Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, який відрізняється тим, що активуючим елементом є елементи третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення, при співвідношенні компонентів, % мольн.:

активуючий елемент

1.10-5-1.10-3

ZnSe

решта.

2. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку за п. 1, який відрізняється тим, що елементами третьої групи є індій або галій, або алюміній.

3. Спосіб одержання напівпровідникового сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинку, що включає попередню підготовку сировини, шляхом подрібнення попередньо вирощеного активованого кристала селеніду цинку та наступне вирощування кристала з розплаву під тиском інертного газу, який відрізняється тим, що попереднє вирощування кристала селеніду цинку здійснюють із шихти з активуючим елементом третьої групи, що утворює з селенідом цинку твердий розчин заміщення, в концентрації 2,5.10-2-1.10-1л % мольн., який вводять в елементарному вигляді, подрібнення попередньо вирощеного активованого кристала селеніду цинку здійснюють до розміру часток 0,01-0,1 мм в інертному середовищі, після чого одержаний порошок додають у вихідний селенід цинку в концентрації, необхідній для одержання концентрації активуючого елемента в кристалі в інтервалі 1.10-5-1.10-3 % мольн., після чого вирощений кристал витримують в безградієнтній зоні печі при температурі 800-1200 °С.

Текст

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, який відрізняється тим, що активуючим елементом є елементи третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення, при співвідношенні компонентів, % мольн.: C2 2 92286 1 3 вуючу домішку в кількості 10-3- 1,0% мольн. і другу добавку одного з компонентів у кількості 1,0-99,0% мольн., Попередню термообробку шихти здійснюють у кварцовій ампулі в протоці інертного газу протягом 30-50 годин при температурі 900-1100°С. Після цього отриману суміш засипають у графітовий тигель. Вирощування кристалів проводять в атмосфері інертного газу при тиску 5·106-1,5·107 Па шляхом протягування тигля крізь зону з температурою 1450-1700°С. Отримані монокристали додатково піддають термообробці у парах власних компонентів при температурі 900-1300°С протягом 30-50 годин. Отримані монокристали мають наступні характеристики: ефективність реєстрації 0,1-0,3 час висвітлення 0,1мкс. Даний матеріал має значні коливання розподілу активуючих домішок, що обумовлено їх сегрегацією. Це впливає на параметри, не відображені в матеріалах заявки, а саме однорідність інтенсивності сцинтиляційного сигналу, оптичну прозорість монокристалів до власного випромінювання. Відомий напівпровідниковий сцинтиляційний монокристал на основі селеніду цинку, активованого телуром [пат. України №26697, С30В29/48, 33/00], що містить компоненти в наступному співвідношенні, % мольн.: Те 1,0.10-3-1.0 ZnSe інше. Спосіб одержання відомого матеріалу включає попередню термообробку шихти, поміщення тигля із шихтою в ростову піч, оплавлення шихти і наступне вирощування в атмосфері інертного газу при тиску (106-107) Па шляхом переміщення тигля через високотемпературну зону печі. Попередню термообробку шихти ZnSe(Te), що містить суміш ZnSe з ZnTe у кількості 3-4% мольн. та селеном елементарним у кількості 1-4% мольн, проводять у графітовому тиглі, що поміщають у кварцовий реактор. Термообробку здійснюють у протоці водню при тиску (1,1-1,5)·106Па при нагріванні печі до температури 1000-1100°. Тигель із шихтою витримують при цій температурі протягом до 2-4 годин. Продув воднем здійснюють до зниження температури шихти в тиглі до (1000±10)°С, після чого в реактор напускають аргон і прохолоджують шихту до кімнатній температурі. Відключають аргон, і тигель із шихтою переміщають у ростову піч. Піч відключають, напускають інертний газ і роблять вирощування монокристала протягуванням тигля із шихтою через високотемпературну зону. Отримані монокристали додатково термообробляють у парах власних компонентів. Отриманий даним способом матеріал має наступні характеристики: величина світлового виходу складає 0,6-1,0 відносно монокристалу CsI(T1), рівень післясвітіння - 0,05% через 5мс. Відомий напівпровідниковий сцинтиляційний ІІ VІ матеріал на основі сполук А В з домішкою, що активує [пат. України №77055, С30В29/48, H01L31/0264], одного з компонентів і утримуючий другу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, при цьому у якості активатору і домішки, що заміщує, вибирають такі компоненти, що утворюють 92286 4 бінарні сполуки АІІВVІ і мають різницю співвідношень параметрів ґратки в порівнянні з початковою сполукою АІІВVІ 25% для сполуки з домішкою, що активує, і 15% для сполуки з домішкою, що заміщує, а різницю між електронегшивністю домішки, що активує, і компонентом, що заміщується 10%, і 5% для домішки, що заміщує, і компонента, що заміщується. При цьому матеріал додатково містить водень у концентрації 1·10-3-5·10-2% мольн., а концентрація кисню складає 10-4-10-2% мольн. Спосіб одержання напівпровідникового сцинтиляційного матеріалу на основі сполук АІІВVІ, що включає попередню термообробку шихти в тиглі в протоці водню під тиском (1,1-1,5)·106Па при одночасному її нагріванні до температури 1000-1100°С, оплавлення шихти і наступне вирощування в атмосфері інертного газу при тиску (106-107) Па шляхом переміщення тигля через високотемпературну зону. При цьому термообробку здійснюють безпосередньо в ростовій печі шляхом переміщення тигля із шихтою через високотемпературну зону зі швидкістю 20-80мм/год., наступного охолодження шихти при безупинній протоці водню до температури (800-900)°С, та здійснення відкачки водню при цій температурі до тиску 50-150Па. Отримані монокристали додатково термообробляють у парах власних компонентів. Отриманий даним способом матеріал має наступні характеристики: величина світлового виходу складає 1,2-1,35 відносно монокристалу CsI(T1), час висвітлення - до 1мкс. рівень післясвітіння досягає 0,1% через 10мс. Відомий напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі халькогеніду цинку [пат. України №15651, С30В29/48], що містить активуючу домішку кисню у концентрації 1·10-3-1·10-1% мольн. Спосіб одержання цього матеріалу включає попередню термообробку шихти в атмосфері інертного газу протягом 3 годин при температурі 1000°С, в яку попередньо додають Аl2О3 у концентрації 1·10-3-1·10-1% мольн., вирощування кристалів з розплаву в атмосфері інертного газу та наступну термообробку отриманих кристалів у парах власних компонентів. Отриманий даним способом матеріал має наступні характеристики: величина світлового виходу складає 0,95 відносно монокристалу CsI(Tl), час висвітлення - до 1,0мкс, рівень післясвітіння досягає 0,005% через 5мс. Відомий напівпровідниковий сцинтиляційний монокристал на основі селеніду цинку [пат. України №74998, С30В29/48], що містить активуючу добавку кадмію у концентрації 4,8-16% мольн. (или 3-10% мас). Спосіб одержання цього напівпровідникового сцинтиляційного монокристалу включає термообробку шихти в протоці водню протягом З годин при температурі 1000°С, в яку у якості активатору попередньо вводять халькогенід кадмію у концентрації 4,8-16% мольн. і наступне вирощування кристалів з розплаву в атмосфері інертного газу та наступну термообробку отриманих кристалів у парах власних компонентів. 5 Отриманий даним способом матеріал має такі характеристики: величина світлового виходу складає 0,89-0,95 відносно монокристалу CsI(T1), час висвітлення - 0,6-0,8мкс, рівень післясвітіння досягає 0,004-0,006% через 5мс. Відомий спосіб отримання напівпровідникового сцинтиляційного матеріалу на основі селеніду цинку, активованого телуром [пат. України №51766, С30В29/48], що включає попередню підготовку сировини, вирощування кристалу з розплаву під тиском інертного газу і та наступну термообробку отриманих кристалів у парах власних компонентів. У якості шихти при вирощуванні використовують кристалічні зерна розміром 0,12,0мм, механоактивовані шляхом подрібнення в кисеньвмісткому середовищі, попередньо вирощеного кристалу селеніду цинку, активованого телуром, із вмістом останнього в кристалі в діапазоні 0,5-1,0% мольн. Отриманий сцинтиляційний матеріал має наступні параметри: світловихід - 0,7-0,9од. щодо CsI(T1), час висвітлення - 2,5-3,0мкс, рівень післясвітіння знаходиться в інтервалі 0,04-0,05% через 2мс. При вирощуванні легованих кристалів відбувається винесення легколеткого ZnTe з розплаву ZnSe-ZnTe. Тому в кристалах ZnSe (Те) спостерігається неоднорідність розподілу телуру в осьовому і радіальному перетинах, при цьому погіршується і однорідність сцинтиляційних параметрів. Для компенсації термодифузії летючих компонентів і утворення сцинтиляційних центрів в кристалі проводять його додаткову термообробку в парах власних компонентів, що ускладнює технологію і потребує додаткові витрати енергії. Всі відомі сцинтилятори широко використовуються в приладах для реєстрації іонізуючого випромінювання, однак вони не в повній мірі задовольняють вимогам, що пред'являються до сцинтиляційних матеріалів для їх використання в комп'ютерній томографії у зв'язку з великим рівнем післясвітіння і неоднорідністю сцинтиляційних характеристик в радіальної площині на рівні 1015%/см. Це стало значною перешкодою у використанні заявлених матеріалів у позиційно чутливих детекторах сучасних рентгенівських сканерів та медичних томографів. Цей параметр з'явився і став визначальним в останні роки з розвитком методів комп'ютерної томографії та рентгенівських швидкодіючих сканерів. Через це вказаний параметр у аналогах не приведено. В якості прототипу по матеріалу нами обраний [пат. України №74998, С30В29/48], а по способу [пат. України №51766, С30В29/48]. В основу дійсного винаходу поставлена задача розробки напівпровідникових сцинтиляційних матеріалів на основі активованого селеніду цинку, що мають знижений рівень післясвітіння при збереженні світлового виходу на рівні кращих з приведених вище зразків та рівень неоднорідності сцинтиляційного сигналу в радіальній та осьовій площинах кристалічної були не більше, ніж 5%/см, розширення номенклатури напівпровідникових сцинтиляційних матеріалів, що можуть застосову 92286 6 ватися також у позиційно-чутливих детекторах рентгенівських сканерів та медичних томографів, і можуть бути отримані більш простим способом без термообробки кристалів в парах власних компонентів. Рішення завдання забезпечується тим, що напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, згідно винаходу містить активуючі домішки третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення при такому співвідношенні компонентів, % мольн.: активуюча домішка 1·10-5-1·10-3 ZnSe інше Елементами третьої групи, що активують, є індій, або галій, або алюміній. Рішення задачі забезпечується також і тим, що в способі отримання напівпровідникового сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинку, що включає попередню підготовку сировини, шляхом подрібнення попередньо вирощеного легованого кристалу та вирощування кристалу з розплаву під тиском інертного газу, згідно винаходу, попереднє вирощування кристалу здійснюють із шихти з концентрацією активуючого елементу 2,5·10-2-1·10-1% мольн., а подрібнення вирощеного злитку здійснюють до розміру часток 0,01-0,1мм в інертному середовищі і далі отриманий порошок додають у вихідний селенід цинку в концентрації, необхідній для отримання концентрації активуючого елементу в кристалі в інтервалі -5 -3 1·10 -1·10 % мольн., після чого вирощений кристал витримують в безградієнтній зоні при температурі 800-1200°С. Як показали експерименти, на відміну від аналогів і прототипу, в яких відбувається ізовалентне заміщення без зміни заряду іона (тобто селен заміщується телуром або киснем, а цинк-кадмієм) в способі, що заявляється використовується інший тип активації. А саме, активуючі-донорні елементи In, або Ga, або Аl, введені в шихту селеніду цинку при нагріванні в ростовій печі входять в катіонну підрешітку ZnSe, витісняючи при цьому цинк. За рахунок валентності активатору +3 відбувається утворення по одній катіонній вакансії на два введених атома активатору. Відповідно до закону збереження заряду в кристалі обов'язково повинні утворитися вакансії за рахунок переходу атому цинку із катіонного вузла ZnSe в міжвузля. Таким чином формуються люмінесцентні комплекси (ElZn+-Znі+-Vzn2-), що спричиняють світіння з максимумом люмінесценції 590нм. Донорний елемент сприяє підвищенню концентрації електронів в зоні провідності селеніду цинку. Це обумовлює зменшення рівня післясвітіння за рахунок компенсації центрів захвату сцинтилятору вільними носіями заряду. Таким чином вказані люмінесцентні комплекси обумовлюють отримання нових сцинтиляційних матеріалів з поліпшеними кінетичними характеристиками і дозволяють отримувати сцинтилятори за спрощеною методикою. В них активаторна домішка міцно пов'язана з вакансією, що сприяє рівномірному розподілу люмінесцентних комплексів в об'ємі кристалу. Це забезпечує високу однорідність сцинтиляційних параметрів 7 кристалів. Внаслідок підвищеної термодинамічної стабільності зазначеного комплексу його формування відбувається в ростовій печі і в кількості, точно відповідній кількості введеної донорної домішки (активатору), що підвищує керованість процесом комплексоутворення, з одного боку, а з іншого - забезпечується висока однорідність розподілу цих комплексів в об'ємі кристалу. Люмінесцентні комплекси, сформовані за участі вказаних елементів при витримці кристалічної були в ізотермічній зоні в інтервалі температур 800120°С, утворюють в забороненій зоні селеніду цинку енергетичні рівні випромінювальної рекомбінації. Це обумовило відмову від додаткового відпалу кристалів в парах власних компонентів. Введення активаторного елемента в шихту шляхом одержання концентрату на першій стадії і потім його розведення в порошку селеніду цинку дозволяє рівномірно розподілити малу кількість активаторного елемента в об'ємі були. В результаті експериментів виявлено чітку кореляцію між концентрацією активаторного елементу, і рівнем сцинтиляційних сигналу (при концентрації донорного елементу в межах заявлених параметрів). Зазначені межі є оптимальними, що обґрунтовується тим, що при концентрації активаторного елементу в кристалі менше, ніж 1·10-5% мольн. знижується інтенсивність люмінесценції за рахунок зменшення кількості випромінюючих центрів. При концентрації активаторного елементу більше, ніж 1·10-3% мольн. спостерігається погіршення оптичної прозорості кристалу і зменшення рівня сцинтиляційну сигналу. Попереднє вирощування кристалу з шихти з концентрацією активаторного елементу 2,5·10-21·10-1% мольн. (в 20 разів перевищує концентрацію активаторного елементу в готовому кристалі) забезпечує можливість, внаслідок введення у вихідний порошкоподібний селенід цинку зазначеного подрібненого кристалу, більш рівномірно розподілити активаторний елемент в шихті для вирощування монокристалу. Завдяки цьому забезпечується висока однорідність сцинтиляційних характеристик з рівнем неоднорідності не більше, ніж 5%/см. Розмір часток встановлено експериментально і, як показали експерименти, при заявлених розмірах часток забезпечується рівномірний розподіл активаторного елементу у вихідній шихті ZnSe. При подрібненні попередньо вирощеного кристалу в інертному середовищі до розміру частинок менше, ніж 0,01 мм підвищується вірогідність забруднення шихти матеріалом мельниці, а при розмірі частинок більше, ніж 0,1мм може погіршитись рівномірність розподілу активаторного елементу в шихті. Подрібнення в інертному середовищі необхідно проводити для запобігання механоактивованому окисленню селеніду цинку. Витримування кристалу R безградієнтній зоні необхідне для остаточного формування сцинтиляційних люмінесцентних комплексів, які, за результатами наших експериментів, найбільш ефективно формуються при температурі 800-1200°С. При температурі менше, ніж 800°С процес утворення комплексів уповільнюється, що вимагає збільшен 92286 8 ня часу витримки, а, отже, і енерговитрат. Використання більш високих температур не прискорює формування зазначених комплексів, але збільшує енерговитрати. Час витримки обумовлюється теплофізичними властивостями кристалу та тиглю і складає 2-5 години для температури ізотермічної зони 8001200°С. В таблиці наведені характеристики сцинтиляційних матеріалів, отриманих запропонованим способом порівняно з аналогами. Запропонований спосіб реалізують в такий спосіб. Попередньо готують суміш порошків селеніду цинку і активуючого елемента, що використовують у вигляді металу або селеніду активуючого елемента, з розрахунку отримання його концентрації в попередньо вирощеному кристалі в межах 2,5·10-21·10-1% мольн.. Вирощування попереднього, також як і кінцевого кристалів, здійснюють методом Бріджмена-Стокбаргера в графітових тиглях при тиску інертного газу 1,5-2,0МПа, температурі 15301550°С при швидкості протягування 3-5мм/год. Після вирощування попереднього кристалу, його піддають механічному подрібненню в інертному середовищі до розміру часток 0,01-0,1мм. Отриманий порошок додають у вихідний селенід цинку у співвідношенні подрібненого кристалу до селеніду цинку для отримання концентрації халькогеніду активуючого елементу в кристалі в інтервалі 1·10-5-1·10-3% мольн. (приблизно як 1 до 100) Після чого вирощений кристал витримують в безградієнтній зоні при температурі 800-1200°С. Вирощений і відпалений в інертному середовищі (для зняття внутрішньої напруги) кристал розрізають на заготівки товщиною 3-5мм і методом рентгенівської фотометрії вимірюють світловий вихід в різних частинах зразка, час висвічування вимірюють методом цифрової обробки сцинтиляційного сигналу при опроміненні зразків 5мс імпульсами рентгенівського випромінення з напругою на аноді рентгенівського апарату 120кВ. Отримані дані наведені в таблиці. Приклад 1. Отримання сцинтиляційних матеріалу селеніду цинку, активованого елементарним металевим індієм. На 1200г порошку селеніду цинку беруть 0,3г порошку металевого індію, суміш ретельно перемішують і здійснюють попереднє вирощування кристалу, в якому концентрація активзточого елементу становить 2,5-10-2% мольн. і вирощують кристали при тиску інертного газу 1,5МПа, температурі 1530°С зі швидкістю протягування 3мм/год. Отриманий попередній кристал подрібнюють в інертному середовищі до розміру часток 0,08мм. Отриманий порошок додають у вихідний селенід цинку у співвідношенні подрібненого кристалу до селеніду цинку для отримання концентрації халькогеніду активуючого елементу в кристалі в інтервалі 1·10-5% мольн. Вирощений кристал витримують 5 годин у безградієнтній зоні печі при температурі 800°С, потім кристал охолоджують до кімнатної температури і витягують із печі. 9 Приклад 2. Отримання сцинтиляційного матеріалу селеніду цинку, активованого елементарним металевим галієм. На 1200г порошку селеніду цинку беруть 0,5г порошку селеніду галію, суміш ретельно перемішують і здійснюють попереднє вирощування кристалу, в якому концентрація активуючого елемента становить 5·10-2% мольн. і вирощують кристали при тиску інертного газу 2,0МПа, температурі 1550 С зі швидкістю протягування 3 мм/год. Отриманий попередній кристал піддають подрібненню в інертному середовищі до розміру часток 0,02мм. Отриманий порошок додають у вихідний селенід цинку у співвідношенні подрібненого кристалу до селеніду цинку для отримання концентрації халькогеніду активуючого елементу в кристалі в інтервалі 1·10-4% мольн. Вирощений кристал витримують 3 години в безградієнтній зоні печі при температурі 1000°С, потім кристал охолоджують до кімнатної температури і витягують із печі. Аналогічно одержують кристали з іншими активуючими елементами та іншим вмістом активуючих елементів, які наведені в таблиці. Як видно з таблиці, рішення задачі забезпечується тільки в межах параметрів, що заявляються (зразки 5-7, 16-17, 27-29). Зразки мають оптимальні параметри рівня післясвітіння, світлового виходу та неоднорідність світлового виходу, що не перевершує 5%/см. Максимум люмінесценції цих зразків знаходиться в межах 585-595нм. Зразки, які отримані за аналогами (1-4) мають задовільний рівень післясвітіння (крім зразка 2), однак неоднорідність світлового виходу більш, ніж 10%. Вихід за граничні значення приводить до: 92286 10 - підвищення рівня неоднорідності світлового виходу через неоптимальну концентрацію активатору у попередньому кристалі (зразки 8, 9, 19, 20, 30, 31), або через велику концентрацію активатору в кінцевому кристалі (зразки 11, 22, 33), або через великий розмір часток подрібленого кристалу (зразки 13, 24, 35), - зниження світлового виходу через малу концентрацію активатору в кінцевому кристалі (зразки 10, 21, 32), або через малі розміри часток подрібленого кристалу (зразки 12, 23, 34), або через зависоку температуру в ізотермічній зоні (зразки 15, 26, 37), - підвищення рівня післясвітіння через малу температуру в ізотермінній зоні (зразки 14, 25, 36). Таким чином запропонований винахід забезпечує одержання нових напівпровідникових сцинтиляційних матеріалів з максимумом випромінення при 590нм, зниження до 0,02% через 5мс рівня післясвітіння при збереженні світлового виходу на рівні 120-130% від йодистого цезію, активованого талієм, й рівень неоднорідності сцинтиляційного сигналу не більше, ніж 5%/см. Це забезпечено за рахунок введення в катіонну підрешітку кристалу селеніду цинку активаторної домішки вказаних елементів в інтервалі концентрацій 1·10-5-1·10-3% мольн. та оригінальних технологічних прийомів приготування шихти і вирощування кристалів. Отриманий напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал за комплексом параметрів задовольняє сучасним вимогам до матеріалів, що можуть застосовуватися у позиційно-чутливих детекторах рентгенівських сканерів та медичних томографів, і може бути отриманий більш простим способом без термообробки кристалів в парах власних компонентів. Таблиця Концентрація Концентрація ТемпераСвітло- НеодноРозмір часРівень пісактиватору в активатору в тура в ізовий рідність Максимум № Актиток після лясвітіння попередньому кінцевому термічній вихід, світлового люмінесцензразка ватор подрібнення, через 5 мс, кристалі, % кристалі, % зоні росто% до виходу, ції, нм мм % (мольн.) (мольн.) вої печі, °С CsI(T1) %/см. 1. Телур 1·10-2 0,05 80 15 640 Телур, 0,1 2. Кисень, 1·10-2 (через 120 20 610 Водень 10 мс) 3. Кисень 1·10-2 0,005 95 22 610 4. Кадмій 10 0,005 90 15 640 5. Алюміній 2,8·10-2 1·10-3 0,01 800 0,05 120 4 585 6. Алюміній 5·10-2 5·10-4 0,05 1050 0,05 132 2 587 7. Алюміній 0,1 3·10-4 0,01 1200 0,05 143 5 590 8. Алюміній 0,2 1·10-5 0,05 1050 0,05 112 10 595 9. Алюміній 5·10-3 5·10-4 0,05 650 0,03 120 15 590 10. Алюміній 5·10-2 6·10-6 0,05 1000 0,05 70 4 605 11. Алюміній 5·10-2 5·10-3 0,05 1050 0,05 115 15 585 12. Алюміній 5·10-2 5·10-4 0,005 1050 0,05 75 4 585 13. Алюміній 5·10-2 5·10-4 0,3 1050 0,05 120 10 585 14. Алюміній 5·10-2 5·10-4 0,05 6.50 0,1 105 6 587 15. Алюміній 5·10-2 5·10-4 0,05 1320 0,05 90 3 590 Продовження таблиці 11 16. 17. 18. 19. 20. 21. 22. 23. 24. 25. 26. 27. 28. 29. 30. 31. 32. 33. 34. 35. 36 37. Галій Галій Галій Галій Галій Галій Галій Галій Галій Галій Галій Індій Індій Індій Індій Індій Індій Індій Індій Індій Індій Індій 2,8·10-2 5·10-2 0,1 0,2 5·10-3 5·10-2 5·10-2 5·10-2 5·10-2 5·10-2 5·10-2 2,8·10-2 5·10-2 0,1 0,2 5·10-3 5·10-2 5·10-2 5·10-2 5·10-2 5·10-2 5·10-2 Комп’ютерна верстка Т. Чепелева 92286 1·10-3 5·10-4 3·10-4 1·10-5 5·10-4 6·10-6 5·10-3 5·10-4 5·10-4 5·10-4 5·10-4 1·10-3 5·10-4 3·10-4 1·10-5 5·10-4 6·10-6 5·10-3 5·10-4 5·10-4 5·10-4 5·10-4 0,01 0,05 0,01 0,05 0,05 0,05 0,05 0,005 0,3 0,05 0,05 0,01 0,05 0,01 0,05 0,05 0,05 0,05 0,005 0,3 0,05 0,05 12 800 1050 1200 1050 650 1000 1050 1050 1050 650 1320 800 1050 1200 1050 650 1000 1050 1050 1050 650 1320 0,05 0,05 0,05 0,05 0,03 0,05 0,05 0,05 0,05 0,1 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 0,03 0,05 0,05 0,05 0,05 0,1 0,05 Підписне 100 112 113 102 100 60 95 55 110 85 60 100 102 113 112 103 40 95 65 110 95 70 4 2 5 10 15 4 15 4 10 6 3 4 2 5 10 15 4 15 4 10 6 3 Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 585 585 585 585 585 605 585 593 592 592 585 584 591 595 598 591 603 595 597 600 603 605

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Semiconductor scintillation material based on activated zinc selenide and method for producing thereof

Автори англійською

Breslavskyi Ihor Anatoliiovych, Voronkin Yevhenii Fedorovych, Halkin Serhii Mykolaiovych, Hryniov Borys Viktorovych, Lalaiants Oleksandr Ivanovych, Ryzhykov Volodymyr Diomydovych

Назва патенту російською

Полупроводниковый сцинтилляционный материал на основе активированного селенида цинка и способ его получения

Автори російською

Бреславский Игорь Анатольевич, Воронкин Евгений Федорович, Галкин Сергей Николаевич, Гринев Борис Викторович, Лалаянц Александр Иванович, Рыжиков Владимир Диомидович

МПК / Мітки

МПК: C30B 29/46, C30B 29/10, G01T 1/202

Мітки: активованого, цинку, селеніду, основі, напівпровідниковий, одержання, спосіб, сцинтиляційний, матеріал

Код посилання

<a href="http://uapatents.com/6-92286-napivprovidnikovijj-scintilyacijjnijj-material-na-osnovi-aktivovanogo-selenidu-cinku-ta-sposib-jjogo-oderzhannya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку та спосіб його одержання</a>

Подібні патенти