Патенти з міткою «кристала»

Спосіб одержання композита на основі нематичного рідкого кристала 6св

Завантаження...

Номер патенту: 115898

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Пал Юрій Олександрович, Студеняк Ігор Петрович, Ковальчук Олександр Васильович, Бендак Андрій Васильович, Тімко Мілан, Копчанський Петер

МПК: G02F 1/13

Мітки: 6св, кристала, одержання, спосіб, композита, основі, рідкого, нематичного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композита на основі нематичного рідкого кристала 6СВ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперіонного провідника.

Спосіб визначення перегріву кристала напівпровідникового діода

Завантаження...

Номер патенту: 122011

Опубліковано: 26.12.2017

Автори: Лебедь Олег Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Деменський Олексій Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: діода, визначення, напівпровідникового, перегріву, спосіб, кристала

Формула / Реферат:

Спосіб визначення перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання прямої вольт-амперної характеристики діода  при заданій температурі експлуатації  і перебудову її у...

Спосіб визначення величини деформаційних полів кристала на основі х-променевого муарового зображення в кремнієвому lll-інтерферометрі

Завантаження...

Номер патенту: 121378

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Фодчук Ігор Михайлович, Литвин Петро Мар'янович, Баловсяк Сергій Васильович, Яремчук Іванна Володимирівна

МПК: G06F 17/17, G01T 1/16, G06F 17/00 ...

Мітки: величини, муарового, деформаційних, кристала, х-променевого, lll-інтерферометрі, визначення, кремнієвому, зображення, спосіб, полів, основі

Формула / Реферат:

Спосіб визначення величини деформаційних полів кристала на основі розподілу інтенсивності Х-променевого муарового зображення f, отриманого в кремнієвому LLL-інтерферометрі, який полягає в тому, що для отримання фазового муару в інтерферометрі встановлюють однорідну клиноподібну пластину, на основі цифрового муарового зображення f обчислюють енергетичний спектр Фур'є Ps та його радіальний розподіл FR, а значення максимальної зосередженої сили...

Спосіб визначення робочого перегріву кристала напівпровідникового діода

Завантаження...

Номер патенту: 110340

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Єрохін Сергій Юрійович, Деменський Олексій Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: перегріву, робочого, спосіб, кристала, напівпровідникового, діода, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення робочого перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  крізь діод і температурах

Спосіб визначення величини перегріву кристала напівпровідникового діода

Завантаження...

Номер патенту: 102780

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Краснов Василь Олександрович, Деменський Олексій Миколайович, Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/00

Мітки: визначення, величини, перегріву, кристала, напівпровідникового, діода, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення величини перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  і температурах

Пристрій контролю температури кристала силових напівпровідникових приладів

Завантаження...

Номер патенту: 95429

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Швець Євген Якович, Юдачов Андрій Валерійович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: силових, приладів, контролю, пристрій, напівпровідникових, температури, кристала

Формула / Реферат:

Пристрій контролю температури кристала силових напівпровідникових приладів, що містить комірки напівпровідникового датчика температури, який відрізняється тим, що комірки розташовані безпосередньо на кристалі силового напівпровідникового приладу.

Сцинтиляційний детектор на основі органічного кристала

Завантаження...

Номер патенту: 86274

Опубліковано: 25.12.2013

Автори: Андрющенко Любов Андріївна, Дудник Олексій Володимирович, Тарасов Володимир Олексійович, Курбатов Євген Володимирович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: G01T 1/20

Мітки: основі, сцинтиляційний, кристала, детектор, органічного

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний детектор, що містить сцинтилятор на основі активованого паратерфенілу і кремнієвий фотоелектронний помножувач, який відрізняється тим, що він додатково містить світлозбираючий світловод, який виконаний у вигляді суцільного блока зі сцинтиляційним кристалом.

Пристрій вузла кріплення затравочного кристала

Завантаження...

Номер патенту: 85867

Опубліковано: 10.12.2013

Автори: Сініцин Павло Вікторович, Кривоносов Євген Володимирович, Кольнер Володимир Борисович, Коневський Павло Вячеславович

МПК: C30B 35/00

Мітки: затравочного, кріплення, вузла, пристрій, кристала

Формула / Реферат:

Пристрій вузла кріплення затравочного кристала, що містить циліндричний вузол кріплення затравки з пазом і фіксатор, який вставляється в заглиблення в затравочному кристалі і фіксує його, який відрізняється тим, що вузол кріплення затравки додатково містить паз, розташований нижче основного, і фіксатор, при цьому обидва фіксатори виконано з горизонтальними проточками для їх закріплення, а верхній фіксатор входить у паз і затравку з меншим...

Спосіб визначення температури і теплового опору випромінюючої поверхні кристала світлодіода

Завантаження...

Номер патенту: 100604

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Попов Володимир Михайлович, Клименко Анатолій Семенович, Поканевич Олексій Платонович

МПК: H01L 21/66, G01K 11/16

Мітки: кристала, визначення, теплового, випромінюючої, поверхні, світлодіода, температури, спосіб, опору

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температури і теплового опору випромінюючої поверхні кристала світлодіода, який включає в себе нанесення на поверхню кристала плівки холестеричного рідкого кристала (ХРК), який має температурні діапазони існування в холестеричному і смектичному станах, використання джерела електричного живлення, вимірювальних приладів та поляризаційного мікроскопа для спостереження в процесі споживання потужності візуального відображення в...

Спосіб виготовлення лазера на основі холестеричного рідкого кристала

Завантаження...

Номер патенту: 68637

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Фечан Андрій Васильович, Готра Зенон Юрійович, Вараниця Андрій Васильович, Сушинський Орест Євгенович, Ясиновська Ольга Йосипівна, Микитюк Зіновій Матвійович

МПК: G02F 1/13

Мітки: кристала, рідкого, виготовлення, холестеричного, спосіб, лазера, основі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення лазера на основі холестеричного рідкого кристала, згідно з яким на скляні пластини із внутрішньої сторони послідовно наносять провідні та орієнтуючі шари і простір між пластинами, товщину якого задають спейсерами, заповнюють холестеричною рідкокристалічною сумішшю з домішкою барвника і герметизують, який відрізняється тим, що на зовнішню сторону однієї з скляних пластин наносять органічний світлодіод.

Комірка базового матричного кристала

Завантаження...

Номер патенту: 62994

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Довгий Віктор Володимирович, Когут Ігор Тимофійович, Вуйцик Андрій Михайлович, Дружинін Анатолій Олександрович, Голота Віктор Іванович

МПК: G01L 9/04, G01B 7/16

Мітки: матричного, комірка, базового, кристала

Формула / Реферат:

Комірка базового матричного кристала, що містить вісім нескомутованих р- і n-канальних польових транзисторів, виготовлених на смугах n- і р-областей і розташованих вздовж шин живлення, при цьому два з них р- та n-транзистори призначені для міжелектродної комутації, яка відрізняється тим, що 3р- і 3n-канальні польові транзистори та 1n- і 1р-канальний польові транзистори попарно розташовані, послідовно з'єднані та діелектрично ізольовані між...

Спосіб визначення теплового опору кристала субмікронного транзистора

Завантаження...

Номер патенту: 96061

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Тимофєєв Володимир Іванович, Семеновська Олена Володимирівна

МПК: G01N 25/18

Мітки: транзистора, визначення, субмікронного, спосіб, опору, теплового, кристала

Формула / Реферат:

Спосіб визначення теплового опору кристала субмікронного транзистора, що включає вимірювання розмірів фігури теплового еквівалента транзистора від розтікання теплового потоку від затвора всередину кристала під кутами  і , вимірювання величини елементів теплового еквівалента, який відрізняється тим, що...

Захисний пристрій на основі фотонного кристала і спосіб формування такого пристрою

Завантаження...

Номер патенту: 95565

Опубліковано: 10.08.2011

Автор: Уайтман Роберт

МПК: B42D 15/00, B29D 11/00, B42D 15/10 ...

Мітки: основі, формування, такого, спосіб, захисний, пристрій, пристрою, кристала, фотонного

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування оптично змінного захисного пристрою, який полягає в тому, що:забезпечують матеріал фотонного кристала іздійснюють над цим матеріалом процес, який викликає деформацію матеріалу таким чином, що формується перша зона, для якої падаюче світло, що приймається матеріалом кристала, вибірково відбивається або пропускається для створення першого оптично змінного ефекту, і друга зона, для якої падаюче світло, що...

Спосіб визначення теплового опору кристала субмікронного транзистора

Завантаження...

Номер патенту: 89911

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Тимофєєв Володимир Іванович, Семеновська Олена Володимирівна

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: теплового, кристала, визначення, субмікронного, транзистора, опору, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення теплового опору кристала субмікронного транзистора, що включає вимірювання розмірів фігури теплового еквівалента транзистора від розтікання теплового потоку від затвора всередину кристалу під кутами α і β, вимірювання величини приросту площ перерізу фігури теплового еквівалента за висотою кристала, який відрізняється тим, що вимірюють висоту злому бокової поверхні теплового еквівалента та на цій висоті вимірюють...

Пристрій для візуального відображення електричних потенціалів і температури на поверхні кристала інтегральної мікросхеми

Завантаження...

Номер патенту: 88851

Опубліковано: 25.11.2009

Автори: Поканевич Олексій Платонович, Попов Володимир Михайлович, Клименко Анатолій Семенович

МПК: G02F 1/13, G03B 7/00, H01L 21/70 ...

Мітки: пристрій, температури, поверхні, відображення, інтегральної, кристала, електричних, мікросхеми, потенціалів, візуального

Формула / Реферат:

1. Пристрій для візуального відображення електричних потенціалів і температури на поверхні кристала інтегральної мікросхеми, який містить поляризаційний мікроскоп, мікросхему з відкритою поверхнею кристала, прозорий електрод, шар нематичного рідкого кристала між прозорим електродом і поверхнею кристала мікросхеми з однорідно зорієнтованими молекулами в шарі, контактний пристрій, прилади для живлення і формування електричних режимів роботи...

Пристрій для кріплення затравочного кристала

Завантаження...

Номер патенту: 86317

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: C30B 15/32, C30B 29/20

Мітки: затравочного, кристала, пристрій, кріплення

Формула / Реферат:

1. Пристрій для кріплення затравочного кристала в установці для вирощування монокристалів сапфіра -А12О3, що містить затравкотримач, виконаний із тугоплавкого матеріалу, з посадочним місцем для затравочного кристала в його корпусі, патрон для з'єднання затравкотримача з механізмом обертання та переміщення кристала, який відрізняється тим, що корпус затравкотримача в нижній...

Застосування кристала cdi2:pb як сцинтилятора для реєстрації a-частинок

Завантаження...

Номер патенту: 39947

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Новосад Ірина Степанівна, Новосад Оксана Степанівна, Новосад Степан Степанович

МПК: G01T 1/15

Мітки: реєстрації, сцинтилятора, кристала, cdi2:pb, a-частинок, застосування

Формула / Реферат:

Застосування кристала CdI2:Pb як сцинтилятора для реєстрації α-частинок.

Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма з однорідним розподілом галію уздовж кристала

Завантаження...

Номер патенту: 31909

Опубліковано: 25.04.2008

Автори: Кожемякін Геннадій Миколайович, Рубан Роман Володимирович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: твердих, вирощування, розчинів, розподілом, галій-індій-сурма, кристалів, кристала, спосіб, галію, уздовж, однорідним

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів галій-індій-сурма з однорідним розподілом галію уздовж кристала, який полягає в тому, що живлення розплаву здійснюють шляхом введення в розплав зливка підживлення, який відрізняється тим, що зливок підживлення хімічної сполуки галію-сурми, що має площу поперечного перерізу від 2,5 до 50 % від площі поперечного перерізу кристала, вводять у розплав галій-індій-сурма зі швидкістю, що відрізняється...

Спосіб визначення розподілу неоднорідностей структури кристала

Завантаження...

Номер патенту: 78121

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Мигаль Валерій Павлович, Фомін Олександр Сергійович

МПК: G06F 1/00, G01B 11/16

Мітки: спосіб, неоднорідностей, кристала, розподілу, визначення, структури

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення розподілу неоднорідностей структури кристала шляхом сканування кристала монохроматичним світловим зондом і вимірювання діелектричних параметрів, який відрізняється тим, що при скануванні поверхні кристала визначають залежність швидкості приросту (спаду) діелектричної проникності  та коефіцієнта діелектричних втрат

Сцинтиляційний матеріал на основі активованого кристала йодиду літію

Завантаження...

Номер патенту: 77423

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Смирнов Микола Миколайович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: G01T 1/202, C01D 15/00

Мітки: кристала, активованого, йодиду, літію, основі, матеріал, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі активованого кристала йодиду літію, який відрізняється тим, що як активатор він містить сполуки європію, хімічно стійкі до розплаву йодиду літію, іонний радіус аніонів яких менше іонного радіуса йоду, при наступному співвідношенні компонентів, % мас.: сполуки європію (у перерахуванні на європій) 6,10-3 - 9,10-2 йодид літію решта. ...

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою

Завантаження...

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Гриньов Борис Вікторович, Галкін Сергій Миколайович, Старжинський Микола Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Лалаянц Олександр Іванович, Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: C30B 33/02

Мітки: матеріалу, домішкою, цинку, ізовалентною, легованого, основі, спосіб, сцинтиляційного, термообробки, селеніду, кристала

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів сурма-вісмут з регульованим неоднорідним розподілом вісмуту уздовж кристала

Завантаження...

Номер патенту: 6610

Опубліковано: 16.05.2005

Автори: Луцький Денис Валерійович, Кожемякін Геннадій Миколайович

МПК: C30B 15/00

Мітки: регульованим, уздовж, вирощування, сурма-вісмут, кристала, кристалів, вісмуту, розчинів, неоднорідним, розподілом, спосіб, твердих

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів сурма-вісмут з регульованим неоднорідним розподілом вісмуту уздовж кристала, який полягає у тому, що живлення розплаву здійснюють шляхом введення в розплав зливка підживлення, який відрізняється тим, що зливок вісмуту вводять у розплав сурми зі швидкістю від 0,1 до 0,3 мм/хв, при цьому рівень розплаву в тиглі не змінюють, а температуру на фронті кристалізації в процесі росту зменшують від...

Спосіб абразивної обробки кристала парателуриту

Завантаження...

Номер патенту: 67174

Опубліковано: 15.06.2004

Автор: Проц Лариса Анатоліївна

МПК: C10M 173/00, B24B 1/00

Мітки: спосіб, парателуриту, кристала, абразивної, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб абразивної обробки кристала парателуриту, який включає змочування абразивного матеріалу та оброблюваного кристала водовмісною мастильно-охолоджуючою рідиною, введення абразивного матеріалу у контакт з оброблюваним кристалом та їх відносне переміщення, який відрізняється тим, що до водовмісної мастильно-охолоджуючої рідини вводять перманганат калію в кількості 0,0001-0,001 маси мастильно-охолоджуючої рідини.

Спосіб дослідження кристала і пристрій для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 62559

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Катруша Андрій Миколайович, Хайнер Фольштаедт

МПК: G01N 21/88

Мітки: дослідження, здійснення, пристрій, спосіб, кристала

Формула / Реферат:

1. Спосіб дослідження кристала, який передбачає опромінення досліджуваного кристала ультрафіолетовим випромінюванням і визначення відносної величини поглинання опромінення кристалом, який відрізняється тим, що перед опроміненням досліджуваний кристал розміщують на поверхні з нанесеним на ній флуоресцентним шаром, чутливим до ультрафіолетового випромінювання, а відносну величину поглинання опромінення кристалом визначають візуально.2....

Спосіб визначення розподілу неоднорідностей структури кристала

Завантаження...

Номер патенту: 62758

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Фомін Олександр Сергійович, Клименко Ігор Андрійович, Чугай Олег Миколайович, Рибалка Ірина Анатоліївна, Мигаль Валерій Павлович

МПК: G01B 11/00, G01B 11/16

Мітки: спосіб, розподілу, структури, кристала, неоднорідностей, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення розподілу неоднорідностей структури кристала шляхом сканування кристала монохроматичним світловим зондом і вимірювання діелектричних параметрів, який відрізняється тим, що визначають залежність коефіцієнта діелектричних втрат зразка від частоти електричного поля в ненавантаженому стані, визначають частоту поля, що відповідає максимуму коефіцієнта діелектричних втрат, на визначеній частоті визначають залежність коефіцієнта...

Спосіб одержання кристала тіогалату кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 61318

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрієвич, Богданова-Борець Олександра Василівна

МПК: C30B 9/00

Мітки: тіогалату, кадмію, одержання, спосіб, кристала

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристала тіогалату кадмію, який включає виготовлення подвійної ампули з плавленого кварцу, розміщення в порожнині внутрішньої ампули шихти тіогалату кадмію, розплавлення шихти тіогалату кадмію та її направлену кристалізацію, який відрізняється тим, що внутрішню ампулу з шихтою вакуумують і заварюють, а в порожнину зовнішньої ампули перед її герметизацією вводять аргон при тискові 1.105-3.105 Па.

Оболонка кристала інтегральної схеми

Завантаження...

Номер патенту: 57704

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Кіршбауер Йозеф, Штампка Петер, Штекхан Ханс-Хіннерк, Удо Детлеф, Нідерле Хрістл

МПК: G06K 19/073, G06K 19/077, H01L 23/28 ...

Мітки: кристала, оболонка, схемі, інтегральної

Формула / Реферат:

1. Оболонка кристала інтегральної схеми (ІC) для повного або часткового захисту електричних, електронних, оптоелектронних і/або електромеханічних компонентів кристала ІC, яка відрізняється тим, що вона містить активатор, при активуванні якого звільнюється речовина, яка здатна повністю або частково зруйнувати електричні, електронні, оптоелектронні і/або електромеханічні компоненти кристала ІC, і який активується при спробі видалити з кристала...

Верстат для розпилювання кристала

Завантаження...

Номер патенту: 32

Опубліковано: 28.02.1997

Автор: Сіткевич Аркадій Петрович

МПК: B28D 5/00

Мітки: верстат, розпилювання, кристала

Формула / Реферат:

Станок для распиливания кристаллов, содер­жащий станину, несущую закрытые ограж­дениями распиловочные секции, каждая из которых содержит переднюю стойку, несущую снабженный приводом вращения шпиндель для крепления распиловочного диска, и заднюю стой­ку, несущую установленную в ней с возможностью качения стрелу с левым и правым кронштейнами с закрепленными оправками для размещения кристаллов, отличающийся тем, что оправки за­креплены в...