Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Мікроелектронний пристрій виміру температури, який містить джерело постійної напруги, генератор електричних коливань на основі двох термочутливих біполярних транзисторів, чотирьох резисторів і двох ємностей, який відрізняється тим, що в нього введено третій термочутливий біполярний транзистор і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний з базою першого термочутливого біполярного транзистора, емітер якого з'єднаний з емітером другого термочутливого біполярного транзистора, колектор якого з'єднаний з другим полюсом першого і другого джерела постійної напруги, другим виводом третього резистора, другим виводом другої ємності, що утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема, а перша вихідна клема підключена до колектора першого термочутливого біполярного транзистора, який з'єднаний з емітером третього термочутливого біполярного транзистора, першим виводом другого резистора, а другий вивід другого резистора з'єднаний з базою другого термочутливого біполярного транзистора і першим виводом третього резистора, а другий вивід третього резистора підключений до загальної шини, при цьому другий вивід першої ємності з'єднаний з базою третього термочутливого біполярного транзистора і першим виводом четвертого резистора, а другий вивід четвертого резистора з'єднаний з колектором третього термочутливого біполярного транзистора і першим виводом другої ємності, які підключені до першого полюса другого джерела постійної напруги.

Текст

Мікроелектронний пристрій виміру температури, який містить джерело постійної напруги, генератор електричних коливань на основі двох термочутливих біполярних транзисторів, чотирьох резисторів і двох ємностей, який відрізняється тим, що в нього введено третій термочутливий біполярний транзистор і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний з базою першого термочутливого біполярного транзистора, емітер якого з'єднаний з емітером другого термочутливого біполярного A (54) МІКРОЕЛЕКТРОННИЙ ПРИСТРІЙ ВИМІРУ ТЕМПЕРАТУРИ 40299 В основу винаходу поставлена задача створення мікроелектронного пристрою виміру температури, в якому за рахунок введення нових блоків і зв'язків між ними досягається перетворення температури у частоту, що приводить до підвищення чутливості і розширення діапазону виміру температури. Поставлена задача вирішується тим, що в пристрій який містить джерело постійної напруги, генератор електричних коливань на основі двох біполярних транзисторів, чотирьох резисторів і двох ємностей, введено третій термочутливий біполярний транзистор і друге джерело постійної напруги, що дало змогу замінити складне перетворення температури на випромінювання, а потім випромінювання на частоту у відомому пристрої на пряме перетворення температури в частоту у запропонованому пристрої, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний з базою першого термочутливого біполярного транзистора, емітер якого з'єднаний з емітером другого термочутливого біполярного транзистора, колектор якого з'єднаний з другим полюсом першого і другого джерела постійної напруги, другим виводом третього резистора, другим виводом другої ємності, що утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема, а перша вихідна клема підключена до колектора першого термочутливого біполярного транзистора, який з'єднаний з емітером третього термочутливого біполярного транзистора, першим виводом другого резистора, а другий вивід другого резистора з'єднаний з базою другого термочутливого біполярного транзистора і першим виводом третього резистора, а другий вивід третього резистора підключений до загальної шини, при цьому другий вивід першої ємності з'єднаний з базою третього термочутливого біполярного транзистора і першим виводом четвертого резистора, а другий вивід четвертого резистора з'єднаний з колектором третього термочутливого біполярного транзистора і першим виводом другої ємності, які підключені до першого полюса другого джерела постійної напруги. Використання запропонованого пристрою для виміру температури суттєво підвищує чутливість і розширює діапазон виміру температури як за рахунок виконання ємнісного елемента коливального контура у вигляді ємнісної складової повного опору на електродах колектор-колектор термочутливих першого і другого біполярних транзисторів, так і індуктивного елемента коливального контура, яким слугує індуктивна складова повного опору на електродах емітер-колектор третього термочутливого біполярного транзистора. На кресленні (фіг.) подано схему мікроелектронного пристрою виміру температури. Пристрій містить джерело постійної напруги 1, резистор 2, термочутливі біполярні транзистори 3 і 4, колектори яких з'єднані через послідовне коло резисторів 5 і 6. Ємність 7 і резистор 8 підключені паралельно емітеру і колектору термочутливого біполярного транзистора 9, колектор якого підключений до ємності 10, друге джерело постійної напруги 11. Мікроелектронний пристрій виміру температури працює таким чином. В початковий момент часу температура не діє на термочутливі біполярні транзистори 3, 4 і 9. Підвищенням напруги джерел постійної напруги 1 і 11 до величини, коли на електродах колекторколектор термочутливих біполярних транзисторів 3 і 4 виникає від'ємний опір, який приводить до виникнення електричних коливань в контурі, який утворений паралельним з'єднанням повного опору з ємнісним характером на електродах колекторколектор термочутливих біполярних транзисторів 3 і 4 та повним опором з індуктивним характером на електродах емітер-колектор термочутливого біполярного транзистора 9. Ємність 10 запобігає проходженню змінного струму через джерело постійної напруги 11. При наступній дії температури на термочутливі біполярні транзистори 3, 4 і 9 змінюється як ємність так і індуктивність коливального контура, що викликає ефективну зміну резонансної частоти. 2 40299 Фіг. __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2001 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 50 прим. Зам._______ ____________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 ___________________________________________________________ 3

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Microelectronic device for temperature measurement

Автори англійською

Osadchuk Volodymyr Stepanovych, Osadchuk Oleksandr Volodymyrovych

Назва патенту російською

Микроэлектронное устройство измерения температуры

Автори російською

Осадчук Владимир Степанович, Осадчук Александр Владимирович

МПК / Мітки

МПК: G01K 7/00, G01K 7/34, G01K 7/16

Мітки: мікроелектронний, температури, виміру, пристрій

Код посилання

<a href="http://uapatents.com/3-40299-mikroelektronnijj-pristrijj-vimiru-temperaturi.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Мікроелектронний пристрій виміру температури</a>

Подібні патенти