Патенти з міткою «cu6ps5i»

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 121566

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Куш Петер, Бендак Андрій Васильович, Мікула Маріан, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: тонкої, застосування, cu6ps5i, реєстрації, міді, йодид-пентатіофосфату, матеріалу, основі, плівки, випромінювання, рентгенівського

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 114865

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Рибак Стефан Олександрович, Студеняк Віктор Ігорович, Куш Петер, Мікула Маріан, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18, C23C 14/35

Мітки: матеріалу, джерела, йодид-пентатіофосфату, енергії, високопровідних, тонких, плівок, твердоелектролітичного, міді, cu6ps5i, спосіб, основі, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу пресованого порошку Cu6PS5I, а в іншому мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 112612

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Куш Петер, Мікула Маріан, Рибак Стефан Олександрович, Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C01G 3/00, H01M 4/28, H01M 6/18 ...

Мітки: джерела, основі, одержання, високопровідних, міді, cu6ps5i, твердоелектролітичного, тонких, спосіб, матеріалу, йодид-пентатіофосфату, енергії, плівок

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу Cu6PS5I (пресований порошок), а в іншому - мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Спосіб підвищення електричної провідності нематичного рідкого кристалу 6снвт шляхом внесення в нього наночастинок суперіонного провідника cu6ps5i

Завантаження...

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Копчанський Петер, Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Тімко Мілан, Ковальчук Олександр Васильович, Бендак Андрій Васильович

МПК: G01R 3/00, G02F 1/13

Мітки: провідності, нього, електричної, провідника, 6снвт, суперіонного, наночастинок, шляхом, нематичного, підвищення, кристалу, рідкого, внесення, спосіб, cu6ps5i

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: методом, купрум(і)пентатіофосфату(v, розплаву, монокристалів, спосіб, спрямовано, вирощування, кристалізації, cu6ps5i, йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00

Мітки: cu6ps5i, методом, пентатіофосфату(v, спосіб, розплаву, кристалізації, купрум(і, йодиду, спрямовано, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 65984

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Чомоляк Артем Анатолійович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: плівки, застосування, твердоелектролітичного, джерела, cu6ps5i, енергії, аморфної, матеріалу, основі, йодид-пентатіофосфату, міді

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Матеріал із суперіонної кераміки на основі йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 94851

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Бучук Роман Юрійович, Прітц Іван Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/00

Мітки: кераміки, основі, енергії, міді, суперіонної, cu6ps5i, матеріал, твердоелектролітичного, джерела, йодид-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Матеріал із суперіонної кераміки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що матеріал виготовлено із суперіонної кераміки мікрокристалічної структури, а саме з мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I, при цьому матеріал має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації.

Застосування суперіонної кераміки на основі мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді cu6ps5i як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії

Завантаження...

Номер патенту: 54729

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Бучук Роман Юрійович, Прітц Іван Павлович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: міді, матеріалу, твердоелектролітичного, мікрокристалічного, застосування, суперіонної, енергії, основі, кераміки, cu6ps5i, джерела, йодид-пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі мікрокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I, що має високу іонну провідність та низьку енергію активації, як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.