Патенти з міткою «фотогальванічний»

Фотогальванічний модуль та спосіб його виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 61118

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Моосхаймер Ульріх, Ланговскі Хорст-Хрістіан, Плессінг Альберт

МПК: H01L 31/048

Мітки: модуль, фотогальванічний, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Фотогальванічний модуль (1) у формі шаруватої структури, яка має як стрижневий шар систему сонячних елементів (2), а також нанесені на неї з обох боків герметизувальні матеріали (3, 3'), який відрізняється тим, що принаймні один шар герметизувального матеріалу (3') складається з ізолювального (4') і бар'єрного (6) шарів, при цьому бар'єрний шар (6) виконано з одношарової або багатошарової полімерної плівки, покритої неорганічним оксидним...

Твердотільний фотогальванічний елемент для перетворення енергії світла в електричну енергію

Завантаження...

Номер патенту: 2114

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Губа Микола Федорович, Походенко Віталій Дмитрович

МПК: H01L 31/04

Мітки: перетворення, світла, енергії, елемент, твердотільний, електричну, енергію, фотогальванічний

Формула / Реферат:

Твердотельный фотогальванический элемент для преобразования энергии света в єлектрическую энергию на основе сэндвич-структуры, включающий неорганический полупроводник кремний n-типа проводимости, электропроводящий органический полимер и пленку золота, отличающийся тем, что в качестве элехтропроводящего органического полимера используют поли-N-эпоксипропилкарбазол, допированный пентахлоридом сурьмы, с толщиной слоя

Твердотільний фотогальванічний елемент для перетворення енергії світла в електричну енергію

Завантаження...

Номер патенту: 1191

Опубліковано: 30.12.1993

Автори: Губа Микола Федорович, Походенко Віталій Дмитрович

МПК: H01L 31/04

Мітки: світла, фотогальванічний, елемент, перетворення, електричну, енергії, твердотільний, енергію

Формула / Реферат:

Твердотельный фотогальванический элемент для преобразования энергии света в электрическую энергию на основе сэндвич-структуры, включающей слой неорганического полупроводника А2В6 n-типа, слой электропроводящего органического полимера и слой золота, отличающийся тем. что в качестве неорганического полупроводника A2B6 n - типа используют поликристаллический теллурид кадмия, а в качестве электропроводящего органического полимера -...