Патенти з міткою «cdga2se4»

Спосіб отримання монокристалів cdga2se4 розчин-розплавним методом

Завантаження...

Номер патенту: 54444

Опубліковано: 10.11.2010

Автори: Сосовська Світлана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Романюк Ярослав Євгенійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, отримання, методом, розчин-розплавним, спосіб, cdga2se4

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdGa2Se4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Cd, Ga, Se, Sn, Bi, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають з поля первинної кристалізації низькотемпературної модифікації тетрарної сполуки в системі CdGa2Se4-Bi2Se3, що нижче фазового перетворення і складає...

Спосіб отримання монокристалів cdga2se4 з розчину-розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 43929

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Сосовська Світлана Миколаївна, Піскач Людмила Василівна, Романюк Ярослав Євгенійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, отримання, розчину-розплаву, монокристалів, cdga2se4

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdGa2Se4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти з елементарних компонентів Cd, Ge, Se, Sb, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають з поля первинної кристалізації низькотемпературної модифікації тетрарної сполуки в системі CdGa2Se4-Sb2Se3, що нижче фазового перетворення і складає близько...

Спосіб отримання монокристалів cdga2se4

Завантаження...

Номер патенту: 43928

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Парасюк Олег Васильович, Панкевич Володимир Зіновійович, Піскач Людмила Василівна, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, cdga2se4, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdGa2Se4, що включає складання шихти з елементарних компонентів Cd, Ge, Se, Sn, синтез у розплаві сполуки CdGa2Se4, її кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають із області первинної кристалізації низькотемпературної модифікації CdGa2Se4 в частині, близькій до метатектичної горизонталі системи CdGa2Se4-SnSe2,...