Патенти з міткою «кристалів»

Тигель для вирощування кристалів із речовин з від’ємним температурним коефіцієнтом об’ємного розширення

Завантаження...

Номер патенту: 119994

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Агарков Костянтин Володимирович, Коптєв Михайло Михайлович

МПК: C30B 15/10

Мітки: коефіцієнтом, тигель, об`ємного, розширення, від'ємним, температурним, вирощування, кристалів, речовин

Формула / Реферат:

Тигель для вирощування кристалів із речовин з від'ємним температурним коефіцієнтом об'ємного розширення, виконаний у вигляді циліндра, пласке дно якого з'єднане з циліндричною боковою поверхнею по сферичній поверхні, який відрізняється тим, що бокова поверхня тигля виконана у вигляді хвилястого профілю.

Спосіб дезактивації високосольових радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів у режимі витіснення

Завантаження...

Номер патенту: 114956

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Іванець Валерій Григорович, Гайдін Олександр Володимирович, Корякін Володимир Михайлович

МПК: G21F 9/00, G21F 9/06, G21F 9/04 ...

Мітки: режимі, відмиванням, дезактивації, кристалів, розчинів, радіоактивних, спосіб, високосольових, витиснення

Формула / Реферат:

1. Спосіб дезактивації високосольових радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів у режимі витіснення, що включає попереднє очищення високосольових радіоактивних розчинів на механічному фільтрі, кристалізацію з отриманням: кристалічного продукту і радіоактивного розчину з заданим рівнем питомої радіоактивності, який відрізняється тим, що кристалізацію очищеного високосольового радіоактивного розчину здійснюють спочатку упарюванням з...

Спосіб дезактивації високосольових радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів у режимі змішування

Завантаження...

Номер патенту: 114954

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Корякін Володимир Михайлович, Іванець Валерій Григорович, Гайдін Олександр Володимирович

МПК: G21F 9/04, G21F 9/06, G21F 9/00 ...

Мітки: кристалів, режимі, спосіб, високосольових, радіоактивних, змішування, дезактивації, відмиванням, розчинів

Формула / Реферат:

1. Спосіб дезактивації високосольових радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів в режимі змішування, що включає попереднє очищення високосольових радіоактивних розчинів на механічному фільтрі та кристалізацію з отриманням кристалічного продукту і радіоактивного розчину з заданим рівнем питомої радіоактивності, який відрізняється тим, що кристалізацію очищеного високосольового радіоактивного розчину здійснюють спочатку упарюванням з...

Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів з феромагнітними властивостями при кімнатній температурі на основі шаруватих кристалів bi2se3, bi2te3

Завантаження...

Номер патенту: 118064

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Боледзюк Володимир Богданович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: C30B 29/68

Мітки: bi2se3, кристалів, шаруватих, властивостями, bi2te3, кімнатний, матеріалів, напівпровідникових, основі, феромагнітними, спосіб, температури, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, що базується на методі електрохімічного інтеркалювання іонів кобальту Со2+ у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників Bi2Se3, Ві2Те3, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому паралельно базовій площині кристалу та...

Склад для хіміко-механічного полірування поверхні кристалів аiiibiicvii (tl4hgi6, tl4pbi6, tl4cdi6)

Завантаження...

Номер патенту: 117363

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Дремлюженко Сергій Григорович, Парасюк Олег Васильович, Федорчук Анатолій Олександрович, Фочук Петро Михайлович

МПК: H01L 21/302, C09G 1/02

Мітки: tl4cdi6, поверхні, tl4hgi6, склад, хіміко-механічного, полірування, кристалів, аiiibiicvii, tl4pbi6

Формула / Реферат:

Склад для хіміко-механічного полірування кристалів AIIIBIICVII (Tl4HgI6, Tl4PbI6, Tl4CdI6), що містить аеросил (марок А-175, A-300), луг, окисник, гліцерин, воду, який відрізняється тим, що заявлений склад додатково містить моноетаноламін, а як окисник застосовують гексаціаноферат (III) калію (K3[Fe(CN)6]), при наступному співвідношенні компонентів: аеросил (марок А-175, А-300) 0,17 моль/л, ...

Спосіб отримання фоторезисторів на основі кристалів tlinse2

Завантаження...

Номер патенту: 116902

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Мирончук Галина Леонідівна, Коровицький Андрій Михайлович, Махновець Ганна Володимирівна, Замуруєва Оксана Валеріївна, Кітик Іван Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалів, спосіб, отримання, tlinse2, фоторезисторів, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоторезисторів на основі TlInSe2, що включає вирощування шаруватого монокристалу за модифікованим методом Бріджмена, складання фоторезистора та вибір фоточутливості при освітленні монохроматичним світлом, який відрізняється тим, що в процесі вирощування монокристалу його легують селенідом цинку, а як монохроматичне освітлення використовують інфрачервоний діапазон світла.

Спосіб обробки поверхні кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 115977

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Махній Віктор Петрович, Бодюл Георгій Ілліч

МПК: H01L 21/477

Мітки: кристалів, спосіб, поверхні, селеніду, обробки, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні кристалів селеніду цинку, що включає механічне полірування, хімічну обробку, відмивання у киплячій дистильованій воді та сушіння підкладинок селеніду цинку, який відрізняється тим, що підкладинку послідовно за 6-8 циклів обробляють в суміші H2SO4:H2O2=3:1 при 60-70 °С і дистильованій воді при 20 °С протягом 30-60 с.

Спосіб вирощування допованих кристалів дигідрофосфату калію

Завантаження...

Номер патенту: 115640

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Костенюкова Олена Ігоревна, Коваленко Назар Олегович, Притула Ігор Михайлович, Безкровна Ольга Миколаївна, Долженкова Олена Федорівна

МПК: C30B 7/00

Мітки: спосіб, калію, дигідрофосфату, кристалів, допованих, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування допованих кристалів дигідрофосфату калію, який включає приготування розчину солі дигідрофосфату калію, додавання домішки амінокислоти L-аргінін у розчин, виготовлення та встановлення затравки, заливку розчину у кристалізатор, вирощування кристала при реверсивному перемішуванні розчину 60-80 об./хв, який відрізняється тим, що домішку додають у розчин в концентрації 0,3-1,4 мас. %, а вирощування кристала ведуть методом...

Спосіб обробки поверхонь високогігроскопічних галоїдних кристалів для виготовлення сцинтиляторів

Завантаження...

Номер патенту: 113591

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Реброва Надія Василівна, Галенін Євгеній Петрович, Горбачова Тетяна Євгенівна, Бобовніков Олександр Анатолійович, Тарасов Володимир Олексійович, Андрющенко Любов Андріївна

МПК: G01T 1/202

Мітки: спосіб, кристалів, галоїдних, обробки, поверхонь, сцинтиляторів, виготовлення, високогігроскопічних

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхонь високогігроскопічних галоїдних кристалів для виготовлення сцинтиляторів, що включає обробку торцевих поверхонь кристалів композиціями, які містять абразивний порошок з гексаметилдисилазаном в складі, промивку поверхонь гексаметилдисилазаном, полірування поверхні сцинтилятора з боку вихідного вікна абразивом з розміром зерна 3-5 мкм та обробку поверхні сцинтилятора з боку вхідного вікна, який відрізняється тим, що...

Установка для розділення кристалів лазерним променем

Завантаження...

Номер патенту: 109745

Опубліковано: 12.09.2016

Автори: Котляров Валерій Павлович, Рогульський Дмитро Миколайович

МПК: B23K 26/04

Мітки: лазерним, променем, кристалів, розділення, установка

Формула / Реферат:

Установка для кристалів лазерним променем, який утримує лазер, оптичну систему із двох перетворюючих лінз - сферичної та циліндричної, розташованих одна за одною на осі променя з можливістю переміщення сферичної лінзи вздовж нього, та стіл для розташування заготівки, який відрізняється тим, що в оптичній системі додатково використовується друга циліндрична лінза, яка розташована під першою таким чином, що їх осі перехрещуються під нормальним...

Спосіб підвищення фотопровідності кристалів халькогеніду індинату талію (tiinse2)

Завантаження...

Номер патенту: 109140

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Замуруєва Оксана Валеріївна, Пясецький Міхал, Кітик Іван Васильович, Мирончук Галина Леонідівна

МПК: H01L 31/00, C22C 45/00, C30B 31/00 ...

Мітки: кристалів, індинату, халькогеніду, талію, фотопровідності, підвищення, спосіб, tiinse2

Формула / Реферат:

1. Спосіб підвищення фотопровідності кристалів халькогеніду індинату талію (TlInSe2), що включає завантаження його у ростовий контейнер, відкачку останнього, вміщення його у піч, виведення її на температурний режим та введення легуючих елементів, який відрізняється тим, що у ростовий контейнер з халькогенідом індинату талію одночасно завантажують лігатуру, до складу якої вводять елементи IV групи кремній (Si) та германій (Ge).2....

Спосіб легування кристалів znse<te> рідкісноземельними елементами

Завантаження...

Номер патенту: 107292

Опубліковано: 25.05.2016

Автори: Сенко Ілля Михайлович, Махній Віктор Петрович, Кінзерська Оксана Володимирівна

МПК: C30B 25/00, C30B 31/00

Мітки: легування, кристалів, znse<te&#62, рідкісноземельними, спосіб, елементами

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів ZnSe<Te> рідкісноземельними елементами, що включає відпал напівпровідникових пластин у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі при температурі 1400±10 К, який відрізняється тим, що відпал пластин ZnSe<Te> товщиною d проводять у присутності елементарного селену та подрібненого рідкісноземельного металу (ітербію або гадолінію) протягом часу ta, який розраховується за формулою ta³4.106.d2, с, де d...

Пристрій для вільного вирощування кристалів методом сублімації

Завантаження...

Номер патенту: 111560

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Сингаївський Олександр Федорович, Локшин Михайло Маркович, Пекар Григорій Соломонович

МПК: C30B 23/00, C30B 25/00, C30B 35/00 ...

Мітки: вирощування, методом, сублімації, пристрій, кристалів, вільного

Формула / Реферат:

Пристрій для вільного вирощування кристалів методом сублімації, який відрізняється тим, що з метою його багаторазового використання при температурах до 1800 - 2000 °С пристрій є розбірним і включає сапфіровий ростовий тигель у формі відкритої з обох сторін труби, нижній торець якої виконаний шорсткуватим і встановлений на сапфіровій пластині, на поверхні пластини всередині ростового тигля розташована кругла зародкова пластина з вирощуваного...

Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів з феромагнітними властивостями на основі шаруватих кристалів inse, in2se3, inte

Завантаження...

Номер патенту: 106400

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Боледзюк Володимир Богданович, Цибуленко Юрій Михайлович

МПК: C30B 29/68

Мітки: нанокомпозитних, inse, властивостями, матеріалів, спосіб, основі, напівпровідникових, феромагнітними, кристалів, отримання, шаруватих, in2se3

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, ґрунтується на методі електрохімічного впровадження (інтеркалювання) іонів кобальту у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників InSeб In2Se3, InTe, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в градієнтному магнітному полі, направленому...

Спосіб отримання сферичних кристалів ізогідричним методом

Завантаження...

Номер патенту: 106155

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Проценко Олександр Миколайович, Закусило Роман Васильович, Банішевський Віктор Васильович, Комаров В'ячеслав Володимирович

МПК: C30B 7/00

Мітки: ізогідричним, спосіб, сферичних, отримання, кристалів, методом

Формула / Реферат:

Спосіб отримання сферичних кристалів ізогідричним методом полягає у розчиненні вхідної сировини та кристалізації сферичних кристалів ізогідричним методом із розчину з використанням трьох зон кристалізації, що доповнюють одна одну і мають різні закони переміщення маси водної суспензії під дією декількох фізичних сил за рахунок керованого зазору між мішалкою і днищем апарату кристалізатора-модифікатора, що надає можливість отримувати округлі...

Спосіб одержання кристалів адипінової кислоти

Завантаження...

Номер патенту: 111318

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Фуше Стефані, Карвен Філіпп

МПК: C07C 55/14, C07C 51/43

Мітки: кислоти, спосіб, кристалів, одержання, адіпінової

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кристалів адипінової кислоти з розчину адипінової кислоти, що включає принаймні одну стадію очищення кристалізацією та одну стадію відділення й відновлення кристалів адипінової кислоти, який відрізняється тим, що кристали адипінової кислоти піддають стадії подрібнення перед стадією відділення та відновлення, який включає наступні стадії:- фазу кристалізації в кристалізаторі, - фазу репульпації кристалів у...

Спосіб дезактивації високосолевих радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів у режимі змішування

Завантаження...

Номер патенту: 105888

Опубліковано: 11.04.2016

Автори: Іванець Валерій Григорович, Корякін Володимир Михайлович, Гайдін Олександр Володимирович

МПК: G21F 9/06, G21F 9/04, G21F 9/00 ...

Мітки: спосіб, змішування, радіоактивних, режимі, відмиванням, розчинів, кристалів, високосолевих, дезактивації

Формула / Реферат:

1. Спосіб дезактивації високосолевих радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів в режимі змішування, що включає попереднє очищення високосольових радіоактивних розчинів на механічному фільтрі та кристалізацію з отриманням кристалічного продукту і радіоактивного розчину з заданим рівнем питомої радіоактивності, який відрізняється тим, що кристалізацію очищеного високосольового радіоактивного розчину здійснюють спочатку упарюванням з...

Спосіб дезактивації високосольових радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів у режимі витіснення

Завантаження...

Номер патенту: 105563

Опубліковано: 25.03.2016

Автори: Гайдін Олександр Володимирович, Корякін Володимир Михайлович, Іванець Валерій Григорович

МПК: G21F 9/04, G21F 9/06, G21F 9/00 ...

Мітки: спосіб, радіоактивних, режимі, витиснення, розчинів, дезактивації, високосольових, кристалів, відмиванням

Формула / Реферат:

1. Спосіб дезактивації високосольових радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів у режимі витіснення, що включає попереднє очищення високосольових радіоактивних розчинів на механічному фільтрі, кристалізацію з отриманням: кристалічного продукту і радіоактивного розчину з заданим рівнем питомої радіоактивності, який відрізняється тим, що кристалізацію очищеного високосольового радіоактивного розчину здійснюють спочатку упарюванням з...

Спосіб електростимуляції регенерації нервових тканин з використанням нитковидних кристалів кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 104557

Опубліковано: 10.02.2016

Автори: Чайковський Юрій Богданович, Висоцька Наталія Андріївна, Ліходієвський Володимир Володимирович, Корсак Аліна Вадимівна, Клімовська Алла Іванівна

МПК: A61B 17/00, A61P 25/02, A61K 50/00 ...

Мітки: електростимуляції, використанням, нервових, регенерації, нитковидних, тканин, кремнію, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб стимуляції регенерації нервових тканин, який включає формування на травмованій частині нерва локальної області з біосумісного матеріалу, яка містить кристали кремнію, який відрізняється тим, що локальну область формують у вигляді трубки, в якій розміщують паралельно осі трубки між проксимальним і дистальним кінцями травмованого нерва нитковидні кристали кремнію, величина поперечного перетину яких перевищує або порядку величини...

Спосіб визначення відносної зміни поверхневої енергії голчастих кристалів внаслідок появи тонкого металевого шару покриття

Завантаження...

Номер патенту: 103599

Опубліковано: 25.12.2015

Автор: Левандовський Борис Іванович

МПК: B82B 1/00

Мітки: визначення, кристалів, появи, поверхневої, внаслідок, металевого, покриття, енергії, спосіб, відносної, голчастих, зміни, тонкого, шару

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення відносної зміни поверхневої енергії голчастих кристалів внаслідок появи тонкого шару металевого покриття, який відрізняється тим, що чисельне значення величини знаходять завдяки вимірюванню параметрів діючого електричного поля на зразок в польовому іонному мікроскопі (ПІМ), причому шукану величину розраховують за формулою:γ2/γ1=(U02/U01),2 (1)де U01 та U02 - напруги електричного поля під час...

Пристрій і спосіб одержання кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 110017

Опубліковано: 10.11.2015

Автор: Мізрахі Йозеф

МПК: B01D 9/00, C30B 29/00

Мітки: спосіб, кристалів, одержання, пристрій

Формула / Реферат:

1. Реакційно-кристалізаційний пристрій для проведення реакції і (або) екстрагування розчинником і (або) кристалізації розчинних солей, при цьому пристрій включає:• верхню секцію, яка має верхню частину і декантор, при цьому декантор включає:§  вертикальну ємність, оснащену горизонтальним зливом у верхній частині верхньої секції;§  випускний отвір у верхній частині верхньої секції для відведення легкої фази у...

Спосіб визначення локальних деформацій кристалів на основі профілів розподілу інтенсивності зворотно відбивних електронів

Завантаження...

Номер патенту: 100924

Опубліковано: 10.08.2015

Автори: Ткач Василь Миколайович, Баловсяк Сергій Васильович, Фодчук Ігор Михайлович

МПК: G06F 17/17, G06T 17/30, G01T 1/16 ...

Мітки: кристалів, відбивних, зворотної, деформацій, спосіб, основі, інтенсивності, визначення, локальних, електронів, профілів, розподілу

Формула / Реферат:

Спосіб визначення локальних деформацій кристалів на основі профілів розподілу інтенсивності зворотно відбитих електронів, що отримані за методом Кікучі в множині областей кристалу, який полягає в тому, що для кожної області кристалу значення локальної деформації обчислюють через площу під інтерпольованим профілем z(х) смуги Кікучі, отриманої в скануючому електронному мікроскопі від відповідної області досліджуваного кристалу, а значення...

Спосіб одержання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі

Завантаження...

Номер патенту: 108798

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Таранюк Володимир Іванович, Колесніков Олександр Володимирович, Гектін Олександр Вульфович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: спосіб, одержання, кристалів, зокрема, пластин, площі, великої, кристалічних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, який забезпечує гарнісажний шар біля його стінок завтовшки 5-10...

Спосіб вилучення металічного германію з відходів обробки кристалів германію ріжучим інструментом

Завантаження...

Номер патенту: 108412

Опубліковано: 27.04.2015

Автори: Сингаївський Олександр Федорович, Пекар Григорій Соломонович, Касинський Євген Ігорович

МПК: C30B 29/08, C30B 33/04, C22B 41/00 ...

Мітки: спосіб, ріжучим, обробки, відходів, металічного, вилучення, германію, інструментом, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вилучення металічного германію з відходів обробки кристалів германію ріжучим інструментом, який відрізняється тим, що охолоджуючу ріжучий інструмент воду разом з відходами германію, які в ній знаходяться, відстоюють приблизно протягом доби для осадження суспензії порошку великої фракції, рідину зливають у окремі ємності, осаджений порошок виймають з накопичувальної ємності і осушують в інертній атмосфері (перший етап вилучення), до...

Пристрій для витягування профільованих кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 107982

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Сафронов Роман Ігоревич, Андрєєв Євген Петрович, Андрєєв Олександр Євгенійович

МПК: C30B 15/34, C30B 15/32, C30B 15/36 ...

Мітки: витягування, пристрій, профільованих, кристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для витягування профільованих кристалів, що включає шток витягаючого механізму, який розташовано співвісно або має зсув у горизонтальній площині щодо осі тигля, на якому закріплено затравкоутримувач у вигляді диска з затравками, який відрізняється тим, що затравкоутримувач з затравкою кріпиться до штоку витягаючого механізму, через перехідну муфту, в якій за допомогою гвинтів для фіксування, закріплено шток горизонтальної втулки, що...

Спосіб отримання напівізолюючих кристалів cd1-xmnxte

Завантаження...

Номер патенту: 95790

Опубліковано: 12.01.2015

Автори: Ульяницький Констянтин Сергійович, Склярчук Валерій Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/06

Мітки: отримання, кристалів, cd1-xmnxte, спосіб, напівізолюючих

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівізолюючих кристалів Cd1-xMnxTe, що включає легування домішкою Sn, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом відпалу підкладинок Cd1-xMnxTe у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі в насиченій парі Sn при температурі 850±50 °C.

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розинів pb1-xsnxte

Завантаження...

Номер патенту: 95348

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Литвин Оксана Степанівна, Копил Олександр Іванович, Томашик Зінаїда Федорівна, Маланич Галина Петрівна, Стратійчук Ірина Борисівна, Литвин Петро Мар'янович, Томашик Василь Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: формування, pb1-xsnxte, спосіб, плюмбум, полірованої, розинів, кристалів, поверхні, телуриду, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розчинів Pb1-xSnxTe, що включає механічне шліфування поверхні пластин, хіміко-механічне полірування рідкофазним травильним розчином, який містить бром, бромідну кислоту та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластини кристалів полірують бромвиділяючим рідкофазним травильним розчином, до складу якого входить гідроген пероксид та бромідна кислота, а як...

Спосіб термообробки сцинтиляційних кристалів сульфіду цинку, активованих селеном

Завантаження...

Номер патенту: 104701

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Жуков Олександр Вікторович, Зеня Ігор Михайлович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Лалаянц Олександр Іванович, Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Мітки: активованих, сульфіду, цинку, спосіб, кристалів, термообробки, сцинтиляційних, селеном

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки кристалів сульфіду цинку, активованих селеном, що включає їх відпал в насичених парах цинку при температурі 950-1300 °C протягом 30-50 годин, який відрізняється тим, що здійснюють попередній відпал кристалів у змішаному середовищі водню і парів селену при Т=600-950 °C протягом 8-10 годин.

Верстат для обточування кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 86224

Опубліковано: 25.12.2013

Автори: Савицький Сергій Олександрович, Гумінов Валентин Валерійович, Кузнєцов Юрій Миколайович

МПК: B23B 3/00, B28D 5/00

Мітки: обточування, верстат, кристалів

Формула / Реферат:

Верстат для обточування кристалів, що містить передню і задню бабки зі шпинделями і приводами синхронного обертання кристала-виробу від проміжного вала, супортну систему з окремими приводами радіального переміщення з передачею гвинт-гайка від крокових електродвигунів і осьового переміщення від ексцентрикового кулачка супорта з розташованими на ньому інструментами, який відрізняється тим, що додатково оснащений декількома парами передніх і...

Спосіб розплавного синтезу цирконій- або гафнійвмісних кристалів kтіоро4

Завантаження...

Номер патенту: 84343

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Слободяник Микола Семенович, Іваненко Володимир Ігорович, Затовський Ігор Вікторович

МПК: C30B 13/00, C30B 11/04, C01G 23/00 ...

Мітки: гафнійвмісних, кристалів, розплавного, синтезу, спосіб, kтіоро4, цирконій

Формула / Реферат:

1. Спосіб розплавного синтезу цирконій- або гафнійвмісних кристалів КТiОРО4 шляхом взаємодії порошку фторидів цирконію (гафнію) з розплавом фосфатів калію та оксиду титану.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що більшу розчинність цирконію або гафнію досягають за рахунок внесення МIV F4 (МIV-Zr чи Hf) у розчин-розплав.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що більшу розчинність цирконію або гафнію досягають за рахунок...

Індуктор для вирощування кристалів методом безтигельної зонної плавки

Завантаження...

Номер патенту: 83683

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Реков Юрій Васильович, Червоний Іван Федорович

МПК: C30B 13/20

Мітки: плавки, методом, кристалів, безтигельної, індуктор, вирощування, зонної

Формула / Реферат:

1. Індуктор для вирощування кристалів методом безтигельної зонної плавки у вигляді тарілчастої котушки з каналом для пропускання охолоджуючого середовища по периферії, центральним круговим отвором і наскрізним радіальним прорізом, по краях якого розташовані патрубки для підключення до джерела електричного живлення і для підведення охолоджуючого середовища, при цьому концентрично центральному отвору виконані периферичні отвори, з'єднані...

Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі cdte

Завантаження...

Номер патенту: 79780

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Вержак Євгенія Васлівна, Копач Олег Вадимович, Наконечний Ігор Йосипович, Фочук Петро Михайлович, Панчук Олег Ельпідефорович

МПК: C30B 11/04, C30B 11/00, C30B 11/12 ...

Мітки: усунення, другої, кристалів, включень, спосіб, фазі, основі

Формула / Реферат:

Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі CdTe, що включає термообробку зразка в парі кадмію в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять при температурі зразка 1100 К і джерела пари кадмію 1070 К протягом 2 годин з наступним програмованим охолодженням зі швидкістю 5 К/хвилина.

Пристрій зі змінним градієнтом температури в області кристалізації для вирощування кристалів з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 78465

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Рачковський Олег Михайлович, Криськов Цезарій Андрійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Люба тетяна Сергіївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: змінним, пристрій, вирощування, розплаву, кристалів, температури, області, кристалізації, градієнтом

Формула / Реферат:

Пристрій зі змінним градієнтом температури в області кристалізації для вирощування кристалів з розплаву, що складається з двох термоізольованих нагрівників опору, системи контрольованого нагріву ВРТ-3 з термопарами, пристрою руху герметизованого контейнера з речовинами, який відрізняється тим, що в області кристалізації між нагрівниками розміщена труба, рухаючись по якій теплоносій відводить частину тепла, змінюючи величину температурного...

Спосіб виготовлення монокристалічних плівок селеніду кадмію гексагональної структури на підкладинках шаруватих кристалів gаsе

Завантаження...

Номер патенту: 76617

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Кудринський Захар Русланович

МПК: H01G 4/06

Мітки: підкладинках, монокристалічних, кадмію, плівок, кристалів, виготовлення, гексагональної, спосіб, шаруватих, gаsе, селеніду, структури

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення монокристалічних плівок селеніду кадмію гексагональної структури на підкладинках шаруватих кристалів GaSe, що включає їх відпал у парі кадмію, який відрізняється тим, що як підкладинки використовуються шаруваті кристали моноселеніду галію.

Спосіб легування кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 76470

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: селеніду, легування, спосіб, цинку, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб легування селеніду цинку, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у присутності наважки олова Sn та подрібненої шихти ZnSe при температурі 850±50 °C.

Пристрій для вирощування великогабаритних кристалів германію методом заглибного обертового формоутворювача

Завантаження...

Номер патенту: 74738

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Карпенко Ганна Володимировна, Крітська Тетяна Володимірівна, Богомаз Анатолій Володимирович

МПК: B01J 19/00, B01J 16/00

Мітки: вирощування, обертового, великогабаритних, кристалів, пристрій, германію, заглибного, формоутворювача, методом

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування великогабаритних кристалів германію методом заглибного обертового формоутворювача, що включає водоохолоджувальну камеру, тигель із вуглець-вуглецевого композиційного матеріалу, ущільненого піролітичним вуглецем, підставку під тигель, встановлений на штоку обертання, циліндричний нагрівач, коаксіально розташовані зовнішній й внутрішній теплові екрани, формоутворювач, жорстко закріплений на штоку обертання затравки,...

Спосіб вирощування кристалів binbo4

Завантаження...

Номер патенту: 99900

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Крузіна Тетяна Володимирівна, Агарков Костянтин Володимирович, Бочкова Тетяна Михайлівна, Поздєєв Володимир Григорович

МПК: C30B 29/22, C30B 15/00, C30B 29/30 ...

Мітки: вирощування, спосіб, кристалів, binbo4

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів BiNbO4, який включає приготування шихти із стехіометричної суміші оксидів, її плавлення при температурі ~1300 °С протягом 1-2 годин, який відрізняється тим, що вирощування кристалів здійснюють шляхом витягування з розплаву на затравку за методом Чохральського зі швидкістю 0,5-6 мм/год.

Пристрій “сапфір” контролю якості кристалів, прозорих в оптичному діапазоні вимірювання

Завантаження...

Номер патенту: 73734

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Матяш Ігор Євгенійович, Кущовий Сергій Миколайович, Венгер Євген Федорович, Маслов Володимир Петрович, Порєв Володимир Андрійович, Сердега Борис Кирилович

МПК: G01N 23/20

Мітки: оптичному, кристалів, сапфір, пристрій, прозорих, вимірювання, діапазоні, контролю, якості

Формула / Реферат:

Пристрій контролю якості кристалів, прозорих в оптичному діапазоні вимірювання, що містить напівпровідниковий лазер, фазові пластини, утримувач зразка, модулятор поляризації та фотоелектронний приймач, який відрізняється тим, що одна фазова пластина розташована безпосередньо перед зразком, який контролюється, а друга - після нього.

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду

Завантаження...

Номер патенту: 71056

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Корбутяк Дмитро Васильович, Кравцова Анна Сергіївна, Сосницька Ольга Олександрівна, Томашик Василь Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Стратійчук Ірина Борисівна, Будзуляк Сергій Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Калитчук Сергій Михайлович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/465

Мітки: спосіб, полірованої, формування, цинк, селеніду, поверхні, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду, який включає механічне шліфування пластини кристала ZnSe, полірування рідкофазним травником, який містить бром та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластину кристала полірують травниками, які містять бромвиділяючу суміш гідроген пероксиду та бромідної кислоти в дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 4-6 хв. хіміко-механічне полірування напівпровідникової...