Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Сенсор магнітного поля, який містить перший магніточутливий діод, джерело постійної напруги, перший резистор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний із першим виводом першого резистора, другий вивід якого підключений до першого виводу першого магніточутливого діода, який відрізняється тим, що введені польовий та біполярний транзистори, другий магніточутливий діод, два резистори, індуктивність та ємність, причому перший вивід другого резистора з'єднаний із другим виводом першого магніточутливого діода, затвор польового транзистора з'єднаний із другим виводом першого резистора та першим виводом першого магніточутливого діода, стік польового транзистора з'єднаний із першим виводом другого магніточутливого діода і першим виводом індуктивності та утворює першу вихідну клему, підкладка польового транзистора з'єднана із його витоком, який підключений до емітера біполярного транзистора, база якого з'єднана із другим виводом другого магніточутливого діода та першим виводом третього резистора, другий вивід індуктивності з'єднаний із першими виводами першого резистора та ємності, першим полюсом джерела постійної напруги, другий полюс якого з'єднаний із другими виводами другого та третього резисторів, колектором біполярного транзистора та другим виводом ємності, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема.

Текст

Сенсор магнітного поля, який містить перший магніточутливий діод, джерело постійної напруги, перший резистор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний із першим виводом першого резистора, другий вивід якого підключений до першого виводу першого магніточутливого діода, який відрізняється тим, що введені польовий та біполярний транзистори, другий магніточутливий діод, два резистори, індуктивність та ємність, причому перший вивід другого резистора з'єднаний із U 2 (19) 1 3 джерела живлення у загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема. Недоліком такого пристрою є його мала чутливість і точність виміру. Це пов'язано з тим, що при малих магнітних полях зміна напруги на магніточутливому діоді є незначною. В основу корисної моделі поставлена задача створення сенсора магнітного поля, в якому за рахунок введення нових елементів і зв'язків між ними досягається перетворення величини магнітного поля у частоту, що приводить до підвищення чутливості та точності вимірювання магнітного поля. Поставлена задача вирішується тим, що у сенсор магнітного поля, який містить перший магніточутливий діод, джерело постійної напруги, перший резистор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний із першим виводом першого резистора, другий вивід якого підключений до першого виводу першого магніточутливого діода, введені польовий та біполярний транзистори, другий магніточутливий діод, два резистори, індуктивність та ємність, причому перший вивід другого резистора з'єднаний із другим виводом першого магніточутливого діода, затвор польового транзистора з'єднаний із другим виводом першого резистора та першим виводом першого магніточутливого діода, стік польового транзистора з'єднаний із першим виводом другого магніточутливого діода і першим виводом індуктивності та утворює першу вихідну клему, підкладка польового транзистора з'єднана із його витоком, який підключений до емітера біполярного транзистора, база якого з'єднана із другим виводом другого магніточутливого діода та першим виводом третього резистора, другий вивід індуктивності з'єднаний із першими виводами першого резистора та ємності, першим полюсом джерела постійної напруги, другий полюс якого з'єднаний із другими виводами другого та третього резисторів, колектором біполярного транзистора та другим виводом ємності, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема. На кресленні подано схему сенсора магнітного поля. Пристрій містить перший магніточутливий діод 2, джерело постійної напруги 10, перший резистор 1, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший полюс джерела постійної напруги 10 з'єднаний із першим виводом першого резистора 1, другий вивід якого підключений до першого виводу першого магніточутливого діода 2, введені польовий 4 та біполярний 5 транзистори, другий магні 66045 4 точутливий діод 6, другий 3 та третій 7 резистори, індуктивність 8 та ємність 9, причому перший вивід другого резистора 3 з'єднаний із другим виводом першого магніточутливого діода 2, затвор польового транзистора 4 з'єднаний із другим виводом першого резистора 1 та першим виводом першого магніточутливого діода 2, стік польового транзистора 4 з'єднаний із першим виводом другого магніточутливого діода 3 і першим виводом індуктивності 8 та утворює першу вихідну клему, підкладка польового транзистора 4 з'єднана із його витоком, який підключений до емітера біполярного транзистора 5, база якого з'єднана із другим виводом другого магніточутливого діода 6 та першим виводом третього резистора 7, другий вивід індуктивності 8 з'єднаний із першими виводами першого резистора 1 та ємності 9 і першим полюсом джерела постійної напруги 10, другий полюс якого з'єднаний із другими виводами другого 3 та третього 7 резисторів, колектором біполярного транзистора 5 та другим виводом ємності 9, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема. Сенсор магнітного поля працює наступним чином. В початковий момент часу магнітне поле не діє на перший 2 та другий 6 магніточутливі діоди. Підвищенням напруги джерела постійної напруги 10 досягається така її величина, що на електродах стік польового транзистора 4 і колектор біполярного транзистора 5 виникає від'ємний опір, який приводить до виникнення електричних коливань в контурі, який утворений паралельним включенням повного опору з ємнісною складовою на електродах стік польового транзистора 4 і колектор біполярного транзистора 5 та повного опору з індуктивною складовою індуктивності 8. За рахунок вибору постійної напруги живлення здійснюється лінеаризація функції перетворення. Перший 1, другий 3 та третій 7 резистори визначають режим живлення першого магніточутливого діода 2, польового 4 та біполярного 5 транзисторів і другого магніточутливого діода 6 від джерела постійної напруги 10. Ємність 9 запобігає проходженню змінного струму через джерело постійної напруги 10. При наступній дії магнітного поля на перший 2 та другий 6 магніточутливі діоди змінюється напруга на них, що викликає зміну ємнісної складової повного опору на електродах стік польового транзистора 4 і колектор біполярного транзистора 5, а це, в свою чергу, викликає зміну резонансної частоти коливального контуру, яка є інформативним параметром для визначення величини магнітного поля. 5 Комп’ютерна верстка І. Скворцова 66045 6 Підписне Тираж 23 прим. Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Magnetic fild sencor

Автори англійською

Osadchuk Volodymyr Stepanovych, Osadchuk Oleksandr Volodymyrovych, Stovbchata Olha Petrivna

Назва патенту російською

Сенсор магнитного поля

Автори російською

Осадчук Владимир Степанович, Осадчук Александр Владимирович, Стовбчата Ольга Петровна

МПК / Мітки

МПК: G01R 33/06, H01L 29/00, H01L 43/00

Мітки: поля, магнітного, сенсор

Код посилання

<a href="http://uapatents.com/3-66045-sensor-magnitnogo-polya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Сенсор магнітного поля</a>

Подібні патенти