Патенти з міткою «cu6ps5i»

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 121566

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Бендак Андрій Васильович, Соломон Андрій Михайлович, Мікула Маріан, Студеняк Ігор Петрович, Куш Петер

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: йодид-пентатіофосфату, рентгенівського, міді, основі, випромінювання, застосування, тонкої, плівки, cu6ps5i, матеріалу, реєстрації

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 114865

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Куш Петер, Мікула Маріан, Рибак Стефан Олександрович, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18, C23C 14/35

Мітки: джерела, cu6ps5i, матеріалу, енергії, спосіб, твердоелектролітичного, плівок, основі, тонких, йодид-пентатіофосфату, одержання, міді, високопровідних

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу пресованого порошку Cu6PS5I, а в іншому мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 112612

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Куш Петер, Студеняк Віктор Ігорович, Мікула Маріан, Рибак Стефан Олександрович

МПК: H01M 4/28, C01G 3/00, H01M 6/18 ...

Мітки: основі, міді, плівок, йодид-пентатіофосфату, тонких, твердоелектролітичного, одержання, cu6ps5i, спосіб, джерела, матеріалу, енергії, високопровідних

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу Cu6PS5I (пресований порошок), а в іншому - мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Спосіб підвищення електричної провідності нематичного рідкого кристалу 6снвт шляхом внесення в нього наночастинок суперіонного провідника cu6ps5i

Завантаження...

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Тімко Мілан, Студеняк Віктор Ігорович, Ковальчук Олександр Васильович, Копчанський Петер

МПК: G01R 3/00, G02F 1/13

Мітки: суперіонного, провідності, електричної, рідкого, cu6ps5i, шляхом, кристалу, внесення, 6снвт, підвищення, спосіб, наночастинок, провідника, нематичного, нього

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: кристалізації, йодиду, монокристалів, розплаву, cu6ps5i, спосіб, спрямовано, вирощування, методом, купрум(і)пентатіофосфату(v

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: розплаву, купрум(і, методом, спосіб, кристалізації, вирощування, cu6ps5i, пентатіофосфату(v, спрямовано, монокристалів, йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 65984

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Чомоляк Артем Анатолійович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Гуранич Павло Павлович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: аморфної, плівки, твердоелектролітичного, йодид-пентатіофосфату, міді, основі, енергії, матеріалу, джерела, застосування, cu6ps5i

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Матеріал із суперіонної кераміки на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 94851

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Бучук Роман Юрійович, Прітц Іван Павлович

МПК: H01M 6/00

Мітки: кераміки, твердоелектролітичного, енергії, суперіонної, матеріал, основі, міді, джерела, cu6ps5i, йодид-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Матеріал із суперіонної кераміки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що матеріал виготовлено із суперіонної кераміки мікрокристалічної структури, а саме з мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I, при цьому матеріал має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації.

Застосування суперіонної кераміки на основі мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 54729

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Панько Василь Васильович, Бучук Роман Юрійович, Прітц Іван Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: застосування, джерела, основі, кераміки, енергії, йодид-пентатіофосфату, cu6ps5i, матеріалу, суперіонної, мікрокристалічного, твердоелектролітичного, міді

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I, що має високу іонну провідність та низьку енергію активації, як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.