Патенти з міткою «cu7ges5i»

Спосіб вирощування cu7ges5i методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину

Завантаження...

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 13/00, C30B 9/00

Мітки: спосіб, методом, кристалізації, вирощування, cu7ges5i, спрямовано, розплаву-розчину

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...