Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Спосіб вирощувана монокристалів AgGaGe3Se8, який включає складання шихти з елементарних компоненів Ag,Ga,Ge,Se у відповідності із стехіометричним складом, синтез її і вирощування монокристалів за методом Бріджмена-Стокбаргера, причому синтез і ріст проводять в одному й тому ж ростовому контейнері який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при слідуючих параметрах:

температура в зоні розплаву

1200-1250К

температура зоні відпалу

750-770К

градієнт температури в зоні

кристалізації

3-5К/мм

швидкість росту

0,2-0,4мм/год.

час відпалу

200-250год.

швидкість охолодження

5К/год.

 

Текст

Спосіб вирощування монокристалів AgGaGe3Se8, який включає складання шихти з елементарних компонентів Ag, Ga, Ge, Se у відповідності із стехіометричним складом, синтез її і ви 28492 температура в зоні розплаву 1200-1250 К, температура в зоні відпалу 750-770 К, градієнт температури в зоні кристалізації 3-5 К/мм, швидкість росту 0,2-0,4 мм/год., час відпалу 200-250 год., швидкості охолодження 5 К/год. Вся сукупність нових суттєвих ознак дозволяє отримати новий технічний результат, а саме: отримання якісних, великих розмірів (50-100 г.), промислово застосовуваних монокристалів. Можливість одержання промислово застосовуваних монокристалів AgGaGe3Se8 можна проілюструвати на наступних прикладах. Приклад 1 При вирощуванні монокристалів AgGaGe3Se8 у наступному технологічному режимі: температура в зоні розплаву – 1000 К, температура в зоні відпалу – 700 К, градієнт в зоні кристалізації – 2 К/мм, швидкість росту - 0,11 мм/год., час відпалу – 120 год., швидкість охолодження – 5 К/год. Отримуються переважно полікристалічні, візуально непрозорі кристали. Прилад 2 При вирощуванні монокристалів AgGaGe3Se8 у наступному технологічному режимі: температура в зоні розплаву – 1250 К, температура в зоні відпалу – 770 К, градієнт в зоні кристалізації – 5 К/мм, швидкість росту - 0,6 мм/год., час відпалу – 300 год., швидкість охолодження – 5 К/год. Отримуються переважно блочні, візуально прозорі кристали. Приклад З При вирощуванні монокристалів AgGaGe3Se8 у наступному технологічному режимі: температура в зоні розплаву – 1230 К, температура в зоні відпалу – 750 К, градієнт в зоні кристалізації – 4 К/мм, швидкість росту – 0,24 мм/год., час відпалу – 250 год., швидкість охолодження – 5 К/год. Отримуються візуально прозорі монокристали великих розмірів, що забезпечує їх промислове застосування. __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2002 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 34 прим. Зам._______ __________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 __________________________________________________________ 2

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method for aggage3se8 single crystals growing

Автори англійською

Olekseiuk Ivan Dmytrovych, Horhut Halyna Petrivna, Pankevych Volodymyr Zinoviievych

Назва патенту російською

?????? ??????????? ???????????ло? aggage3se8

Автори російською

Олексеюк Иван Дмитриевич, Горгут Галина Петровна, Панкевич Владимир Зіновієвич

МПК / Мітки

МПК: C30B 11/00

Мітки: вирощування, aggage3se8, монокристалів, спосіб

Код посилання

<a href="http://uapatents.com/2-28492-sposib-viroshhuvannya-monokristaliv-aggage3se8.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб вирощування монокристалів aggage3se8</a>

Подібні патенти