Спосіб формування фотоелектричних шарів вуглецевих сонячних елементів

Номер патенту: 90959

Опубліковано: 10.06.2014

Автор: Пеленський Роман Андрійович

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Спосіб формування фотоелектричних шарів вуглецевих сонячних елементів, який полягає в тому, що на границі р- та n-областей провідності напилюють пошарово з напівпровідникового матеріалу або графену з додаванням акцепторної домішки невисокої концентрації і гідрогенізацією кожного шару графену, поверх р-області напилюють високолеговану плівку n-типу провідності, гідрогенізовану у випадку графену, поверх областей р- та n-типу провідностей напилюють моноатомні електропровідні плівки графену.

Текст

Реферат: UA 90959 U UA 90959 U 5 10 15 20 25 Корисна модель належить до галузі енергетики і може бути використана для генерування електричної енергії сонячними елементами. Відомі сонячні елементи, що містять два фотоелектричні шари з електронно-дірковим переходом на границі їх розділу [Байєрс Т. 20 конструкций с солнечними елементами. Μ: Мир. 1988. - 198 с.]. Такі сонячні елементи знайшли практичне застосування при перетворенні сонячного випромінювання в електричну енергію. Однак у зв'язку з низькою механічною міцністю, впливом негоди (дощу, граду), що викликає пошкодження сонячних батарей, і через невисокий коефіцієнт корисної дії їхнє застосування досить обмежене. В основу корисної моделі поставлена задача створення сонячних елементів з покращеними техніко-економічними та експлуатаційними параметрами і підвищеним рівнем прозорості для сонячних променів, більшою механічною міцністю та вищим коефіцієнтом корисної дії. Поставлена задача вирішується тим, що фотоелектричні шари р- та n-типу провідності, виконані з напівпровідникового матеріалу або графену з відповідним степенем легування, розміщуються між надміцними, прозорими графеновими шарами. Верхня тонка плівка сильно легована донорною домішкою, нижня багатошарова плівка, виконана слаболегованою акцепторною домішкою з напівпровідникового матеріалу або графену. Кожний шар вуглецевої області піддається гідрогенізації. Графенові шари слугують струмовиводами сонячного елемента. Сонячний елемент працює наступним чином: на верхній прозорий графеновий шар падає сонячне випромінювання, на границі р- та n- областей фотони переводять електрони з валентної зони в зону провідності. Утворені вільні електрони на верхньому струмовивідному графеновому шарі створюють від'ємний полюс сонячного елемента. Утворені дірки на нижньому струмовивідному графеновому шарі, нанесеному на р-область, створюють позитивний полюс сонячного елемента. Сонячні елементи з'єднуються між собою послідовно і паралельно в кількості, потрібній для забезпечення номінальних напруги і струму сонячної батареї. ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 30 35 Спосіб формування фотоелектричних шарів вуглецевих сонячних елементів, який полягає в тому, що на границі р- та n-областей провідності напилюють пошарово з напівпровідникового матеріалу або графену з додаванням акцепторної домішки невисокої концентрації і гідрогенізацією кожного шару графену, поверх р-області напилюють високолеговану плівку nтипу провідності, гідрогенізовану у випадку графену, поверх областей р- та n-типу провідностей напилюють моноатомні електропровідні плівки графену. Комп’ютерна верстка С. Чулій Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 1

Дивитися

Додаткова інформація

МПК / Мітки

МПК: H01L 31/167

Мітки: елементів, шарів, вуглецевих, сонячних, спосіб, фотоелектричних, формування

Код посилання

<a href="http://uapatents.com/3-90959-sposib-formuvannya-fotoelektrichnikh-shariv-vuglecevikh-sonyachnikh-elementiv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб формування фотоелектричних шарів вуглецевих сонячних елементів</a>

Подібні патенти