Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури
Номер патенту: 42207
Опубліковано: 25.06.2009
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович
Формула / Реферат
Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури, який містить перше джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, конденсатор, резистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що в нього введено біполярний транзистор, пасивну індуктивність, друге джерело постійної напруги, причому МДН-фототранзистор виконано з прозорим затворним електродом із ауруму, що є чутливим до випромінювання, а поверхня підкладки вільна від діелектрика, чутлива до випромінювання і має над областю каналу пази, площа перерізу кожного з яких А задовольняє наступне співвідношення: A<S/n, де S площа каналу, n - число пазів, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, другий вивід резистора з'єднаний з прозорим затворним електродом із ауруму МДН-фототранзистора, стік якого підключений до першого виводу пасивної індуктивності і бази біполярного транзистора, яка утворює першу вихідну клему, при цьому витік МДН-фототранзистора з'єднаний з емітером біполярного транзистора, а другий вивід пасивної індуктивності з'єднаний з першим виводом конденсатора і першим полюсом другого джерела постійної напруги, при цьому другий полюс другого джерела постійної напруги підключений до другого виводу конденсатора, колектора біполярного транзистора і другого полюса першого джерела постійної напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема.
Текст
Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури, який містить перше джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, конденсатор, резистор, загальну шину, причому затвор МДНфототранзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що в нього введено біполярний транзистор, пасивну індуктивність, друге джерело постійної напруги, причому МДН-фототранзистор виконано з прозорим затворним електродом із ауруму, що є чутливим до випромінювання, а поверхня підклад U 2 (19) 1 3 затвору МДН-транзистора, першого виводу другого резистора, першого виводу другого конденсатора та першого полюсу першого джерела постійної напруги, стік МДН-транзистора підключений до другого виводу другого резистора та першого виводу третього резистора, другі виводи першого і другого конденсаторів, першого і третього резисторів і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини. Недоліком такого пристрою є невелика чутливість і точність виміру, яка пов'язана з тим, що зміна освітленості каналу МДН-фототранзистора призводить до невеликої зміни напруги на затворі, а це в свою чергу призводить до невеликої зміни струму стоку. В основу корисної моделі поставлена задача створення мікроелектронного сенсора оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури, в якому за рахунок введення нових елементів та зв'язків між ними досягається можливість розширення функціональних можливостей, що призводить до підвищення чутливості і точності вимірювання оптичного випромінювання. Поставлена задача досягається тим, що в мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури, який містить перше джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, конденсатор, резистор, загальну шину, причому затвор МДНфототранзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, введено біполярний транзистор, пасивну індуктивність, друге джерело постійної напруги, причому МДН-фототранзистор виконано з прозорим затворним електродом із ауруму (Аu), що є чутливим до випромінювання, а поверхня підкладки вільна від діелектрика, чутлива до випромінювання і має над областю каналу пази, площа перерізу кожного з яких А задовольняє наступне співвідношення: A
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMicroelectronic optical power meter based on transistor photosensitive structure
Автори англійськоюOsadchuk Volodymyr Stepanovych, Osadchuk Oleksandr Volodymyrovych, Ilchenko Olena Mykolaivna
Назва патенту російськоюМикроэлектронный измеритель оптического излучения на основе транзисторной фоточувствительной структуры
Автори російськоюОсадчук Владимир Степанович, Осадчук Александр Владимирович, Ильченко Елена Николаевна
МПК / Мітки
МПК: G01J 1/44, H01L 27/00
Мітки: сенсор, транзисторної, структури, фоточутливої, оптичного, основі, випромінювання, мікроелектронний
Код посилання
<a href="http://uapatents.com/3-42207-mikroelektronnijj-sensor-optichnogo-viprominyuvannya-na-osnovi-tranzistorno-fotochutlivo-strukturi.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури</a>
Мікроелектронний пристрій для виміру оптичного випромінювання
Номер патенту: 31603
Опубліковано: 10.04.2008
Автори: Барабан Сергій Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01J 1/44
Мітки: випромінювання, оптичного, виміру, пристрій, мікроелектронний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для виміру оптичного випромінювання, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, два конденсатори, резистор, МДН-транзистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до затвору МДН-транзистора і першого полюса першого джерела постійної напруги, а стік МДН-транзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого...
Мікроелектронний сенсор оптичної потужності з частотним виходом
Номер патенту: 42205
Опубліковано: 25.06.2009
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна
МПК: G01J 1/44, H01L 27/00
Мітки: оптично, потужності, виходом, частотним, мікроелектронний, сенсор
Формула / Реферат:
Мікроелектронний сенсор оптичної потужності з частотним виходом, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, резистор, конденсатор, загальну шину, причому затвор першого МДН-фототранзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що введено другий МДН-фототранзистор, пасивну...
Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання
Номер патенту: 31974
Опубліковано: 25.04.2008
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Барабан Сергій Володимирович
МПК: G01J 1/44
Мітки: мікроелектронний, вимірювач, випромінювання, оптичного
Формула / Реферат:
Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання, що містить перше джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, два конденсатори, резистор, МДН-транзистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до першого полюса першого джерела постійної напруги, а стік МДН-транзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної...
Мікроелектронний пристрій для виміру оптичної потужності
Номер патенту: 30180
Опубліковано: 11.02.2008
Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01J 1/44
Мітки: потужності, виміру, пристрій, оптично, мікроелектронний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для виміру оптичної потужності, який містить джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, конденсатор, який відрізняється тим, що введено другий МДН-фототранзистор, причому перший та другий МДН-фототранзистори виконано з непрозорим затворним електродом із алюмінію, із зворотної сторони підкладки яких під областю каналу виконані глибокі пази, площа перерізу кожного з яких А задовольняє наступне...
Мікроелектронний сенсор температури
Номер патенту: 31510
Опубліковано: 10.04.2008
Автори: Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович
МПК: G01K 7/00
Мітки: сенсор, температури, мікроелектронний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний сенсор температури, який містить польовий транзистор, резистор, конденсатор, перше і друге джерело напруги, при цьому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, а другий вивід другого конденсатора - з другим полюсом другого джерела напруги, який відрізняється тим, що введено перший біполярний транзистор, конденсатор з напиленою плівкою піроелектрика, другий біполярний транзистор і другий...
Попередній патент: Спосіб вирощування люцерни
Наступний патент: Електрообігрівач “килимок еко-луч”
Випадковий патент: Двох'ярусна клітка для кролів