Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Мікроелектронний пристрій для виміру оптичного випромінювання, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, два конденсатори, резистор, МДН-транзистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до затвору МДН-транзистора і першого полюса першого джерела постійної напруги, а стік МДН-транзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що введено другий МДН-фототранзистор, причому перший і другий МДН-фототранзистори виконано з непрозорим затворним електродом із алюмінію, у яких зі зворотної сторони підкладки під областю каналу виконані глибокі пази, площа перерізу кожного з яких А задовольняє наступне співвідношення: A<S/n, де S - площа канала, n - число пазів, друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з непрозорим затворним електродом із алюмінію першого МДН-фототранзистора з непрозорим затворним електродом із алюмінію, стік якого підключений до першого виводу першого конденсатора, затвору МДН-транзистора і непрозорого затворного електрода із алюмінію другого МДН-фототранзистора з непрозорим затворним електродом із алюмінію, який утворює першу вихідну клему, при цьому витік першого МДН-фототранзистора з непрозорим затворним електродом із алюмінію з'єднаний з витоком і підкладкою другого МДН-фототранзистора з непрозорим затворним електродом із алюмінію, а другий вивід першого конденсатора з'єднаний з підкладкою МДН-транзистора і першим виводом резистора, а другий вивід резистора з'єднаний з стоком МДН-транзистора, першим виводом другого конденсатора і першим полюсом другого джерела постійної напруги, при цьому другий полюс другого джерела постійної напруги підключений до другого виводу другого конденсатора, стоку другого МДН-фототранзистора з непрозорим затворним електродом із алюмінію і другого полюса першого джерела постійної напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема.

Текст

Мікроелектронний пристрій для виміру оптичного випромінювання, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДНфототранзистор, два конденсатори, резистор, МДН-транзистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до затвору МДН-транзистора і першого полюса першого джерела постійної напруги, а стік МДН-транзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що введено другий МДН-фототранзистор, причому перший і другий МДН-фототранзистори виконано з непрозорим затворним електродом із алюмінію, у яких зі зворотної сторони підкладки під областю каналу виконані глибокі пази, площа перерізу кожного з яких А задовольняє наступне співвідношення: U 2 (19) 1 3 ший конденсатор і індуктивний елемент, підключений паралельно фотодіодам, аноди яких з'єднані, при цьому катод першого фотодіода підключений до першого виводу першого конденсатора, другий вивід якого підключений до загальної шини пристрою, а також містить МДН-транзистор, другий конденсатор, джерело напруги, в подальшому джерело постійної напруги, і резистор, а індуктивний елемент виконаний у вигляді реактивного МДН-фототранзистора, в подальшому перший МДН-фототранзистор, причому катод першого фотодіода підключений до витоку першого МДНфототранзистора, катод другого фотодіода підключений до першого виводу резистора, витоку МДН-транзистора і стоку першого МДНфототранзистора, затвор якого підключений до стоку і затвору МДН-транзистора, першого виводу другого конденсатора і першого полюсу джерела постійної напруги, другі виводи другого конденсатора, резистора і другий полюс джерела постійної напруги підключений до загальної шини. Недоліком такого пристрою є мала чутливість, особливо в області малих величин оптичного випромінювання, тому що при цьому різко знижується швидкість оптичної генерації носіїв заряду. В основу корисної моделі поставлена задача створення мікроелектронного пристрою для виміру оптичного випромінювання, в якому за рахунок введення нових елементів та зв'язків між ними досягається зміна ємності коливального контуру, що підвищує чутливість і точність виміру оптичного випромінювання. Поставлена задача досягається тим, що в мікроелектронний пристрій для виміру оптичного випромінювання, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, два конденсатора, резистор, МДН-транзистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до затвору МДН-транзистора і першого полюса першого джерела постійної напруги, а стік МДН-транзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, введено другий МДН-фототранзистор, причому перший 2 та другий 3 МДН-фототранзистори виконано з непрозорим затворним електродом із алюмінію (Аl), у яких зі зворотної сторони підкладки під областю каналу виконані глибокі пази, площа перерізу кожного з яких А задовольняє наступне співвідношення: A

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Micro-electronic device for measurement of optical emission

Автори англійською

Osadchuk Volodymyr Stepanovych, Osadchuk Oleksandr Volodymyrovych, Ilchenko Olena Mykolaivna, Baraban Serhii Volodymyrovych

Назва патенту російською

Микроэлектронное устройство для измерения оптического излучения

Автори російською

Осадчук Владимир Степанович, Осадчук Александр Владимирович, Ильченко Елена Николаевна, Барабан Сергей Владимирович

МПК / Мітки

МПК: G01J 1/44

Мітки: мікроелектронний, виміру, випромінювання, оптичного, пристрій

Код посилання

<a href="http://uapatents.com/3-31603-mikroelektronnijj-pristrijj-dlya-vimiru-optichnogo-viprominyuvannya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Мікроелектронний пристрій для виміру оптичного випромінювання</a>

Подібні патенти