Патенти з міткою «аiiвvi»

Пристрій для вирощування монокристалів групи аiiвvi

Завантаження...

Номер патенту: 95417

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Єпіфанов Юрій Михайлович, Стрельніков Микола Іванович, Тавровський Ігор Ігорович, Соболєв Олександр Вікторович, Суздаль Віктор Семенович

МПК: C30B 15/20, G05D 27/00

Мітки: пристрій, вирощування, групи, монокристалів, аiiвvi

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів групи АІІВVI, що містить вузли переміщення тигля й тепловий вузол, пристрій відображення інформації й логічний блок, при цьому вузол переміщення, зв'язаний через водоохолоджуваний шток і черв'ячну передачу із двигуном вертикального переміщення тигля, з'єднаний із блоком управління двигуном і відліковим пристроєм - енкодером величини переміщення штока, тепловий вузол містить регулятор потужності...

Пристрій для вирощування монокристалів групи аiiвvi

Завантаження...

Номер патенту: 87944

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Стрельніков Сергій Миколайович, Галкін Сергій Миколайович, Суздаль Віктор Семенович, Воронкін Євгеній Федорович, Єпіфанов Юрій Михайлович

МПК: C30B 15/20

Мітки: пристрій, вирощування, монокристалів, групи, аiiвvi

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів групи AІІBVI, що містить тигель із розплавом, верхній і нижній нагрівачі й систему теплоізоляції, поміщені в охолоджувану ростову піч, регулятор потужності нагрівачів, з'єднаний з їх струмовводами, а також вузол переміщення тигля, що включає з'єднаний з ним водоохолоджуваний шток, зв'язаний через черв'ячну передачу із двигуном його вертикального переміщення, блок управління зазначеним двигуном і...

Спосіб приповерхневого легування елементами групи аііі напівпровідникових сполук групи аіівvi при створенні електричних бар’єрних структур пружною хвилею

Завантаження...

Номер патенту: 41215

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Гнатюк Володимир Анастасійович, Левицький Сергій Миколайович, Тору Аокі, Власенко Олександр Іванович

МПК: H01L 21/04

Мітки: легування, аiiвvi, елементами, сполук, аiii, електричних, напівпровідникових, бар'єрних, групи, спосіб, приповерхневого, структур, створенні, пружною, хвилею

Формула / Реферат:

Спосіб приповерхневого легування елементом групи АIII напівпровідникових сполук групи AIIBVI при створенні електричних бар'єрних структур пружною хвилею, індукованою лазерним імпульсом, що включає напилення на поліровану поверхню напівпровідника плівки легуючого елемента і її опромінення лазерним імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії, якої достатньо для утворення пружної хвилі, який відрізняється...

Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі сполук аiiвvi та спосіб його одержання

Завантаження...

Номер патенту: 77055

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Сілін Віталій Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: H01L 31/0264, C30B 29/48

Мітки: сполук, аiiвvi, матеріал, основі, сцинтиляційний, напівпровідниковий, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі сполук АIIBVI, який містить активуючу домішку одного з компонентів і другу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, при цьому як активуюча домішка та заміщувальна домішка вибрані компоненти, що утворюють бінарні сполуки АIIBVI і які мають різницю співвідношень параметрів кристалічної решітки в порівнянні з початковою сполукою...

Спосіб одержання кристалів сполук аіівvі

Завантаження...

Номер патенту: 16739

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Терейковська Ольга Федорівна, Файнер Михайло Шайович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович

МПК: C03B 11/02, C30B 29/50

Мітки: спосіб, сполук, аiiвvi, одержання, кристалів

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов соединений АII ВIV .включающий рекристаллизацию исходного материала при нагреве и последующее выращивание путем направленной кристаллизации расплава в замкнутом объеме, отличающийся тем, что, с целью повышения объемной однородности электрических свойств кристаллов сульфида кадмия, рекристаллизацию исходного материала проводят при температуре 900-1100°С в течение 10-20 ч в атмосфере инертного газа.