Патенти з міткою «кремнію»

Ієрархічний цеолітний матеріал на основі оксидів титану та кремнію структурного типу mtw

Завантаження...

Номер патенту: 111563

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Курмач Михайло Миколайович, Швець Олексій Васильович

МПК: C01B 39/00, B01J 21/06

Мітки: кремнію, титану, типу, матеріал, цеолітний, структурного, основі, оксидів, ієрархічний

Формула / Реферат:

1. Ієрархічний цеолітний матеріал на основі оксидів титану та кремнію структурного типу MTW з розвинутою зовнішньою поверхнею, що одержаний способом прямого синтезу, що включає наступні стадії:розчинення бромідної форми темплату у водному розчині гідрооксиду натрію;додавання тетраізопропілортотитанату до одержаного розчину, що містить структуро-спрямовуючий агент, та витримування цього розчину;додавання...

Спосіб одержання порошку полікристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 111178

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Шека Галина Костянтинівна, Родіонов Валерій Євгенович, Венгер Євген Федорович

МПК: C01B 33/021, C01B 33/00, C01B 33/02 ...

Мітки: порошку, спосіб, полікристалічного, одержання, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання порошку полікристалічного кремнію, при якому використовують як вихідну речовину діоксид кремнію, при цьому технологічний процес містить чотири послідовні стадії, де на 1 стадії в першому реакторі діоксид кремнію обробляють елементним фтором (фторують) з надлишковою його кількістю відносно необхідної стехіометричної кількості; на 2 стадії у другому реакторі здійснюють фторування надлишкової кількості діоксиду кремнію...

Порошок діоксиду кремнію з великою довжиною пор

Завантаження...

Номер патенту: 112439

Опубліковано: 12.09.2016

Автори: Хілле Андреас, Майзельс Аркаді, Менцель Франк, Хагеманн Міхаель

МПК: C09C 1/28, C01B 33/18

Мітки: довжиною, великою, кремнію, порошок, діоксиду, пор

Формула / Реферат:

1. Порошок діоксиду кремнію у формі агрегованих первинних частинок, який відрізняється тим, що він має питому довжину пор L від 2,5×105 до 4×105 м/мкг, причому L визначається як коефіцієнт з квадрату поверхні за БЕТ і кумулятивного об'єму пор, які мають розмір від 2 до 50 нм, визначеного за допомогою БДХ методу, згідно з формулою L=(БЕТ×БЕТ) /об'єм за БДХ, в якому первинні частинки значною мірою є сферичними, та поверхня за...

Спосіб отримання фоточутливих структур на основі поруватого кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 109647

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Монастирський Любомир Степанович, Аксіментьєва Олена Ігорівна, Оленич Ігор Богданович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/04, H01L 21/20 ...

Мітки: отримання, кремнію, поруватого, спосіб, основі, структур, фоточутлівих

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоточутливих структур на основі поруватого кремнію, за яким фотоелектрохімічно травлять монокристалічний кремній у водно-етанольному розчині фтористоводневої кислоти при густині струму 40-180 мА/см2 упродовж 6-10 хвилин і на поверхні утвореного поруватого шару синтезують наноструктури ZnO, який відрізняється тим, що на поруватий кремній електрохімічно осаджують оксид цинку з водного розчину 0,05 М Zn(NO3)2 і 0,1 М NaNO3 при...

Спосіб виготовлення пористого карбіду кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 109003

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Ільїн Володимир Георгійович, Яремов Павло Степанович, Щербань Наталія Дмитрівна, Сергієнко Сергій Анатолійович, Філоненко Світлана Миколаївна

МПК: C01B 33/00

Мітки: кремнію, пористого, спосіб, виготовлення, карбіду

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення пористого карбіду кремнію карботермічним відновленням вуглець-кремнеземних композитів на основі кремнеземних мезопористих молекулярних сит та сахарози, який відрізняється тим, що як вихідні кремнеземні матриці використовують ММС типу SBA-15, КІТ-6, MCF та SBA-3, які піддають двократному просочуванню розчином сахарози в присутності сірчаної кислоти, послідовному висушуванню при 100 °C та 160 °C протягом 12 та 6...

Каскадний комплекс промислового виробництва порошку карбіду кремнію високої якості

Завантаження...

Номер патенту: 108789

Опубліковано: 25.07.2016

Автори: Циба Андрій Вікторович, Кузема Павло Олександрович, Карплюк Олександр Іванович

МПК: C01B 31/36, C01B 33/021, B22F 9/28 ...

Мітки: каскадний, карбіду, порошку, виробництва, кремнію, високої, промислового, комплекс, якості

Формула / Реферат:

1. Каскадний комплекс промислового виробництва порошку карбіду кремнію високої якості, який містить перший змішувач компонент колоїдного розчину, таких як джерело кремнію і джерело вуглецю, який зв'язаний з сушильною піччю, яка зв'язана з піччю синтезу карбіду кремнію, який відрізняється тим, що містить n змішувачів компонент колоїдного розчину, вихід кожного з яких зв'язаний з входом сушильної печі, вихід якої зв'язаний з входом печі...

Комплекс промислового виробництва порошку карбіду кремнію високої якості

Завантаження...

Номер патенту: 108544

Опубліковано: 25.07.2016

Автори: Новоженюк Любомир Іванович, Карплюк Олександр Іванович, Сухоставець Володимир Маркович, Караульщук Володимир Антонович, Циба Андрій Вікторович, Кузема Павло Олександрович

МПК: C01B 33/021, C01B 31/36, B22F 9/00 ...

Мітки: комплекс, кремнію, порошку, якості, промислового, високої, карбіду, виробництва

Формула / Реферат:

1. Комплекс промислового виробництва порошку карбіду кремнію високої якості, виробничий ланцюг якого містить блок завантаження вхідних компонент, у складі яких є цукор, змішувач, випарник, вихід якого зв'язаний з входом печі карбонізації, вихід якої зв'язаний з входом печі синтезу карбіду кремнію, вихід якої зв'язаний з входом печі декарбонізації, який відрізняється тим, що блок завантаження вхідних компонент містить механізм завантаження...

Реакторні системи механічного псевдозрідження шару й способи, придатні для виробництва кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 112063

Опубліковано: 25.07.2016

Автор: Дассель Марк В.

МПК: C23C 16/44, C23C 16/448, C23C 16/52 ...

Мітки: способи, реакторні, придатні, кремнію, механічного, системі, виробництва, псевдозрідження, шару

Формула / Реферат:

1. Реакторна система, придатна для виробництва кремнію, що містить:реакційний казан, що має внутрішню частину, відділену від його зовнішньої частини за допомогою однієї або декількох стінок казана, які під час роботи утримують перший газоподібний хімічний продукт у щонайменше частині внутрішньої частини реакційного казана, при цьому перший хімічний продукт являє собою щонайменше один з газу силану (SiH4), газу трихлорсилану (SiHCl3)...

Спосіб одержання полікристалічного кремнію водневим відновленням трихлорсилану

Завантаження...

Номер патенту: 107606

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Троценко Едуард Анатолійович, Баженов Євгеній Васильович, Шварцман Леонід Якович

МПК: C01B 33/035, H01L 21/66

Мітки: одержання, кремнію, полікристалічного, відновленням, спосіб, трихлорсилану, водневим

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію водневим відновленням трихлорсилану, який подають в складі парогазової суміші, на кремнієвих стрижнях, розігрітих електричним струмом до заданої температури їх поверхні, що включає запам'ятовування керованих і керуючих параметрів еталонних режимів ведення процесу, вимірювання параметрів кремнієвих стрижнів, коригування процесу шляхом зміни керуючих параметрів режимів при відхиленні вимірюваних...

Спосіб одержання підкладок на основі наночастинок срібла, інкорпорованих у мезопористу золь-гель плівку діоксиду кремнію, для мас-спектрометрії з лазерною десорбцією/іонізацією

Завантаження...

Номер патенту: 105149

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Фесенко Тетяна Вікторівна, Суровцева Наталія Іванівна, Смирнова Наталія Петрівна, Покровський Валерій Олександрович

МПК: G01J 3/00, G01N 21/00, B82Y 30/00 ...

Мітки: плівку, діоксиду, лазерною, основі, спосіб, підкладок, кремнію, мезопористу, золь-гель, мас-спектрометрії, інкорпорованих, срібла, наночастинок, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання підкладок на основі наночастинок срібла, інкорпорованих у мезопористу золь-гель плівку діоксиду кремнію, для мас-спектрометрії з лазерною десорбцією/іонізацією, який відрізняється тим, що до водно-етанольного розчину тетраетоксисилану у присутності азотної кислоти, що попередньо 16 год. перемішують на магнітній мішалці для прегідролізу, додають розчин темплатного агента неіонного триблок-співполімеру пропіленоксиду з...

Пористий матеріал, який містить діоксид кремнію і портландит, для заповнення ізоляційної цегли, яка має контрольовану структуру, і спосіб його одержання

Завантаження...

Номер патенту: 110836

Опубліковано: 25.02.2016

Автори: Дель-Галло Паскаль, Контонне Жером

МПК: E04C 1/40, C04B 2/10, C04B 28/18 ...

Мітки: яка, заповнення, портландит, спосіб, містить, кремнію, контрольовану, цегли, ізоляційної, структуру, матеріал, пористий, одержання, має, діоксид

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання пористого матеріалу, який містить 25-75 мас. % діоксиду кремнію і 75-25 мас. % гідроксиду кальцію, у якому послідовно:етап а) синтезують негашене вапно шляхом кальцинування при температурі, більшій або рівній 800 °C, вапнякових блоків середнього розміру з розміром зерен 1-15 мм та чистотою принаймні 90 мас. % і відкритою пористістю, більшою за 0 % і меншою або рівною 25 %, для...

Спосіб електростимуляції регенерації нервових тканин з використанням нитковидних кристалів кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 104557

Опубліковано: 10.02.2016

Автори: Чайковський Юрій Богданович, Висоцька Наталія Андріївна, Клімовська Алла Іванівна, Ліходієвський Володимир Володимирович, Корсак Аліна Вадимівна

МПК: A61K 50/00, A61B 17/00, A61P 25/02 ...

Мітки: електростимуляції, використанням, кремнію, нервових, спосіб, тканин, нитковидних, регенерації, кристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб стимуляції регенерації нервових тканин, який включає формування на травмованій частині нерва локальної області з біосумісного матеріалу, яка містить кристали кремнію, який відрізняється тим, що локальну область формують у вигляді трубки, в якій розміщують паралельно осі трубки між проксимальним і дистальним кінцями травмованого нерва нитковидні кристали кремнію, величина поперечного перетину яких перевищує або порядку величини...

Спосіб виготовлення мікро- та нановолокон карбіду кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 110415

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Шлапак Анатолій Миколайович, Силенко Петро Митрофанович, Солонін Юрій Михайлович

МПК: C01B 31/30, C01B 31/36, C30B 29/62 ...

Мітки: спосіб, виготовлення, мікро, карбіду, кремнію, нановолокон

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення мікро- та нановолокон карбіду кремнію, що включає газофазне хімічне осадження карбіду кремнію з метилтрихлорсилану на розігріту підкладку з застосуванням каталізаторів, який відрізняється тим, що як підкладку та каталізатор використовують пінонікель, а осадження здійснюють у його порах, при цьому синтез проводять в температурному діапазоні 900-1300 °C протягом 10-30 хв.2. Спосіб за п. 1, відрізняється тим,...

Спосіб отримання радіаційно стійкого кремнію для електронних приладів

Завантаження...

Номер патенту: 101855

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Неймаш Володимир Борисович, Поварчук Василь Юрійович, Войтович Василь Васильович, Красько Микола Миколайович, Колосюк Андрій Григорович, Крайчинський Анатолій Миколайович

МПК: H01L 21/02

Мітки: радіаційної, спосіб, приладів, кремнію, електронних, отримання, стійкого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання радіаційно стійкого моно- та полікристалічного кремнію для електронних приладів шляхом вирощування з розплаву, включаючи легування фосфором для створення провідності n-типу та ізовалентним елементом IV групи, який відрізняється тим, що додатково легують домішкою олова у діапазоні концентрацій 1017-1019 см-3 за умови, що отриманий матеріал буде мати питомий електроопір в межах 0,5-20 Ом×см, концентрації технологічних...

Установка електророзрядна для дезінтеграції металургійного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 109817

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Карплюк Олександр Іванович, Різун Анатолій Романович, Денисюк Тетяна Дмитрівна, Рачков Олексій Миколайович, Голень Юрій Володимирович, Новоженюк Любомир Іванович, Караульщик Володимир Антонович, Кононов Вячеслав Юрійович

МПК: B02C 19/18

Мітки: металургійного, кремнію, дезінтеграції, електророзрядна, установка

Формула / Реферат:

Установка електророзрядна для дезінтеграції металургійного кремнію, що містить дві встановлені послідовно і з'єднані патрубком розрядні камери, кожна з яких оснащена класифікатором і електродом, з'єднаним з генератором імпульсних струмів, перша камера оснащена завантажувальним патрубком, розташованим з боку камери, а друга - розвантажувальним, який розташований у нижній частині камери, механізм транспортування вихідного матеріалу, який...

Спосіб отримання фотовольтаїчних сенсорних структур на основі поруватого кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 100132

Опубліковано: 10.07.2015

Автори: Аксіментьєва Олена Ігорівна, Монастирський Любомир Степанович, Оленич Ігор Богданович

МПК: H01L 29/861, H01L 31/00, H01L 21/04 ...

Мітки: основі, фотовольтаїчних, поруватого, кремнію, структур, сенсорних, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фотовольтаїчних сенсорних структур на основі поруватого кремнію, за яким фотоелектрохімічно травлять пластину монокристалічного кремнію в розчині C2H5OH:HF:H2O=1:1:1 при густині струму 10-60 мА/см2 упродовж 10-30 хвилин і на отриманий поруватий шар кремнію електрохімічно осаджують пасивуючий шар полімеру, який відрізняється тим, що як полімер використовують полі-3,4-етилендіокситіофен, а пасивуючий шар отримують...

Спосіб одержання силікатів титану на основі оксиду кремнію рисової лузги і сполук титану

Завантаження...

Номер патенту: 99221

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Стрелко Володимир Васильович, Журавльов Ігор Захарович

МПК: C01B 33/00

Мітки: титану, сполук, основі, рисової, одержання, спосіб, силікатів, кремнію, лузги, оксиду

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання силікатів титану на основі оксиду кремнію рисової лузги і сполук титану, що включає обробку рисової лузги просочуванням розчином сполук титану, промивку, сушіння, який відрізняється тим, що як сполуки титану використовують солі титану, а після обробки сполуками титану ведуть обробку сольовими лужними реагентами і лугами, і /або лужними розчинними силікатами, причому рисову лузгу, просочену розчином солі титану, витримують...

Спосіб отримання наноструктур кремнію неелектролітичним травленням

Завантаження...

Номер патенту: 98703

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Рімашевський Олександр Аркадійович, Павленко Микола Миколайович, Яцунський Ігор Ростиславович, Сминтина Валентин Андрійович

МПК: B02B 3/00

Мітки: кремнію, отримання, травленням, неелектролітичним, наноструктур, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованого кремнію неелектролітичним травленням, який полягає в окисненні та розчиненні кремнію в розчині плавикової кислоти та окиснювача, який відрізняється тим, що в розчин додатково вводять наночастинки срібла в кількості 10-3-10-4 моль/л, а як окиснювач використовують перекис водню в кількості 0,5-3,5 моль/л.

Спосіб очищення кремнію від шкідливих домішок

Завантаження...

Номер патенту: 96809

Опубліковано: 25.02.2015

Автори: Фільов Олександр Сергійович, Гречанюк Микола Іванович, Ліу Йонг, Овчарук Анатолій Миколайович, Тутик Валерій Анатолієвич, Таран Олександр Юрійович, Гасик Михайло Іванович, Овчарук Дмитро Сергійович, Патяка В'ячеслав Олексійович, Ян Міншен, Ян Хайян

МПК: C30B 13/00, C30B 13/16, C01B 33/037 ...

Мітки: шкідливих, очищення, кремнію, домішок, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очищення кремнію від шкідливих домішок, що включає розігрів неочищеного кремнію на першому етапі при тиску нижче атмосферного до утворення розплаву з використанням висококонцентрованого джерела енергії та обробку газовою сумішшю, яка включає інертний газ, відновлювальний газ та пари води, обробку поверхні розплаву електронним променем на другому етапі, який відрізняється тим, що здійснюють третій етап очищення, на якому проводять...

Спосіб відновлення кремнію і титану шляхом генерації електромагнітних взаємодій часток sio2, fetio3 та магнітних хвиль

Завантаження...

Номер патенту: 107875

Опубліковано: 25.02.2015

Автори: Урусова Єлєна Вікторовна, Колєснік Віктор Грігорьєвіч, Сім Сєргєй Вадімовіч, Кім Юн Сік, Абу Шакра Максім Бассамовіч, Басова Євгєнія Сєргєєвна, Кім Джин Бон

МПК: C01B 33/023, C01G 23/00, B01J 19/08 ...

Мітки: спосіб, взаємодій, шляхом, титану, відновлення, генерації, кремнію, електромагнітних, магнітних, часток, fetio3, sio2, хвиль

Формула / Реферат:

1. Спосіб відновлення кремнію і титану шляхом генерації електромагнітних взаємодій часток SiO2, FeTiO3 і магнітних хвиль, який відрізняється тим, що накачування енергії здійснюють у схрещених полях з параметричним резонансом в RLC контурі з багатомодовою модуляцією на резонансних частотах в діапазоні 105÷1012 Гц і більше при індуктивній взаємодії часток SiO2 або FeTiO3 сировини, в біжучих магнітних і електричних хвилях з круговою або...

Високотемпературний композиційний матеріал на основі нітриду кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 96310

Опубліковано: 26.01.2015

Автори: Рогозинська Алла Олександрівна, Субботін Володимир Іванович, Дубовик Тетяна Василівна, Клочков Леонід Олександрович, Григор'єв Олег Миколайович, Крушинська Лариса Альбертівна

МПК: C04B 35/58

Мітки: високотемпературний, композиційний, матеріал, основі, кремнію, нітриду

Формула / Реферат:

Високотемпературний композиційний матеріал на основі нітриду кремнію Si3N4, що містить оксид ітрію Y2O3, який відрізняється тим, що додатково містить нітрид літію Li3N і кремній Si при такому співвідношенні компонентів, мас. %: нітрид літію Li3N 7-9 оксид ітрію Y2О3 6-8 кремній Si 2-4 нітрид кремнію Si3N4 ...

Спосіб виробництва полікристалічного кремнію, придатного для виготовлення фотогальванічних сонячних елементів

Завантаження...

Номер патенту: 107555

Опубліковано: 12.01.2015

Автори: Черпак Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович, Форвальд Карл, Хенриксен Бьорн Руне, Бучовська Ірина Богданівна, Власенко Тимур Вікторович

МПК: C01B 33/037, C30B 29/06

Мітки: фотогальванічних, кремнію, полікристалічного, сонячних, спосіб, елементів, виготовлення, виробництва, придатного

Формула / Реферат:

Спосіб виробництва полікристалічного кремнію, придатного для виготовлення фотогальванічних сонячних елементів, що включає плавлення металургійного кремнію, попередньо обробленого шляхом шлакування силікатом кальцію з наступними кристалізацією кремнію після шлакування та вилуговуванням кремнію розчином кислотного вилуговування для видалення домішок, кристалізацію розплаву попередньо обробленого металургійного кремнію з одержанням зливка...

Спосіб фінішної обробки пластин з карбіду кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 96007

Опубліковано: 12.01.2015

Автори: Пріхна Тетяна Олексіївна, Боримський Олександр Іванович, Філатов Олексій Юрійович, Вєтров Анатолій Григорович, Філатов Юрій Данилович, Ковальов Сергій Вікторович, Сидорко Володимир Ігорович

МПК: B24D 3/34

Мітки: фінішної, спосіб, пластин, кремнію, обробки, карбіду

Формула / Реферат:

1. Спосіб фінішної обробки пластин з карбіду кремнію, який включає шліфування суспензією алмазних мікропорошків, полірування та нанополірування поверхонь пластин суспензіями порошків, який відрізняється тим, що після шліфування, спочатку здійснюють попереднє полірування суспензією на основі порошків кубічного нітриду бору, а потім здійснюють полірування та нанополірування суспензіями порошків МАХ-фази Тi3АlС2.2. Спосіб за п. 1, який...

Спосіб одержання полікристалічного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 95096

Опубліковано: 10.12.2014

Автори: Прутцьков Дмитро Володимирович, Шварцман Леонід Якович, Меркер Рольф Курт, Додонов Володимир Миколайович

МПК: C01B 33/04, C01B 33/107

Мітки: полікристалічного, кремнію, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію, який включає змішування діоксиду кремнію та відновлювача, високоенергетичну обробку суміші, взаємодію одержаного продукту з хлоруючим агентом з утворенням хлорвмісної сполуки кремнію, яку направляють на одержання з неї полікристалічного кремнію, при цьому здійснюють переробку побічних продуктів, який відрізняється тим, що як діоксид кремнію використовують кварцовий пісок та/або техногенну...

Конструкційний композиційний матеріал на основі нітриду кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 94743

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Винокуров Володимир Борисович, Дубовик Тетяна Василівна, Субботін Володимир Іванович, Ковальченко Михайло Савич, Юрченко Джемма Захарівна, Очкас Лариса Федорівна

МПК: C04B 35/58

Мітки: основі, композиційний, матеріал, кремнію, нітриду, конструкційний

Формула / Реферат:

Конструкційний композиційний матеріал на основі нітриду кремнію, що містить оксид магнію MgO, який відрізняється тим, що додатково містить оксид алюмінію Аl2О3, оксид кремнію SiO2 і залізо Fe при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: оксид алюмінію Аl2О3 3-5 оксид магнію MgO 2-4 оксид кремнію SiO2 3-5 залізо...

Спосіб одержання полікристалічного кремнію в зливках

Завантаження...

Номер патенту: 107167

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Гринь Григорій Васильович, Алєксєєнко Олександр Володимирович, Онищенко Олександр Веніамінович

МПК: C30B 29/06, C01B 33/02, C30B 15/00 ...

Мітки: зливках, спосіб, одержання, кремнію, полікристалічного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання полікристалічного кремнію в зливках, що включає плавлення відходів кремнію в кварцовому тиглі, витримку розплаву, очищення та кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом витягування зливка полікристалічного кремнію із розплаву на затравку з вуглецевого матеріалу при швидкості обертання тигля не менше 15 об./хв, при цьому над поверхнею розплаву створюють горизонтальний...

Спосіб отримання карбіду кремнію та електротермічна піч для його здійснення

Завантаження...

Номер патенту: 107102

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Овчарук Анатолій Миколайович, Безуглий Анатолій Володимирович, Таран Олександр Юрійович, Фільов Олександр Сергійович, Гасик Михайло Іванович, Руденко Віктор Кузьмич, Овчарук Дмитро Сергійович

МПК: F27B 1/09, C01B 31/36

Мітки: карбіду, здійснення, спосіб, електротермічна, кремнію, отримання, піч

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання карбіду кремнію, який включає подрібнення матеріалу до крупності менш ніж 100 мкм, який містить оксид кремнію та малозольний відновник, їх змішування в потрібному співвідношенні, згрудкування та подальший нагрів при безперервному завантаженні згрудкованної шихти, а також її рух у робочому просторі печі, який відрізняється тим, що на попередньо згрудкованний матеріал наносять вуглецевмісний шар, а нагрів ведуть при...

Спосіб одержання придатного для виготовлення сонячних елементів зливка мультикристалічного кремнію індукційним методом

Завантаження...

Номер патенту: 107030

Опубліковано: 10.11.2014

Автор: Литвак Марина Леонідівна

МПК: C01B 33/00, C30B 15/02, C30B 29/06 ...

Мітки: одержання, придатного, зливка, мультикристалічного, виготовлення, індукційним, елементів, спосіб, сонячних, кремнію, методом

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання придатного для виготовлення сонячних елементів зливка мультикристалічного кремнію індукційним методом, що включає:попереднє задання діапазону питомого опору і типу електропровідності зливка, що одержують,вибір принаймні одного додаткового легуючого елемента,визначення розрахункового розподілу питомого опору зливка, що мають одержати, з урахуванням легуючого елемента або легуючих елементів, що є у...

Плавильний вузол для подачі завантажувального матеріалу в розплавленому вигляді і установка для одержання зливків кремнію, що його містить

Завантаження...

Номер патенту: 107029

Опубліковано: 10.11.2014

Автор: Литвак Марина Леонідівна

МПК: C30B 15/08, C30B 15/02, C30B 29/06 ...

Мітки: подачі, установка, одержання, матеріалу, завантажувального, розплавленому, зливків, містить, вигляді, плавильній, вузол, кремнію

Формула / Реферат:

1. Плавильний вузол для подачі завантажувального матеріалу в розплавленому вигляді, що включає тигель плавильного вузла, оточений ізоляцією та індукційним нагрівачем, і бункер подачі кускової шихти, де тигель плавильного вузла має отвір, причому, плавильний вузол виконаний з можливістю розташування над тиглем для одержання зливків кремнію, який відрізняється тим, що отвір тигля плавильного вузла розташований в верхнійчастині його стінки і...

Сплав кремнію з барієм – силікобарій – для обробки металургійних розплавів

Завантаження...

Номер патенту: 93964

Опубліковано: 27.10.2014

Автори: Кобець Віталій Степанович, Троцан Анатолій Іванович, Бєлов Борис Федорович, Паренчук Ігор Валерійович

МПК: C21C 7/00

Мітки: металургійних, обробки, сплав, силікобарій, барієм, кремнію, розплавів

Формула / Реферат:

1. Сплав кремнію з барієм - силікобарій - для обробки металургійних розплавів, який відрізняється тим, що основні елементи знаходяться в наступному співвідношенні: барій 5-95 кремній решта. 2. Сплав кремнію з барієм за п. 1, який відрізняється тим, що стабільні сплави відповідають складу твердих і рідких розчинів на базі інтерметалідів Ba2Si → BaSi2 →...

Спосіб очищення кремнію методом електронно-променевої плавки

Завантаження...

Номер патенту: 106916

Опубліковано: 27.10.2014

Автори: Пікулін Олександр Миколайович, Ахонін Сергій Володимирович, Березос Володимир Олександрович, Северин Андрій Юрійович

МПК: C30B 13/00, C22B 9/22, C01B 33/037 ...

Мітки: методом, плавки, електронно-променевої, кремнію, спосіб, очищення

Формула / Реферат:

1. Спосіб вакуумного очищення кремнію, що включає завантаження кремнію, що очищається, в тигель, розплавлення його з використанням електронно-променевого нагріву у вакуумі, витримку розплаву в тиглі для випару домішок і його кристалізацію з отриманням очищеного кремнію, який відрізняється тим, що процес очищення проводиться в чотири стадії: на першій стадії очищення кремнію проводять шляхом розплавлення в кварцовій проміжній ємності з...

Спосіб очистки порошків кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 93530

Опубліковано: 10.10.2014

Автори: Єршова Ольга Георгієвна, Купріянова Олена Олександрівна, Васильківська Марина Анатолієвна, Морозова Раїса Олексіївна, Кондрашов Олександр Валерійович, Скороход Валерій Володимирович, Тимофеева Ізабелла Ісааківна, Морозов Ігор Анатолієвич

МПК: C01B 33/00

Мітки: кремнію, очистки, порошків, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очистки порошків кремнію за участю водню, який відрізняється тим, що порошок кремнію, що утворюється при порізці кремнієвих злитків піддають водневотермічній обробці при температурі 750-850 °C, тиску водню 0,05-0,3 МПа протягом 1-2 годин.

Спосіб формування епітаксійних шарів кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 93270

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Брусенська Галина Іванівна, Софронков Олександр Наумович, Кулініч Олег Анатолійович

МПК: H01C 17/00

Мітки: формування, кремнію, епітаксійних, шарів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб формування епітаксійних шарів кремнію, що включає створення на поверхні напівпровідникової підкладки дислокації стоків радіаційних дефектів, який відрізняється тим, що на фронтальній поверхні кремнієвої підкладки перед нанесенням епітаксійного шару шляхом попереднього окислення поверхні підкладки і подальшого стравлювання шару оксиду створюється область дислокаційних сіток щільністю (109…1012) м-2.

Теплоізоляційний матеріал, що містить осаджений діоксид кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 106604

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Майєр Карл, Менцель Франк, Панц Крістіан

МПК: C01B 33/12, B32B 5/16, C01B 33/18 ...

Мітки: матеріал, діоксид, кремнію, осаджений, теплоізоляційний, містить

Формула / Реферат:

1. Теплоізоляційний матеріал, який відрізняється тим, що містить від 30 до 95 мас. % осадженого діоксиду кремнію, який має модифіковану насипну щільність, від 10 до 50 г/л, і від 5 до 70 мас. % теплопоглинального матеріалу.2. Теплоізоляційний матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що осаджений діоксид кремнію має:значення d50 від 150 до 2000 нм,значення d90 від 500 до 7000 нм іщільність силанольних груп від 2,5...

Спосіб отримання фулеренів та фулеридів бору і кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 106539

Опубліковано: 10.09.2014

Автори: Соколовська Юлія Олександрівна, Спиридонова Ірина Михайлівна, Мостовий Володимир Іванович, Федіна Галина Петрівна, Большаков Володимир Іванович

МПК: C01B 31/36, C01B 31/00, C01B 33/00 ...

Мітки: фулеридів, кремнію, спосіб, фулеренів, отримання, бору

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фулеренів і фулеридів, що включає нагрів карбідів та графіту у тиглі, поміщеному в піч під тиском, який відрізняється тим, що як карбіди використовують карбіди неметалів переважно карбідів бору або кремнію, сублімацію монооксидом вуглецю яких проводять при 101325-130000 Па, температурі 800°-900 °C, протягом 20-60 хвилин в графітовому герметичному тиглі.

Установка електророзрядна для дезінтеграції металургійного кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 90690

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Різун Анатолій Романович, Денисюк Тетяна Дмитрівна, Карплюк Олександр Іванович, Голень Юрій Володимирович, Караульщик Володимир Антонович, Рачков Олексій Миколайович, Новоженюк Любомир Іванович, Кононов Вячеслав Юрійович

МПК: B02C 19/18

Мітки: електророзрядна, кремнію, дезінтеграції, установка, металургійного

Формула / Реферат:

Установка електророзрядна для дезінтеграції металургійного кремнію, що містить дві встановлені послідовно і з'єднані патрубком розрядні камери, кожна з яких оснащена класифікатором і електродом, з'єднаним з генератором імпульсних струмів, перша камера оснащена завантажувальним патрубком, розташованим збоку камери, а друга - розвантажувальним, який розташований у нижній частині камери, механізм транспортування вихідного матеріалу, який...

Сплав кремнію з кальцієм-силікокальцій для ківшевої обробки сталі

Завантаження...

Номер патенту: 89504

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Бєлов Борис Федорович, Троцан Анатолій Іванович, Кобець Віталій Степанович, Місюра Оксана Сергіївна, Паренчук Ігор Валерійович

МПК: C21C 7/06, C22C 35/00

Мітки: сплав, обробки, ківшевої, кальцієм-силікокальцій, кремнію, сталі

Формула / Реферат:

1. Сплав кремнію з кальцієм - силікокальцій для ківшевої обробки сталі, який відрізняється тим, що основні інгредієнти сплаву знаходяться в співвідношенні (мас.%): кальцій - 25-75 кремній - решта.2. Сплав кремнію з кальцієм - силікокальцій за п. 1, який відрізняється тим, що сплав відповідає твердим розчинам на базі інтерметалідів системи кальцій-кремній.

Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом та холодний тигель, використаний в ньому

Завантаження...

Номер патенту: 104640

Опубліковано: 25.02.2014

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: B22D 11/01, C30B 29/06, B22D 11/041 ...

Мітки: холодний, пристрій, кремнію, ньому, методом, тигель, мультикристалічного, використаний, одержання, зливків, індукційним

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, що включає камеру, в якій встановлені засіб стартового розігріву кремнію, обхоплений індуктором холодний тигель з рухомим дном та чотирма стінками із секцій, що мають вертикальні щілини, які утворюють плавильний простір прямокутного чи квадратного поперечного перерізу, протидеформаційні засоби тигля, засоби переміщення, зв'язані з рухомим дном, і, розташоване...

Спосіб отримання трихлорсилану і кремнію для використання в отриманні трихлорсилану

Завантаження...

Номер патенту: 104391

Опубліковано: 27.01.2014

Автори: Б'єрдаль Йостейн, Х'єнлі Хеннінг, Хоель Ян-Отто, Рєе Торб'єрн, Ронг Харрі Мортен

МПК: C01B 33/107

Мітки: отримання, трихлорсилану, використання, спосіб, отриманні, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання трихлорсилану шляхом взаємодії кремнію з газоподібним НСl при температурі між 250° і 1100 °C і абсолютному тиску в 0,5-30 атм в реакторі з псевдозрідженим шаром, в реакторі з перемішуваним шаром або в реакторі із суцільним шаром, який відрізняється тим, що кремній, який подається в реактор, містить між 40 і 10000 ч/млн барію по масі і, необов'язково, 40-10000 ч/млн міді по масі.2. Спосіб за п. 1, який...

Спосіб отримання сонячних елементів на пористому кремнію

Завантаження...

Номер патенту: 85399

Опубліковано: 25.11.2013

Автори: Хрипко Сергій Леонідович, Кідалов Валерій Віталійович, Дем'яненко-Мамонова Вікторія Олександрівна

МПК: H01L 31/00

Мітки: спосіб, пористому, сонячних, отримання, елементів, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання сонячних елементів на пористому кремнію методом фотолітографії, який відрізняється тим, що технологічний процес включає формування на підкладці кремнію n-типу провідності суцільного шару n-типу провідності, легованого сурмою, нарощування епітаксійного шару n-типу товщиною 0,2-0,5 мкм, формування маскуючого шару нітриду кремнію, створення в маскуючому шарі методом фотолітографії рисунка монокристалічних областей,...