Патенти з міткою «cd1-xznxte»

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на напівізолюючих матеріалах cdte та cd1-xznxte (cd1-xmnxte)

Завантаження...

Номер патенту: 92343

Опубліковано: 11.08.2014

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/12, C30B 11/04, C30B 11/00 ...

Мітки: матеріалах, виготовлення, cd1-xmnxte, детектора, спосіб, іонізуючого, напівізолюючих, випромінювання, cd1-xznxte

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення детектора іонізуючого випромінювання на основі напівізолюючих матеріалів CdTe та Cd1-xZnxTe (Cd1-xMnxTe) з питомим опором р³107 Ом×см, що включає створення двох контактів до напівпровідника, який відрізняється тим, що обидва контакти виготовляють випрямляючими.

Спосіб обробки поверхні кристалів cd1-xznxte

Завантаження...

Номер патенту: 65010

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович, Демич Микола Васильович

МПК: H01L 21/477

Мітки: cd1-xznxte, поверхні, кристалів, спосіб, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні кристалів Cd1-хZnxTe з , що включає механічне та хімічне полірування напівпровідникових підкладинок, який відрізняється тим, що підкладинку додатково відпалюють на повітрі при температурі 520±50°С протягом 10±2хв.

Спосіб компенсації провідності кристалів cd1-xznxte

Завантаження...

Номер патенту: 62650

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Демич Микола Васильович, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: cd1-xznxte, кристалів, спосіб, компенсації, провідності

Формула / Реферат:

Спосіб компенсації провідності кристалів Cd1-xZnxTe з 0 £ x £ 0,1, що включає легування з парової фази, який відрізняється тим, що кристал легують оловом з парової фази при температурі 850±50 °C.