Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у системі cugase2-cuinse2-2cdse

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

1. Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у системі CuGaSe2-CuInSe2-2CdSe, включає вирощування монокристалів з розплаву, який відрізняється тим, що синтез проводять горизонтальним варіантом методу Бріджмена у два етапи, при цьому на першому етапі проводять попередній синтез у полум'ї киснево-газового пальника для зв'язування компонентів та гомогенізацію розплаву при 1450-1500 К, обертаючи контейнери протягом 3-5 год., а на другому етапі-вирощування монокристалів із розплаву зі швидкістю переміщення ампули з розплавом із високотемпературної у низькотемпературну зону: 0,5-1 мм/год., при температурному градієнті 1-4 К/мм, крім того, довготривалий відпал здійснюють при 670-870 К протягом 300-500 год., після чого охолоджують до кімнатної температури зі швидкістю 100-150 К/добу.

2. Спосіб одержання з розплаву монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у системі CuGaSe2-CuІnSe2-2CdSe, за п. 1, який відрізняється тим, що попередній синтез, гомогенізацію та вирощування кристалів проводять в одних і тих самих кварцових графітизованих контейнерах з конусоподібним дном.

Текст

Реферат: Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у системі CuGaSe2CuInSe2-2CdSe, включає вирощування монокристалів з розплаву. Синтез проводять горизонтальним варіантом методу Бріджмена у два етапи, при цьому на першому етапі проводять попередній синтез у полум'ї киснево-газового пальника для зв'язування компонентів та гомогенізацію розплаву при 1450-1500 К, обертаючи контейнери протягом 3-5 год., а на другому етапі-вирощування монокристалів із розплаву зі швидкістю переміщення ампули з розплавом із високотемпературної у низькотемпературну зону: 0,5-1 мм/год., при температурному градієнті 1-4 К/мм, крім того, довготривалий відпал здійснюють при 670-870 К протягом 300-500 год., після чого охолоджують до кімнатної температури зі швидкістю 100-150 К/добу. UA 95215 U (12) UA 95215 U UA 95215 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Корисна модель належить до галузі техніки вирощування досконалих кристалів твердих І ІІІ VI розчинів на основі напівпровідникових сполук А В X 2, а саме - до технології вирощування однорідних напівпровідникових кристалів гамма-твердих розчинів зі структурою сфалериту, що утворюються у системі CuGaSe2-CuInSe2-2CdSe. Для даного процесу вирощування важливим є врахування особливостей фазових рівноваг у системі CuGaSe2-CuInSe2-2CdSe. Вихідні склади для росту монокристалів з області гомогенності гамма-твердих розчинів у системі вибирали по перерізу ‘CuCd2InSe4’-CuCd2GaSe4 через 10 мол. % (фіг. 1). Політермічний переріз ‘CuCd2InSe4’-CuCd2GaSe4 наведено на фіг. 2. Ліквідує і солідус перерізу представлені лініями початку і завершення первинної кристалізації бета-твердих розчинів на основі кадмій селеніду зі структурою вюрциту. Гамма-тверді розчини зі структурою сфалериту (на основі ВТ-модифікації CuInSe2, стабілізованої кадмій селенідом до температури відпалу, та фази CuCd2GaSe4) утворюються внаслідок розкладу бета-твердих розчинів нижче лінії солідуса, що ускладнює можливість вирощування монокристалів гамматвердих розчинів. Відомий спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів на основі CuInSe2 методом хімічних транспортних реакцій [S.V. Bodnar, A.P. Bologa, В.V. Korzun. Phase diagram and single crystal growth of the CuInSe2xS2(1-x) solid solutions.// Kristall und Technik, V. 15, № 11 (1980)], що 3 включає використання йоду, як агента транспорту, концентрація якого є в межах 5-8 мг/см , використання суміші потрійних сполук CuInS2 та CuInSe2 як вихідних матеріалів для формування твердих розчинів; при цьому для вирощування кристалів використовують кварцові ампули внутрішнім діаметром 18-22 мм та довжиною 170-180 мм, які, попередньо вакуумувавши та запаявши, поміщають у горизонтальну двозонну піч та підтримують такий режим: температура в реакційній зоні, де знаходиться наважка вихідних речовин, встановлюється в межах 920-780 °C, а в зоні кристалізації - 860-700 °C. Недоліком такого способу є те, що в результаті отримують кристали малих розмірів. Найбільш близьким до запропонованого та вибраним нами за прототип є спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів (CuInSe2)x(2ZnSe)1-x в концентраційному інтервалі 0,5≤х

Дивитися

Додаткова інформація

Автори англійською

Parasiuk Oleh Vasyliovych, Marushko Larysa Petrivna, Piskach Liudmyla Vasylivna, Romaniuk Yaroslav Yevhenovych

Автори російською

Парасюк Олег Васильевич, Марушко Лариса Петровна, Пискач Людмила Васильевна, Романюк Ярослав Евгеньевич

МПК / Мітки

МПК: C30B 11/00

Мітки: системі, утворюються, монокристалів, спосіб, розчинів, одержання, cugase2-cuinse2-2cdse, гамма-твердих

Код посилання

<a href="http://uapatents.com/7-95215-sposib-oderzhannya-monokristaliv-gamma-tverdikh-rozchiniv-shho-utvoryuyutsya-u-sistemi-cugase2-cuinse2-2cdse.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб одержання монокристалів гамма-твердих розчинів, що утворюються у системі cugase2-cuinse2-2cdse</a>

Подібні патенти