Номер патенту: 31601

Опубліковано: 15.12.2000

Автор: Буханенко Анатолій Семенович

Завантажити PDF файл.

Текст

31601 Технічне вирішення, що пропонується, відноситься до алмазообробної промисловості, зокрема до виробництва діамантів, і може бути використане при огранюванні алмазів в діаманти. Відомі способи виготовлення діамантів, що складаються з таких операцій: виробничого вивчення і розмітки алмазної сировини, розколювання, розпилювання, обдирки та огранювання (див. Епифанов В.И. и др. Технология обработки алмазов в бриллианты. - М.: Высшая школа, 1976, с. 114). В результаті цих операцій алмазу надається форма майбутнього діаманта, на поверхні якого утворюється 17 або 33 грані. Однак даний технологічний процес не забезпечує поліпшення якості алмаза шляхом виведення всіх або деяких дефектів чи за рахунок значної втрати маси заготовки. Відомим є спосіб огранювання алмазів в діаманти круглої форми КР 57, який включає перегляд напівфабрикатів з метою виявлення зовнішніх і внутрішні х дефектів, визначення їхнього характеру, місця розташування дефектів у напівфабрикаті, намічення способів їх усунення. Потім напівфабрикат поміщають у пристосування для шліфовки площадки верхньої грані, розташованої перпендикулярно до осі діаманта. Полірують площадку напівфабрикату. Далі на поясі напівфабрикату наносять лінію рундиста. Потім вставляють напівфабрикат у цангу потрібного діаметра, вставивши у пристосування для огранювання низу, обирають напрям "м'якого" шліфування і роблять шліфовку. Далі роблять брильянтування (постановку клинів) низу майбутнього діаманта. Потім напівфабрикат вставляють у пристосування для шліфовки площадки і полірують площадку напівфабрикату. Потім вставляють напівфабрикат в оправку ограночного пристосування для верху діаманта і роблять шліфовку та брильянтування (постановку клинів верху) діаманта. При постановці граней верху та брильянтуванні верху діаманта здійснюють контроль висоти рундиста. При обробці алмазів за технологією КР57 утворюються діаманти, що мають недостатню іскристість, тому що площа площадки, призначеної для уловлювання світла, що падає на верхню частину діаманта, і переломлення вихідного світлового потоку не виходить оптимальною. Крім того. усунення деяких дефектів досягається при огранюванні за рахунок втрати маси заготовки. При обробці напівфабрикату за даною технологією, наприклад, при масі алмаза 0,17 ct і діаметрі 3,0 мм на виході одержують діамант масою 0,10-0,11 ct. На верхній частині діаманта виконано 33 грані, на нижній частині діаманта виконано 24 грані. Завданням поставленого вирішення є створення способу огранювання алмаза в діаманти, що дозволяє одержати таку площадку верху діаманта, яка забезпечила б оптимальну світлову гр у і блиск діаманта при найбільшому збереженні маси напівфабрикату за рахунок нанесення додаткової кількості граней на верхній і нижніх частинах напівфабрикату алмаза шляхом зміни послідовності операцій. Поставлене завдання вирішується тим, що відповідно до способу обробки коштовних каменів, що включає зовнішній контроль напівфабрикату перед огранюванням, шліфовку площадки, нанесення лінії рундиста, постановку і полірування граней і клинів низу напівфабрикату, полірування площадки напівфабрикату, постановку граней та клинів верху напівфабрикату, їх полірування, контроль висоти рундиста і контроль діаманта на виході, полірування площадки здійснюють після постановки граней верху, а потім проводять постановку основних і нижніх клинів верху, постановку клинів верху напівфабрикату і проводять контроль розміру площадки. При цьому на верхню частину діаманта наносять 43 грані, а на нижню частину діаманта наносять 36 граней. При цьому на верхню частину діаманта наносять 55 граней, а на нижню частину діаманта наносять 36 граней. При цьому на верхню частину наносять 72 грані, а на нижню частину наносять 36 граней. При цьому на верхню частину наносять 55 граней, а на нижню частину наносять 72 грані. При цьому на верхню частину наносять 55 граней, а на нижню частину наносять 84 грані. Отримані форми діамантів в результаті застосування наведеної послідовності операцій при огранюванні напівфабрикату алмаза дозволяють забезпечити зовнішню красоту, високий ступінь гри і блиску діаманта. За рахунок отриманої можливості для нанесення більшої кількості граней досягається не тільки зовнішня красота діаманта, але і відбувається більш раціональне використання сировини. Розмір площадки, одержуваний при використанні даної технології, складає 60-63%, яка призначена для уловлювання світла, що падає на верхню частину, і відбиття вихідного світлового потоку. Світло, що проходить через площадку та основні грані верху, повністю відбивається від граней низу діаманта і після переломлення виходить через основні грані верху та площадку. У зв'язку з тим, що грані нижньої частини діаманта відіграють головну роль у відбитті світла, що проходить через верх діаманта, то збільшення кількості граней в нижній частині збільшує число відбиттів, так само як і збільшення числа граней у верхній частині збільшує число переломлень. Верхні клиння верху збільшують число відбиттів. Посилюючи блиск діаманта, нижні клиння верху і клиння низу служать для того, щоб зробити найбільш ефективними косі промені, що входять у діамант через основні грані верху. В результаті утворюється найбільший блиск і “гра” круглого діаманта, якість огранювання за наведеною технологією дозволяє максимально виявити оптичні властивості алмазів. На кресленнях подані основні елементи ограненого діаманта: на фіг. 1 показаний загальний вигляд діаманта; на фіг. 2 - вигляд вер ху діаманта; на фіг. 3 - вигляд низу діаманта; на фіг. 4 - вигляд форми площадки верхньої частини діаманта; на фіг. 5 - вигляд форми пелюстка каштана. 31601 Діамант складається з трьох частин: вер хньої частини 1 (фіг. 2), середньої частини - рундиста 2 (фіг. 1) і нижньої частини діаманта 3 (фіг. 3). Верхня частина 1 складається з площадки 4, яка виконана у формі шестигранника у вигляді зірки Давида, основних клинів верху 5, парних граней верху 6, нижніх клинів верху 7. Нижня частина 2 складається з граней низу 8, клинів низу 9, нижніх парних граней низу 10 і нижніх клинів низу 11. Грані і клиння низу сходяться в шип діаманта 12. Стикання граней 5, 6, 7 позначено поз. 13. Спосіб, що пропонується, здійснюють таким чином. Перед шліфуванням переглядають кристали алмазів через лупу для визначення характеру, розташування дефектів в заготовці, намічають способи їх усунення або розміщення всіх граней таким чином, щоб одержати діамант найбільшої маси з найбільшою грою світла. Обирають необхідну оснастку відповідно до розмірів і форми напівфабрикату алмаза. Запресовують азбест в оправку пристосування. Потім вдавлюють діамант у підготовлений азбест в оправці і приступають до шліфування площадки 4 напівфабрикату алмаза. Потім на пояску напівфабрикату наносять лінію рундиста 2 - слід, що лишається кінчиком леза на пояску напівфабрикату алмаза при його обертанні навколо своєї осі. Лінія 2 служить орієнтиром для розміщення нижньої 3 і верхньої 2 частин діаманта на заготовці. Для відведення лінії рундиста напівфабрикат алмаза кладуть відшлі фованою площадкою 4 на поверхню рундистомера. Потім беруть оправку, підібрану відповідно до діаметра напівфабрикату алмаза, вставляють її в корпус і, притримуючи, спрямовують на вершину алмаза. Притримуючи оправку, здійснюють поворот напівфабрикату навколо своєї осі. На пояску утворюється чітка, рівна і безперервна лінія рундиста. Напівфабрикат алмаза з відведеною лінією рундиста покривають бурою. Потім для міцного кріплення алмаза підбирають діаметр цанги, у якій виставляють напівфабрикат алмаза для огранювання низу діаманта. Обирають напрям "м'якого" шліфування і проводять шліфовку граней 10. Після контролю граней низу приступають до брильянтування низу шляхом постановки клинів 9 і 11 на гранях низу 10. Після обробки низу 3 діаманта у підібрану за заданим діаметром алмаза оправку встановлюють у головку пристосування і затискують гайкою. Перед встановленням алмаза в отвір оправки пінцетом вносять краплю розчину бури для запобігання підгару відполірованих граней низу діаманта. Напівфабрикат алмаза з обробленим низом беруть пінцетом за поясок і вставляють шипом 12 в оправку; а потім повертають притисну планку в робоче положення. Закріпивши в такий спосіб напівфабрикат, з площадки 4 останнього прибирають залишки бури, що випадково потрапили на неї. Після настроювання пристосування для обробки основних граней верху 6 приступають до шліфування першої грані. Перевіряють правильність розташування одержаної грані і продовжують шліфування. По закінченні шліфовки грані верху контролюють висоту лінії рундиста 2. Потім шліфують кутові грані верху. Після цього встановлюють напівфабрикат алмаза в пристосування для шліфовки площадки і полірують її, здійснюючи при цьому контроль за її розміром. Закінчивши обробку площадки, вставляють напівфабрикат алмаза в оправку ограночного пристосування для верху діаманта і роблять брильянтування, встановлюючи клиння верху 5 і 7, здійснюючи контроль обробки і контроль висоти рундиста. Після обробки напівфабрикату за даною технологією при масі алмаза 0,17 ct і діаметрі 3,0 мм на виході одержують діамант масою 0,11 ct - 0,12 ct. Таким чином, якщо взяти заготовки кристалів алмаза однакової маси і однакових діаметрів, то після обробки заготовки за запропонованою технологією огранювання вихід придатного (маси) діаманта одержують більшим на 6-8%, ніж при обробці заготовки за відомими технологіями. Після огранювання діаманти старанно промивають від забруднень для визначення якості їх огранювання та правильної оцінки їхньої вартості. Після візуального контролю готові діаманти подають на технічний контроль. 31601 Фіг. 1 Фіг. 2 Фіг. 3 Фіг. 4 Фіг. 5

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method of working the precious stones

Автори англійською

Drach Valentyna Leonidivna

Назва патенту російською

Способ обработки драгоценных камней

Автори російською

Драч Валентина Леонидовна

МПК / Мітки

МПК: B24B 9/06

Мітки: каменів, спосіб, коштовних, обробки

Код посилання

<a href="http://uapatents.com/3-31601-sposib-obrobki-koshtovnikh-kameniv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб обробки коштовних каменів</a>

Подібні патенти