Патенти з міткою «cdga2se4»

Номер патенту: 54444

Опубліковано: 10.11.2010

Автори: Сосовська Світлана Миколаївна, Романюк Ярослав Євгенійович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: розчин-розплавним, монокристалів, cdga2se4, методом, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdGa2Se4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Cd, Ga, Se, Sn, Bi, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають з поля первинної кристалізації низькотемпературної модифікації тетрарної сполуки в системі CdGa2Se4-Bi2Se3, що нижче фазового перетворення і складає...

Номер патенту: 43929

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Романюк Ярослав Євгенійович, Піскач Людмила Василівна, Сосовська Світлана Миколаївна, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, розчину-розплаву, монокристалів, cdga2se4, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdGa2Se4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти з елементарних компонентів Cd, Ge, Se, Sb, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають з поля первинної кристалізації низькотемпературної модифікації тетрарної сполуки в системі CdGa2Se4-Sb2Se3, що нижче фазового перетворення і складає близько...

Номер патенту: 43928

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Піскач Людмила Василівна, Панкевич Володимир Зіновійович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, cdga2se4, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdGa2Se4, що включає складання шихти з елементарних компонентів Cd, Ge, Se, Sn, синтез у розплаві сполуки CdGa2Se4, її кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають із області первинної кристалізації низькотемпературної модифікації CdGa2Se4 в частині, близькій до метатектичної горизонталі системи CdGa2Se4-SnSe2,...