Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Мощный высоковольтный МОП-транзистор с вертикальной структурой, содержащий полупроводниковую подложку, на одной стороне которой сформирован омический контакт, а на другой расположен высокоомный слой того же типа проводимости, в котором размещены области противоположного подложке типа проводимости, образующие прямоугольную матрицу, в каждой области расположена прямоугольная кольцеобразная область противоположного типа проводимости, в приповерхностном высокоомном слое между областями противоположного подложке типа проводимости выполнены высоколегированные области того же, что и слой, типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью увеличения пробивного напряжения в приповерхностной высоколегированной области между кольцеобразными областями введены дополнительные высокоомные прямоугольные области того же типа проводимости, внешние углы которых совмещены своими вершинами с внешними углами соответствующих кольцеобразных областей.

Текст

МОЩНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ МОПТРАНЗИСТОР с вертикальной структурой, содержащий тголупроводниковую подложку, НА одной стороне которой сформирован омический контакт, а на другой расположен высокоомный слой того же типа проводимости, в котором размещены области противоположного подложке типа проводимости, образующие прямо (51)4 , Н 0t \ L..29/78 ч угольную матрицу, в каждой области расположена прямоугольная кольцеобраз ная область противоположного типа про водимости, в приповерхностном высокоомном слое между областями противоположного подложке типа проводимости выполнены высоколегированные области того же, что и слой, типа проводимости, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения пробивного напряжения в приповерхностной высоколегированной области между кольцеобразными областями введены дополнительные высокоомные прямоугольные области того же типа проводимости, внешние углы которых совмещены своими вершинами с внешними углами соответствующих кольцеобразных областей. 1 1258264 сокоомные прямоугольные области 4, Изобретение относится к полупроводподложка 5, высокоомный слой 6. никовой микроэлектронике и может, быть Был изготовлен транзистор на кремиспользовано при разработке конструкций мощных высоковольтных МОП-транзис- ниевой эпитаксиальной структуре. Исторов. 5 токовые области (кольцеобразные области 2) имеют размеры сторон 15 мкм, Целью изобретения является увелирасстояние между штоковыми областями чение пробивного напряжения. (по фотошаблону) 15 мкм, глубина обНа фиг,1 схематически изображен ласти 13 мкм, глубтна п - области 2 МОП-транзистор, вид сверху^ на фиг. 2разреэ А-А на фиг, Г, на фиг.З - раз- 10 1,5 мкм, концентрация донорной примерез Б-Б на фиг.1; где обозначены обси в приповерхностной области стока ласти 1 противоположного подложке ти 2-10-3 Юсм^ширинаканала 144 см. па проводимости, прямоугольные кольСопротивление МОП-транзистора спро1 цеобразные области 2, высоколегиро бивным напряжением 100В 0,080М при ванные области 3» дополнительные вы- 15 площади кристалла 25 мм*. А -А /7— /7

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Powerful high-voltage mos transistor

Автори англійською

Politanskyi Leonid Franytsovych, Heller Vitalii Izraliiovych, Kyseliov Yurii Pavlovych

Назва патенту російською

Мощный высоковольтный моп-транзистор

Автори російською

Политанский Леонид Францевич, Геллер Виталий Изральевич, Киселев Юрий Павлович

МПК / Мітки

МПК: H01L 29/78

Мітки: потужний, мдн-транзистор, високовольтний

Код посилання

<a href="http://uapatents.com/2-16969-potuzhnijj-visokovoltnijj-mdn-tranzistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Потужний високовольтний мдн-транзистор</a>

Подібні патенти