Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Сенсор магнітної індукції, що містить два джерела напруги, п'ять резисторів, ємність, біполярний транзистор, біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим вводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першим виводом бази біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора, при цьому другий вивід бази біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора з'єднаний з першим виводом другого резистора, а другий вивід другого резистора підключений до першого колектора біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора, першого виводу третього резистора, першого виводу четвертого резистора, який утворює першу вихідну клему, при цьому другий вивід третього резистора підключений до другого колектора біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора, а другий вивід четвертого резистора з'єднаний з першим виводом п'ятого резистора і базою другого біполярного транзистора, емітер якого з'єднаний з емітером біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора, а другий вивід п'ятого резистора з'єднаний з колектором другого біполярного транзистора, другим полюсом першого джерела постійної напруги, другим виводом ємності, другим полюсом другого джерела постійної напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема, який відрізняється тим, що в нього введено тиристор, перший вивід якого з'єднаний з другим колектором біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора та першою вихідною клемою, а другий вивід тиристора з'єднаний з першим виводом ємності і першим полюсом другого джерела постійної напруги.

Текст

Сенсор магнітної індукції, що містить два джерела напруги, п'ять резисторів, ємність, біполярний транзистор, біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим вводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першим виводом бази біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора, при цьому другий вивід бази біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора з'єднаний з першим виводом другого резистора, а другий вивід другого резистора підключений до першого колектора біполярного дво U 2 (19) 1 3 ніточутливого транзистора, а другий вивід п'ятого резистора з'єднаний з колектором другого біполярного транзистора, другим полюсом першого джерела постійної напруги, другим виводом ємності, другим полюсом другого джерела постійної напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема, при цьому перший вивід ємності з'єднаний з другим виводом індуктивності і першим полюсом другого джерела постійної напруги. Недоліком такого пристрою є його низька чутливість. В основу корисної моделі поставлена задача створення сенсора магнітної індукції, в якому за рахунок введення нових елементів і зв'язків між ними досягається підвищення точності та чутливості виміру магнітної індукції та спрощення технології виготовлення. Поставлена задача вирішується тим, що в сенсор магнітної індукції, що містить два джерела напруги, п'ять резисторів, ємність, біполярний транзистор, біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, при чому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим вводом першого резистора, що містить два джерела напруги, п'ять резисторів, ємність, біполярний транзистор, біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, при чому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим вводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першим виводом бази біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора, при цьому другий вивід бази біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора з'єднаний з першим виводом другого резистора, а другий вивід другого резистора підключений до першого колектора біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора, першого виводу третього резистора, першого виводу четвертого резистора, який утворює першу вихідну клему, при цьому другий вивід третього резистора підключений до другого колектора біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора, а другий вивід четвертого резистора з'єднаний з першим виводом п'ятого резистора і базою другого біполярного транзистора, емітер якого з'єднаний з емітером біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора, а другий вивід п'ятого резистора з'єднаний з колектором другого біполярного транзистора, другим полюсом першого джерела постійної напруги, другим виводом ємності, другим полюсом другого джерела постійної напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема, введено тиристор, перший вивід якого з'єднаний з другим колектором біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора та першою вихідною клемою, а другий вивід тиристора з'єднаний з першим виводом ємності і першим полюсом другого джерела постійної напруги. Використання запропонованого пристрою суттєво підвищує точность та чутливість виміру магнітної індукції та спрощує технологію виготовлення за рахунок введення тиристора. 63652 4 На кресленні подано схему сенсора магнітної індукції. Пристрій містить перше джерело постійної напруги 1, перший полюс якого з'єднаний з першим вводом першого резистора 2, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першим виводом бази біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора 3, при цьому другий вивід бази біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора з'єднаний з першим виводом другого резистора 5, а другий вивід другого резистора підключений до першого колектора біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора 3, першого виводу третього резистора 6, першого виводу четвертого резистора 7, який утворює першу вихідну клему, при цьому другий вивід третього резистора 6 підключений до другого колектора біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора 3, а другий вивід четвертого резистора 7 з'єднаний з першим виводом п'ятого резистора 8 і базою другого біполярного транзистора 4, емітер якого з'єднаний земітером біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора 3, а другий вивід п'ятого резистора 8 з'єднаний з колектором другого біполярного транзистора 4, другим полюсом першого джерела постійної напруги 1, другим виводом ємності 10, другим полюсом другого джерела постійної напруги 11, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема, а перший вивід тиристора 9 з'єднаний з другим колектором біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора 3 та першою вихідною клемою, а другий вивід тиристора 9 з'єднаний з першим виводом ємності 10 і першим полюсом другого джерела постійної напруги 11. Пристрій працює наступним чином. В початковий момент часу магнітна індукція не діє на біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор 3. Підвищення напруги джерела постійної напруги 1 і джерела постійної напруги 11 до величини, коли на електродах колектор-колектор біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора 3 і другого біполярного транзистора 4 виникає від'ємний опір, який призводить до виникнення електричних коливань в контурі, який утворений паралельним включенням повного опору з ємнісною складовою на електродах колекторколектор біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора 3 і другого біполярного транзистора 4 та повного диференційного опору на тиристорі 9. Резистори 2, 5, 6, 7 і 8 здійснюють електричне живлення біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора 3 і другого транзистора 4. Ємність 10 запобігає проходженню змінного струму через джерело постійної напруги 11. При наступні дії магнітної індукції на біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор 3 змінюється ємнісна складова повного опору на електродах колектор-колектор біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора 3 і другого біполярного транзистор 4, що викликає зміну резонансної частоти коливального контуру. 5 Комп’ютерна верстка Л.Литвиненко 63652 6 Підписне Тираж 23 прим. Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Magnetic induction sensor

Автори англійською

Osadchuk Volodymyr Stepanovych, Martyniuk Volodymyr Valeriiovych, Sukhotskyi Oleksandr Mykolaiovych, Mukulka Iryna Volodymyrivna

Назва патенту російською

Сенсор магнитной индукции

Автори російською

Осадчук Владимир Степанович, Мартинюк Владимир Валерьевич, Сухоцкий Александр Николаевич, Микулка Ирина Владимировна

МПК / Мітки

МПК: H01L 29/82

Мітки: сенсор, магнітної, індукції

Код посилання

<a href="http://uapatents.com/3-63652-sensor-magnitno-indukci.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Сенсор магнітної індукції</a>

Подібні патенти