Мікроелектронний пристрій для виміру вологості

Мікроелектронний пристрій для виміру вологості, який містить два вологочутливи х польових транзистори і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що введені два резистори, ємність, третій вологочутливий польовий транзистор і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із затвором першого вологочутливого польового транзистора, витік і підкладка якого з'єднані з витоком і підкладкою другого вологочутливого польового транзистора, при цьому стік першого вологочутли 43044 Поставлена задача вирішується тим, що в пристрій який містить два польових транзистори, один із яких є вологочутливим і джерело постійної напруги, введено два резистора, ємність, третій вологочутливий польовий транзистор і друге джерело постійної напруги, що дало змогу замінити перетворення вологості в напругу у відомому пристрої на перетворення вологості у часто ту в пропонованому, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із затвором першого вологочутливого польового транзистора, витік і підкладка якого з'єднаний з витоком і підкладкою другого вологочутливого польового транзистора, при цьому стік першого вологочутливого польового транзистора з'єднаний із затвором третього вологочутливого польового транзистора і його витоком, який підключений до першого виводу першої ємності, а другий вивід першої ємності з'єднаний із підкладкою третього вологочутливого польового транзистора і першим виводом другого резистора, а другий вивід другого резистора з'єднаний із стоком третього вологочутливого польового транзистора, який підключений до першого виводу др угої ємності і першого полюса другого джерела постійної напруги, при цьому затвор третього вологочутливого польового транзистора з'єднаний із стоком першого вологочутливого польового транзистора і затвором другого вологочутливого польового транзистора, який утворює першу ви хідну клему, а друга ви хідна клема утворена загальною шиною, до якої підключені другий вивід другої ємності, другий полюс другого джерела постійної напруги, стік другого вологочутливого польового транзистора і другий полюс першого джерела постійної напруги. Використання пропонованого мікроелектронного пристрою для виміру вологості суттєво підвищує чутливість і точність виміру інформативного параметру за рахунок виконання ємнісного елемента коливального контуру на основі вологочутливих першого і другого польових транзисторів, а індуктивного елементу коливального контуру на основі третього вологочутливого польового транзистора разом із послідовним колом з другого резис тора і першої ємності. При дії вологи на вологочутливі перший, другий і третій польові транзистори змінюється як ємнісна складова повного опору на електродах стік-стік вологочутливи х першого і другого польових транзисторів, так індуктивна складова повного опору на електродах затвор-стік третього вологочутливого польового транзистора, що приводить до ефективної зміни резонансної частоти коливального контуру. Лінеаризація функції перетворення відбувається за рахунок вибору напруги живлення. На кресленні (фіг.) подано схему мікроелектронного пристрою для виміру вологості. Пристрій містить джерело постійної напруги 1, резистор 2, вологочутливі польові транзистори 3 і 4, які з'єднані з вологочутливим польовим транзистором 5, у якому до витоку і стоку підключене послідовне коло із ємності 6 і резистора 7. Ємність 8 підключена паралельно другому джерелу постійної напруги 9. Вихід пристрою утворений затвором вологочутливого польового транзистора 4 і загальною шиною. Мікроелектронний пристрій для виміру вологи працює таким чином. В початковий момент часу волога не діє на вологочутливі польові транзистори 3, 4 і 5. Підвищенням напруги джерел постійної напруги 1 і 9 до величини, коли на електродах стікстік вологочутливих польових транзисторів 3 і 4 виникає від'ємний опір, який приводить до виникнення електричних коливань в контурі, який утворений паралельним включенням повного опору з ємнісною складовою на електродах стік-стік вологочутливи х польових транзисторів 3 і 4 та повного опору з індуктивною складовою на електродах затвор-стік вологочутливо го польового транзисторра 5. Резистор 2 здійснює електричне живлення вологочутливих польових транзисторів 3 і 4, а ємність 8 запобігає проходженню змінного струму через джерело постійної напруги 9. При наступній дії вологи на вологочутливі польові транзистори 3, 4 і 5 змінюється як ємнісна складова повного опору на електродах стік-стік вологочутливих польових транзисторів 3 і 4, так і індуктивна складова повного опору на електродах затвор-стік вологочутливого польового транзистора 5, що викликає ефективну зміну резонансної частоти коливального контуру. 2 43044 Фіг. __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2002 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 50 прим. Зам._______ ____________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 ___________________________________________________________ 3