Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання з частотним виходом

Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання з частотним виходом, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДНфототранзистор, перший і другий конденсатори, перший і другий резистори, загальну шину, причому затвор першого МДН-фототранзистора підключений до другого виводу першого резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що введено біполярний транзистор, другий МДНфототранзистор, друге джерело постійної напруги, причому перший і другий МДН-фототранзистори виконано з прозорим затворним електродом із ауруму, що є чутливим до випромінювання, а поверхня підкладки вільна від діелектрика, чутлива до випромінювання і має над областю каналу па U 2 (19) 1 3 току МДН-транзистора та стоку першого МДНфототранзистора, затвор якого підключений до затвору МДН-транзистора, першого виводу другого резистора, першого виводу другого конденсатора та першого полюсу першого джерела постійної напруги, стік МДН-транзистора підключений до другого виводу другого резистора та першого виводу третього резистора, другі виводи першого і другого конденсаторів, першого і третього резисторів і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини. Недоліком такого пристрою є невелика чутливість і точність виміру, яка пов'язана з тим, що зміна освітленості каналу МДН-фототранзистора призводить до невеликої зміни напруги на затворі, а це в свою чергу призводить до невеликої зміни струму стоку. В основу корисної моделі поставлена задача створення мікроелектронного вимірювача оптичного випромінювання з частотним виходом, в якому за рахунок введення нових елементів та зв'язків між ними досягається можливість розширення функціональних можливостей, що призводить до підвищення чутливості і точності вимірювання оптичного випромінювання. Поставлена задача досягається тим, що в мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання з частотним виходом, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДНфототранзистор, перший і другий конденсатори, перший і другий резистори, загальну шину, причому затвор першого МДН-фототранзистора підключений до другого виводу першого резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, введено біполярний транзистор, другий МДН-фототранзистор, друге джерело постійної напруги, причому перший і другий МДНфототранзистори виконано з прозорим затворним електродом із ауруму (Аu), що є чутливим до випромінювання, а поверхня підкладки вільна від діелектрика, чутлива до випромінювання і має над областю каналу пази, площа перерізу кожного з яких А задовольняє наступне співвідношення: А < S/n, де S - площа канала, n - число пазів, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, другий вивід першого резистора з'єднаний з прозорим затворним електродом із Аu першого МДНфототранзистора, стік якого підключений до першого виводу першого конденсатора, затвору та витоку другого МДН-фототранзистора і бази біполярного транзистора, яка утворює першу вихідну клему, при цьому витік першого МДНфототранзистора з'єднаний з емітером біполярного транзистора, а другий вивід першого конденсатора з'єднаний з підкладкою другого МДНфототранзистора і першим виводом другого резистора, а другий вивід другого резистора з'єднаний з стоком другого МДН-фототранзистора, першим виводом другого конденсатора і першим полюсом другого джерела постійної напруги, при цьому другий полюс другого джерела постійної напруги підключений до другого виводу конденсатора, колектора біполярного транзистора і другого полюсу 42211 4 першого джерела постійної напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема. На кресленні подано схему мікроелектронного вимірювача оптичного випромінювання з частотним виходом. Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання з частотним виходом містить перше джерело постійної напруги 1, перший резистор 2, перший МДН-фототранзистор 3, біполярний транзистор 4, другий МДН-фототранзистор 6, причому перший і другий МДН-фототранзистори 3 і 6 виконано з прозорим затворним електродом із Аu, що є чутливим до випромінювання, а поверхня підкладки вільна від діелектрика, чутлива до випромінювання і має над областю каналу пази, площа перерізу кожного з яких А задовольняє наступне співвідношення: А < S/n, де S - площа канала, n число пазів, перший конденсатор 5, другий резистор 7, другий конденсатор 8, друге джерело постійної напруги 9, причому перший полюс першого джерела постійної напруги 1 з'єднаний з першим виводом першого резистора 2, другий вивід першого резистора 2 з'єднаний з прозорим затворним електродом із Аu першого МДН-фототранзистора 3, стік якого підключений до першого виводу першого конденсатора 5, затвору та витоку другого МДН-фототранзистора 6 і бази біполярного транзистора 4, яка утворює першу вихідну клему, при цьому витік першого МДН-фототранзистора 3 з'єднаний з емітером біполярного транзистора 4, а другий вивід першого конденсатора 5 з'єднаний з підкладкою другого МДН-фототранзистора 6 і першим виводом другого резистора 7, а другий вивід другого резистора 7 з'єднаний з стоком другого МДН-фототранзистора 6, першим виводом другого конденсатора 8 і першим полюсом другого джерела постійної напруги 9, при цьому другий полюс другого джерела постійної напруги 9 підключений до другого виводу конденсатора 8, колектора біполярного транзистора 4 і другого полюсу першого джерела постійної напруги 1, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема. Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання з частотним виходом працює таким чином. В початковий момент часу оптичне випромінювання не діє на перший і другий МДНфототранзистори 3 і 6. Підвищенням напруги першого джерела постійної напруги 1 і другого джерела постійної напруги 9 до величини, коли на електродах стоку першого МДН-фототранзистора 3 і колектора біполярного транзистора 4 виникає від'ємний опір, який приводить до виникнення електричних коливань в контурі, який утворений паралельним включенням повного опору з ємнісним характером на електродах стік - колектор першого МДН-фототранзистора 3 і біполярного транзистора 4 та повного опору з індуктивним характером, який утворений зсувом фази електричного кола першого конденсатора 5 і другого резистора 7, що існує на електродах витік - стік другого МДН фототранзистора 6. Перший резистор 2 дозволяє керувати напругою на затворі першого МДНфототранзистора 3. Другий конденсатор 8 запобі 5 42211 гає проходженню змінного струму через друге джерело постійної напруги 9. При наступній дії оптичного випромінювання на перший і другий МДН-фототранзистори 3 і 6, змінюється як ємнісна складова повного опору на електродах стік - коле Комп’ютерна верстка І.Скворцова 6 ктор першого МДН-фототранзистора 3 і біполярного транзистора 4, так і індуктивна складова повного опору на електродах витік - стік другого МДНфототранзистора 6, а це викликає ефективну зміну резонансної частоти коливального контуру. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601