Патенти з міткою «епітаксіальних»

Пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 91869

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Дуда Роман Валерійович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01N 27/00

Мітки: пристрій, напівпровідниках, епітаксіальних, шарів, товщини, визначення

Формула / Реферат:

Пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках, що містить джерело світла та епітаксіальну структуру, що послідовно з'єднані між собою, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить фоторезистор, перший та другий резистори, перший та другий польові транзистори, біполярний транзистор, перший та другий конденсатори та джерело постійної...

Мікроелектронний пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 91868

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Дуда Роман Валерійович

МПК: G01N 27/12

Мітки: товщини, напівпровідниках, визначення, пристрій, епітаксіальних, шарів, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках, що містить джерело світла та епітаксіальну структуру, що послідовно з'єднані між собою, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить фоторезистор, резистор, перший та другий польові транзистори, індуктивність, обмежувальний конденсатор, дві вихідні клеми та джерело...

Спосіб виготовлення кремнієвих епітаксіальних матричних структур з периферійними відокремлюючими областями

Завантаження...

Номер патенту: 41209

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Семенов Олег Сергійович, Полухін Олексій Степанович

МПК: H01L 21/208

Мітки: спосіб, відокремлюючими, периферійними, областями, виготовлення, кремнієвих, епітаксіальних, матричних, структур

Формула / Реферат:

1.Спосіб виготовлення кремнієвих епітаксіальних матричних структур і периферійними відокремлюючими областями, який включає підготовку пластини-джерела і підкладки, утворення відокремлюючих р+областей, формування зони капілярним втягуванням металу-розчинника на основі алюмінію в щілину між пластиною-джерелом і підкладкою, перекристалізацію пластини-джерела зоною, що просувається в полі градієнта температури під час термоміграції, і...

Спосіб виготовлення кремнієвих епітаксіальних структур

Завантаження...

Номер патенту: 11378

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Бірковий Юрій Леонідович

МПК: H01L 21/205

Мітки: епітаксіальних, спосіб, структур, кремнієвих, виготовлення

Формула / Реферат:

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур, включающий формирование скрытых областей n+ -типа на кремниевой подлож­ке р-типа с последующим нанесением слоя поли­кремния, термическую обработку структуры в окислительной среде с образованием на поверхно­сти поликремния слоя оксида, газового травления в среде хлористого водорода и эпитаксиальное на­ращивание слоя n-типа, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и...

Спосіб вирощування з рідкої фази арсенід-галієвих епітаксіальних діодних p-і-n структур

Завантаження...

Номер патенту: 8064

Опубліковано: 26.12.1995

Автори: Поліщук Сергій Михайлович, Нагорний Ростислав Леонтійович, Войтович Віктор Євгенович

МПК: H01L 21/20

Мітки: спосіб, рідкої, арсенід-галієвих, структур, вирощування, фазі, епітаксіальних, діодних, p-і-n

Формула / Реферат:

1. Способ выращивания из жидкой фазы арсенид-галлиевых эпитаксиальных диодных P-i-N структур, заключающийся в том, что нагревают раствор-расплав GaAs в кварцевом реакторе и кварцевой кассете в среде водорода, содержащего пары воды, при контроле в процессе нагрева тем­пературы и времени выполнения технологических операций, скорости потока водорода и концентра­ции в нем паров воды, отличающийся тем, что в качестве растворителя для GaAs...