Патенти з міткою «індію»

Спосіб одержання летких гетерометалічних гексафторацетилацетонатних комплексів індію з перехідними металами

Завантаження...

Номер патенту: 119253

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Слюсарчук Людмила Іванівна, Роговцов Олександр Олександрович, Трунова Олена Костянтинівна, Железнова Лідія Іванівна

МПК: C01G 3/00, C01G 51/00, C01G 15/00 ...

Мітки: гетерометалічних, одержання, спосіб, металами, комплексів, індію, гексафторацетилацетонатних, летких, перехідними

Формула / Реферат:

Спосіб одержання летких гетерометалічних гексафторацетилацетонатних комплексів індію з перехідними металами загальної формули InM(rOA)n.2AN (М - Со(ІІ), Cu(II), Zn(II), Nd(III); НГФА-гексафторацетилацетон (F3C-C(O)-CH2-C(O)-CF3), AN - ацетонітрил (СН3-CN)), шляхом проведення прямого синтезу в середовищі апротонного розчинника з металевого індію, хлориду 3d-металу або оксиду неодиму та гексафторацетилацетону, який відрізняється тим, що леткі...

Спосіб виготовлення фотодіодів на антимоніді індію

Завантаження...

Номер патенту: 115174

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Кладько Василь Петрович, Сафрюк Надія Володимирівна, Романюк Андрій Борисович, Мельник Віктор Павлович, Голтвянський Юрій Васильович, Федулов Віктор Васильович, Сабов Томаш Мар'янович, Оберемок Олександр Степанович

МПК: H01L 21/265, H01L 31/18

Мітки: антимоніді, індію, виготовлення, спосіб, фотодіодів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів, який включає створення на поверхні антимоніду індію 1-го типу провідності з концентрацією легуючих атомів не більше 3·1015 см-3 локальних областей р-n переходу шляхом імплантації іонів, які дозволяють створити 2-ий тип провідності в приповерхневій області підкладки, нанесення маски за допомогою якої долеговують області 1-го типу провідності до концентрації 1017-1019 см-3, зняття маски, після чого...

Спосіб виготовлення фотодіоду на антимоніді індію

Завантаження...

Номер патенту: 115173

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Мусаєв Сергій Мусаєвич, Сапон Сергій Васильович, Педченко Юрій Миколайович, Гудименко Олександр Йосипович, Калистий Геннадій Володимирович, Попов Валентин Георгієвич, Дубіковський Олександр Володимирович, Романюк Борис Миколайович

МПК: H01L 31/18, H01L 21/265

Мітки: фотодіоду, індію, антимоніді, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів на основі кристалів антимоніду індію n-типу провідності, що включає в себе підготовку поверхні вихідної пластини антимоніду індію, формування легованих областей р-типу провідності, формування захисної плівки шляхом анодного окиснення (АОП) в електроліті, нанесення пасивуючої просвітлюючої діелектричної плівки та формування контактної системи, який відрізняється тим, що після формування захисної плівки АОП...

Спосіб контролю тонкоплівкового прозорого нагрівального елемента на основі оксиду олова та індію

Завантаження...

Номер патенту: 106632

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Назарчук Світлана Степанівна, Дунаєвський Вадим Іванович, Качур Наталія Володимирівна, Туру Тетяна Анатоліївна, Маслов Володимир Петрович

МПК: C23C 14/08, C23C 14/35, G01B 11/06 ...

Мітки: оксиду, елемента, олова, тонкоплівкового, індію, основі, прозорого, нагрівального, контролю, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб контролю однорідності товщини виготовлених тонкоплівкових прозорих електропровідних покриттів на основі оксидів індію та олова, який полягає в визначенні показника оптичного пропускания, який відрізняється тим, що як випромінювання використовують поляризоване світло, а топологію розподілу неоднорідності товщини визначають за допомогою аналізатора поляризованого світла, яке пройшло через зразок з покриттям.

Спосіб отримання легованих мікрокристалів антимоніду індію для радіаційно стійких сенсорів магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 82990

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Ворошило Галина Іванівна, Шуригін Федір Михайлович, Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович

МПК: C30B 25/00

Мітки: магнітного, стійких, сенсорів, легованих, отримання, мікрокристалів, індію, антимоніду, поля, спосіб, радіаційної

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих мікрокристалів антимоніду індію для радіаційно-стійких сенсорів магнітного поля, згідно з яким кварцову ампулу, в якій послідовно розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором - золотом, джерело антимоніду індію та йод, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9¸1,1)×10-4 Па, запаюють та розмішують у двозонній печі опору з нагрівом зони джерела вихідних компонентів...

Спосіб виготовлення оксидних кристалітів на поверхні поруватого фосфіду індію

Завантаження...

Номер патенту: 80524

Опубліковано: 10.06.2013

Автор: Сичікова Яна Олександрівна

МПК: C25F 3/00, C30B 33/10

Мітки: поруватого, кристалітів, виготовлення, спосіб, поверхні, фосфіду, індію, оксидних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного оксиду індію методом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять обробкою монокристалу у розчині кислоти протягом 5-15 хвилин.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що розчин готовлять за формулою: плавикова кислота (HF), етиловий спирт (С2Н5ОН) та вода (Н2О) у співвідношенні 1:2:1.3. Спосіб за п. 2, який відрізняється тим, що травлення проводять при...

Спосіб одержання високодисперсного порошку індію високої чистоти

Завантаження...

Номер патенту: 74650

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Близнюк Антоніна Вікторівна, Козін Валентин Хомич, Омельчук Анатолій Опанасович

МПК: C22B 58/00

Мітки: порошку, спосіб, одержання, індію, високої, високодисперсного, чистоти

Формула / Реферат:

Спосіб отримання високодисперсного порошку індію високої чистоти, що включає хімічне диспергування, який відрізняється тим, що диспергування здійснюють за рахунок поляризації індієвих електродів в розчині гідроксиду натрію з концентрацією 0,1-4,0 моль/л змінним струмом промислової частоти при густині струму 3,0-8,0 А/см2.

Спосіб виготовлення сенсорів магнітного поля на основі тонких плівок антимоніду індію

Завантаження...

Номер патенту: 74253

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Ворошило Галина Іванівна, Макідо Олена Юріївна, Штабалюк Агата Петрівна, Шуригін Федір Михайлович, Кость Ярослав Ярославович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: поля, основі, антимоніду, виготовлення, магнітного, плівок, тонких, індію, сенсорів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення сенсорів магнітного поля на основі тонких плівок антимоніду індію, згідно з яким на готовій плівці створюють геометричну конфігурацію магнітного сенсора та наносять електроди хімічним або електрохімічним способом, до яких припаюють мідний провід, який відрізняється тим, що плівку з припаяним мідним проводом розміщують у вакуумну камеру, вакуумують до тиску в камері 1·10-6-1·10-5 Па, нагрівають до температури 200-250 °С,...

Спосіб підвищення стабільності параметрів мікрокристалів антимоніду індію

Завантаження...

Номер патенту: 99078

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Шуригін Федір Михайлович, Штабалюк Агата Петрівна, Макідо Олена Юріївна, Большакова Інеса Антонівна, Кость Ярослав Ярославович, Ворошило Галина Іванівна

МПК: C30B 29/40, C30B 25/00

Мітки: індію, параметрів, спосіб, антимоніду, стабільності, підвищення, мікрокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення стабільності параметрів мікрокристалів антимоніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором - золотом, джерело антимоніду індію та йод, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9-1,1)∙10-4 Па, запаюють та розміщують у двозонній печі опору з нагрівом зони джерела вихідних компонентів до температури Т=700±5 °С та нагрівом зони...

Спосіб ультратонкого розділення елементів-аналогів галію (iii) та індію (iii)

Завантаження...

Номер патенту: 70433

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Рахлицька Олена Михайлівна, Чеботарьов Олександр Миколайович

МПК: B01D 15/04

Мітки: індію, ультратонкого, галію, ііі, розділення, елементів-аналогів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб ультратонкого розділення елементів-аналогів галію (ІІІ) та індію (ІІІ), який полягає в тому, що в аналітичному зразку водної суміші мікрокількостей вказаних елементів встановлюють певне значення кислотності середовища, кількісно переносять до ємності з сорбентом, як сорбент використовують гідрофобний органокремнезем, який відрізняється тим, що сорбцію проводять в статичному режимі в одну стадію, що спрощує процес розділення і не...

Спосіб ультратонкого відокремлення мікрокількостей алюмінію (ііі) від його елементів-аналогів галію (ііі) та індію (ііі)

Завантаження...

Номер патенту: 62771

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Чеботарьов Олександр Миколайович, Рахлицька Олена Михайлівна

МПК: B01D 15/04

Мітки: алюмінію, галію, індію, мікрокількостей, спосіб, відокремлення, ііі, ультратонкого, елементів-аналогів

Формула / Реферат:

Спосіб ультратонкого відокремлення мікрокількостей алюмінію (III) від його елементів-аналогів галію (III) та індію (III), який полягає в тому, що в аналітичному зразку водної суміші вказаних елементів в інтервалі концентрацій 0,5÷5 мкг/мл встановлюють певне значення кислотності середовища, кількісно переносять до ємності з сорбентом, як такий використовують диметилхлорсиланаеросил (ДМХСА), який попередньо гідрофілізують, який...

Спосіб визначення кристалографічної орієнтації поверхні фосфіду індію

Завантаження...

Номер патенту: 62573

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Кідалов Валерій Вітальович, Сичікова Яна Олександрівна, Сукач Георгій Олексійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: кристалографічно, спосіб, орієнтації, поверхні, визначення, фосфіду, індію

Формула / Реферат:

Спосіб визначення кристалографічної орієнтації поверхні фосфіду індію, який включає електрохімічну обробку кристала в розчинах плавикової чи соляної кислот з подальшим спостереженням ямок травлення на скануючому електронному мікроскопі, за формою ямок травлення визначають орієнтацію напівпровідника.

Склад поліруючого травника для фосфіду індію n-типу

Завантаження...

Номер патенту: 62226

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Сичікова Яна Олександрівна, Кідалов Валерій Вітальович

МПК: C03C 15/00

Мітки: індію, поліруючого, травника, склад, n-типу, фосфіду

Формула / Реферат:

Склад поліруючого травника для фосфіду індію n-типу, що включає плавикову кислоту (HF), який відрізняється тим, що додатково містить бромоводневу кислоту (HBr) та воду (H2O) при наступному співвідношенні компонентів: H2O:HF:HBr=5:5:l.

Спосіб отримання легованих мікрокристалів арсеніду індію

Завантаження...

Номер патенту: 60473

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Ворошило Галина Іванівна, Шуригін Федір Михайлович, Большакова Інеса Антонівна, Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович

МПК: C30B 25/00

Мітки: легованих, спосіб, індію, мікрокристалів, арсеніду, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують арсенід індію та підкладку з попередньо нанесеними на неї мікрочастинками золота, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9¸1,1)·10-2 Па, заповнюють транспортним газом - хлористим воднем до тиску (3¸4)·104 Па, запаюють та розташовують у електропечі опору з нагрівом зони джерела арсеніду індію до температури...

Спосіб дослідження композиційної неоднорідності структури кристалів фосфіду індію

Завантаження...

Номер патенту: 93456

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Кідалов Валерій Вітальович, Сукач Георгій Олексійович, Сичікова Яна Олександрівна

МПК: G01N 1/32, G01N 27/00

Мітки: дослідження, кристалів, спосіб, фосфіду, композиційної, структури, неоднорідності, індію

Формула / Реферат:

1. Спосіб дослідження композиційної неоднорідності структури кристалів фосфіду індію, який відрізняється тим, що включає обробку поверхні монокристалічного фосфіду індію шляхом селективного електрохімічного травлення, яке проводять шляхом обробки монокристала фосфіду індію у розчині етилового спирту, води та HF у співвідношенні 2:1:1 відповідно при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 50 мА/см2.2. Спосіб за п. 1,...

Спосіб текстурування поверхні фосфіду індію р-типу

Завантаження...

Номер патенту: 53712

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Кідалов Валерій Вітальович, Сукач Георгій Олексійович, Коноваленко Анатолій Анатольович, Сичікова Яна Олександрівна, Балан Олександр Сергійович

МПК: H01L 21/306

Мітки: фосфіду, р-типу, текстурування, спосіб, індію, поверхні

Формула / Реферат:

1. Cпосіб виготовлення текстурованих структур з розвиненою морфологією на поверхні монокристалічного фосфіду індію р-типу, а саме фотоелектрохімічного травлення, що проводять у розчині плавикової бромоводневої кислоти концентрацією НВr:Н2О=1:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення проводять у 50% розчині бромідної кислоти при щільності струму 150 мА/см2 та часі анодування 8 хв.3. Спосіб за п. 1, який...

Спосіб отримання макропоруватої поверхні фосфіду індію методом електролітичного травлення у розчині плавикової кислоти

Завантаження...

Номер патенту: 51830

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Сичікова Яна Олександрівна, Кідалов Валерій Вітальович, Сукач Георгій Олексійович

МПК: G01N 27/00

Мітки: спосіб, фосфіду, травлення, методом, розчині, отримання, індію, кислоти, плавікової, макропоруватої, електролітичного, поверхні

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання макропоруватого шару на поверхні монокристалічного фосфіду індію, який включає обробку поверхні монокристалічного ІnР шляхом електрохімічного травлення.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристалу ІnР у розчині етилового спирту, води та HF у відношенні 2:1:1 відповідно при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 110 мА/см протягом 15...

Діод ганна з фосфіду індію

Завантаження...

Номер патенту: 51542

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Ковтонюк Віктор Михайлович, Веремійченко Георгій Микитович, Раєвська Нелля Сергіївна, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: діод, ганна, індію, фосфіду

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний діод Ганна з фосфіду індію, який містить в собі епітаксіальну мезаструктуру типу n-n+-n++, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний контакти із сплаву золото-германій, бар'єрні шари із дибориду титану або дибориду цирконію, до яких сформовані контактуючі шари з молібдену, потім з'єднувальні шари із золота та тепловідвід до катодного контакту, і яка вісесиметрично розташована в діелектричному корпусі із...

Спосіб отримання нанопоруватого шару фосфіду індію шляхом електрохімічного травлення у розчині плавикової кислоти

Завантаження...

Номер патенту: 50341

Опубліковано: 10.06.2010

Автори: Кідалов Валерій Вітальович, Сукач Георгій Олексійович, Сичікова Яна Олександрівна

МПК: G01N 27/00

Мітки: шляхом, індію, спосіб, фосфіду, отримання, електрохімічного, травлення, розчині, нанопоруватого, кислоти, плавікової, шару

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання нанопоруватого шару на поверхні монокристалічного фосфіду індію, який включає обробку поверхні монокристалічного ІnР шляхом електрохімічного травлення.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала ІnР у розчині етилового спирту, води та HF у відношенні 2:1:1 відповідно при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 30 мА/см2 протягом 5...

Спосіб одержання мікрокристалів антимоніду індію

Завантаження...

Номер патенту: 90834

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович, Шуригін Федір Михайлович, Большакова Інеса Антонівна, Ворошило Галина Іванівна

МПК: C30B 25/00, C30B 29/40, C30B 29/10 ...

Мітки: антимоніду, одержання, індію, мікрокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання мікрокристалів антимоніду індію, за яким кварцову ампулу, в якій розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором золотом, та джерело антимоніду індію, вакуумують, запаюють та нагрівають, який відрізняється тим, що одночасно з підкладкою та джерелом антимоніду індію в кварцовій ампулі розташовують йод, вакуумування проводять до тиску в ампулі не більше (0,9-4,1)·10-4 Па, після вакуумування...

Спосіб отримання поруватої поверхні фосфіду індію р-типу методом фотоелектрохімічного травлення

Завантаження...

Номер патенту: 49947

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Сичікова Яна Олександрівна, Сукач Георгій Олексійович, Кідалов Валерій Віталійович

МПК: G01N 27/00

Мітки: поруватої, спосіб, методом, фосфіду, отримання, індію, поверхні, фотоелектрохімічного, травлення, р-типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання поруватого шару на поверхні монокристалічного фосфіду індію р-типу методом фотоелектрохімічного травлення, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала ІnР у розчині 5% соляної кислоти при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 150 мА/см2 протягом 15 хв.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять при освітленні зразків...

Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію

Завантаження...

Номер патенту: 48871

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Кость Ярослав Ярославович, Шуригін Федір Михайлович, Макідо Олена Юріївна

МПК: C30B 25/00

Мітки: отримання, індію, спосіб, арсеніду, мікрокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують підкладку з попередньо нанесеними на неї мікрочастинками золота та арсенід індію, вакуумують, запаюють та розташовують у електропечі опору з нагрівом зони джерела арсеніду індію до температури Т=930±2 К, у такому режимі ампулу витримують до отримання мікрокристалів InAs, який відрізняється тим, що вакуумування проводять до тиску в ампулі не...

Спосіб об’ємного електрохімічного рафінування індію та пристрій для його реалізації

Завантаження...

Номер патенту: 83210

Опубліковано: 25.06.2008

Автори: Козін Валентин Хомич, Козін Роман Валентинович, Омельчук Анатолій Опанасович

МПК: C22B 58/00, C25C 7/00

Мітки: рафінування, об`ємного, пристрій, спосіб, електрохімічного, реалізації, індію

Формула / Реферат:

1. Спосіб об'ємного електрохімічного рафінування індію, що включає розчинення чорнового індію з утворенням галогенідів індію нижчих ступенів окислення, який відрізняється тим, що рафінування здійснюють в електролітичній суміші наступного складу, мас. %:NH4Cl – 10-20NH4I – 20-30ZnCl2 – 60, забезпечуючи відновлення сполук індію різних ступенів окислення, в електролізері з електрохімічним реактором та допоміжними...

Спосіб одержання оцтової кислоти та застосування індію, кадмію, ртуті, галію, цинку як стабілізатора в цьому способі

Завантаження...

Номер патенту: 79316

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Пул Ендрю Девід, Пейн Марк Джон, Кі Леслі Енн

МПК: C07C 53/08, C07C 51/12

Мітки: способи, оцтової, кислоти, стабілізатора, галію, цьому, кадмію, спосіб, ртуті, індію, застосування, цинку, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання оцтової кислоти карбонілюванням метанолу і/або його реакційноздатної похідної монооксидом вуглецю, який відрізняється тим, що його здійснюють в щонайменше одній реакційній зоні карбонілювання, що містить рідку реакційну композицію, яка включає іридієвий каталізатор карбонілювання, метилйодидний співкаталізатор, воду в обмеженій концентрації, оцтову кислоту, метилацетат, щонайменше один промотор, вибраний з рутенію, осмію...

Спосіб вилучення індію зі сплаву індій-олово та пристрій для його реалізації

Завантаження...

Номер патенту: 79019

Опубліковано: 10.05.2007

Автори: Козін Роман Валентинович, Омельчук Анатолій Опанасович, Козін Валентин Хомич

МПК: C22B 58/00

Мітки: пристрій, сплаву, індій-олово, індію, спосіб, реалізації, вилучення

Формула / Реферат:

1. Спосіб вилучення і рафінування індію зі сплаву індій-олово, що включає електроліз з електродами, катодом і анодом, який відрізняється тим, що вилучення і рафінування індію здійснюють в багатоелектродному біполярному електролізері, в якому електроди розділено композитним твердофазним електролітом на основі β-глинозему та тетрахлоріндату індію.2. Спосіб по п. 1, який відрізняється тим, що вилучення і рафінування ведуть в...

Спосіб плазмового травлення оптично прозорих плівок оксиду індію та олова

Завантаження...

Номер патенту: 22675

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Плахотнюк Максим Миколайович, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ

МПК: H01L 21/306

Мітки: олова, травлення, плазмового, оксиду, оптично, прозорих, індію, плівок, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб плазмового травлення оптично прозорих плівок оксиду індію та олова, при якому травлення проводять у плазмі, яку одержують високочастотним електромагнітним полем в реакційній камері при пониженому тиску газу та суміші основного газу-реагенту та інертного газу-носія аргону, який відрізняється тим, що як основний газ-реагент використовують тетрахлорид вуглецю, процес травлення здійснюють за рахунок взаємодії з поверхнею плівок оксиду...

Спосіб обробки легованих монокристалів арсеніду індію

Завантаження...

Номер патенту: 41850

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Мегела Іван Георгійович, Гомоннай Олександр Васильович

МПК: G21H 5/00

Мітки: арсеніду, монокристалів, спосіб, обробки, індію, легованих

Формула / Реферат:

Спосіб обробки легованих монокристалів арсеніду індію, що включає термічний відпал дефектів, який відрізняється тим, що підвищення домішкової однорідності матеріалу досягається радіостимульованою дифузією внаслідок високоенергетичного опромінення (електронами, y -квантами) величиною інтегрального потоку, при якій реалізується рівномірний просторовий розподіл домішок, причому введені радіаційні дефекти усуваються наступним температурним...

Спосіб отримання електричного контакту типу “метал-напівпровідник” до фосфіду індію

Завантаження...

Номер патенту: 28793

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Горбань Олександр Миколайович, Горбенко Віталій Іванович, Швець Юлій Олександрович

МПК: H01L 21/223

Мітки: метал-напівпровідник, отримання, контакту, типу, електричного, індію, фосфіду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання електричного контакту типу "метал-напівпровідник" до фосфіду індію, що включає його ва­куумування та нагрівання до температури дисоціації, який відрізняється тим, що нагрівання проводять в умовах низького вакууму в середовищі, яке вміщує атомарний водень з концентрацією від 1·1018 до 1·1021 атомів/м3.

Спосіб переробки арсеніду індію

Завантаження...

Номер патенту: 31924

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Омельчук Анатолій Опанасович, Козін Валентин Хомич

МПК: C22B 58/00

Мітки: переробки, арсеніду, спосіб, індію

Текст:

...і напротязі 1.5 год. продували через неї повітря.' Внаслідок реакції на холодних стінках кварцевого реактора було зібрано 17.26 г оксиду тривалентного миш'яку , що відповідав 80£ вилученню. На дні реактора було зібрано 10.68 г оксиду тривалентного індію , що відповідає ступеню вилучення 82%. Із отриманого оксиду індію відомими методами вилучали індій . Для цього його розчиняли в 2Н розчині сірчаної кислоти Отриманий . розчин піддавали...

Спосіб пробопідготовки для електротермічного атомно-абсорбційного визначення індію в цинку та цинкових сплавах

Завантаження...

Номер патенту: 30008

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Шевчук Іван Олексійович, Засядько Світлана Вікторівна, Алемасова Антоніна Сергіївна, Дмитрук Наталя Петрівна

МПК: G01N 21/71

Мітки: цинкових, цинку, сплавах, визначення, атомно-абсорбційного, електротермічного, спосіб, індію, пробопідготовки

Формула / Реферат:

Спосіб пробопідготовки для електротермічного атомно-абсорбційного визначення індію в цинку та цинкових сплавах, що містить у собі розчинення проби при нагріванні в присутності азотної кислоти, охолодженні отриманого розчину, який відрізняється тим, що після охолодження в розчин додатково вводять сірчанокислий офенантролін в кількості 0,001моль/л.

Спосіб отримання електричного контакту типу “металнапівпровідник” до фосфіду індію

Завантаження...

Номер патенту: 28793

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Горбенко Віталій Іванович, Швець Юлій Олександрович, Горбань Олександр Миколайович

МПК: H01L 21/223

Мітки: електричного, отримання, спосіб, типу, металнапівпровідник, фосфіду, контакту, індію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання електричного контакту типу "метал-напівпровідник" до фосфіду індію, що включає його ва­куумування та нагрівання до температури дисоціації, який відрізняється тим, що нагрівання проводять в умовах низького вакууму в середовищі, яке вміщує атомарний водень з концентрацією від 1·1018 до 1·1021 атомів/м3.