Патенти з міткою «аiiвvi»

Пристрій для вирощування монокристалів групи аiiвvi

Завантаження...

Номер патенту: 95417

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Суздаль Віктор Семенович, Соболєв Олександр Вікторович, Стрельніков Микола Іванович, Тавровський Ігор Ігорович, Єпіфанов Юрій Михайлович

МПК: G05D 27/00, C30B 15/20

Мітки: аiiвvi, пристрій, вирощування, монокристалів, групи

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів групи АІІВVI, що містить вузли переміщення тигля й тепловий вузол, пристрій відображення інформації й логічний блок, при цьому вузол переміщення, зв'язаний через водоохолоджуваний шток і черв'ячну передачу із двигуном вертикального переміщення тигля, з'єднаний із блоком управління двигуном і відліковим пристроєм - енкодером величини переміщення штока, тепловий вузол містить регулятор потужності...

Пристрій для вирощування монокристалів групи аiiвvi

Завантаження...

Номер патенту: 87944

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Стрельніков Сергій Миколайович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Лалаянц Олександр Іванович, Суздаль Віктор Семенович

МПК: C30B 15/20

Мітки: монокристалів, групи, аiiвvi, пристрій, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів групи AІІBVI, що містить тигель із розплавом, верхній і нижній нагрівачі й систему теплоізоляції, поміщені в охолоджувану ростову піч, регулятор потужності нагрівачів, з'єднаний з їх струмовводами, а також вузол переміщення тигля, що включає з'єднаний з ним водоохолоджуваний шток, зв'язаний через черв'ячну передачу із двигуном його вертикального переміщення, блок управління зазначеним двигуном і...

Спосіб приповерхневого легування елементами групи аііі напівпровідникових сполук групи аіівvi при створенні електричних бар’єрних структур пружною хвилею

Завантаження...

Номер патенту: 41215

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Гнатюк Володимир Анастасійович, Власенко Олександр Іванович, Левицький Сергій Миколайович, Тору Аокі

МПК: H01L 21/04

Мітки: спосіб, сполук, пружною, хвилею, бар'єрних, елементами, аiiвvi, групи, електричних, створенні, аiii, напівпровідникових, приповерхневого, структур, легування

Формула / Реферат:

Спосіб приповерхневого легування елементом групи АIII напівпровідникових сполук групи AIIBVI при створенні електричних бар'єрних структур пружною хвилею, індукованою лазерним імпульсом, що включає напилення на поліровану поверхню напівпровідника плівки легуючого елемента і її опромінення лазерним імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії, якої достатньо для утворення пружної хвилі, який відрізняється...

Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі сполук аiiвvi та спосіб його одержання

Завантаження...

Номер патенту: 77055

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович, Сілін Віталій Іванович

МПК: H01L 31/0264, C30B 29/48

Мітки: сцинтиляційний, напівпровідниковий, аiiвvi, основі, одержання, сполук, спосіб, матеріал

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі сполук АIIBVI, який містить активуючу домішку одного з компонентів і другу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, при цьому як активуюча домішка та заміщувальна домішка вибрані компоненти, що утворюють бінарні сполуки АIIBVI і які мають різницю співвідношень параметрів кристалічної решітки в порівнянні з початковою сполукою...

Спосіб одержання кристалів сполук аіівvі

Завантаження...

Номер патенту: 16739

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Файнер Михайло Шайович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Терейковська Ольга Федорівна, Комарь Віталій Корнійович

МПК: C30B 29/50, C03B 11/02

Мітки: кристалів, спосіб, одержання, аiiвvi, сполук

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов соединений АII ВIV .включающий рекристаллизацию исходного материала при нагреве и последующее выращивание путем направленной кристаллизации расплава в замкнутом объеме, отличающийся тем, что, с целью повышения объемной однородности электрических свойств кристаллов сульфида кадмия, рекристаллизацию исходного материала проводят при температуре 900-1100°С в течение 10-20 ч в атмосфере инертного газа.