Патенти з міткою «епітаксіальних»

Пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 91869

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Дуда Роман Валерійович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01N 27/00

Мітки: товщини, визначення, напівпровідниках, епітаксіальних, пристрій, шарів

Формула / Реферат:

Пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках, що містить джерело світла та епітаксіальну структуру, що послідовно з'єднані між собою, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить фоторезистор, перший та другий резистори, перший та другий польові транзистори, біполярний транзистор, перший та другий конденсатори та джерело постійної...

Мікроелектронний пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках

Завантаження...

Номер патенту: 91868

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Дуда Роман Валерійович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01N 27/12

Мітки: напівпровідниках, шарів, мікроелектронний, пристрій, епітаксіальних, товщини, визначення

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках, що містить джерело світла та епітаксіальну структуру, що послідовно з'єднані між собою, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить фоторезистор, резистор, перший та другий польові транзистори, індуктивність, обмежувальний конденсатор, дві вихідні клеми та джерело...

Спосіб виготовлення кремнієвих епітаксіальних матричних структур з периферійними відокремлюючими областями

Завантаження...

Номер патенту: 41209

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Полухін Олексій Степанович, Семенов Олег Сергійович

МПК: H01L 21/208

Мітки: виготовлення, епітаксіальних, структур, відокремлюючими, спосіб, периферійними, кремнієвих, областями, матричних

Формула / Реферат:

1.Спосіб виготовлення кремнієвих епітаксіальних матричних структур і периферійними відокремлюючими областями, який включає підготовку пластини-джерела і підкладки, утворення відокремлюючих р+областей, формування зони капілярним втягуванням металу-розчинника на основі алюмінію в щілину між пластиною-джерелом і підкладкою, перекристалізацію пластини-джерела зоною, що просувається в полі градієнта температури під час термоміграції, і...

Спосіб виготовлення кремнієвих епітаксіальних структур

Завантаження...

Номер патенту: 11378

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Бірковий Юрій Леонідович

МПК: H01L 21/205

Мітки: спосіб, структур, епітаксіальних, виготовлення, кремнієвих

Формула / Реферат:

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур, включающий формирование скрытых областей n+ -типа на кремниевой подлож­ке р-типа с последующим нанесением слоя поли­кремния, термическую обработку структуры в окислительной среде с образованием на поверхно­сти поликремния слоя оксида, газового травления в среде хлористого водорода и эпитаксиальное на­ращивание слоя n-типа, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и...

Спосіб вирощування з рідкої фази арсенід-галієвих епітаксіальних діодних p-і-n структур

Завантаження...

Номер патенту: 8064

Опубліковано: 26.12.1995

Автори: Нагорний Ростислав Леонтійович, Войтович Віктор Євгенович, Поліщук Сергій Михайлович

МПК: H01L 21/20

Мітки: вирощування, арсенід-галієвих, епітаксіальних, рідкої, діодних, структур, спосіб, p-і-n, фазі

Формула / Реферат:

1. Способ выращивания из жидкой фазы арсенид-галлиевых эпитаксиальных диодных P-i-N структур, заключающийся в том, что нагревают раствор-расплав GaAs в кварцевом реакторе и кварцевой кассете в среде водорода, содержащего пары воды, при контроле в процессе нагрева тем­пературы и времени выполнения технологических операций, скорости потока водорода и концентра­ции в нем паров воды, отличающийся тем, что в качестве растворителя для GaAs...