Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Мікроелектронний пристрій для вимірювання тиску, який містить джерело постійної напруги і тензочутливий міст із чотирьох однотипних тензорезисторів, який відрізняється тим, що додатково введені два біполярних транзистори, пасивна індуктивність, ємність і п'ять резисторів, причому перший вивід першого тензорезистора з'єднаний з першими виводами першого резистора, пасивної індуктивності, ємності, першою клемою джерела постійної напруги і першим виводом другого тензорезистора, другий вивід якого з'єднаний з другим виводом першого резистора, першим виводом другого резистора, базою першого біполярного транзистора і першим виводом третього тензорезистора, другий вивід якого разом з першими виводами четвертого тензорезистора, третього і четвертого резистора, колектором другого біполярного транзистора, другим виводом ємності і другою клемою джерела постійної напруги утворюють загальну шину, до якої підключена перша вихідна клема пристрою, при цьому другий вивід четвертого тензорезистора з'єднаний з другими виводами другого і третього резисторів і другим виводом першого тензорезистора, емітери першого і другого біполярних транзисторів з'єднані між собою, колектор першого біполярного транзистора з'єднаний з другим виводом пасивної індуктивності, другою вихідною клемою пристрою і першим виводом п'ятого резистора, другий вивід якого з'єднаний з другим виводом четвертого резистора і базою другого біполярного транзистора.

Текст

Мікроелектронний пристрій для вимірювання тиску, який містить джерело постійної напруги і тензочутливий міст із чотирьох однотипних тензорезисторів, який відрізняється тим, що додатково введені два біполярних транзистори, пасивна індуктивність, ємність і п'ять резисторів, причому перший вивід першого тензорезистора з'єднаний з першими виводами першого резистора, пасивної індуктивності, ємності, першою клемою джерела постійної напруги і першим виводом другого тензорезистора, другий вивід якого з'єднаний з дру 3 16801 мою джерела постійної напруги і першим виводом другого тензорезистора, другий вивід якого з'єднаний з другим виводом першого резистора, першим виводом другого резистора, базою першого біполярного транзистора і першим виводом третього тензорезистора, другий вивід якого разом з першими виводами четвертого тензорезистора, третього і четвертого резистора, колектором другого біполярного транзистора, другим виводом ємності і другою клемою джерела постійної напруги утворюють загальну шину, до якої підключена перша вихідна клема пристрою, при цьому другий вивід четвертого тензорезистора з'єднаний з другими виводами другого і третього резисторів і другим виводом першого тензорезистора, емітери першого і другого біполярних транзисторів з'єднані між собою, колектор першого біполярного транзистора з'єднаний з другим виводом пасивної індуктивності, другою вихідною клемою пристрою і першим виводом п'ятого резистора, другий вивід якого з'єднаний з другим виводом четвертого резистора і базою другого біполярного транзистора. На кресленні представлено схему мікроелектронного пристрою для вимірювання тиску. Пристрій містить чотири тензорезистори 1-4, що утворюють тензочутливий міст, три резистори 5-7. База біполярного транзистора 9 з'єднана з колектором біполярного транзистора 8 через резистор 10 і з загальною шиною через резистор 11. Емітери біполярних транзисторів 8 і 9 з'єднані між собою. Паралельно колекторам біполярних транзисторів 8 і 9 підключене послідовне коло з пасивної індуктивності 12, ємності 13, джерело постійної напруги 14. Вихід пристрою утворений колектором Комп’ютерна верстка А. Крулевський 4 біполярного транзистора 8 і загальною шиною. Мікроелектронний пристрій для вимірювання тиску працює таким чином. В початковий момент часу тиск не діє на перший 1, другий 2, третій 3 і четвертий 4 тензорезистори, що утворюють тензочутливий міст. Підвищення напруги джерела постійної напруги 14 до величини, коли на електродах колектор-колектор біполярних транзисторів 8 і 9 виникає від'ємний опір, приводить до виникнення електричних коливань в контурі, які утворюються послідовним включенням повного опору з ємнісним характером на електродах колектор-колектор біполярних транзисторів 8 і 9 та індуктивним опором пасивної індуктивності 12. Ємність 13 запобігає проходженню змінного струму через джерело постійної напруги 14. При наступній дії тиску на тензочутливий міст на його виході з'являється сигнал, що призводить до збільшення базової напруги біполярного транзистора 8, і відповідної зміни ємнісної складової повного опору на електродах колектор-колектор біполярних транзисторів 8 і 9, а це викликає зміну резонансної частоти коливального контуру. Використання запропонованого пристрою для вимірювання тиску суттєво підвищує діапазон вимірювання інформативного параметру за рахунок виконання ємнісного елемента коливального контуру у вигляді біполярних транзисторів, в якому зміна опорів тензорезисторів під дією тиску перетворюється в ефективну зміну резонансної частоти, при цьому можлива лінеаризація функції перетворення шляхом вибору величини напруги живлення. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Microelectronic pressure transducer

Автори англійською

Osadchuk Volodymyr Stepanovych, Osadchuk Oleksandr Volodymyrovych

Назва патенту російською

Микроэлектронное устройство для измерения давления

Автори російською

Осадчук Владимир Степанович, Осадчук Александр Владимирович

МПК / Мітки

МПК: G01L 9/04

Мітки: вимірювання, тиску, пристрій, мікроелектронний

Код посилання

<a href="http://uapatents.com/2-16801-mikroelektronnijj-pristrijj-dlya-vimiryuvannya-tisku.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Мікроелектронний пристрій для вимірювання тиску</a>

Подібні патенти