Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Мікроелектронний витратомір газу, який містить вимірювальну камеру, три резистори, два джерела постійної напруги, два термочутливі біполярні транзистори і три ємності, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першим виводом першої ємності і першим виводом другого резистора, а другий вивід другого резистора з'єднаний із базою першого термочутливого біполярного транзистора, колектор якого з'єднаний із першим виводом другої ємності і першою вихідною клемою, при цьому емітер першого термочутливого біполярного транзистора з'єднаний з емітером другого термочутливого біполярного транзистора, база якого з'єднана з другим виводом другої ємності і першим виводом третього резистора, а другий вивід третього резистора підключений до другого виводу третьої ємності, другого виводу першої ємності, другого полюса першого джерела постійної напруги, другого полюса другого джерела постійної напруги і до колектора другого термочутливого біполярного транзистора, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема, який відрізняється тим, що в нього введено третій біполярний транзистор, четвертий резистор і четверту ємність, причому колектор першого термочутливого біполярного транзистора, перший вивід другої ємності і перша вихідна клема з'єднані з першим виводом четвертої ємності, емітером третього біполяного транзистора, другий вивід четвертої ємності з'єднаний з базою третього біполярного транзистора і першим виводом четвертого резистора, другий вивід четвертогорезистора з'єднаний з колектором третього біполярного транзистора, першим виводом третьої ємності і першим полюсом другого джерела постійної напруги.

Текст

Мікроелектронний витратомір газу, який містить вимірювальну камеру, три резистори, два джерела постійної напруги, два термочутливі біполярні транзистори і три ємності, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першим виводом першої ємності і першим виводом другого резистора, а другий вивід другого резистора з'єднаний із базою першого термочутливого біполярного транзистора, колектор якого з'єднаний із першим виводом другої ємності і першою вихідною клемою, при цьому емітер першого термочутливого біполярного транзистора з'єднаний з емітером U 2 (19) 1 3 складається з пасивної індуктивності і третьої ємності разом із другим джерелом постійної напруга. Вихід пристрою утворений колектором першого термочутливого біполярного транзистора і загальною шиною. При проходженні газу через вимірювальну камеру змінюється повний опір термочутливих біполярних транзисторів, що приводить до зміни ємнісної складової повного опору на електродах колектор-колектор термочутливих біполярних транзисторів, а це у свою чергу, викликає зміну резонансної частоти коливального контуру [Патент України №26479, кл. G01F 1/34, 2007]. Недоліком такого пристрою є низька чутливість та мала завадостійкість до електромагнітного випромінювання, що пов'язана з використанням пасивного індуктивного елемента. В основу корисної моделі поставлена задача створення мікроелектронного витратоміру газу, в якому за рахунок введення активного індуктивного елемента відбувається підвищення чутливості та завадостійкості даного пристрою. Поставлена задача вирішується тим, що в пристрій, який складається з вимірювальної камери, трьох резисторів, двох джерел постійної напруги, двох термочутливих біполярних транзисторів і трьох ємностей, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першим виводом першої ємності і першим виводом другого резистора, а другий вивід другого резистора з'єднаний із базою першого термочутливого біполярного транзистора, колектор якого з'єднаний із першим виводом другої ємності і першою вихідною клемою, при цьому емітер першого термочутливого біполярного транзистора з'єднаний з емітером другого термочутливого біполярного транзистора, база якого з'єднана з другим виводом другої ємності і першим виводом третього резистора, а другий вивід третього резистора підключений до другого виводу третьої ємності, другого виводу першої ємності, другого полюса першого джерела постійної напруги, другого полюса другого джерела постійної напруги і до колектора другого термочутливого біполярного транзистора, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема, введено третій біполярний транзистор, четвертий резистор і четверту ємність, причому колектор першого термочутливого біполярного транзистора, перший вивід другої ємності і перша вихідна клема з'єднанні з першим виводом четвертої ємності, емітером третього біполяного транзистора, другий вивід четвертої ємності з'єднаний з базою третього біполярного транзистора і першим виводом четвертого резистора, другий вивід четвертого резистора з'єднаний з колектором третього біполярного транзистора, першим виводом третьої ємності і першим полюсом другого джерела постійної напруги. На кресленні подано схему мікроелектронного витратоміру газу. Пристрій містить вимірювальну камеру 1, перший 6, другий 4, третій 9 і четвертий 11 резистори, перше 7 і друге 14 джерело постійної напруги, перший 2, другий 3 термочутливі біполярні транзи 54121 4 сторів і третій 12 біполярний транзистор, першу 5, другу 8, третю 13 і четверту 10 ємності. Причому перший полюс першого 7 джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого 6 резистора, а другий вивід першого 6 резистора з'єднаний із першим виводом першої 5 ємності і першим виводом другого 4 резистора, а другий вивід другого 4 резистора з'єднаний із базою першого 2 термочутливого біполярного транзистора, колектор якого з'єднаний із першим виводом другої 8 ємності і першою вихідною клемою, при цьому емітер першого 2 термочутливого біполярного транзистора з'єднаний з емітером другого 3 термочутливого біполярного транзистора, база якого з'єднана з другим виводом другої 8 ємності і першим виводом третього 9 резистора, а другий вивід третього 9 резистора підключений до другого виводу третьої 13 ємності, другого виводу першої 5 ємності, другого полюса першого 7 джерела постійної напруги, другого полюса другого 14 джерела постійної напруги і до колектора другого 3 термочутливого біполярного транзистора, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема, крім того колектор першого 2 термочутливого біполярного транзистора, перший вивід другої 8 ємності і перша вихідна клема з'єднанні з першим виводом четвертої 10 ємності, емітером третього 12 біполярного транзистора, другий вивід четвертої 10 ємності з'єднаний з базою третього 12 біполярного транзистора і першим виводом 11 четвертого резистора, другий вивід четвертого 11 резистора з'єднаний з колектором третього 12 біполярного транзистора, першим виводом третьої 13 ємності і першим полюсом другого 14 джерела постійної напруги. Вихід пристрою утворений колектором першого 2 термочутливого біполярного транзистора і загальною шиною. Мікроелектронний витратомір газу працює таким чином. В початковий момент часу газ не проходить через вимірювальну камеру 1. Підвищенням напруги через перший 6, другий 4 і третій 9 резистори першого 7 і другого 14 джерела постійної напруга встановлюємо початкову температуру в першому 2 і другому 3 термочутливому біполярному транзисторі, а також початкову величину резонансної частоти, яка виникає в коливальному контурі, утвореним послідовним включенням повного опору з ємнісним характером на електродах колекторів першого 2 і другого 3 термочутливих біполярних транзисторів та індуктивним опором активної індуктивності, яка складається з третього 12 біполярного транзистора, четвертої 10 ємності і четвертого 11 резистора, за рахунок виникнення від'ємного опору на електродах колектор-колектор першого 2 і другого 3 термочутливих біполярних транзисторів. Перша 5 ємність разом з другим 4 резистором та другою 8 ємністю разом з третім 9 резистором утворюють позитивний зворотній зв'язок виходу із входом пристрою. Третя 13 ємність запобігає проходженню змінного струму через друге 14 джерело постійної напруги. При наступному проходженні газу через вимірювальну камеру 1 змінюється повний опір першого 2 і другого 3 термочутливого біполярного транзистора, що приво 5 54121 дить до зміни ємнісної складової повного опору на електродах колектор-колектор першого 2 і другого З термочутливих біполярних транзисторів, а це у свою чергу, викликає зміну резонансної частоти коливального контуру. Комп’ютерна верстка І.Скворцова 6 Використання запропонованого мікроелектронного витратоміру газу суттєво підвищує точність виміру інформативного параметру та чутливість даного пристрою за рахунок введення активного індуктивного елемента. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Microelectronic gas flow rate meter

Автори англійською

Osadchuk Volodymyr Stepanovych, Osadchuk Oleksandr Volodymyrovych, Nasadiuk Ruslan Mykolaiovych

Назва патенту російською

Микроэлектронный расходомер газа

Автори російською

Осадчук Владимир Степанович, Осадчук Александр Владимирович, Насадюк Руслан Николаевич

МПК / Мітки

МПК: G01F 1/34

Мітки: газу, мікроелектронний, витратомір

Код посилання

<a href="http://uapatents.com/3-54121-mikroelektronnijj-vitratomir-gazu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Мікроелектронний витратомір газу</a>

Подібні патенти