Патенти з міткою «ga0.3in0.7)2se3»

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0,3in0,7)2se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки

Завантаження...

Номер патенту: 34945

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/08

Мітки: ga0.3in0.7)2se3, селеніду, пристроїв, монокристала, застосування, функціональних, твердого, галію-індію, оптоелектроніки, напівпровідникового, розчину, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,3Іn0,7)2Sе3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (ga0.3in0.7)2se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 77305

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Феделеш Василь Іванович

МПК: H01S 3/10, G02F 1/01

Мітки: ga0.3in0.7)2se3, акустооптичного, напівпровідникового, лазерного, галію-індію, монокристала, застосування, модулятора, твердого, матеріалу, випромінювання, розчину, селеніду

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.3In0.7)2Sе3 як матеріалу для акустооптичного модулятора оптичного випромінювання.