Мікроелектронний витратомір газу

Мікроелектронний витратомір газу, що складається з вимірювальної камери, джерела постійної напруги, двох резисторів, який відрізняється тим, що в нього введені перший термочутливий біполярний транзистор, другий біполярний транзистор, третій резистор, ємність, пасивна індуктивність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з’єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з’єднаний з базою 3 29964 4 В основу корисної моделі поставлена задача На кресленні подано схему мікроелектронного створення мікроелектронного витратоміра газу, в витратоміру газу. якому за рахунок введення нових блоків і зв’язків Пристрій містить вимірювальну камеру 1, в між ними відбувається перетворення витрат газу у якій розміщено перший термочутливий біполярний частоту, що приводить до підвищення точності транзистор 2. Резистор 3 від першого джерела виміру газу. постійної напруги 4 служить для живлення термоПоставлена задача вирішується тим, що в чутливого біполярного транзистора 2 і біполярного пристрій, який складається з вимірювальної каметранзистора 5. Емітер біполярного транзистора 5 ри, двох резисторів, джерела постійної напруги, з’єднаний із емітером термочутливого біполярного введено перший термочутливий біполярний трантранзистора 2. Колектор термочутливого біполярзистор, другий біполярний транзистор, третій реного транзистора 2 через резистор 6 з’єднаний з зистор, ємність, пасивну індуктивність і друге джебазою біполярного транзистора 5, до якої підклюрело постійної напруги, причому перший полюс чено резистор 1, що з’єднаний із колектором біпопершого джерела постійної напруги з’єднаний з лярного транзистора 5. Паралельно колекторам першим виводом першого резистора, а другий термочутливого біполярного транзистора 2 і біповивід першого резистора з’єднаний з базою перлярного транзистора 5 підключене послідовне кошого термочутливого біполярного транзистора, ло, яке складається з пасивної індуктивності 8 і колектор якого підключений до першого виводу ємності 9 разом із другим джерелом постійної надругого резистора, а другий вивід другого резиспруги 10. Вихід пристрою утворений колектором тора з’єднаний з базою другого біполярного трантермочутливого біполярного транзистора 2 і загазистора і першим виводом третього резистора, льною шиною. при цьому емітер першого термочутливого біполяМікроелектронний витратомір газу працює тарного транзистора з’єднаний з емітером другого ким чином. біполярного транзистора, колектор якого підклюВ початковий момент часу газ не проходить чений до другого виводу третього резистора, дручерез вимірювальну камеру 1. Підвищенням нагого виводу ємності, другого полюса першого джепруги через резистор 3 джерел постійної напруги 4 рела постійної напруги, др угого полюса другого і 10 встановлюємо початкову температуру в терджерела постійної напруги, які утворюють загальмочутливому біполярному транзисторі 2, а також ну шину, до якої підключена друга вихідна клема, початкову величину резонансної частоти, яка виа перша вихідна клема підключена до колектора никає в коливальному контурі, утвореним послідопершого термочутливого біполярного транзистора вним включенням повного опору з ємнісним харакі першого виводу пасивної індуктивності, а другий тером на електродах колекторів термочутливого вивід пасивної індуктивності з’єднаний із першим біполярного транзистора 2 і біполярного транзисвиводом ємності і першим полюсом другого джетора 5 та індуктивним опором пасивної індуктиврела постійної напруги. ності 8, за рахунок виникнення від’ємного опору на Використання запропонованого мікроелектелектродах колектор-колектор термочутливого ронного витратоміру газу суттєво підвищує точбіполярного транзистора 2 і біполярного транзисність виміру інформативного параметру за рахунок тора 5. Ємність 9 запобігає проходженню змінного виконання ємнісного елемента коливального конструму через друге джерело постійної напруги 10. туру у ви гляді першого термочутливого біполярноПри наступному проходженні газу через вимірюго транзистора і другого біполярного транзистора, вальну камеру 1 змінюється повний опір термочув якому зміна повного опору першого термочутлитливого біполярного транзистора 2, що приводить вого біполярного транзистора під дією потоку газу, до зміни ємнісної складової повного опору на елещо проходить через вимірювальну камеру, перектродах колектор-колектор термочутливого біпотворюється в ефективну зміну резонансної частолярного транзистора 2 і біполярного транзистора ти, а також за рахунок можливості лінеаризації 5, а це у свою чергу, викликає зміну резонансної функції перетворення шляхом вибору величин частоти коливального контуру. напруг живлення. 5 Комп’ютерна в ерстка А. Крижанівський 29964 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601