейнер з халькогенідом індинату талію одночасно завантажують лігатуру, до складу якої вводять елементи IV групи кремній (Si) та германій (Ge).2....

Спосіб легування кристалів znse<te> рідкісноземельними елементами

Завантаження...

Номер патенту: 107292

Опубліковано: 25.05.2016

Автори: Кінзерська Оксана Володимирівна, Махній Віктор Петрович, Сенко Ілля Михайлович

МПК: C30B 31/00, C30B 25/00

Мітки: кристалів, спосіб, легування, рідкісноземельними, znse<te&#62, елементами

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів ZnSe<Te> рідкісноземельними елементами, що включає відпал напівпровідникових пластин у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі при температурі 1400±10 К, який відрізняється тим, що відпал пластин ZnSe<Te> товщиною d проводять у присутності елементарного селену та подрібненого рідкісноземельного металу (ітербію або гадолінію) протягом часу ta, який розраховується за формулою ta³4.106.d2, с, де d...

Пристрій для вільного вирощування кристалів методом сублімації

Завантаження...

Номер патенту: 111560

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Сингаївський Олександр Федорович, Пекар Григорій Соломонович, Локшин Михайло Маркович

МПК: C30B 23/00, C30B 35/00, C30B 25/00 ...

Мітки: кристалів, сублімації, методом, вирощування, пристрій, вільного

Формула / Реферат:

Пристрій для вільного вирощування кристалів методом сублімації, який відрізняється тим, що з метою його багаторазового використання при температурах до 1800 - 2000 °С пристрій є розбірним і включає сапфіровий ростовий тигель у формі відкритої з обох сторін труби, нижній торець якої виконаний шорсткуватим і встановлений на сапфіровій пластині, на поверхні пластини всередині ростового тигля розташована кругла зародкова пластина з вирощуваного...

Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів з феромагнітними властивостями на основі шаруватих кристалів inse, in2se3, inte

Завантаження...

Номер патенту: 106400

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Боледзюк Володимир Богданович, Цибуленко Юрій Михайлович

МПК: C30B 29/68

Мітки: inse, нанокомпозитних, отримання, основі, in2se3, напівпровідникових, шаруватих, властивостями, кристалів, спосіб, матеріалів, феромагнітними

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, ґрунтується на методі електрохімічного впровадження (інтеркалювання) іонів кобальту у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників InSeб In2Se3, InTe, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в градієнтному магнітному полі, направленому...

Спосіб отримання сферичних кристалів ізогідричним методом

Завантаження...

Номер патенту: 106155

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Закусило Роман Васильович, Проценко Олександр Миколайович, Комаров В'ячеслав Володимирович, Банішевський Віктор Васильович

МПК: C30B 7/00

Мітки: ізогідричним, отримання, методом, кристалів, сферичних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання сферичних кристалів ізогідричним методом полягає у розчиненні вхідної сировини та кристалізації сферичних кристалів ізогідричним методом із розчину з використанням трьох зон кристалізації, що доповнюють одна одну і мають різні закони переміщення маси водної суспензії під дією декількох фізичних сил за рахунок керованого зазору між мішалкою і днищем апарату кристалізатора-модифікатора, що надає можливість отримувати округлі...

Спосіб одержання кристалів адипінової кислоти

Завантаження...

Номер патенту: 111318

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Фуше Стефані, Карвен Філіпп

МПК: C07C 51/43, C07C 55/14

Мітки: спосіб, кислоти, адіпінової, кристалів, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кристалів адипінової кислоти з розчину адипінової кислоти, що включає принаймні одну стадію очищення кристалізацією та одну стадію відділення й відновлення кристалів адипінової кислоти, який відрізняється тим, що кристали адипінової кислоти піддають стадії подрібнення перед стадією відділення та відновлення, який включає наступні стадії:- фазу кристалізації в кристалізаторі, - фазу репульпації кристалів у...

Спосіб дезактивації високосолевих радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів у режимі змішування

Завантаження...

Номер патенту: 105888

Опубліковано: 11.04.2016

Автори: Іванець Валерій Григорович, Корякін Володимир Михайлович, Гайдін Олександр Володимирович

МПК: G21F 9/06, G21F 9/04, G21F 9/00 ...

Мітки: розчинів, кристалів, змішування, режимі, високосолевих, відмиванням, спосіб, дезактивації, радіоактивних

Формула / Реферат:

1. Спосіб дезактивації високосолевих радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів в режимі змішування, що включає попереднє очищення високосольових радіоактивних розчинів на механічному фільтрі та кристалізацію з отриманням кристалічного продукту і радіоактивного розчину з заданим рівнем питомої радіоактивності, який відрізняється тим, що кристалізацію очищеного високосольового радіоактивного розчину здійснюють спочатку упарюванням з...

Спосіб дезактивації високосольових радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів у режимі витіснення

Завантаження...

Номер патенту: 105563

Опубліковано: 25.03.2016

Автори: Гайдін Олександр Володимирович, Іванець Валерій Григорович, Корякін Володимир Михайлович

МПК: G21F 9/00, G21F 9/06, G21F 9/04 ...

Мітки: витиснення, спосіб, дезактивації, режимі, високосольових, відмиванням, кристалів, радіоактивних, розчинів

Формула / Реферат:

1. Спосіб дезактивації високосольових радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів у режимі витіснення, що включає попереднє очищення високосольових радіоактивних розчинів на механічному фільтрі, кристалізацію з отриманням: кристалічного продукту і радіоактивного розчину з заданим рівнем питомої радіоактивності, який відрізняється тим, що кристалізацію очищеного високосольового радіоактивного розчину здійснюють спочатку упарюванням з...

Спосіб електростимуляції регенерації нервових тканин з використанням нитковидних кристалів кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 104557

Опубліковано: 10.02.2016

Автори: Клімовська Алла Іванівна, Висоцька Наталія Андріївна, Ліходієвський Володимир Володимирович, Чайковський Юрій Богданович, Корсак Аліна Вадимівна

МПК: A61K 50/00, A61P 25/02, A61B 17/00 ...

Мітки: кремнію, спосіб, нервових, електростимуляції, кристалів, використанням, нитковидних, регенерації, тканин

Формула / Реферат:

1. Спосіб стимуляції регенерації нервових тканин, який включає формування на травмованій частині нерва локальної області з біосумісного матеріалу, яка містить кристали кремнію, який відрізняється тим, що локальну область формують у вигляді трубки, в якій розміщують паралельно осі трубки між проксимальним і дистальним кінцями травмованого нерва нитковидні кристали кремнію, величина поперечного перетину яких перевищує або порядку величини...

Спосіб визначення відносної зміни поверхневої енергії голчастих кристалів внаслідок появи тонкого металевого шару покриття

Завантаження...

Номер патенту: 103599

Опубліковано: 25.12.2015

Автор: Левандовський Борис Іванович

МПК: B82B 1/00

Мітки: спосіб, тонкого, шару, голчастих, поверхневої, внаслідок, визначення, відносної, енергії, появи, металевого, кристалів, покриття, зміни

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення відносної зміни поверхневої енергії голчастих кристалів внаслідок появи тонкого шару металевого покриття, який відрізняється тим, що чисельне значення величини знаходять завдяки вимірюванню параметрів діючого електричного поля на зразок в польовому іонному мікроскопі (ПІМ), причому шукану величину розраховують за формулою:γ2/γ1=(U02/U01),2 (1)де U01 та U02 - напруги електричного поля під час...

Пристрій і спосіб одержання кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 110017

Опубліковано: 10.11.2015

Автор: Мізрахі Йозеф

МПК: C30B 29/00, B01D 9/00

Мітки: пристрій, кристалів, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

1. Реакційно-кристалізаційний пристрій для проведення реакції і (або) екстрагування розчинником і (або) кристалізації розчинних солей, при цьому пристрій включає:• верхню секцію, яка має верхню частину і декантор, при цьому декантор включає:§  вертикальну ємність, оснащену горизонтальним зливом у верхній частині верхньої секції;§  випускний отвір у верхній частині верхньої секції для відведення легкої фази у...

Спосіб визначення локальних деформацій кристалів на основі профілів розподілу інтенсивності зворотно відбивних електронів

Завантаження...

Номер патенту: 100924

Опубліковано: 10.08.2015

Автори: Ткач Василь Миколайович, Баловсяк Сергій Васильович, Фодчук Ігор Михайлович

МПК: G06T 17/30, G06F 17/17, G01T 1/16 ...

Мітки: локальних, електронів, деформацій, відбивних, профілів, спосіб, кристалів, інтенсивності, розподілу, основі, визначення, зворотної

Формула / Реферат:

Спосіб визначення локальних деформацій кристалів на основі профілів розподілу інтенсивності зворотно відбитих електронів, що отримані за методом Кікучі в множині областей кристалу, який полягає в тому, що для кожної області кристалу значення локальної деформації обчислюють через площу під інтерпольованим профілем z(х) смуги Кікучі, отриманої в скануючому електронному мікроскопі від відповідної області досліджуваного кристалу, а значення...

Спосіб одержання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі

Завантаження...

Номер патенту: 108798

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Гектін Олександр Вульфович, Таранюк Володимир Іванович, Колесніков Олександр Володимирович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: кристалів, кристалічних, великої, одержання, спосіб, площі, зокрема, пластин

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, який забезпечує гарнісажний шар біля його стінок завтовшки 5-10...

Спосіб вилучення металічного германію з відходів обробки кристалів германію ріжучим інструментом

Завантаження...

Номер патенту: 108412

Опубліковано: 27.04.2015

Автори: Сингаївський Олександр Федорович, Касинський Євген Ігорович, Пекар Григорій Соломонович

МПК: C30B 33/04, C30B 29/08, C22B 41/00 ...

Мітки: металічного, ріжучим, германію, кристалів, відходів, спосіб, обробки, вилучення, інструментом

Формула / Реферат:

Спосіб вилучення металічного германію з відходів обробки кристалів германію ріжучим інструментом, який відрізняється тим, що охолоджуючу ріжучий інструмент воду разом з відходами германію, які в ній знаходяться, відстоюють приблизно протягом доби для осадження суспензії порошку великої фракції, рідину зливають у окремі ємності, осаджений порошок виймають з накопичувальної ємності і осушують в інертній атмосфері (перший етап вилучення), до...

Пристрій для витягування профільованих кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 107982

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Сафронов Роман Ігоревич, Литвинов Леонід Аркадійович, Андрєєв Олександр Євгенійович, Андрєєв Євген Петрович

МПК: C30B 15/34, C30B 15/32, C30B 15/36 ...

Мітки: пристрій, витягування, кристалів, профільованих

Формула / Реферат:

Пристрій для витягування профільованих кристалів, що включає шток витягаючого механізму, який розташовано співвісно або має зсув у горизонтальній площині щодо осі тигля, на якому закріплено затравкоутримувач у вигляді диска з затравками, який відрізняється тим, що затравкоутримувач з затравкою кріпиться до штоку витягаючого механізму, через перехідну муфту, в якій за допомогою гвинтів для фіксування, закріплено шток горизонтальної втулки, що...

Спосіб отримання напівізолюючих кристалів cd1-xmnxte

Завантаження...

Номер патенту: 95790

Опубліковано: 12.01.2015

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Махній Віктор Петрович, Ульяницький Констянтин Сергійович

МПК: C30B 31/06

Мітки: спосіб, cd1-xmnxte, отримання, напівізолюючих, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівізолюючих кристалів Cd1-xMnxTe, що включає легування домішкою Sn, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом відпалу підкладинок Cd1-xMnxTe у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі в насиченій парі Sn при температурі 850±50 °C.

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розинів pb1-xsnxte

Завантаження...

Номер патенту: 95348

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Томашик Василь Миколайович, Маланич Галина Петрівна, Литвин Петро Мар'янович, Копил Олександр Іванович, Стратійчук Ірина Борисівна, Литвин Оксана Степанівна, Томашик Зінаїда Федорівна

МПК: H01L 21/00

Мітки: pb1-xsnxte, спосіб, формування, твердих, розинів, кристалів, поверхні, плюмбум, телуриду, полірованої

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розчинів Pb1-xSnxTe, що включає механічне шліфування поверхні пластин, хіміко-механічне полірування рідкофазним травильним розчином, який містить бром, бромідну кислоту та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластини кристалів полірують бромвиділяючим рідкофазним травильним розчином, до складу якого входить гідроген пероксид та бромідна кислота, а як...

Спосіб термообробки сцинтиляційних кристалів сульфіду цинку, активованих селеном

Завантаження...

Номер патенту: 104701

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Зеня Ігор Михайлович, Старжинський Микола Григорович, Лалаянц Олександр Іванович, Жуков Олександр Вікторович, Трубаєва Ольга Геннадіївна

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Мітки: спосіб, селеном, цинку, кристалів, активованих, сцинтиляційних, сульфіду, термообробки

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки кристалів сульфіду цинку, активованих селеном, що включає їх відпал в насичених парах цинку при температурі 950-1300 °C протягом 30-50 годин, який відрізняється тим, що здійснюють попередній відпал кристалів у змішаному середовищі водню і парів селену при Т=600-950 °C протягом 8-10 годин.

Верстат для обточування кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 86224

Опубліковано: 25.12.2013

Автори: Савицький Сергій Олександрович, Кузнєцов Юрій Миколайович, Гумінов Валентин Валерійович

МПК: B23B 3/00, B28D 5/00

Мітки: обточування, кристалів, верстат

Формула / Реферат:

Верстат для обточування кристалів, що містить передню і задню бабки зі шпинделями і приводами синхронного обертання кристала-виробу від проміжного вала, супортну систему з окремими приводами радіального переміщення з передачею гвинт-гайка від крокових електродвигунів і осьового переміщення від ексцентрикового кулачка супорта з розташованими на ньому інструментами, який відрізняється тим, що додатково оснащений декількома парами передніх і...

Спосіб розплавного синтезу цирконій- або гафнійвмісних кристалів kтіоро4

Завантаження...

Номер патенту: 84343

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Слободяник Микола Семенович, Іваненко Володимир Ігорович, Затовський Ігор Вікторович

МПК: C30B 11/04, C01G 23/00, C30B 13/00 ...

Мітки: кристалів, розплавного, kтіоро4, цирконій, гафнійвмісних, синтезу, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб розплавного синтезу цирконій- або гафнійвмісних кристалів КТiОРО4 шляхом взаємодії порошку фторидів цирконію (гафнію) з розплавом фосфатів калію та оксиду титану.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що більшу розчинність цирконію або гафнію досягають за рахунок внесення МIV F4 (МIV-Zr чи Hf) у розчин-розплав.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що більшу розчинність цирконію або гафнію досягають за рахунок...

Індуктор для вирощування кристалів методом безтигельної зонної плавки

Завантаження...

Номер патенту: 83683

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Реков Юрій Васильович, Червоний Іван Федорович

МПК: C30B 13/20

Мітки: безтигельної, методом, індуктор, зонної, плавки, вирощування, кристалів

Формула / Реферат:

1. Індуктор для вирощування кристалів методом безтигельної зонної плавки у вигляді тарілчастої котушки з каналом для пропускання охолоджуючого середовища по периферії, центральним круговим отвором і наскрізним радіальним прорізом, по краях якого розташовані патрубки для підключення до джерела електричного живлення і для підведення охолоджуючого середовища, при цьому концентрично центральному отвору виконані периферичні отвори, з'єднані...

Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі cdte

Завантаження...

Номер патенту: 79780

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Копач Олег Вадимович, Наконечний Ігор Йосипович, Вержак Євгенія Васлівна, Фочук Петро Михайлович, Панчук Олег Ельпідефорович

МПК: C30B 11/04, C30B 11/00, C30B 11/12 ...

Мітки: кристалів, включень, другої, фазі, основі, спосіб, усунення

Формула / Реферат:

Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі CdTe, що включає термообробку зразка в парі кадмію в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять при температурі зразка 1100 К і джерела пари кадмію 1070 К протягом 2 годин з наступним програмованим охолодженням зі швидкістю 5 К/хвилина.

Пристрій зі змінним градієнтом температури в області кристалізації для вирощування кристалів з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 78465

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Криськов Цезарій Андрійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Рачковський Олег Михайлович, Люба тетяна Сергіївна, Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалізації, температури, вирощування, змінним, області, пристрій, градієнтом, розплаву, кристалів

Формула / Реферат:

Пристрій зі змінним градієнтом температури в області кристалізації для вирощування кристалів з розплаву, що складається з двох термоізольованих нагрівників опору, системи контрольованого нагріву ВРТ-3 з термопарами, пристрою руху герметизованого контейнера з речовинами, який відрізняється тим, що в області кристалізації між нагрівниками розміщена труба, рухаючись по якій теплоносій відводить частину тепла, змінюючи величину температурного...

Спосіб виготовлення монокристалічних плівок селеніду кадмію гексагональної структури на підкладинках шаруватих кристалів gаsе

Завантаження...

Номер патенту: 76617

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Кудринський Захар Русланович

МПК: H01G 4/06

Мітки: структури, шаруватих, гексагональної, виготовлення, підкладинках, кристалів, селеніду, плівок, спосіб, кадмію, gаsе, монокристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення монокристалічних плівок селеніду кадмію гексагональної структури на підкладинках шаруватих кристалів GaSe, що включає їх відпал у парі кадмію, який відрізняється тим, що як підкладинки використовуються шаруваті кристали моноселеніду галію.

Спосіб легування кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 76470

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: спосіб, легування, селеніду, цинку, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб легування селеніду цинку, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у присутності наважки олова Sn та подрібненої шихти ZnSe при температурі 850±50 °C.

Пристрій для вирощування великогабаритних кристалів германію методом заглибного обертового формоутворювача

Завантаження...

Номер патенту: 74738

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Богомаз Анатолій Володимирович, Карпенко Ганна Володимировна, Крітська Тетяна Володимірівна

МПК: B01J 16/00, B01J 19/00

Мітки: методом, кристалів, заглибного, германію, формоутворювача, обертового, великогабаритних, пристрій, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування великогабаритних кристалів германію методом заглибного обертового формоутворювача, що включає водоохолоджувальну камеру, тигель із вуглець-вуглецевого композиційного матеріалу, ущільненого піролітичним вуглецем, підставку під тигель, встановлений на штоку обертання, циліндричний нагрівач, коаксіально розташовані зовнішній й внутрішній теплові екрани, формоутворювач, жорстко закріплений на штоку обертання затравки,...

Спосіб вирощування кристалів binbo4

Завантаження...

Номер патенту: 99900

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Бочкова Тетяна Михайлівна, Крузіна Тетяна Володимирівна, Агарков Костянтин Володимирович, Поздєєв Володимир Григорович

МПК: C30B 29/22, C30B 29/30, C30B 15/00 ...

Мітки: спосіб, вирощування, binbo4, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів BiNbO4, який включає приготування шихти із стехіометричної суміші оксидів, її плавлення при температурі ~1300 °С протягом 1-2 годин, який відрізняється тим, що вирощування кристалів здійснюють шляхом витягування з розплаву на затравку за методом Чохральського зі швидкістю 0,5-6 мм/год.

Пристрій “сапфір” контролю якості кристалів, прозорих в оптичному діапазоні вимірювання

Завантаження...

Номер патенту: 73734

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Матяш Ігор Євгенійович, Кущовий Сергій Миколайович, Маслов Володимир Петрович, Порєв Володимир Андрійович, Венгер Євген Федорович, Сердега Борис Кирилович

МПК: G01N 23/20

Мітки: вимірювання, контролю, кристалів, діапазоні, сапфір, прозорих, якості, пристрій, оптичному

Формула / Реферат:

Пристрій контролю якості кристалів, прозорих в оптичному діапазоні вимірювання, що містить напівпровідниковий лазер, фазові пластини, утримувач зразка, модулятор поляризації та фотоелектронний приймач, який відрізняється тим, що одна фазова пластина розташована безпосередньо перед зразком, який контролюється, а друга - після нього.

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду

Завантаження...

Номер патенту: 71056

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Кравцова Анна Сергіївна, Корбутяк Дмитро Васильович, Калитчук Сергій Михайлович, Томашик Зінаїда Федорівна, Стратійчук Ірина Борисівна, Сосницька Ольга Олександрівна, Галкін Сергій Миколайович, Томашик Василь Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: H01L 21/465, H01L 21/02

Мітки: кристалів, цинк, селеніду, формування, поверхні, полірованої, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду, який включає механічне шліфування пластини кристала ZnSe, полірування рідкофазним травником, який містить бром та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластину кристала полірують травниками, які містять бромвиділяючу суміш гідроген пероксиду та бромідної кислоти в дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 4-6 хв. хіміко-механічне полірування напівпровідникової...

Спосіб отримання легованих кристалів pbte:co n-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 65673

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Бойчук Володимира Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Борик Віктор Васильович, Туровська Лілія Вадимівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: провідності, кристалів, отримання, n-типу, pbte:co, спосіб, легованих

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Со n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...

Спосіб легування кристалів телуриду кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 62626

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Махній Віктор Петрович, Косоловський Василь Васильович, Сльотов Михайло Михайлович

МПК: C30B 31/06

Мітки: телуриду, спосіб, кадмію, кристалів, легування

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів телуриду кадмію, що включає їх відпал у парі домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі легуючої домішки Mg при температурі 820-900 °С.

Пристрій для вирощування профільованих кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 95515

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Коневський Павло Вячеславович, Андрєєв Євген Петрович

МПК: C30B 35/00, C30B 15/36, C30B 15/34 ...

Мітки: кристалів, профільованих, вирощування, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування профільованих кристалів, що включає засіб захвата затравки, який виконано у вигляді тяг, нижня частина яких оснащена полками для розміщення затравки, а верхня частина закріплена на штоку витягувального механізму, при цьому центри ваги тяг зміщені до місця розташування осі тигля, який відрізняється тим, що тяги у верхній частині мають призматичні упори і установлені в пазах опорного диска, який закріплено на штоку...

Спосіб отримання кристалів znse:in n- i p-типу провідності

Завантаження...

Номер патенту: 59326

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Фреїк Наталія Дмитрівна, Потяк Володимир Юрійович, Гургула Галина Ярославівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: znse:in, спосіб, кристалів, провідності, отримання, p-типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів ZnSe:In n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину, за яку використовують ZnSe, поміщають в ампулу із затравкою, а як легуючий матеріал використовують In2Se3, ампулу поміщають у піч з вертикальним градієнтом, парофазне легування здійснюють у процесі вільного росту, при якому контролюють дозування вихідного матеріалу домішкового індію, який відрізняється тим, що при дозі індію до 0,5·1020 м-3...

Способи одержання кристалів гідроксиду алюмінію та композиція модифікатора кристалізації для їх здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 94232

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Каунтер Джеймз А., Маліто Джон Т.

МПК: C01F 7/02, C01F 7/14

Мітки: алюмінію, композиція, кристалів, способи, одержання, гідроксиду, здійснення, кристалізації, модифікатора

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кристалів гідроксиду алюмінію з насиченого технологічного розчину Байєра, який включає додавання модифікатора кристалізації до розчину, де модифікатор кристалізації містить С8-С10 жирну кислоту або її попередник, або сіль, або їх суміші, причому карбоновий ланцюг вказаної жирної кислоти не має функціональних груп.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що модифікатор додатково містить оливу, яка має температуру...

Спосіб дослідження композиційної неоднорідності структури кристалів фосфіду індію

Завантаження...

Номер патенту: 93456

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Сичікова Яна Олександрівна, Кідалов Валерій Вітальович, Сукач Георгій Олексійович

МПК: G01N 1/32, G01N 27/00

Мітки: композиційної, дослідження, структури, спосіб, кристалів, фосфіду, неоднорідності, індію

Формула / Реферат:

1. Спосіб дослідження композиційної неоднорідності структури кристалів фосфіду індію, який відрізняється тим, що включає обробку поверхні монокристалічного фосфіду індію шляхом селективного електрохімічного травлення, яке проводять шляхом обробки монокристала фосфіду індію у розчині етилового спирту, води та HF у співвідношенні 2:1:1 відповідно при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 50 мА/см2.2. Спосіб за п. 1,...

Спосіб одержання розплаву для вирощування кристалів оксіортосилікатів лютецію та гадолінію

Завантаження...

Номер патенту: 92705

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Сідлецький Олег Цезаревич, Бондар Валерій Григорійович, Жуков Леонід Семенович, Волошина Олеся Василівна, Курцев Данііл Олександрович

МПК: G01T 1/202, C30B 15/02

Мітки: вирощування, одержання, спосіб, кристалів, оксіортосилікатів, розплаву, гадолінію, лютецію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання розплаву для вирощування кристалів оксіортосилікатів лютецію та гадолінію, допованих церієм, що включає змішування вихідних компонентів шихти: оксидів гадолінію, лютецію, кремнію та церію в стехіометричному співвідношенні, з наступним розплавленням шихти в іридієвому тиглі в інертному середовищі, який відрізняється тим, що після змішування вихідні компоненти шихти попередньо відпалюють на повітрі при 1650±10 °С, витримують...

Верстат для обточування кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 51386

Опубліковано: 12.07.2010

Автори: Кузнєцов Юрій Миколайович, Якушко Ігор Сергійович, Грабовець Ігор Володимирович, Дмитрієв Дмитро Олексійович, Гумінов Валентин Валерійович

МПК: B23B 3/00, B28D 5/00

Мітки: кристалів, верстат, обточування

Формула / Реферат:

1. Верстат для обточування кристалів, що містить розташовані на його нерухомій основі бабки з приводом обертання кристала-виробу, супорт, розташований на платформі і оснащений окремими приводами переміщення кристала-різця, підключеними до розподільника частот струму, який відрізняється тим, що платформа розташована на двох і більше штангах з можливістю її коливання з різними амплітудами в різних напрямках, причому кінці штанг оснащені...

Процес створення об’ємних мікро-та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи аiiвv

Завантаження...

Номер патенту: 50923

Опубліковано: 25.06.2010

Автори: Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Маник Орест Миколайович

МПК: C30B 29/30, C30B 11/00

Мітки: аiiвv, об'ємних, процес, кристалів, сполук, мікро-та, низькосиметричних, групи, наноструктур, основі, створення, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Процес створення об'ємних мікро- та наноструктур на основі низькосиметричних кристалів напівпровідникових сполук групи АIIВV, що складається з етапів завантаження наважки, її синтезу, зонної перекристалізації, температурного відпалу отриманого злитка та контролю його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі зонної перекристалізації температура розплаву зони при першому проходженні нагрівача підтримується постійною на рівні Т (t) =...