Є ще 1 сторінка.

Дивитися все сторінки або завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Кремнієвий фотоелектричний перетворювач, який містить розташовану на металевій пластині світлочутливу матрицю з напівпровідникового полімеру, що містить металеві наночастинки, з обмеженнями по концентрації вказаних частинок, прозорий провідний шар і електроконтактну сітку, який відрізняється тим, що додатково містить тришарову напівпровідникову структуру з аморфного кремнію, яка примикає до прозорого провідного шару з боку металевої пластини, а світлочутлива матриця, що примикає до металевої пластини, виконана з термопластичного полімеру, переважно з поліетилену, з прониклими іонами рідкоземельних металів з ряду - ітербій, ербій, гадоліній і тулій з концентрацією (1-10)×10-2 об'ємних частин.

Текст

Реферат: Кремнієвий фотоелектричний перетворювач містить розташовану на металевій пластині світлочутливу матрицю з напівпровідникового полімеру, що містить металеві наночастинки, з обмеженнями по концентрації вказаних частинок, прозорий провідний шар і електроконтактну сітку. Додатково містить тришарову напівпровідникову структуру з аморфного кремнію, яка примикає до прозорого провідного шару з боку металевої пластини, а світлочутлива матриця, що примикає до металевої пластини, виконана з термопластичного полімеру, переважно з поліетилену, з прониклими іонами рідкоземельних металів з ряду - ітербій, ербій, гадоліній і -2 тулій з концентрацією (1-10)10 об'ємних частин. UA 99050 U (12) UA 99050 U UA 99050 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Корисна модель належить до фотоенергетики і може бути використана для прямого перетворення сонячного випромінювання в електричний струм. З погляду енергології як і наукового напрямку і енергетичної гілки життєдіяльності людини фотоенергетика є важливою ланкою у ряді відновлюваних джерел енергії (ВДЕ) і за даними європейської асоціації фотовольтаїчної індустрії (ЕРІА) в 2011 році по сумарній встановленій потужності вийшла на третє місце серед ВДЕ (після гідроенергетики і вітроенергетики). Проте останніми роками темпи зростання виробництва електроенергії у фотоенергетиці різко знизилися перш за все через те, що період дотаційного режиму фотовольтаїчного виробництва, який практикується в переважному числі країн, дуже затягнувся, а відсутність стимулів для якісного технологічного зростання привела до того, що частка сонячної електроенергії в загальному енергетичному балансі знижується і "сонячний кремнієвий будинок" може звалитися, як звалився фондовий ринок, альтернативи якому, здавалося б, не було. Так, сонячна електростанція потужністю 5 МВт поблизу Керчі законсервована і переведена в розряд експериментальних, тому що вона "не вийшла на необхідні показники по проектній потужності і техніко-економічній ефективності". Свідоцтвом кризи кремнієвої фотовольтаїки, що базується на традиційних технологіях, є і спостережуване в даний час істотне перевищення об'ємів виробництва напівпровідникового кремнію над його споживанням [1]. Виробництво "сонячного" кремнію зросло, ціна поступово знижувалася (з 450 $/кг в 2008 році до 16-22 $/кг в 2012 p.), тим часом рівень споживання для потреб фотовольтаїки щорічно (починаючи з 2011 р.) знижується на 34 %. Сповільнилися темпи інсталяції сонячних модулів - об'єми інсталяції тільки в 2012 р. знизилися з 37 до 34 ГВт. Коефіцієнт використання потужностей по всьому ланцюжку фотовольтаїки склав (в 2012 р.) 42-51 %. Вихід з виниклої ситуації бачиться в підвищенні ефективності фотоелектричних перетворювачів (ФЕП), зниженні ступеня деградації їх характеристик, продовженні термінів служби ФЕП і модулів [1]. Конкуренція на ринку можлива тільки при доведеності високих якісних характеристик напівпровідникового матеріалу і забезпеченні екологічної безпеки. При цьому домінуючою умовою конкурентоспроможності фотоелектричних перетворювачів є істотне підвищення коефіцієнта корисної дії, і розробники постійно шукають шляхи рішення цієї задачі. Відомі фотоелектричні модулі, в яких за допомогою оптимізації структури підкладки (переважно завданням хімічного складу матеріалу) досягається деяке підвищення ефективності [2-4]. Проте залучення вказаного технологічного прийому, що не має основоположного характеру, задачу підвищення ефективності вирішує лише частково. Насущною задачею є, щонайменше, двократне підвищення коефіцієнта перетворення сонячного випромінювань в електричний струм. Відомі фотоелектричні модулі, які вказану задачу вирішують [5, 6] за рахунок використання як фотоактивного матеріалу багатошарової структури з фосфіду індію (ІnР) n- і р-типа або чергуючих шарів фосфіду індію і арсеніду галію (GaAs). Використовування матеріалів з достатньо високою рухливістю носіїв заряду, поза сумнівом, перспективне, але технологічна складність, дорожнеча матеріалів, що використовуються, і недостатня для практичного використання відтворюваність параметрів позначаються в тому, що вказані фотоелектричні модулі все ще знаходяться на рівні демонстраційних варіантів поза сумнівом інноваційній технології, і світова практика в області сонячної енергетики указує на те, що масове виробництво все ж таки повинне базуватися на кремнієвій тонкоплівковій фотоелектричній технології [7], а проблему невисокої ефективності кремнієвих тонкоплівкових модулів, побудованих з використанням традиційних методів, слід вирішувати за рахунок більш повного використання енергії сонячного випромінювання з урахуванням широкодіапазонності його спектрального складу. Дійсно, сонячний спектр є безперервним в дуже широкому діапазоні частот - від низькочастотного радіохвильового до рентгенівського і гамма-випромінювання. Для сучасної фотовольтаїки (фотоенергетики) практичний інтерес представляє лише видима частина спектра - з довжиною хвилі від 380 до 780 нм. Інші частоти спектра не використовуються. При цьому енергія випромінювання розділена приблизно порівну між видимою і інфрачервоною (780-5000 нм) областями спектра (53 % у видимому діапазоні, 46 % - в інфрачервоному, 1 % - в ультрафіолетовому діапазоні; за даними інших джерел в ультрафіолетовому діапазоні (100-380 нм) міститься 9 % енергії сонячного випромінювання). Тому використання "нештатних" ділянок спектра сонячного випромінювання - ультрафіолетового і інфрачервоного - для сонячної енергетики представляє значний практичний інтерес. При цьому рішення бачиться не в побудові фотоперетворювачів, розрахованих саме на ці ділянки сонячного спектра, а в 1 UA 99050 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 перетворенні ультрафіолетового і інфрачервоного випромінювання у видимий спектр і використанні його в уже добре відпрацьованих традиційних кремнієвих фотоперетворювачах. Відомий перетворювач ультрафіолетового випромінювання у видимий спектр, що має в своєму складі в різній долі три оптично активних ділянки спектра - червоний, зелений і синій [8]. Вказана спектротрансформуюча здатність досягається за рахунок використання в перетворювачі флуоресцентного шару, виконаного з кристалічного молібдату гадолінію Gd2(MoO4)3, легованого тулієм, тербієм і європієм. Проте дуже незначна частка фотоактивної зеленої компоненти в перетвореному спектрі знижує ефективність таких спектротрансформуючих пристроїв. Більш ефективні перетворювачі сонячної енергії в електричну і теплову, які містять набір монокристалічних кварцових пластин з нанесеним на них флуоресціюючим напівпровідниковим композитом, який є фталоціаніном перехідного металу з доданням модифікованих вуглецевих нанотрубок, з подальшою генерацією випромінювання із зниженим значенням частоти в порівнянні з частотою ініціюючого випромінювання [9]. Вказане технічне рішення має перспективу розвитку, оскільки в ньому робиться спроба використання теплової компоненти сонячного випромінювання, проте виробництво електрики зростає трохи через малу частку ультрафіолетової компоненти в сонячному спектрі. Найближчим по технічній суті і по результату, що досягається, до корисної моделі, яка заявляється, технічним рішенням (прототипом) є фотоелектричний перетворювач гетерогенного типу, чутливий до довгохвильового сонячного випромінювання, що включає розташовану на металевій пластині світлочутливу матрицю, яка містить напівпровідникові наночастинки, прозорий провідний шар і електроконтактну сітку. Вказана світлочутлива матриця є напівпровідниковим полімером n-типу, що містить напівпровідникові частинки, виконані у вигляді напівпровідникових нанокристалів арсеніду галію р-типу, і металеві наночастинки з -2 срібла розміром 10-30 нм при концентрації вказаних наночастинок (1-10)10 об'ємних частин [10]. За рахунок використання в пристрої-прототипі напівпровідникових нанокристалів з арсеніду галію (GaAs) р-типу, ширина забороненої зони якого менше енергії фотонів сонячного електромагнітного випромінювання (ЕМВ), так що при поглинанні ЕМВ електрони з валентної зони у вказаних нанокристалах переходять в зону провідності з розділенням концентрації електронів в просторі металева пластина (катод) - сітка (анод) електроконтакту, що забезпечується протіканням струму від сітки-анода до пластини-катода і далі в зовнішній замкнутий ланцюг. При цьому, як декларується, перетворення сонячного випромінювання в електричний струм здійснюється з високим коефіцієнтом корисної дії (ККД), а спектр поглинання розширяється в довгохвильову область. Проте високий ККД досягається лише у вузькому діапазоні частот - на частоті плазмового резонансу, що лежить у видимій області, а розширення спектра поглинання в область довгих хвиль (захоплюючи лише незначну частину ближньої зони інфрачервоного випромінювання) спостерігається одночасно з істотним зниженням фотоактивності в короткохвильовій частині видимого спектра. Тому для подолання спектральної селективності пристрою необхідно було використовувати багатошарову матрицю, в якій кожний шар фотоактивований на різні довжини хвиль. Крім цього достатньо складна технологія виготовлення, необхідність використання як металевих наночастинок дорогого металу - срібла, нанокристалів арсеніду галію, вирощуваних окремо, не виправдовуються одержаним кінцевим результатом (ймовірно, пристрій-прототип сумісно з його базовим технічним рішенням [11], в якому фоточутливий шар виконаний з вузькозонного матеріалу - телуриду кадмію, з проникними недорогими напівпровідниковими частинками з використанням технологій по модифікації спектрів оптичного пропускання телуриду кадмію [12], мають певний потенціал розвитку в специфічних областях використання, де джерелом накачування служить джерело випромінювання (наприклад металургійні печі) з домінуванням в спектрі червоної і інфрачервоної компоненти в її ближній зоні). Задачею корисної моделі, що заявляється, є підвищення ефективності кремнієвих фотоелектричних перетворювачів за рахунок більш повного використання сонячного випромінювання, включаючи його довгохвильову спектральну складову, розширення діапазону інтенсивності, при одночасному спрощенні і здешевленні технологічних процесів при їх виготовленні. Поставлена задача вирішується тим, що кремнієвий фотоелектричний перетворювач, який включає розташовану на металевій пластині світлочутливу матрицю з напівпровідникового полімеру, що містить металеві наночастинки, з обмеженнями по концентрації вказаних частинок, прозорий провідний шар і електроконтактну сітку, згідно корисної моделі додатково 2 UA 99050 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 містить тришарову напівпровідникову структуру з аморфного кремнію, яка примикає до прозорого провідного шару з боку металевої пластини, а світлочутлива матриця, що примикає до металевої пластини, виконана з термопластичного полімеру, переважно з поліетилену, з прониклими іонами рідкоземельних металів з ряду - ітербій, ербій, гадоліній і тулій з -2 концентрацією (1-10)10 об'ємних частин. Експериментально виявлене раніше фізичне явище фундаментального характеру [13] свідчить, що при збудженні оптичним випромінюванням складних систем (наприклад, кристалів), активованих іонами рідкоземельних елементів, виникає оптичне випромінювання, що характеризується істотно меншими, в порівнянні із збуджуючими, довжинами хвиль. І це явище надалі було використано для візуалізації невидимого інфрачервоного випромінювання світлодіодів (переважно на основі арсеніду галію) в індикаторних і інших пристроях мікроелектроніки, а також при створенні освітлювальної апаратури [14, 15]. У вказаних пристосуваннях проблема трансформації спектра відносно проста "перетворення частоти вгору" вузькосмугового низькоінтенсивного збуджуючого випромінювання. Задача, що вирішується в корисній моделі, яка заявляється, істотно ускладнена - необхідне перетворення широкосмугового довгохвильового сонячного випромінювання в короткохвильове з максимальним рівнем перетвореного випромінювання в оптичному діапазоні, який охоплює червону, зелену і синю ділянки спектра, які найбільш ефективні у фотоелектричних перетворювачах на основі кремнію - на користь кремнієвої фотоелектричної промисловості. Існуючі квантово-механічні теорії по перенесенню енергії в люмінесценції з використанням як активних центрів рідкоземельних металів, які свідчать, що трансформація спектрів може здійснюватися з високою ефективністю, дозволяють деталізувати процеси вказаної трансформації, з повного ряду рідкоземельних металів виявити самі відповідні з урахуванням структури електронних рівнів кожного з них, виявити оптимальну концентрацію металевих включень в композиті (матриці) і тип композиту. На кресленні представлено схематичне зображення пропонованого кремнієвого фотоелектричного перетворювача, де 1 - металева пластина, 2 - світлочутлива матриця з термопластичного полімеру, 3 - частинки рідкоземельних металів, 4 - тришарова структура з аморфного кремнію, 5 - прозорий провідний шар, 6 - електроконтактна сітка. Металева пластина 1, яка є катодом, виконана з низьковуглецевої нелегованої сталі з обмеженням за вмістом в ній вуглецю, алюмінію, міді, хрому і нікелю (у відповідності з мотивами, висловленими в [3]). Електроконтактна сітка 6, яка є прозорою для всього спектра збуджувального сонячного випромінювання, служить анодом. Прозорий провідний шар 5 забезпечує високу однорідність освітлення тришарової структури 4 з шарів аморфного кремнію і світлочутливої матриці 2, в композитний матеріал якої включені наночастинки оксидів рідкоземельних металів. Кремнієвий фотоелектричний перетворювач функціонує таким чином. Сонячне випромінювання, що надходить через електроконтактну сітку (контактну гребінку) 6 і провідний прозорий шар 5 на тришарову напівпровідникову структуру 4 з фотоактивних шарів в синьому, зеленому і червоному ділянках спектра (матриця виготовляється за технологією, представленою в [16]), перетворюється в електричний струм, а випромінювання в довгохвильовому діапазоні, для якого структура 4 є прозорою, - на світлочутливу матрицю 2, виконану з оптично інертного матеріалу, переважно з термопластичних полімерів, з введеними в неї наночастинками оксидів рідкоземельних металів з розмірами багато менше довжини хвилі випромінювання, яка відповідає середині найбільш енергетичної ділянки (з довжиною хвилі 0,8-2 1,8 мкм) при концентрації вказаних наночастинок (1-10)10 об'ємних частин. При цьому спектральне перетворення сонячного випромінювання, що надходить на фотоелектричний перетворювач, здійснюється за рахунок двох взаємозв'язаних механізмів: прийом (поглинання) енергії сонячного випромінювання частинками - іонами одного сорту (одного рідкоземельного металу), а випромінювання енергії частинками іншого сорту (іншого рідкоземельного металу). В загальноприйнятій термінології перенесення енергії - іон-донор поглинає енергію сонячного випромінювання і передає її іону-акцептору, який, накопичивши її від декількох іонів-донорів, здійснює більш високоенергетичне випромінювання (відповідне більш високочастотному діапазону) в порівнянні з поглиненим випромінюванням. При цьому, виходячи із специфіки структури електронних станів іонів ряду рідкоземельних металів, слід підібрати таку пару іонів рідкоземельних металів, щоб іон-донор ефективно поглинав сонячне випромінювання, тобто мав високий ефективний перетин поглинання, а іонакцептор не був чутливий до випромінювання, що надходить, але мав достатньо багато 3 UA 99050 U 5 10 15 20 25 електронних станів, в яких електрони могли б знаходитися тривалий час (у мілісекундних вимірах). Оскільки задачею технічного рішення, що заявляється, є трансформація довгохвильового випромінювання (з малою енергією фотонів) в короткохвильове (з більшою енергією фотонів) за рахунок енергетичного перенесення, то вказане перетворення спектра може реалізуватися лише при такій концентрації іонів обох сортів, при якій стає можливим утворення груп близько розташованих іонів і, отже, можливою одночасна передача енергії від двох (або більш) іонів сенсибілізатора одному іону активатора, тобто реалізація, по суті, процесу кооперативної сенсибілізації. При цьому на початковій стадії два іони сенсибілізатора під впливом збуджуючого сонячного випромінювання знаходяться у збудженому стані, а іони активатора - в основному. На кінцевій стадії унаслідок взаємодії іонів обох сортів іони сенсибілізатора передають свою енергію іону активатора, переходячи в основний стан. Іон активатора придбаває сумарну енергію від двох іонів сенсибілізатора, минувши який-небудь проміжний стан. Результатом такої взаємодії, з урахуванням багаторівневості як іонів сенсибілізатора, так і іонів активатора, а також з урахуванням її розмитості за рахунок взаємодії близько розташованих іонів (з хвильовими функціями, що значно перекриваються), є те, що певна смуга довжин хвиль (а не фіксоване значення) збуджуючого сонячного випромінювання в його довгохвильовому діапазоні переноситься в короткохвильову смугу з більш менш чітким розподілом складових в оптичному діапазоні, так що світлочутлива матриця є джерелом енергії для фотоактивної тришарової структури з аморфного кремнію. Усталеного розуміння механізму перенесення енергії в люмінесценції з використанням іонів рідкоземельних елементів все ще не існує (трудність обумовлена тим, що в іонах рідкоземельних елементів електронні переходи відбуваються у внутрішніх екранованих оболонках і зв'язок з коливаннями грати-композиту, в якій вказані іони розміщені, дуже слабкий, що утрудняє реалізацію самого перенесення енергії і потрібна достатньо висока концентрація іонів обох сортів і їх близьке розташування), але із залученням механізмів дипольквадрупольної і квадруполь-квадрупольної взаємодії можливо оцінити величину відстані між іонами, при якій вказані взаємодії можуть реалізуватися, саме: вірогідність перенесення енергії, 2 30 пов'язана з довжиною хвилі випромінювання  , убуває як  2a0  , де a0 - боровський     2 35 40 45 50 55 -8 радіус, рівний приблизно 0,5 ангстрема (1А=10 см), і як  a0  , де R - відстань між іонами  R   сенсибілізатора і активатора, що дозволяє оцінити оптимальний концентраційний інтервал. Для ефективної взаємодії іонів-донорів між собою (що принципово важливе для реалізації механізму кооперативної сенсибілізації) і іонів-акцепторів необхідно забезпечити значну концентрацію іонів обох сортів. Орієнтовні оцінки (без урахування електростатичної взаємодії, -2 що викликана протіканням струму через структуру перетворювача) дають величину (1-10)10 об'ємних частин. Значна концентрація іонів необхідна і для забезпечення електропровідності всієї структури фотоелектричного перетворювача. Надмірно високі концентрації можуть привести до перезбуджування і до перенесення енергії від одного іона-сенсибілізатора до іншого і т.д. по ланцюжку, поки не буде досягнутий своєрідний поріг гасіння, який супроводжується повним перетворенням сонячного випромінювання в теплові коливання, блокуванням передачі енергії іону-акцептору і втратою самого ефекту спектральної конверсії. В практичних реалізаціях важливий правильний вибір композиту оптично інертної матриці, в якій розміщені іони сенсибілізатора і активатора: повинні бути використані матеріали, що мають низьку енергію фононів (тобто теплових коливань), що дозволяє мінімізувати безвипромінювальні процеси, за рахунок яких втрачається енергія. При цьому відповідний матрицеутворювальний компонент повинен бути технологічним як на стадії його виробництва, так і в процедурах введення в нього активних добавок - з'єднань рідкоземельних елементів. Новітні досягнення в технологіях виробництва термопластичних полімерів - поліетилену, поліпропілену, полівінілхлориду, полікарбонату, полістиролу, поліметилметакрилату - дають можливість використовувати їх як оптично інертний композит, в який з використанням нескладних технологічних процедур вдається внести в необхідних концентраціях і з необхідною рівномірністю розподілу наночастинки оксидів рідкоземельних металів - сенсибілізаторів і активаторів в ланцюжку механізмів спектрального перетворення сонячного випромінювання. При цьому вказаним вимогам і з урахуванням вартості виготовлення і відтворювання параметрів найбільшою мірою задовольняють поліетилен і поліпропілен, які у вигляді тонких 4 UA 99050 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 плівок вдається нанести практично на будь-яку поверхню і в які з використанням сучасних технологій вдається рівномірно ввести металеві і металокерамічні добавки. Детальне вивчення властивостей оксидів рідкоземельних металів в частині системи рівнів енергії іонів - європію, самарію, ітрію, гадолінію, ітербію, тулію, ербію - дозволяє визначити оптимальні пари оксидів рідкоземельних металів, один з яких в найбільшій мірі реалізував би функції сенсибілізатора (донора), а інший - активатора (акцептора) в світлотрансформуючій 3+ матриці. Як сенсибілізатор оптимальним є тривалентний іон ітербію (Yb ), як активатор 3+ 3+ 3+ тривалентні іони ербію (Er ), гадолінію (Gd ) і тулію (Тm ). 3+ Тривалентний іон ітербію (Yb ) має високий ефективний перетин поглинання  в -21 2 інфрачервоній області:  =1,7810 см , тому він і є самим підходящим для використання як 3+ донора. Тривалентний іон ербію (Еr ) забезпечує високі терміни життя метастабільних станів, за які відбувається передача (прийом) енергії (для різних станів від 5,3 до 7,5 мс). Тому, в такій парі може реалізуватися не тільки описаний раніше кооперативний механізм передачі енергії від іона-донора іону-акцептору, але і послідовний, каскадний: за наявності багатьох електронних станів, в яких електрони можуть знаходитися тривалий час, іон-акцептор, одержавши енергію, переходить в збуджений стан, і коли іон-донор передає наступну "порцію" енергії, електрон іонаакцептора підіймається на ще більш високу внутрішню оболонку і після досягнення рівня, достатнього для емісії випромінювання, іон-акцептор повертається в основний стан, а енергія випромінювання буде рівна сумі всіх послідовно поглинених енергій, так що довжина хвилі випромінювання буде менше ніж довжина хвилі поглинання. При цьому з урахуванням багаторівневості і широкого діапазону термінів життя метастабільних станів іонів донора і акцептора (можливе складання двох, трьох і більш довгохвильових фотонів з низькою енергією в один з більш високою енергією, і емісія червоного, зеленого, синього і проміжних ділянок оптичного діапазону) вказаний механізм перетворення довгохвильової (інфрачервоного) ділянки сонячного випромінювання в короткохвильовий (оптичний) може реалізуватися в широкому діапазоні довжин хвиль збуджуючого сонячного випромінювання, тим самим вирішуючи поставлену в корисній моделі, що заявляється, задачу. Розгляд перетворювача спектра сонячного випромінювання, що наводиться, як квантовомеханічну систему дозволяє оцінити очікуваний коефіцієнт корисної дії в 90 %. Важливо при цьому відзначити, що реальні фотоелектричні перетворювачі в процесі функціонування піддаються дії не тільки тепловою компоненти сонячного випромінювання, яка знижує коефіцієнт корисної дії і приводить до скорочення життєвого циклу, але і тепла, що виділяється в перетворювачі унаслідок протікання струму, величина якого, згідно з [17], досить значна. В представленому технічному рішенні вказані теплові потоки, що створюються струмом, який протікає крізь фотоперетворювач, також трансформуються в оптичне випромінювання світлочутливою матрицею, яка примикає до розігрітої металевої пластини, відповідно до механізмів енергопередачі, описаних вище, і у великому діапазоні інтенсивностей сонячного випромінювання. Представлена в корисній моделі, що заявляється, архітектура взаємозв'язків між елементами фотоелектричного перетворювача дозволяє додати кремнієвій фотоелектричній промисловості базис, який створювався багато років і який в даний час переживає значні труднощі, новий імпульс для розвитку, істотно підвищити ефективність кремнієвої сонячної енергетики без залучення нових для сонячної енергетики, нерідко екзотичних, матеріалів. Представлене технічне рішення вписується в Національний проект "Енергія природи: особливості відновлюваної енергетики", розроблений Інститутом відновлюваної енергетики НАНУ [18] і тому має значний потенціал розвитку. Джерела інформації: 1. Критская Т.В., Меркер Р., Шварцман Л.М. Принципы построения технологических схем полупроводникового кремния полупроводниковой чистоты// Тези доповідей II Міжд. наук.практичної конференції "Напівпровідникові матеріали, інформаційні технології та фотовольтаїка НМІТФ-2013", Кременчук. - 2013. - С. 113-114. 2. Чопра К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы: пер. с англ… -М.: Мир, 1986. 435 с. 3. Патент на изобретение 2477905 RU МПК H01L 31/0392. Тонкопленочный кремниевый фотоэлектрический преобразователь/ Т.Т. Кондратенко и др. - Заяв. № 2011137951/28 от 15.09.2011; Патентообладатель: Капитанов В.А. - Опубл. 20.03.2013. 4. Патент на изобретение 2049365 RU, МПК H01L 27/01. Тонкопленочный электрический элемент и способ его изготовления/ Джеймс Уолтер Геллер, Кирк Уиллис Джонсон, Дэвид 5 UA 99050 U 5 10 15 20 25 30 35 40 Дипсон. - Заяв. № 4894779/25 от 12.02.1991; Заявитель и патентообладатель: Эли Лили энд Компании, США. - Опубл. 27.11.1995. 5. United States patent 5 407 491, МПК H01L 31/0304, H01L 31/068, H01L 31/06, H01L 31/18, H01L 31/0264, H01L 031/06, H01L 031/18, H01L 031/0304. Tandem solar with improved tunnel junction/ A. Freundlich, Mauro F.Vilela, A. Bensaoula, A. Ignatiev. Appl. No.: 08/044,941, Filed: April 8, 1993. - Publ. 18 Apr. 1995. 6. United States patent 5 851 310, МПК H01L 31/075, H01L 031/0304, H01L 31/06, H01L 31/06, H01L 31/0304, H01L 031/18. Strained quantum well photovoltaic energy converter/ A. Freundich, Ph. Renaud, Mauro F. Vilela, A. Bensaoula, Appl. No.: 08/568,12922, Filed: December 6, 1995. - Publ. 22 Dec. 1998. 7. Jackie Jones. Time to roll out thin film?// Renewable Energy World. - 2006. - V. 9, No 3. - P. 100-110. 8. Патент на изобретение № 2456712 RU, МПК H01L 33/50. Источник белого света/ B.C. Редькин и др. - Заяв. № 2011108184/28 от 02.03.2011 Патентообладатель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки - Институт физики твердого тела Российской академии наук. - Опубл. 20.07.2012. 9. Патент на изобретение № 2408954 RU, МПК H01L 31/042, В62В 3/00. Преобразователь солнечной энергии в электрическую и тепловую/ В.В. Лунин, А.Б. Юрчук, СВ. Савилов. - Опубл. 10.01.2014, Бюл. № 1. 10. Патент на изобретение № 2217845 RU, МПК H01L 31/04. Гетерогенный фотоэлемент/ О.А. Займидорога, И.Е. Проценко, В.Н. Самойлов. - Заяв. № 2002123560/28 от 04.09.2002. Опубл. 27.11.2003. 11. Ах. 689483 СССР, МПК H01L 31/04. Преобразователь солнечной энергии в электрическую/ С.Ю. Павелец. - Заяв. № 2637369 от 03.07.1978; Заявитель Институт полупроводников АН УССР. - Опубл. 1989. - Бюл. № 39 от 23.10.1989. 12. Пигур О.Н., Попович В.Д., Potera Р., Вирт И.С., Вирий (Ивасив) З.Ф. Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2011. - № 4. - С. 35-38. 13. Овсянкин В.В., Феофилов Н.Н. Кооперативная сенсибилизация люминесценции в кристаллах, активированных редкими землями. - Письма в ЖЭТФ. - 1966. - № 4. - С. 471-474. 14. Чукова Ю. П. Антистоксова люминесценция и новые возможности ее применения, -М.: Советское радио, 1980. - 192 с. 15. Чукова Ю.П. О перспективах увеличения световой отдачи лампы накаливания с помощью антистоксовых люминофоров// Светотехника. - 1974. - № 2. - С. 6-9. 16. Tsu D.V., Chao В.S., Ovshinsky S.R., Guha S. and Yang J. Amorphous and Microcrystalline Silicon-based Photovoltaic// Appl. Phys. Lett. - 1997. - № 71. - P. 1317. 17. Стевич 3., Райчич-Вуясинович, Иванов С., Пожега Е. Тепловизионные исследования гибридных солнечных систем на основе ТОэлектрических и термоэлектрических модулей// МНПК "Современные информационные и электронные технологии", Одесса, 26-30 мая 2014. 18 Точеный В.А., Кудря С.А., Тучинский Б.Г., Поспелов А.В. Альтернативная энергетика и экология. - 2012, № 27 (111). - С. 137-142. ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 45 50 Кремнієвий фотоелектричний перетворювач, який містить розташовану на металевій пластині світлочутливу матрицю з напівпровідникового полімеру, що містить металеві наночастинки, з обмеженнями по концентрації вказаних частинок, прозорий провідний шар і електроконтактну сітку, який відрізняється тим, що додатково містить тришарову напівпровідникову структуру з аморфного кремнію, яка примикає до прозорого провідного шару з боку металевої пластини, а світлочутлива матриця, що примикає до металевої пластини, виконана з термопластичного полімеру, переважно з поліетилену, з прониклими іонами рідкоземельних металів з ряду -2 ітербій, ербій, гадоліній і тулій з концентрацією (1-10)10 об'ємних частин. 6 UA 99050 U Комп’ютерна верстка Л. Литвиненко Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Василя Липківського, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут інтелектуальної власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 7

Дивитися

Додаткова інформація

Автори англійською

Dzendzerskyi Viktor Oleksandrovych, Sokolovskyi Ivan Ivanovych, Bystrov Mykola Ivanovych, Lavrich Yurii Mykolaiovych, Plaksin Serhii Viktorovych, Pohorila Liubov Mykhailivna

Автори російською

Дзензерский Виктор Александрович, Соколовский Иван Иванович, Быстров Николай Иванович, Лаврич Юрий Николаевич, Плаксин Сергей Викторович, Погорила Любовь Михайловна

МПК / Мітки

МПК: H01L 31/06, H01L 31/18

Мітки: кремнієвий, фотоелектричний, перетворювач

Код посилання

<a href="http://uapatents.com/9-99050-kremniehvijj-fotoelektrichnijj-peretvoryuvach.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Кремнієвий фотоелектричний перетворювач</a>

Подібні патенти