Патенти з міткою «ga0.3in0.7)2se3»

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,3in0,7)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Завантаження...

Номер патенту: 34945

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G01K 17/08

Мітки: напівпровідникового, ga0.3in0.7)2se3, пристроїв, матеріалу, галію-індію, розчину, твердого, застосування, оптоелектроніки, монокристала, функціональних, селеніду

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,3Іn0,7)2Sе3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0.3in0.7)2se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 77305

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Феделеш Василь Іванович

МПК: G02F 1/01, H01S 3/10

Мітки: селеніду, монокристала, матеріалу, напівпровідникового, розчину, твердого, модулятора, лазерного, ga0.3in0.7)2se3, застосування, галію-індію, випромінювання, акустооптичного

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.3In0.7)2Sе3 як матеріалу для акустооптичного модулятора оптичного випромінювання.