Є ще 1 сторінка.

Дивитися все сторінки або завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

1. Позиційно чутливий детектор низькоенергетичного β-випромінювання, що містить підкладку з нанесеним на її поверхню шаром β-чутливого покриття, який відрізняється тим, що він додатково містить основу, пристрій орієнтації підкладки по сторонах світу, який розміщено на основі, покажчик і елемент кріплення згаданої підкладки до основи, підкладка виконана у вигляді кулі, підкладка виконана з електропровідного матеріалу, на поверхні підкладки виконаний один, дві або більше ділянок з нанесеним шаром β-чутливого покриття, шар β-чутливого покриття виконаний з фулериту С60, при цьому підкладка виконана або суцільною, або порожнистою, згадані ділянки з нанесеним шаром β-чутливого покриття виконані з однаковим по товщині і площі шаром β-чутливого покриття, ділянки з нанесеним шаром β-чутливого покриття виконані як однакової, так і будь-якої геометричної форми в плані, ділянки з нанесеним шаром β-чутливого покриття нанесені на підкладку шарами або в горизонтальній площині, або у вертикальній площині, ділянки з нанесеним шаром β-чутливого покриття нанесені на підкладку практично або впритул одна до іншої, або з зазором між собою по всіх сторонах ділянки, причому маса β-чутливого покриття, нанесеного на кожну з ділянок, є однаковою, товщина шару β-чутливого покриття для кожної з ділянок виконана в діапазоні від 10 нм до 10 мкм.

2. Позиційно чутливий детектор низькоенергетичного β-випромінювання за п. 1, який відрізняється тим, що товщина стінки порожнистої підкладки виконана не менше 0,001 діаметра згаданої підкладки.

3. Позиційно чутливий детектор низькоенергетичного β-випромінювання за п. 1, який відрізняється тим, що поверхня підкладки виконана полірованою чи без полірування.

4. Позиційно чутливий детектор низькоенергетичного β-випромінювання за п. 1, який відрізняється тим, що підкладка розташована над основою на відстані не менше свого діаметра.

5. Позиційно чутливий детектор низькоенергетичного β-випромінювання за п. 1, який відрізняється тим, що ділянки з нанесеним шаром β-чутливого покриття розташовуються на зовнішній поверхні підкладки або симетрично вертикальній осі підкладки, або в будь-якому варіанті щодо вищевказаної осі.

6. Позиційно чутливий детектор низькоенергетичного β-випромінювання за п. 1, який відрізняється тим, що елементи кріплення підкладки до основи виконані у кількості одного, двох або більше.

7. Позиційно чутливий детектор низькоенергетичного β-випромінювання за п. 1, який відрізняється тим, що елемент кріплення підкладки до основи і безпосередня основа виконані будь-якої геометричної форми в плані і в поперечному перерізі.

8. Позиційно чутливий детектор низькоенергетичного β-випромінювання за п. 1, який відрізняється тим, що основа та елемент кріплення підкладки до основи виконані або з однакового, або з різних матеріалів.

9. Позиційно чутливий детектор низькоенергетичного β-випромінювання за п. 1, який відрізняється тим, що основа та елемент кріплення підкладки до основи виконані з будь-якого штучного чи природного матеріалу.

Текст

1. Позиційно чутливий детектор низькоенергетичного   випромінюв ання , що містить підкладку з нанесеним на її поверхню шаром   чутливого покриття, який відрізняється тим, що він додатково містить основу, пристрій орієнтації підкладки по сторонах світу, який розміщено на основі, покажчик і елемент кріплення згаданої підкладки до основи, підкладка виконана у вигляді кулі, підкладка виконана з електропровідного матеріалу, на поверхні підкладки виконаний один, дві або більше ділянок з нанесеним шаром   чутливого покриття, шар   чутливого покриття виконаний з фулериту С60, при цьому підкладка виконана або суцільною, або порожнистою, згадані ділянки з нанесеним шаром   чутливого покриття виконані з однаковим по товщині і площі шаром   чутливого покриття, ділянки з нанесеним шаром   чутливого покриття виконані як однакової, так і будь-якої геометричної форми в плані, ділянки з нанесеним шаром   чутливого покриття нанесені на підкладку шарами або в горизонтальній площині, або у вертикальній площині, ділянки з нанесеним шаром   чутливого покриття нанесені на підкладку практично або впритул одна до іншої, або з зазором між собою по всіх сторонах ділянки, причому маса   чутливого покриття, нанесеного на кожну з ділянок, є однаковою, товщина шару   чутливого покриття для кожної з ділянок виконана в діапазоні від 10 нм до 10 мкм. 2 (19) 1 3 Корисна модель відноситься до галузі ядерної фізики, зокрема, до пристроїв для виміру інтенсивності випромінювання, а саме, до позиційно чутливих детекторів низькоенергегичного випромінювання. В методі хімічного детектування радіації вимірюється зміна властивостей чутливого матеріалу детектора, яка відбулася за час експозиції. Як матеріал використовують, наприклад, полівінілхлоридні плівки, в яких під дією радіації утворюються вільні радикали, а їх концентрацію визначають методами електронного парамагнітного резонансу. Для побудови детекторів цього типу необхідно мати матеріал, властивості якого змінюються під дією радіації і вміти виміряти величину і, можливо, тип цих змін. Для інтерпретації даних, необхідна модель, яка описує взаємодію частинок з матеріалом і зміну властивостей в залежності від типу, енергії і дози опромінення. Пропонується в ролі матеріалу для детекторів низькоенергегичного випромінювання використати шар (плівку) фулериту С60, конструктивно нанесену на підкладку одним з відомих способів напилювання. За звичайних умов фулерит є молекулярним кристалом із гранецентрованою граткою. Під дією тиску, домішок, опромінення частинками або квантами світла в ньому відбувається перебудова електронної підсистеми і між молекулами виникають ковалентні зв'язки, або ж самі молекули руйнуються і система поступово стає аморфною. Експериментальні дані [1] свідчать, що ковалентні зв'язки у фулериті С60 можуть утворювати лінійні ланцюжки вздовж напряму (110), або двохмірні структури із зв'язками вздовж (111) або (100), або ж тривимірні структури. Фулерит С60 може полімеризуватися при енергіях електронів у декілька еВ по механізму 2+2-циклоприєднання, який полягає в тому що два паралельні подвійні С-С зв'язки в сусідніх фулеренах, після збудження або захоплення електрона, можуть перетворитися у чотири одинарні, якщо відстань між ними менша за 0,42нм. Якщо молекули фулериту хоча б частково руйнуються, а енергія утворення радіаційного дефекту (РД) Ed20еВ, то тоді можуть утворюватися нові зв'язки за участю міжвузельних атомів, або атомів по периметру вакансій. Тому опромінення -частинками, так само як і -частинками, або важкими осколками реакцій, формує зв'язки різних типів, а їх кількість залежить від поглинутої дози. Відомий детектор іонізуючого випромінювання, що містить основу, яка складається з оболонки і серцевини, при цьому основа містить легуючу домішку азоту і/чи водню, причому концентрація водню в серцевині і в оболонці розрізняються по крайній мірі вдвічі [2]. До недоліків відомого детектора відноситься те, що чутливий матеріал, що використається, є складним нерівновагим композитом, який, у свою чергу, підданий природної деградації. Відомий детектор іонізуючого випромінювання, що містить основу, при цьому основа виконана у вигляді плівки з нанесеним на її поверхню радіаційно-чутливого барвника, причому радіаційночутливий барвник виконано з похідного спіропірану 17533 4 і добавки [3]. До недоліків відомого детектора відноситься те, що чутливий матеріал, який використовується, є складним нерівновагим композитом, і який,у свою чергу, піддається природній деградації. Найбільш близьким технічним рішенням, як по суті, так і по результату, що досягається, яке обрано за прототип, є позиційно чутливий детектор низькоенергетичного -випромінювання, що містить підкладку з нанесеним на її поверхню шаром -чутливого покриття [4]. До недоліків відомого позиційно чутливого детектора низькоенергетичного -випромінювання, який обрано за прототип, відноситься те, що покриття, яке у ньому використається, екранує значну частину низькоенергетичного -випромінювання, що знижує вірогідність детектування. До недоліків відомого позиційно чутливого детектора низькоенергетичного -випромінювання, який обрано за прототип, відноситься те, що неможливо визначити напрямок щодо розташування джерела випромінювання. В основу корисної моделі покладена задача шляхом використання для шару покриття, що наноситься на підкладку, високостабільного чутливого матеріалу - фулериту С60, забезпечити можливість детектування низькоенергетичного випромінювання в діапазоні енергій випромінювання від сотень еВ до МеВ і доз експозиції, які досягають десятків кГрей та напрямку розташування джерела -випромінювання. Суть корисної моделі в позиційно чутливому детекторі низькоенергетичного -випромінювання, що містить підкладку з нанесеним на її поверхню шаром -чутливого покриття, полягає в тому, що він додатково містить основу, пристрій орієнтації підкладки по сторонах світу, який розміщено на основі, покажчик і елемент кріплення згаданої підкладки до основи, підкладка виконана у виді кулі, підкладка виконана з електропровідного матеріалу, на поверхні підкладки виконаний один, дві або більше ділянок з нанесеним шаром -чутливого покриття, шар -чутливого покриття виконаний з фулериту С60. Суть корисної моделі полягає і в тому, що підкладка виконана або суцільною, або полою, згадані ділянки з нанесеним шаром чутливого покриття виконані з однаковим по товщині і площі шаром -чутливого покриття, ділянки з нанесеним шаром -чутливого покриття виконані як однакової, гак і будь-якої геометричної форми в плані, ділянки з нанесеним шаром -чутливого покриття нанесені на підкладку шарами або в горизонтальної площини, або у вертикальній площині, ділянки з нанесеним шаром -чутливого покриття нанесені на підкладку практично або впритул одна до іншої, або з зазором між собою по всіх сторонах ділянки. Суть корисної моделі полягає також і в тому, що маса -чутливого покриття, нанесеного на кожну з ділянок, є однаковою, товщина шару -чутливого покриття для кожної з ділянок виконана в діапазоні від 10нм до 10мкм, товщина стінки порожньої підкладки виконана не менше 0.001 діаметра згаданої підкладки, поверх 5 17533 6 ня підкладки виконана полірованою, чи без поліляється, відповідає критерію корисної моделі «норування, підкладка розташована над основою на визна». відстані, не менше свого діаметра, ділянки з нанеСуть корисної моделі пояснюється за допомогою креслень, де на Фіг.1 представлена конструксеним шаром -чутливого покриття розташовутивно-компонувальна схема позиційно чутливого ються на зовнішній поверхні підкладки або симетрично вертикальної осі підкладки, або в будьдетектора низькоенергетичного -випромінювання, якому варіанті щодо вищевказаної осі, елементи який заявляється, на Фіг.2 представлена конструккріплення підкладки до основи виконані кількістю тивно-компонувальна схема позиційно чутливого один, два або більше, елемент кріплення підкладдетектора низькоенергетичного -випромінювання, ки до основи і безпосередня основа виконані будьякий заявляється, на виді збоку, на Фіг.3 показана якої геометричної форми в плані і в поперечному конструктивно-компонувальна схема підкладки з перерізі, основа та елемент кріплення підкладки нанесеними на її поверхню шарами -чутливого до основи виконані або з однакового, або з різних покриття при конструктивному виконанні підкладки матеріалів, а основа та елемент кріплення підклаполою, на Фіг.4 показана конструктивнодки до основи виконані з будь-якого штучного чи компонувальна схема підкладки з нанесеними на її природного матеріалів. поверхню шарами -чутливого покриття при консПорівняльний аналіз технічного рішення, яке труктивному виконанні підкладки суцільною, на заявляється, із прототипом, дозволяє зробити виФіг.5 показана схема розміщення шарів сновок, що позиційно чутливий детектор низькоечутливого покриття на поверхні сферичної підкланергетичного -випромінювання, який заявляєтьдки позиційно чутливого детектора низькоенергеся, відрізняється тим, що він додатково містить тичного -випромінювання, який заявляється, на основу, пристрій орієнтації підкладки по сторонах Фіг.6-9 показані варіанти нанесення шарів світу, який розміщено на основі, покажчик і елечутливого покриття на поверхню сферичної підкмент кріплення згаданої підкладки до основи, підкладки позиційно чутливого детектора низькоенерладка виконана у виді кулі, підкладка виконана з гетичного -випромінювання, який заявляється, на електропровідного матеріалу, на поверхні підкладФіг.10-11 показані варіанти зазорів між шарами ки виконаний один, дві або більше ділянок з нанечутливого покриття, що нанесені на поверхню сеним шаром -чутливого покриття, шар сферичної підкладки позиційно чутливого детекточутливого покриття виконаний з фулериту С60, при ра низькоенергетичного -випромінювання, який цьому підкладка виконана або суцільною, або позаявляється, на Фіг.12 показана схема розміщення лою, згадані ділянки з нанесеним шаром шарів -чутливого покриття на поверхні сферичної чутливого покриття виконані з однаковим по товпідкладки позиційно чутливого детектора низькоещині і площі шаром -чутливого покриття, ділянки нергетичного -випромінювання, який заявляєтьз нанесеним шаром -чутливого покриття виконані ся, на Фіг.13-15 показані варіанти товщини стінки як однакової, так і будь-якої геометричної форми в підкладки, при виконання підкладки полою, на плані, ділянки з нанесеним шаром -чутливого Фіг.16-18 показані варіанти конструктивного викопокриття нанесені на підкладку шарами або в гонання позиційно чутливого детектора низькоенерризонтальної площини, або у вертикальній площигетичного -випромінювання, який заявляється, на ні, ділянки з нанесеним шаром -чутливого покФіг.19-21 показані варіанти конструктивного розриття нанесені на підкладку практично або міщення підкладки, яка виконана у вигляді кулі, впритул одна до іншої, або з зазором між собою по відносно основи, на Фіг.22 показана схема розмівсіх сторонах ділянки, причому маса -чутливого щення N позиційно чутливих детекторів низькоепокриття, нанесеного на кожну з ділянок, є однанергетичного -випромінювання, конструкція яких ковою, товщина шару -чутливого покриття для заявляється, для детектування випромінювання і кожної з ділянок виконана в діапазоні від 10нм до визначення напрямку на його джерело. 10мкм, товщина стінки порожньої підкладки викоПозиційно чутливий детектор низькоенергетинана не менше 0,001 діаметра згаданої підкладки, чного -випромінювання містить (як варіант консповерхня підкладки виконана полірованою, чи без труктивного виконання, див. Фіг.1-2 та Фіг.16-18) полірування, підкладка розташована над основою підкладку 1 з нанесеним на її поверхню шаром на відстані, не менше свого діаметра, ділянки з чутливого покриття 2 (див. Фіг.1 і Фіг.3-5). Позиційнанесеним шаром -чутливого покриття розташоно чутливий детектор низькоенергетичного вуються на зовнішній поверхні підкладки або сивипромінювання додатково містить основу 3, приметрично вертикальної осі підкладки, або в будьстрій 4 орієнтації підкладки по сторонах світу, що якому варіанті щодо вищевказаної осі, елементи розміщений на основі 3, покажчик 5 і елемент 6 кріплення підкладки до основи виконані кількістю кріплення згаданої підкладки 1 до основи 3 (див. один, два або більше, елемент кріплення підкладФіг.1-2 та Фіг.16-18). Підкладка 1 конструктивно ки до основи і безпосередня основа виконані будьвиконана у вигляді кулі (див. Фіг.1-2 і Фіг.3-18). якої геометричної форми в плані і в поперечному Підкладка 1 виконана з електропровідного матеріперерізі, основа та елемент кріплення підкладки алу, наприклад, з міді, срібла, алюмінію. На повердо основи виконані або з однакового, або з різних хні підкладки 1 конструктивно виконано одна, дві матеріалів, а основа та елемент кріплення підклачи більше ділянок з нанесеним шаром -чутливого дки до основи виконані з будь-якого штучного чи покриття 2 (див. Фіг.1-12 та Фіг.16-18). Шар природного матеріалів. чутливого покриття 2 виконаний з фулериту С60. Таким чином, позиційно чутливий детектор ниКонструктивно підкладка 1 виконана або суцільзькоенергетичного -випромінювання, який заявною (див. Фіг.4), або полою (див. Фіг.3 та Фіг.12 7 17533 8 Фіг.13-15). 15). Згадані ділянки з нанесеним шаром Далі за спеціальною технологією [6] на сферичутливого покриття 2 виконані з однаковим по точну поверхню підкладки 1 наносять шар (чи деківщині і площі шаром -чутливого покриття (див. лька шарів) -чутливого покриття 2, причому консФіг.5, Фіг.12), Ділянки з нанесеним шаром труктивно і технологічно (як варіант чутливого покриття 2 виконані як однакової (див. конструктивного виконання) -чутливого покриття Фіг.1-2, Фіг.16-18), так і будь-якої геометричної 2 наносять або на одну ділянку, або на дві ділянки, форми в плані (див. Фіг.5-9). Ділянки з нанесеним або на більшу кількість ділянок (див. Фіг.1-2, Фіг.3шаром -чутливого покриття 2 нанесені на підкла11, Фіг.12 і Фіг.16-17), наприклад, на п'ять, десять, дку 1 шарами або в горизонтальній площині (див. сто ділянок. При цьому ділянки шару -чутливого Фіг.1-2, Фіг.6, Фіг.16-18), або у вертикальній плопокриття 2 розташовуються на зовнішній поверхні щині (див. Фіг.8-9). Ділянки з нанесеним шаром сфери підкладки 1 або симетрично вертикальної чутливого покриття 2 нанесені па підкладку 1 осі 8 підкладки 1 (див. Фіг.1-2, Фіг.6 і Фіг.8-9), або в практично або впритул одна до іншої (див. Фіг.1-2, будь-якій послідовності щодо вищевказаної осі 8 Фіг.10, Фіг.12), або з зазором між собою по всіх (див. Фіг.7). Нанесення -чутливого покриття 2 сторонах ділянки (див. Фіг.3-5, Фіг.11, Фіг.16-18). технологічно виконують, наприклад, напилюванМаса М шару -чутливого покриття 2, нанесеного ням у вакуумі [5]. Як матеріал для -чутливого пона кожну з ділянок, є однаковою. Товщина  шару криття 2 використовують матеріал фулерит С60 [3]. -чутливого покриття 2 для кожної з ділянок викоКонструктивно і технологічно згадані ділянки нана в діапазоні від 10нм до 10мкм (див. Фіг.5 і виконують з однаковим по товщині  шаром Фіг.12). Конструктивно товщина f стінки 7 порожчутливого покриття 2 (див. Фіг.5 і Фіг.12). Ділянки з ньої підкладки 1 виконана не менше 0,001 діаметнанесеним шаром -чутливого покриття 2 виконура D згаданої підкладки (див. Фіг.3, Фіг.12-15). Теють як однакового розміру (див. Фіг.1-2 і Фіг.6-11), хнологічно поверхня підкладки 1 виконана або так і різної ширини F у кожній з комбінацій взаємполірованою, або без полірування. Конструктивно підкладка 1 розташована над основою 3 на відстаного розташування ділянок (з шаром -чутливого ні L, не менше свого діаметра D (див. Фіг.2, Фіг.19), покриття 2) між собою на поверхні підкладки 1 наприклад, на відстані L, що дорівнює трьом діа(див. Фіг.6-11). Ділянки з нанесеним шаром метрам D підкладки 1 - як варіант конструктивного чутливого покриття 2 також конструктивно виконувиконання (див. Фіг.20), чи на більшій відстані, ють як однакової (див. Фіг.1-2, Фіг.6-9 і Фіг.16-18), наприклад, на відстані L, що дорівнює n діаметрам так і будь-якої геометричної форми в плані. При D підкладки 1, де n=5, 10, 20, 100 чи більше (див. цьому маса (М) -чутливого покриття 2, нанесеноФіг.21). Ділянки з нанесеним шаром -чутливого го на кожну з ділянок, є однаковою. Товщину  покриття 2 розташовані на зовнішній поверхні підшару -чутливого покриття 2 для кожної з ділянок кладки 1 або симетрично вертикальної осі 8 підквиконують у діапазоні від 10нм до 10мкм (див. ладки 1 (див. Фіг.1-2, Фіг.6, Фіг.8-9), або в будьФіг.5 і Фіг.12), наприклад, товщиною =0,01мкм, якому варіанті щодо вищевказаної осі 8 (див. =0,025мкм, =0,10мкм, =0,50мкм. Фіг.7). Елементи 6 кріплення підкладки 1 до основи Знаючи очікувану енергію -частинок можна 3 виконані кількістю один (див. Фіг.1-2, Фіг.13-15), (при виготовленні детектора) так підібрати товщидва (див. Фіг.16) чи більше, наприклад, три (див. ну шару -чутливого покриття, щоб розподіл втрат Фіг.17), чотири (див. Фіг.18). Елемент 6 кріплення енергії був приблизно однорідним по його товщині. підкладки 1 до основи 3 і безпосередня основа 3 Тоді концентрації Аi та Ni будуть однорідними, а їх виконані будь-якої геометричної форми в плані і в залежність від дози опромінення Q= It (в см-2), де I поперечному перерізі (див. Фіг.1, Фіг.2, Фіг.16-18). - інтенсивність, a t - час опромінення, можна опиОснова 3 і елемент 6 кріплення підкладки 1 до сати в рамках теорії лінійної кінетики реакцій. основи 3 виконані або з однакового, або з різних Конструктивно товщину f стінки 7 полої підкламатеріалів. Технологічно основа 3 і елемент 6 крідки 1 позиційно чутливого детектора низькоенерплення підкладки 1 до основи 3 виконані з будьгетичного -випромінювання виконують не менше якого штучного чи природного матеріалів. 0,001 діаметра D згаданої підкладки (див. Фіг.3, Позиційно чутливий детектор низькоенергегиФіг.12-15). Технологічно поверхню підкладки 1 вичного -випромінювання, який заявляється, ексконують або полірованою, чи без полірування. плуатується (застосовується) наступним чином. Конструктивно підкладку 1 розташовують над осПопередньо виготовляється позиційно чутлиновою 3 на відстані L, не менше свого діаметра D вий детектор низькоенергетичного (див. Фіг.2, Фіг.19), наприклад, на відстані L, що випромінювання. дорівнює трьом діаметрам D підкладки 1 (див. Для цього спочатку (або паралельно з виготоФіг.20), або на більшій відстані, наприклад, на відвленням складових конструктивних елементів) стані L, що дорівнює n діаметрам D підкладки 1, де виготовляють підкладку 1, причому підкладку 1 n=5, 10, 20, 100 чи більше (див. Фіг.21). Ділянки з виготовляють з електропровідного матеріалу, нананесеним шаром -чутливого покриття 2 розтаприклад, з міді, срібла, алюмінію (з метою відміншовують на зовнішній поверхні підкладки 1 або ності всіх алотропних модифікацій вуглецю, насиметрично вертикальної осі 8 підкладки 1 (див. приклад, фулериту, полімеру або аморфного Фіг.1-2, Фіг.6, Фіг.8-9), або в будь-якому варіанті середовища, від спектру підкладки). Конструктивщодо вищевказаної осі 8 (див. Фіг.7). Елементи 6 но і технологічно підкладку 1 виготовляють у викріплення підкладки 1 до основи 3 виконують кільгляді кулі (сфери) (див. Фіг.1-2, Фіг.3-9, 12-18) кістю один (див. Фіг.1-2, Фіг.13-15), два (див. круглого поперечного перерізу (див. Фіг.3-4 і Фіг.16) або більше, наприклад, три (див. Фіг.17), 9 17533 10 чотири (див. Фіг.18). Елемент 6 кріплення підкладльшої інтенсивності, буде полімеризована вище. ки 1 до основи 3 і безпосередня основу 3 виконуОскільки позиційно чутливий детектор низькоенерють будь-якої геометричної форми в плані і в погетичного -винромінювання має в процесі експлуперечному перерізі (див. Фіг.1, Фіг.2, Фіг.16-18). атації фіксовану орієнтацію, то вимірюючи рівень Основу 3 і елемент 6 кріплення підкладки 1 до полімеризації по поверхні сфери, можна буде вкаоснови 3 виконують або з однакового, або з різних зати напрямок на джерело випромінювання. матеріалів. Технологічно основу 3 і елемент 6 кріПо закінченню часу експозиції витягають детеплення підкладки 1 до основи 3 виконують з будьктор (а саме, підкладку 1 з нанесеними на її сфеякого штучного чи природного матеріалів, наприричну поверхню шарами -чутливого покриття 2) з клад, відповідно, із пластмаси, металу, дерева. полю випромінювання. Далі за допомогою РаманПісля виготовлення позиційно чутливого детеспектроскопії досліджують частку гюлімеризованоктора низькоенергетичного -випромінювання, го фулериту С60 у кожному з нанесених на підклаякий заявляється, його використовують для виміру дку 1 детектора ділянок. При цьому абсолютне доз -випромінювання в полях низької, середньої значення маси полімеризованого (фулериту С60 або високої інтенсивності, та напрямку знаходженбуде пропорційно дозі в зазначених вище межах, а відносна частка полімеру в товщині шару пропорня джерела -випромінювання. Позиційно чутливий детектор низькоенергетиційна енергії -випромінювання. На остаточному етапі вимірів визначають дозу чного -випромінювання працює таким чином. опромінення і його енергію, використовуючи калібПозиційно чуттєвий детектор низькоенергетировані таблиці, а за отриманими результатами чного -випромінювання (чи декілька однакових за додатково вказують і напрямок на джерело виконструкцією детекторів, наприклад, кількістю N, промінювання. де N=4 - як варіант процесу досліджень, що покаПри використанні декількох (див. Фіг.22) позизаний на Фіг.22) поміщають у поле ційно чутливих детекторів низькоенергетичного випромінювання, наприклад, що виходить від джевипромінювання, можна з більшою точністю вирела випромінювання (позиція 10, див. Фіг.22). При значити дозу опромінення й енергію, а також нацьому підкладку 1 детектора орієнтують по припрямок на джерело випромінювання. строю 4 по сторонах світу так, щоб стрілка 9 приПроведені розрахунки та оцінки показали, що строю 4 збігалася з напрямком покажчика 5 (який тонкі шари фулериту С60 (нанесеного на підкладку жорстко закріплений на основі 3). Це виконується 1), зважаючи на високу чутливість його структури шляхом повороту основи 3 (із закріпленими на до електронного опромінення, можуть слугувати ньому підкладкою 1, пристроєм 4 і покажчиком 5) чутливим матеріалом в методі хімічного детектудо сполучення напрямку покажчика 5 зі стрілкою 8 вання -частинок. Оскільки основним чинником, пристрою 4 (див. Фіг.1 та Фіг.16-17). Експозиція продовжується в перебігу часу t який впливає на матеріал, є низькоенергетичні (наприклад, 10 годин, доба, місяць, рік). У процесі електрони, породжені первісним опроміненням, то цей матеріал придатний для детектування низькоопромінення -чутливого покриття 2, фулерит С60 енергетичного випромінювання. у кожній з нанесених ділянок полімеризується, Підвищення ефективності застосування позипричому ступінь його полімеризації лінійно залежить від дози опромінення в діапазоні від 0 до ційно чутливого детектора низькоенергетичного 10КГрей, а товщина полімеризованої області в випромінювання, у порівнянні з прототипом, досягається за рахунок можливості використання у ролі кожній з нанесених ділянок пропорційна енергії матеріалу для детекторів низькоенергетичного випромінювання. Зазначене пояснюється наступним. випромінювання фулериту С60. Підвищення ефекЗвичайний і полімеризований фулерит С60 та тивності застосування позиційно чутливого детекаморфний вуглець значно відрізняються коливатора низькоенергетичного -випромінювання, у льними спектрами і розчинністю у толуолі. Дані порівнянні з прототипом, досягається й тим, що інфрачервоного, ядерного магнітного резонансу та підкладку виконують сферичної форми з електроРаман-спектроскопії свідчать про пониження сипровідного матеріалу. метрії молекул і ріст кількості sp3-зв'язків при рості Джерела інформації: степені полімеризації фулериту. За відсутності 1. Iwasa Y., Arima Т., et al. High pressure радіаційних дефектів матеріал еволюціонує від synthesis new metastable phases of С60. // Science. молекулярного кристалу до полімеру, що виявля1994, - 264, p.1570-1574. ється у зсуві спектру фотоемісії в напрямку рівня 2. Патент РФ №2133486 - аналог. Фермі, зміні ширини забороненої зони та спектру 3. Патент РФ №786542 - аналог. характеристичних втрат енергії електронів [6]. При 4. М.Т.Максимов, Г.О.Оджагов «Радиоактивнаявності радіаційних дефектів матеріал еволюціные загрязнения и их измерение». Энергоатомизонує до аморфного вуглецю і в цьому випадку віддат. - М., 1986, стр.118 - прототип. буваються інші зміни у спектрах (більш детально 5. Н.Р. Галь, Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде. Адвластивості різних фаз фулериту описані в [7]). сорбция, десорбция, контактная и термическая У випадку анізотропно розподілених джерел трансфюрмация молекул С60 на поверхности випромінювання, рівні полімеризації по поверхні Та(100). - ФТП, 2005, т.39, №11, С.1325-1330. сфери (підкладки 1) будуть відображати анізотро6. Шнитов В.В., Микоушкин В.М., Брызгалов пію випромінювання. В.В., Гордеев К.С. Исследование степени, скоросУ процесі експозиції сторона сфери (підкладки ти и механизмов электронно-стимулированной 1), що звернена до джерела випромінювання бімодификации фуллерита С60. // ФТТ, - 2002, - 44, 11 17533 12 No 3, с.428-430. свойства исходных и полимеризованных фулле7. Макарова Т.Л. Электрические и оптические ренов.// ФТП. - 2001, - 35, No.3, с.257-293. 13 17533 14 15 17533 16 17 Комп’ютерна верстка В. Мацело 17533 Підписне 18 Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Position-sensitive detector of low-power beta radiation

Автори англійською

Zabulonov Yurii Leonidovych, Lysychenko Heorhii Vitaliiovych, Makarets Mykola Volodymyrovych

Назва патенту російською

Позиционно-чувствительный детектор маломощного бета-излучения

Автори російською

Забулонов Юрий Леонидович, Лисиченко Георгий Витальевич, Макарец Николай Владимирович

МПК / Мітки

МПК: G01T 1/00

Мітки: позиційної, низькоенергетичного, детектор, чутливий

Код посилання

<a href="http://uapatents.com/9-17533-pozicijjno-chutlivijj-detektor-nizkoenergetichnogo-b.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Позиційно чутливий детектор низькоенергетичного b-</a>

Подібні патенти